JP2010016319A - プラズマ処理装置のチャンバー内部材の温度制御方法、チャンバー内部材及び基板載置台、並びにそれを備えたプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置内で用いられるチャンバー内部材の温度制御方法であって、前記チャンバー内部材に複数の給電部を設け、前記給電部を通して電力を供給し加熱するとともに、前記チャンバー内部材の抵抗値又は比抵抗を測定し、前記抵抗値又は比抵抗から推測する前記チャンバー内部材の温度に基づいて前記電力を制御する。
【選択図】なし
Description
図8は、シリコンを材料とするウェハ径300mm用のフォーカスリング(口径360mm、厚さ3.4mm)を直流電源で加熱したときの装置構成を示した図である。
2 下部電極(サセプタ;載置台)
3 筒状保持部
4 筒状支持部
5 フォーカスリング
6 排気路
7 バッフル板
8 排気管
9 排気装置
10 ウェハの搬入出口
11 ゲートバルブ
12 高周波電源
13 整合器
14 給電棒
15 ウェハ(基板)
16 静電チャック
17 内部電極
18 熱媒体流路
20 配管
21 伝熱ガス供給管
22 上部電極
23 ガス導入管
24 ガス噴出孔
25 電源装置
26 抵抗測定装置
27,28a,28b,28c,28d スイッチ
30 上部熱伝達シート
31 下部熱伝達シート
32 電極棒
34 カバーリング
36 空洞
37 チャンバー側壁の保護部材
40,41,42,43 電極
Claims (15)
- 被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置内で用いられるチャンバー内部材の温度制御方法であって、
前記チャンバー内部材に複数の給電部を設け、前記給電部を通して電力を供給し加熱するとともに、前記チャンバー内部材の抵抗値又は比抵抗を測定し、前記抵抗値又は比抵抗から推測する前記チャンバー内部材の温度に基づいて前記電力を制御することを特徴とするチャンバー内部材の温度制御方法。 - 前記チャンバー内部材が、被処理基板周辺に配置される一つ又は複数のリング状部材であることを特徴とする請求項1に記載のチャンバー内部材の温度制御方法。
- 前記チャンバー内部材が、チャンバー内においてプラズマと接し、被処理基板の近傍にある部材であることを特徴とする請求項1に記載のチャンバー内部材の温度制御方法。
- 前記リング状部材が、両端部に給電部が設けられたC型形状又は2体に分割された形状であることを特徴とする請求項2に記載のチャンバー内部材の温度制御方法。
- 前記複数の給電部から一組の電極を選定給電し、次に他の一組の電極を選定給電し、これを繰り返すことにより、前記チャンバー内部材に電流が均一に流れるように制御し、面内を均一に加熱することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のチャンバー内部材の温度制御方法。
- チャンバー内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、該プラズマにより載置台上に載置された被処理基板を処理するプラズマ処理装置のチャンバー内で用いられるチャンバー内部材であって、
複数の給電部を備え、前記給電部の端子が押圧機構又は埋込機構により前記チャンバー内部材に対して押圧又は嵌合されていることを特徴とするプラズマ処理装置のチャンバー内部材。 - 被処理基板周辺に配置される一つ又は複数のリング状部材であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置のチャンバー内部材。
- チャンバー内においてプラズマと接し、被処理基板の近傍にある部材であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置のチャンバー内部材。
- 前記リング状部材が、両端部に給電部が設けられたC型形状又は2体に分割された形状であることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置のチャンバー内部材。
- 被処理基板に対しプラズマ処理を行うチャンバー内に設置され、前記被処理基板を載置する基板載置台であって、
前記基板載置台は、請求項7又は9に記載のリング状部材を備えたことを特徴とする基板載置台。 - チャンバー内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、該プラズマにより載置台上に載置された被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
プラズマ処理に用いられる複数の給電部が設けられたチャンバー内部材と、
前記給電部に電力を供給する電源部と、
前記チャンバー内部材の抵抗値及び/又は比抵抗を測定する抵抗測定部と、
前記抵抗値又は比抵抗から推測する前記チャンバー内部材の温度に基づいて前記電力を制御する電流制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記チャンバー内部材が、被処理基板周辺に配置される一つ又は複数のリング状部材であることを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバー内部材が、チャンバー内においてプラズマと接し、被処理基板の近傍にある部材であることを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング状部材が、両端部に給電部が設けられたC型形状又は2体に分割された形状であることを特徴とする請求項12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の給電部から一組の電極を選定給電し、次に、他の一組の電極を選定給電し、これを繰り返すことにより、前記チャンバー内部材に均一に電流を流す制御機構を備えたことを特徴とする請求項11から14のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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TW098122785A TWI584698B (zh) | 2008-07-07 | 2009-07-06 | A temperature control method for a chamber member of a plasma processing apparatus, a chamber member and a substrate stage, and a plasma processing apparatus |
KR1020090061274A KR101560003B1 (ko) | 2008-07-07 | 2009-07-06 | 플라즈마 처리 장치의 챔버내 부재의 온도 제어 방법, 챔버내 부재 및 기판 탑재대와 그것을 구비한 플라즈마 처리 장치 |
DE102009027476.6A DE102009027476B4 (de) | 2008-07-07 | 2009-07-06 | Innenkammerelement-Temperatursteuerverfahren, kammerinternes Element, Substratanbringtisch und Plasmabearbeitungsvorrichtungsvorrichtung, die selbigen enthält |
TW104105658A TWI618454B (zh) | 2008-07-07 | 2009-07-06 | 電漿處理裝置的腔室內構件的溫度控制方法,腔室內構件及基板載置台,以及具備彼之電漿處理裝置 |
CN201110045927.3A CN102142351B (zh) | 2008-07-07 | 2009-07-07 | 等离子体处理装置的腔室内部件和基板载置台 |
CN2009101398706A CN101625952B (zh) | 2008-07-07 | 2009-07-07 | 等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法及具备该腔室内部件的等离子体处理装置 |
US12/498,703 US8425791B2 (en) | 2008-07-07 | 2009-07-07 | In-chamber member temperature control method, in-chamber member, substrate mounting table and plasma processing apparatus including same |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210958A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2013021129A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2015114977A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
WO2017188189A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 京セラ株式会社 | ヒータシステム、セラミックヒータ、プラズマ処理装置及び吸着装置 |
JP2017533582A (ja) * | 2014-09-19 | 2017-11-09 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | 支承装置および半導体処理設備 |
JP2019160846A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及び処理装置 |
WO2020255319A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2021086945A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び測定方法 |
WO2022100538A1 (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体浸没离子注入设备 |
JP7454961B2 (ja) | 2020-03-05 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
WO2012059376A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Methods and devices for media description delivery |
US10773095B2 (en) | 2011-06-21 | 2020-09-15 | Lockheed Martin Corporation | Direct magnetic imaging with metamaterial for focusing and thermal ablation using SPION nanoparticles for cancer diagnosis and treatment |
JP6088817B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2017-03-01 | 株式会社Kelk | 温度制御装置 |
JP2015053384A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP6219227B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法 |
JP6442296B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
KR102147615B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2020-08-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 적재대 |
US10109510B2 (en) * | 2014-12-18 | 2018-10-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for improving temperature uniformity of a workpiece |
CN106683969B (zh) * | 2015-11-06 | 2018-09-11 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子处理装置运行方法 |
JP6688172B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび方法 |
KR102039969B1 (ko) | 2017-05-12 | 2019-11-05 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
TWI791558B (zh) * | 2017-07-27 | 2023-02-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於半導體基板處理室的溫度控制的方法、非暫時性機器可讀儲存媒體以及系統 |
JP7149068B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2022-10-06 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP7094804B2 (ja) * | 2018-07-03 | 2022-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7145041B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング |
JP7204564B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN112185787B (zh) * | 2019-07-04 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备 |
US20210305027A1 (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and wear amount measurement method |
CN112736015A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于调节处理腔中电浆曲线的装置及其控制方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007687A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理中の温度測定方法及びそれに使用する温度測定用部材 |
JP2003086519A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 |
JP2004505446A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-02-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の支持体アセンブリー及び支持方法 |
JP2005085657A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2007149411A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Ulvac Japan Ltd | 電流導入端子および真空処理装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5187115A (en) * | 1977-12-05 | 1993-02-16 | Plasma Physics Corp. | Method of forming semiconducting materials and barriers using a dual enclosure apparatus |
DE4029268C2 (de) | 1990-09-14 | 1995-07-06 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur gleichspannungs-bogenentladungs-unterstützten, reaktiven Behandlung von Gut und Vakuumbehandlungsanlage zur Durchführung |
JPH04196528A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Toshiba Corp | マグネトロンエッチング装置 |
KR0164618B1 (ko) * | 1992-02-13 | 1999-02-01 | 이노우에 쥰이치 | 플라즈마 처리방법 |
JPH07310187A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3846092B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2006-11-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置および方法 |
JP3810248B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-08-16 | 信越化学工業株式会社 | プラズマ処理装置用シリコンリング |
US20040261946A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
TW200520632A (en) * | 2003-09-05 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Ltd | Focus ring and plasma processing apparatus |
JP2005353812A (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR100789286B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2008-01-02 | 가부시키가이샤 아루박 | 기판온도측정장치 및 처리장치 |
TWI281833B (en) * | 2004-10-28 | 2007-05-21 | Kyocera Corp | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
JP2006216602A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007073395A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | マグネトロンの制御方法、マグネトロンの寿命判定方法、マイクロ波発生装置、マグネトロンの寿命判定装置、処理装置及び記憶媒体 |
-
2008
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-
2009
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- 2009-07-06 KR KR1020090061274A patent/KR101560003B1/ko active IP Right Grant
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- 2009-07-07 CN CN2009101398706A patent/CN101625952B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004505446A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-02-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の支持体アセンブリー及び支持方法 |
JP2003007687A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理中の温度測定方法及びそれに使用する温度測定用部材 |
JP2003086519A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 |
JP2005085657A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2007149411A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Ulvac Japan Ltd | 電流導入端子および真空処理装置 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011210958A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US9021984B2 (en) | 2010-03-30 | 2015-05-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP2013021129A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2015114977A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2017533582A (ja) * | 2014-09-19 | 2017-11-09 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | 支承装置および半導体処理設備 |
WO2017188189A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 京セラ株式会社 | ヒータシステム、セラミックヒータ、プラズマ処理装置及び吸着装置 |
JPWO2017188189A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-02-21 | 京セラ株式会社 | ヒータシステム、セラミックヒータ、プラズマ処理装置及び吸着装置 |
US11031271B2 (en) | 2016-04-28 | 2021-06-08 | Kyocera Corporation | Heater system, ceramic heater, plasma treatment system, and adsorption system |
JP2019160846A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及び処理装置 |
JP7055040B2 (ja) | 2018-03-07 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及び処理装置 |
KR20210027488A (ko) * | 2019-06-20 | 2021-03-10 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
WO2020256094A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JPWO2020256094A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2021-10-21 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
WO2020255319A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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JP2021086945A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び測定方法 |
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