JP2015517225A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 高度なＲＦ及び温度の均一性を備えた静電チャック（ＥＳＣ）であって、
   上部誘電体層と、
   上部誘電体層の下方に配置された上部金属部と、
   複数の画素化された抵抗ヒータの上方に配置され、上部金属部によって部分的に囲まれた第２誘電体層と、
   第２誘電体層の下方に配置された第３誘電体層であって、第３誘電体層と第２誘電体層の間には境界線を有する第３誘電体層と、
   第３誘電体層内に配置された複数のビアと、
   複数のビアの下方に配置され、複数のビアに結合されたバスバー配電層であって、複数のビアは、複数の画素化された抵抗ヒータをバスバー配電層に電気的に結合するバスバー配電層と、
   バスバー配電層の下方に配置された第４誘電体層であって、第４誘電体層と第３誘電体層の間には境界線を有する第４誘電体層と、
   第４誘電体層の下方に配置され、内部に収容された複数の高出力ヒータ要素を含む金属ベースを含む静電チャック。
2. 上部誘電体層は、内部に配置された複数の表面構造を含む請求項１記載のＥＳＣ。
3. 上部誘電体層の表面構造は、ＥＳＣ用の冷却チャネルを提供する請求項２記載のＥＳＣ。
4. 上部誘電体層は、ウェハ又は基板を上で支持するように構成される請求項１記載のＥＳＣ。
5. 上部誘電体層は、溶射誘電体材料を含む請求項１記載のＥＳＣ。
6. 上部誘電体層の上に配置された固体セラミックスプレートを含む請求項１記載のＥＳＣ。
7. 固体セラミックスプレートは、ウェハ又は基板を上で支持するように構成される請求項６記載のＥＳＣ。
8. 上部金属部は高周波（ＲＦ波）用のガイドを提供する請求項１記載のＥＳＣ。
9. 金属ベースの下方に配置され、金属ベースに溶接された下部プレートを含む請求項１記載のＥＳＣ。
10. 静電チャック（ＥＳＣ）を製造する方法であって、
    金属ベース内のハウジング内に高出力ヒータ要素を設置する工程と、
    高出力ヒータ要素を内部に収容するために金属ベースに下部プレートを溶接する工程と、
    プラズマ溶射又はアーク陽極酸化によって金属ベースの上に第１誘電体層を形成する工程と、
    第１誘電体層の上に金属層を形成し、金属層からバスバー配電層を形成する工程と、
    バスバー配電層の上と、第１誘電体層の露出部の上に、第２誘電体層を形成する工程と、
    第２誘電体層内にビアホールを形成し、バスバー配電層を露出させる工程と、
    複数の導電性ビアを形成するためにビアホールを金属で埋める工程と、
    複数の導電性ビアの上方に配置され、複数の導電性ビアに電気的に結合された複数の画素化された抵抗ヒータを形成する工程と、
    複数の画素化された抵抗ヒータの上に第３誘電体層を形成する工程と、
    第３誘電体層の上の、及び第３誘電体層を部分的に囲む上部金属部を形成する工程と、
    上部金属部の上に上部誘電体層を形成する工程を含む方法。
11. 上部誘電体層を形成する工程は、プラズマ溶射技術を使用する工程を含む請求項１０記載の方法。
12. 上部誘電体層の上面内に複数の表面構造を機械加工する工程を含む請求項１０記載の方法。
13. 固体セラミックスプレートを上部誘電体層に接着する工程を含む請求項１０記載の方法。
14. エッチングシステムであって、
    排気装置と、ガス入口装置と、プラズマ点火装置と、検出器に結合されたチャンバと、
    プラズマ点火装置に結合されたコンピューティングデバイスと、
    静電チャック（ＥＳＣ）を含むサンプルホルダーに結合された電圧源を含み、チャンバ内に配置されたＥＳＣは、
    上部誘電体層と、
    上部誘電体層の下方に配置された上部金属部と、
    複数の画素化された抵抗ヒータの上方に配置され、上部金属部によって部分的に囲まれた第２誘電体層と、
    第２誘電体層の下方に配置された第３誘電体層であって、第３誘電体層と第２誘電体層の間には境界線を有する第３誘電体層と、
    第３誘電体層内に配置された複数のビアと、
    複数のビアの下方に配置され、複数のビアに結合されたバスバー配電層であって、複数のビアは、複数の画素化された抵抗ヒータをバスバー配電層に電気的に結合するバスバー配電層と、
    バスバー配電層の下方に配置された第４誘電体層であって、第４誘電体層と第３誘電体の間には境界線を有する第４誘電体層と、
    第４誘電体層の下方に配置され、内部に収容された複数の高出力ヒータ要素を含む金属ベースを含むエッチングシステム。
15. ＥＳＣの上部誘電体層は、内部に配置された複数の表面構造を含み、上部誘電体層の表面構造は、ＥＳＣ用の冷却チャネルを提供する請求項１４記載のエッチングシステム。
16. ＥＳＣの上部誘電体層は、ウェハ又は基板を上で支持するように構成される請求項１４記載のエッチングシステム。
17. ＥＳＣの上部誘電体層は、溶射誘電体材料を含む請求項１４記載のエッチングシステム。
18. ＥＳＣは、
    上部誘電体層の上に配置され、ウェハ又は基板を上で支持するように構成された固体セラミックスプレートを含む請求項１４記載のエッチングシステム。
19. ＥＳＣの上部金属部は高周波（ＲＦ波）用のガイドを提供する請求項１４記載のエッチングシステム。
20. ＥＳＣの金属ベースの下方に配置され、ＥＳＣの金属ベースに溶接された下部プレートを含む請求項１４記載のエッチングシステム。