JP2015201637A - 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】多層配線基板において、リードタイムを短縮化することができるとともに、製造コストを減少させ、さらには信頼性を向上させる。【解決方法】絶縁部材を介して一対の配線層が形成され、一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを準備する。次いで、第1の配線基板ユニットの配線層上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成し、第1の配線基板ユニット上で、バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成する。次いで、第1の配線基板ユニット上で、絶縁樹脂層を介して第2の配線基板ユニットを加熱下押圧し、第1の配線基板ユニットと第2の配線基板ユニットとが電気的に接続され、第1の配線基板ユニット上に第2の配線基板ユニットが積層されてなる多層配線基板を得る。【選択図】図3

Description

本発明は、多層配線基板の製造方法及び多層配線基板に関する。
近年の電子機器の高性能化・小型化の流れの中、回路部品の高密度、高機能化が一層求められている。かかる観点より、回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度、高機能化への対応が要求されている。このような要求に答えるべく、現在では配線基板を多層化した多層配線基板が盛んに作られている。
このような多層配線基板は、積層板の全体を貫通するスルーホールを開けたコア基板に、ビルドアップ工法で配線層を積層する方法(特許文献1、特許文献2参照)、回路基板と絶縁材とを必要枚数重ねて積層し、得られた積層体の全体にスルーホールを形成した後、スルーホールめっきを行う方法(特許文献3参照)などがある。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載の方法では、層数が増えるほどビルドアップ工程の回数を増やす必要があることから、配線層の積層状態にずれが生じるために歩留りが低下し、製造コストが増大してしまうという問題があった。また、リードタイムも長くなることからさらなる製造コストの増大を生じる結果となっていた。
また、特許文献3に記載の方法では、スルーホールのアスペクト比が大きくなるため、ドリルで孔を開ける場合はドリル折れが生じ、さらにはスルーホールめっきの難易度が高いことから、歩留りの低下が生じてしまい、製造コストが増大してしまうという問題が生じていた。さらに、特許文献2に記載の方法では、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行うことから、スルーホール内におけるめっき厚の変動が大きくなり、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが発生してしまい、信頼性が低下してしまうという問題がある。
一方、オールスタックレーザービアの多層配線基板においては、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も生じていた。
特開2006−332115号公報 特開2013−74153号公報 特開2010−275603号公報
本発明は、例えば配線層が10層以上の多層配線基板において、リードタイムを短縮化することができるとともに、製造コストを減少させ、さらには信頼性を向上させることを目的とする。
上記目的を達成すべく、本発明は、
絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを準備する第1の工程と、
前記第1の配線基板ユニットの前記配線層上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する第2の工程と、
前記第1の配線基板ユニット上において、前記バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成する第3の工程と、
前記第1の配線基板ユニット上において、前記絶縁樹脂層を介して前記第2の配線基板ユニットを加熱下押圧し、前記バンプの上端部を前記第2の配線基板の前記配線層に圧接するとともに、前記絶縁樹脂層及び前記バンプを硬化させて、前記第1の配線基板ユニットと前記第2の配線基板ユニットとが前記バンプを介して電気的に接続する第4の工程と、
を具えることを特徴とする、多層配線基板の製造方法に関する。
本発明によれば、最初に、それぞれが絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1の配線基板(本願明細書では、最終的な多層配線基板と識別すべく、「第1の配線基板ユニット」という)及び第2の配線基板(同じく、本願明細書では、最終的な多層配線基板と識別すべく、「第2の配線基板ユニット」という)を準備する。
なお、第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットは、リードタイムを減少するという観点から、例えばそれぞれ同一の工程を経て同時に形成する、あるいは大判の配線基板を製造した後、当該大判の配線基板を切断して第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニット等とする。
次いで、第1の配線基板ユニットの配線上に導電性ペーストを塗布して当該導電ペーストからなるバンプを形成し、適宜乾燥させた後に、バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成し、当該絶縁樹脂層を介して第1の配線基板ユニット上に第2の配線基板ユニットを積層し、その際に圧接した上記バンプによって第1の配線基板ユニット(の配線層)及び第2の配線基板ユニット(の配線層)間を電気的に接合して多層配線基板を製造するようにしている。
このように、本発明によれば、予め複数の配線層が形成された第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを準備し、これら第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを積層するのみで多層の配線基板を得るようにしている。したがって、ビルドアップ工法によって配線層を形成して多層配線基板を製造する場合に比較して、少なくとも第1の配線基板ユニットあるいは第2の配線基板ユニットのビルドアップ工程の回数を低減できるので、配線層の積層状態にずれが生じるために歩留り低下、及びこれに伴う製造コストの増大という問題を回避することができる。また、リードタイムの短縮化も図ることができ、製造コストのさらなる低減を図ることができる。
また、高アスペクト比のスルーホールを形成する必要がないので、当該スルーホールを形成する際のドリルでの孔開けの際のドリル折れを防止することができる。さらに、スルーホールめっきを比較的簡易に行うことができるので、歩留りの低下を抑制し、製造コストの増大も抑制することができる。また、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行う場合のようなめっき厚の変動を抑制でき、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが生じて、信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
また、オールスタックレーザービアの多層配線基板のように、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から、使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
なお、本発明における“バンプの上端部”とは、第2の配線基板ユニット、すなわち配線層と結合するバンプ領域の一部を指すものである。
本発明の一例において、前記第1の工程は、支持板の両主面上において、離型フィルムを介し、絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1のビルドアップ層及び第2のビルドアップ層を形成する工程と、支持板から第1のビルドアップ層及び第2のビルドアップ層を剥離する工程とを含み、第1の配線基板ユニットは第1のビルドアップ層から構成し、第2の配線基板ユニットは第2のビルドアップ層から構成することができる。
この場合、上述した第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを、支持板の両主面上において、離型フィルムを介して絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1のビルドアップ層及び第2のビルドアップ層を形成し、次いで、支持板より離型フィルムを介して第1のビルドアップ層及び第2のビルドアップ層を剥離するようにしている。そして、これら第1のビルドアップ層及び第2のビルドアップ層から第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを構成するようにしている。
したがって、第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを簡易な方法で準備することができるので、上述した本発明の作用効果をより確実に奏することができるようになる。
また、本発明の一例において、前記第2の工程は、第1の配線基板ユニットの配線層となる第1の金属箔上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する工程を含むことができる。
さらに、本発明の一例において、前記第3の工程は、第1の金属箔に対して、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第1の温度で押圧し、絶縁樹脂層を流動化させる工程と、樹脂密着フィルムを剥離して、バンプの上端部に残存する絶縁樹脂層を除去し、当該上端部を樹脂絶縁層から露出させる工程とを含むことができる
また、本発明の一例において、前記第4の工程は、第1の金属箔に対して、第2の配線基板ユニットの配線層となる第2の金属箔を、絶縁樹脂層を介して、第1の温度よりも高い第2の温度で押圧し、絶縁樹脂層及びバンプを硬化させるとともに、当該絶縁樹脂層上に第2の金属箔(第2の配線基板ユニット)を積層する工程とを含むことができる。
これらの場合においては、第1の金属箔上に導電性ペーストからなるバンプを形成した後、第1の金属箔に対して繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第1の温度で押圧するようにしている。このとき、絶縁樹脂層は温度の上昇とともに粘度が低下して流動化するようになるので、押圧の際にバンプの上端部に残存している絶縁樹脂層が排除され、当該上端部には絶縁樹脂層の一部からなる薄皮のみが残存するようになる。
このとき、バンプの上端部に残存した樹脂絶縁層の薄皮には樹脂密着フィルムが密着している。絶縁樹脂層の薄皮は大部分が樹脂から構成されているため、大部分が金属から構成されている異種材料のバンプに対する密着力よりも、大部分あるいは総てが樹脂から構成されている同種材料の樹脂密着フィルムに対する密着力の方が大きい。
したがって、樹脂密着フィルムを絶縁樹脂層から剥離しようとすると、当該樹脂密着フィルムには樹脂絶縁層の薄皮が密着して共に剥離されるようになる。この結果、バンプの上端部に残存した樹脂絶縁層の薄皮が剥離され、バンプの上端部が露出するようになる。
このため、後に第1の温度より高い第2の温度で再度第2の金属箔を第1の金属箔に対して押圧して積層プレスを行う際に、第2の金属箔は、絶縁樹脂層から露出した硬化後のバンプ(ビア)の上端部と確実に結合するようになり、これによって、後に配線層となる第1の金属箔及び第2の金属箔は高い信頼性の下に電気的に接続されるようになる。結果として、層間接続体(ビア)によって配線層間の電気的導通を十分に保持することができ、信頼性に優れた多層配線基板を提供することができるようになる。
また、本発明の一例において、上記バンプの形状を円錐形状とすることができる。この場合、バンプの上端部が鋭角となっているので、絶縁樹脂層を第1の配線基板ユニットに積層する場合に、当該絶縁樹脂層を簡易に貫通することができるようになる。
以上のような製造方法の工程を経ることにより、本願発明の、
少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第1の配線基板ユニットと、
少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第2の配線基板ユニットと、
前記第1の配線基板ユニットと前記第2の配線基板ユニットとの間に介在する絶縁部材と、当該絶縁部材を貫通し、前記第1の配線基板ユニットの配線層及び前記第2の配線基板ユニットの配線層間を電気的に接続する導電性組成物からなる層間接続体と、
を具えることを特徴とする、多層配線基板を得ることができる。
本発明の多層配線基板においては、第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニット間に弾性に優れた導電性ペースト(導電性組成物)からなる層間接続体(ビア)が形成されているので、当該多層配線基板における縦方向における引張応力等を緩和することができる。したがって、高強度かつ信頼性に優れた多層配線基板を得ることができる。
以上、本発明によれば、例えば配線層が10層以上の多層配線基板において、リードタイムを短縮化することができるとともに、製造コストを減少させ、さらには信頼性を向上させることができる。
第1の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第1の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第1の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第1の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第2の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第2の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第2の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第2の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
以下、本発明の具体的特徴について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。
(第1の実施形態)
図1〜図4は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
最初に、図1に示すように第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20を準備する(第1の工程)。本実施形態においては、第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20のいずれも、コア基板11と、コア基板11の両面にビルドアップ層12及び13が積層された構成を採っている。
コア基板11は、絶縁部材111の両主面に第1の配線層121及び第2の配線層122が配設されており、絶縁部材111の内部において、第3の配線層123及び第4の配線層124が形成されたような構成を採っている。なお、これらの配線層は互いに平行かつ相対向するようにして配設されている。また、コア基板11の両主面に形成された第1の配線層121及び第2の配線層122は、絶縁部材111を貫通するようにして形成されたスルーホールビア113によって電気的に接続されている。
コア基板11の一方の主面に形成されたビルドアップ層12は、コア基板11の第1の配線層121上に順次に積層された絶縁部材121及び配線層122からなる。なお、コア基板11の第1の配線層121とビルドアップ層12の配線層122とは、例えば銅などの金属からなる層間接続体(ビア)123で電気的に接続されている。
コア基板11の他方の主面に形成されたビルドアップ層13は、コア基板11の第2の配線層122上に順次に積層された絶縁部材131及び配線層132からなる。なお、コア基板11の第2の配線層122とビルドアップ層13の配線層132とは、例えば銅などの金属からなる層間接続体(ビア)133で電気的に接続されている。
なお、図1に示すような第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20は、同一の構成を有しているため、互いに同一の工程において製造することもできるし、大型の配線基板を製造した後、この配線基板を適宜切断することによって製造することもできる。
第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20が、このような同一の構成を有することによって同一の工程で製造できるということは、以下に説明するように、本実施形態における種々の作用効果を享受することができる。
但し、第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20が、同一の工程で製造できれば、これらの形態は、図1に示すようなものに限定されず、必要に応じた形態に形成することができる。
なお、コア基板11における絶縁部材111、ビルドアップ層12及び13の絶縁部材121及び131は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂,ポリイミド樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂,メラミン樹脂,あるいはブタジェンゴム,ブチルゴム,天然ゴム,ネオプレンゴム,シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
また、コア基板11における第1の配線層121等や、ビルドアップ層12及び13における配線層122及び132、層間接続体(ビア)123及び133、さらには、スルーホールビア113等は、電気的良導体、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等から構成することができる。
次いで、図2に示すように、第1の配線基板ユニット10の第2の配線層122上に、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの任意の方法で導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプ15Xを形成する(第2の工程)。
バンプ15X、すなわち導電性ペーストは、たとえば銀,金,銅,半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合(混合)金属粉末と、例えばポリカーボネート樹脂,ポリスルホン樹脂,ポリエステル樹脂,フェノキシ樹脂,フェノール樹脂,ポリイミド樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。なお、バンプ15X中には、焼結助剤として、錫、ビスマスなどを含有させることもできる。
次いで、バンプ15Xを乾燥させて硬化させた後、図3に示すように、ロールラミネーターや真空ラミネーターなどの図示しない装置を用い、第1の配線基板ユニット10上に、バンプ15Xの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層16Xを形成する(第3の工程)。
この絶縁樹脂層16Xは、上述したコア基板11における絶縁部材111等と同様に、例えばエポキシ樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂,ポリイミド樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂,メラミン樹脂,あるいはブタジェンゴム,ブチルゴム,天然ゴム,ネオプレンゴム,シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
また、絶縁樹脂層16Xを形成する場合には、その溶融粘度を例えば1×101Pa・s以上1×10Pa・s以下に設定して行う。なお、当該溶融粘度は、300mm〜500mm□及び厚さ300μmの試験片を用い、TA instrument社製(型番ARES−G2)でレオメータ測定を行い、最低の溶融粘度から求めた値である。
次いで、図4に示すように、第1の配線基板ユニット10上において、絶縁樹脂層16Xを介して第2の配線基板ユニット20を加熱下押圧し、バンプ15Xの上端部を第2の配線基板ユニット20の第1のビルドアップ層12の配線層122によって圧接するとともに、絶縁樹脂層16X及びバンプ15Xを硬化させて、第1の配線基板ユニット10と第2の配線基板ユニット20とがバンプ15X(層間接続体(ビア)15)を介して電気的に接続されるとともに、第1の配線基板ユニット10上に絶縁樹脂層16X(絶縁部材16)を介して第2の配線基板ユニット20が積層されてなる多層配線基板30を得る。
このように、本実施形態によれば、予め複数の配線層121,122,123,124が形成されたコア基板11と、コア基板11の両主面に形成された第1のビルドアップ層12及び13とを有する、同一態様の第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20を準備し、これら第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20を積層するのみで多層配線基板30を得るようにしている。
第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20は、同じような配線ルールを有するので、同一の工程で製造できる。したがって、ビルドアップ工法によって配線層を形成して多層配線基板を製造する場合に比較して、少なくとも第1の配線基板ユニット10あるいは第2の配線基板ユニット20のビルドアップ工程の回数を低減できるので、配線層の積層状態にずれが生じるための歩留り低下、及びこれに伴う製造コストの増大という問題を回避することができる。また、リードタイムの短縮化も図ることができ、製造コストのさらなる低減を図ることができる。
また、高アスペクト比のスルーホールを形成する必要がないので、当該スルーホールを形成する際のドリルでの孔開けの際のドリル折れを防止することができる。さらに、スルーホールめっきを比較的簡易に行うことができるので、歩留りの低下を抑制し、製造コストの増大も抑制することができる。また、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行う場合のようなめっき厚の変動を抑制でき、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが生じて、信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
また、オールスタックレーザービアの多層配線基板のように、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
また、本実施形態の多層配線基板30によれば、第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20間に弾性に優れた導電性ペースト(導電性組成物)からなる層間接続体(ビア)15が形成されているので、多層配線基板30における縦方向における引張応力等を緩和することができる。したがって、高強度かつ信頼性に優れた多層配線基板30を得ることができる。
なお、上記実施形態では、同一形態の第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20のみを準備して、これを絶縁樹脂層16Xを介して積層して多層配線基板30を製造するようにしている。しかしながら、3以上の同一形態の配線基板ユニットを製造して準備しておき、これら配線基板ユニットを上述のように絶縁樹脂層16Xを介して互いに積層するようにすれば、上述した作用効果を有するより層数の多い多層配線基板の製造方法を提供することができ、上述した作用効果を有する多層配線基板を得ることもできる。
また、例えば、異なった形態の第1の配線基板ユニット10及び第2の配線基板ユニット20を別々に準備し、これらを絶縁樹脂層16Xを介して積層して多層配線基板30を製造することもできる。
(第2の実施形態)
図5〜図8は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図である。なお、第1の実施形態の図1〜図4に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素については、類似あるいは同一の符号を用いて表す。
最初に、図5に示すように、支持板11の両主面上に、離型フィルム42を介して第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14を形成する。
支持板11は、金属基板とすることができる。金属基板とすることにより、製造プロセス上におけるハンドリング性を良好に維持することができる。また、基板を部分的に除去して、これらの残留する部分を支持枠体として機能させようとする場合、ビルドアップ層の強度を十分に補強することができ、支持枠体としての機能を十分に果たすことができる。例えばCu、Cu合金、SUS(JIS規格)、Fe−Ni合金、Al、Al合金、インバー、インバー合金等を使用することができる。
離型フィルム42は、例えば一対のフィルム間に熱可塑性樹脂からなるクッション材を挟み且つその周縁で上記フィルムにより密封したシート状のものである。なお、上記クッション材には、柔軟性(弱い弾性)を有する熱可塑性樹脂(商品名:パコタンプラス)が用いられる。なお、このようなクッション材を使用する代わりに、PETフィルムや、フッ素樹脂(登録商標:テフロン)フィルムなどを使用してもよい。
第1のビルドアップ層13は、支持板11の主面から外方に向けて、順に第1の配線層131、第1の絶縁層135、第2の配線層132、第2の絶縁層136及び第3の配線層133が積層されてなり、第1の配線層131及び第2の配線層132間は第1の層間接続体137で電気的に接続されており、第2の配線層132及び第3の配線層133間は第2の層間接続体138で電気的に接続されている。
第2のビルドアップ層14は、支持板11の主面から外方に向けて、順に第1の配線層141、第1の絶縁層145、第2の配線層142、第2の絶縁層146及び第3の配線層143が積層されてなり、第1の配線層141及び第2の配線層142間は第1の層間接続体147で電気的に接続されており、第2の配線層142及び第3の配線層143間は第2の層間接続体148で電気的に接続されている。
なお、図5に示すような第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14は、類似した配線ルールを有しているため、互いに同一の工程において製造することもできるが、異なる工程で製造することもできる。
但し、第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14が、このような同一の構成を有することによって同一の工程で製造できるということは、以下に説明するように、本実施形態における種々の作用効果を享受することができる。
なお、ビルドアップ層13及び14における第1の配線層131及び141等や、層間接続体137及び147等は、電気的良導体、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等から構成することができる。
ビルドアップ層13及び14における第1の絶縁部材135及び145等は、例えばエポキシ樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂,ポリイミド樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂,メラミン樹脂,あるいはブタジェンゴム,ブチルゴム,天然ゴム,ネオプレンゴム,シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
次いで、図6に示すように、支持板11より離型フィルム42を介して第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14を剥離した後(第1の工程)、第2のビルドアップ層14の第3の配線層143上に、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの任意の方法で導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプ15Xを形成する(第2の工程)。
バンプ15X、すなわち導電性ペーストは、たとえば銀,金,銅,半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合(混合)金属粉末と、例えばポリカーボネート樹脂,ポリスルホン樹脂,ポリエステル樹脂,フェノキシ樹脂,フェノール樹脂,ポリイミド樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。なお、バンプ15X中には、焼結助剤として、錫、ビスマスなどを含有させることもできる。
次いで、図7に示すように、バンプ15Xを乾燥させて硬化させた後、ロールラミネーターや真空ラミネーターなどの図示しない装置を用い、第2のビルドアップ層14上に、バンプ15Xの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層16Xを形成する(第3の工程)。
この絶縁樹脂層16Xは、上述したビルドアップ層13及び14における第1の絶縁部材135及び145等と同様に、例えばエポキシ樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂,ポリイミド樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂,メラミン樹脂,あるいはブタジェンゴム,ブチルゴム,天然ゴム,ネオプレンゴム,シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
また、絶縁樹脂層16Xを形成する場合には、その溶融粘度を例えば1×101Pa・s以上1×10Pa・s以下に設定して行う。なお、当該溶融粘度は、300mm〜500mm□及び厚さ300μmの試験片を用い、TA instrument社製(型番ARES−G2)でレオメータ測定を行い、最低の溶融粘度から求めた値である。
次いで、図8に示すように、第2のビルドアップ層14上において、絶縁樹脂層16Xを介して第1のビルドアップ層13を加熱下押圧し、バンプ15Xの上端部を第1のビルドアップ層13の第3の配線層133によって圧接するとともに、絶縁樹脂層16X及びバンプ15Xを硬化させて、第1のビルドアップ層13と第2のビルドアップ層14とがバンプ15X(層間接続体(ビア)15)を介して電気的に接続されるとともに、第2のビルドアップ層14上に絶縁樹脂層16X(絶縁部材16)を介して第1のビルドアップ層14が積層されてなる多層配線基板30を得る(第4の工程)。
このように、本実施形態によれば、支持板11を利用して予め複数の配線層131〜133を有する第1のビルドアップ層13、及び複数の配線層141〜143を有する第2のビルドアップ層14を準備し、これら第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14を積層するのみで多層配線基板30を得るようにしている。
したがって、ビルドアップ工法によって配線層を形成して多層配線基板を製造する場合に比較して、少なくとも第1のビルドアップ層13あるいは第2のビルドアップ層14のビルドアップ工程の回数を低減できるので、配線層の積層状態にずれが生じるための歩留り低下、及びこれに伴う製造コストの増大という問題を回避することができる。また、リードタイムの短縮化も図ることができ、製造コストのさらなる低減を図ることができる。
また、高アスペクト比のスルーホールを形成する必要がないので、当該スルーホールを形成する際のドリルでの孔開けの際のドリル折れを防止することができる。さらに、スルーホールめっきを比較的簡易に行うことができるので、歩留りの低下を抑制し、製造コストの増大も抑制することができる。また、高アスペクト比のスルーホールに対してめっき処理を行う場合のようなめっき厚の変動を抑制でき、使用中に発生する熱などによって当該めっき層にクラックなどが生じて、信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
また、オールスタックレーザービアの多層配線基板のように、絶縁材とビアに用いている銅との線膨張係数の相違から使用中に発生する熱などによって絶縁材とビアとの間に剥離が生じてしまい、ビアの電気的接続性を十分に担保することができずに信頼性が低下してしまうという問題も回避することができる。
さらに、第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14が類似した配線ルールを採るようにすることによって、支持板上において同一のリードタイムで第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14を形成することができる。したがって、多層配線基板30の全体を製造する際のリードタイムをも低減することができる。
また、本実施形態の多層配線基板30によれば、第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14間に弾性に優れた導電性ペースト(導電性組成物)からなる層間接続体(ビア)15が形成されているので、多層配線基板30における縦方向における引張応力等を緩和することができる。したがって、高強度かつ信頼性に優れた多層配線基板30を得ることができる。
さらに、本実施形態では、第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを、それぞれ支持板11の両主面上において、離型フィルム42を介して、支持板11の主面から外方に向けて、順に第1の配線層131、第1の絶縁層135、第2の配線層132、第2の絶縁層136及び第3の配線層133が積層されてなる第1のビルドアップ層13から構成し、支持板11の主面から外方に向けて、順に第1の配線層141、第1の絶縁層145、第2の配線層142、第2の絶縁層146及び第3の配線層143が積層されてなる第2のビルドアップ層14から構成している。したがって、第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを簡易な方法で準備することができるので、上述した本発明の作用効果をより確実に奏することができるようになる。
なお、上記実施形態では、単一の支持板を用い、この両主面上にそれぞれ単一の第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14を形成するようにしたが、複数の支持板を用い、これらの両主面上に第1のビルドアップ層13及び第2のビルドアップ層14を形成するようにすれば、上述した作用効果を有するより層数の多い多層配線基板の製造方法を提供することができ、上述した作用効果を有する多層配線基板を得ることもできる。
(第3の実施形態)
図9〜図14は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図であり、本実施形態における特徴を明確にすべく、1つのバンプの近傍の領域を拡大して示している。なお、本実施形態は、第1の実施形態における第2の工程から第4の工程までの具体例について説明する。
最初に、図9に示すように、第1の配線基板ユニット10のビルドアップ層13における配線層132となる第1の金属箔132X上に、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法又はインクジェット法などの任意の方法で導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプ15Xを形成する。
第1の金属箔132Xは、後に多層配線基板の配線層を構成することから、銅(Cu),金(Au),銀(Ag)あるいはアルミニウム(Al)などの電気的良導体から構成する。また、第1の金属132Xの厚さt1は、例えば1.5μm〜 40μmとする。
バンプ15Xを構成する導電性ペーストは、たとえば銀,金,銅,及びAg半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合(混合)金属粉末と、例えば例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。
また、バンプ15Xを構成する導電性ペーストは、少なくともSn,Bi,Cu及びAgなどの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合(混合)金属粉末と、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成することができる。
この場合、以下に説明するように、導電性ペーストからなるバンプを形成し、適宜乾燥した後、第1の金属箔に対して繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層を配設して加熱し、バンプの上端部が絶縁樹脂層から露出した後、第2の金属箔を当該絶縁樹脂層を介して加熱下押圧した際に、上記バンプを構成する金属のうち、銅、錫あるいはビスマスが焼結助剤として機能するようになり、例えば上記加熱によって液相となって、上記バンプは樹脂等のバインダー成分を含む金属焼結体となる。
この結果、従来のように、多層配線基板を構成するバンプ(加熱硬化後のビア)中に銀などの粒子が含有されている場合に比較して、粒子間の界面減少によるバンプ(ビア)の表面積が減少するので、バンプ(ビア)の表面積が減少して、高速伝送時に表皮効果による導体損失が減少する。さらにはバンプ(ビア)及び第2の金属箔14間で合金層を形成するようになる。この結果、信号遅延が発生してしまうという問題を抑制することができる。
また、本実施形態において、バンプ15Xは円錐台形状を呈しており、その高さhは例えば15μm〜200μmの範囲とすることができ、下面の直径Rは10μm〜200μmの範囲とすることができる。なお、バンプ15Xの形状はその他、円錐形状等の任意の形状とすることができる。
次いで、図10に示すように、第1の金属箔132X上に、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層16及び樹脂密着フィルム54を配設し、図11に示すように、ロールラミネーターや真空ラミネーターなどの図示しないプレス装置を用い、第1の金属箔132Xに対して、絶縁樹脂層16及び樹脂密着フィルム54を第1の温度で押圧する。
絶縁樹脂層16は、その厚さt2が例えば10μm〜40μmの範囲であって、第1の温度による加熱によって流動化し、バンプ15Xの上端部15XAに残存する絶縁樹脂層16が、図中矢印で示すように、バンプ15Xの上端部15XAから側面15XBに向けて流れ、バンプ15Xの上端部15XAに例えば厚さ数nm〜3μmの絶縁樹脂層16からなる薄皮161のみが残存するようにする。
このためには、絶縁樹脂層16の第1の温度における溶融粘度の上限値が1×10Pa・sであることが好ましく、さらには1×10Pa・sであることが好ましい。当該溶融粘度が上記値を超えて大きくなると、絶縁樹脂層16が十分に流動しきれず、バンプ15Xの上端部15XAに樹脂残渣が比較的多量に存在し、樹脂密着フィルム54で除去できる厚さの薄皮161を形成できない場合がある。
また、絶縁樹脂層16の第1の温度における溶融粘度の下限値が1×101Pa・sであることが好ましく、さらには1×102Pa・sであることが好ましい。当該溶融粘度が、上記値より小さくなると、絶縁樹脂層16の厚さを制御することが困難になる場合がある。
なお、当該溶融粘度は、300mm〜500mm□及び厚さ300μmの試験片を用い、TA instrument社製(型番ARES−G2)でレオメータ測定を行い、最低の溶融粘度から求めた値である。
絶縁樹脂層16を構成する絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びシアネート樹脂などを挙げることができる。
また、絶縁樹脂層16を上述のような絶縁樹脂から構成する場合、上記第1の温度は、例えば80℃〜160℃の範囲に設定することができる。
樹脂密着フィルム54は、その厚さt3が例えば20μm〜100μmの範囲であって、例えば、バンプ15Xの上端部15XAに残存した樹脂絶縁層16の薄皮161に樹脂密着フィルム54が密着した際に、バンプに対する密着力よりも当該薄皮161に対する密着力が大きいことが必要である。かかる観点より、樹脂密着フィルム54を構成する樹脂としては、PTFE系樹脂、PET系樹脂、ポリカーボネート系樹脂及びポリイミド系樹脂などを挙げることができる。
次いで、図12に示すように、樹脂密着フィルム54を絶縁樹脂層16から剥離する。このとき、バンプ15Xの上端部15XAに残存した樹脂絶縁層16の薄皮161には樹脂密着フィルム54が密着している。絶縁樹脂層16の薄皮161は大部分が樹脂から構成されているため、大部分が金属から構成されている異種材料のバンプ15Xに対する密着力よりも、大部分あるいは総てが樹脂から構成されている同種材料の樹脂密着フィルム54に対する密着力の方が大きい。
したがって、樹脂密着フィルム54を剥離しようとすると、当該樹脂密着フィルム54には樹脂絶縁層16の薄皮161が密着して共に剥離されるようになる。この結果、バンプ15Xの上端部15XAに残存した樹脂絶縁層16の薄皮161が剥離され、バンプ15X上端部15XAが樹脂絶縁層16から露出するようになる。
次いで、図13及び図14に示すように、さらに第1の金属箔132Xに対して、図示しないプレス装置により、第2の配線基板ユニット20の第1のビルドアップ層12における第1の配線層122となる第2の金属箔122Xを、絶縁樹脂層16を介して、第1の温度よりも高い第2の温度で押圧し、絶縁樹脂層16及びバンプ15Xを硬化させるとともに、絶縁樹脂層16上に第2の金属箔122Xを積層する(積層プレス)。これによって、第1の金属箔132Xは、第1の配線基板ユニット10のビルドアップ層13における配線層132となり、第2の金属箔122Xは、第2の配線基板ユニット20の第1のビルドアップ層12における第1の配線層122となる。
第2の金属箔122Xも、後に多層配線基板の配線層を構成することから、銅(Cu),金(Au),銀(Ag)あるいはアルミニウム(Al)などの電気的良導体から構成する。また、第2の金属箔122Xの厚さt4は、例えば1.5μm〜40μmとする。
なお、第2の温度は、第1の温度よりも高く、絶縁樹脂層16及びバンプ15Xを硬化させる温度であるので、例えば160℃〜230℃の温度範囲に設定することができる。
以上、本実施形態の製造方法によれば、上述したように、第1の金属箔132X上に導電性ペーストからなるバンプ15Xを形成した後、第1の金属箔132Xに対して繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層16及び樹脂密着フィルム54を第1の温度で押圧するようにしている。このとき、絶縁樹脂層16は温度の上昇とともに粘度が低下して流動化するようになるので、押圧の際にバンプ15Xの上端部15XAに残存している絶縁樹脂層16が排除され、当該上端部15XAには薄皮161のみが残存する。そして、当該薄皮161は、樹脂密着フィルム54によって剥離され、バンプ15Xの上端部15XAが絶縁樹脂層16から露出するようにしている。
したがって、後に第1の温度より高い第2の温度で再度第2の金属箔122Xを第1の金属箔132Xに対して押圧して積層プレスを行う際に、第2の金属箔122Xは、絶縁樹脂層16から露出した硬化後のバンプ(ビア)15Xの上端部15XAと確実に結合するようになり、これによって、後に配線層となる第1の金属箔132X及び第2の金属箔122Xは高い信頼性の下に電気的に接続されるようになる。結果として、層間接続体(ビア)よって配線層間の電気的導通を十分に保持することができ、信頼性に優れた多層配線基板を提供することができるようになる。
また、本実施形態では、多層配線基板を構成する絶縁部材を繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層16から構成しているので、絶縁部材の厚さを狭小化することができる。したがって、多層配線基板の微細化及び高密度を図ることもできる。
なお、本実施形態において、樹脂密着フィルム54の弾性率は500MPa以下であることが好ましい。この場合、第1の金属箔に対して、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第1の温度で押圧する際に、当該樹脂密着フィルムによってバンプの形状が変化するのを抑えることができる。
また、樹脂密着フィルム54の弾性率の下限値は特に限定されるものではないが、例えば100MPaとすることができる。樹脂密着フィルム54の弾性率の下限値が上記値よりも小さいと、樹脂密着フィルム54に対してバンプ(ビア)15Xの上端部が当たった部位で当該フィルム54が追従してしまい、バンプ(ビア)15X上の樹脂層を薄くすることができない。このため、バンプ(ビア)15Xが、絶縁樹脂層16を貫通した後に、樹脂層がバンプ(ビア)15Xの先端に残ってしまい、プレス後でも界面に樹脂が残存してしまう場合がある。したがって、バンプ(ビア)15Xと第2の金属箔122Xとの接続信頼性が低下してしまう場合がある。
なお、上記弾性率は、樹脂密着フィルム54から100mm□の試験片を切り出し、株式会社エリオニクス社製、超微小押込み硬さ試験機(型番ENT−1100a)にて、試験荷重5mN,保持時間1sで得た値である。
また、本実施形態では、第1の実施形態における第2の工程から第4の工程までの具体例について説明したが、第2の実施形態における第2の工程から第4の工程までの具体例についても同様に説明することができる。
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
10 第1の配線基板ユニット
11 コア基板、支持板
12、13 第1のビルドアップ層
13、14 第2のビルドアップ層
15X 導電性ペーストからなるバンプ
15 層間接続体(ビア)
16X 樹脂絶縁層
16 絶縁部材
20 第2の配線基板ユニット
30 多層配線基板
42 離型フィルム
54 樹脂密着フィルム

Claims (10)

  1. 絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1の配線基板ユニット及び第2の配線基板ユニットを準備する第1の工程と、
    前記第1の配線基板ユニットの前記配線層上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する第2の工程と、
    前記第1の配線基板ユニット上において、前記バンプの上端部が貫通するようにして絶縁樹脂層を形成する第3の工程と、
    前記第1の配線基板ユニット上において、前記絶縁樹脂層を介して前記第2の配線基板ユニットを加熱下押圧し、前記バンプの上端部を前記第2の配線基板の前記配線層に圧接するとともに、前記絶縁樹脂層及び前記バンプを硬化させて、前記第1の配線基板ユニットと前記第2の配線基板ユニットとが前記バンプを介して電気的に接続する第4の工程と、
    を具えることを特徴とする、多層配線基板の製造方法。
  2. 前記第1の工程は、
    支持板の両主面上において、離型フィルムを介し、絶縁部材を介して少なくとも一対の配線層が形成され、当該少なくとも一対の配線層が金属製のビアで電気的に接続されてなる第1のビルドアップ層及び第2のビルドアップ層を形成する工程と、
    前記支持板から前記第1のビルドアップ層及び前記第2のビルドアップ層を剥離する工程とを含み、
    前記第1の配線基板ユニットは前記第1のビルドアップ層から構成し、前記第2の配線基板ユニットは前記第2のビルドアップ層から構成することを特徴とする、請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。
  3. 前記第2の工程は、
    第1の配線基板ユニットの前記配線層となる第1の金属箔上に導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストからなるバンプを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。
  4. 前記第3の工程は、
    前記第1の金属箔に対して、繊維状フィラーを含まない絶縁樹脂層及び樹脂密着フィルムを第1の温度で押圧し、前記絶縁樹脂層を流動化させる工程と、
    前記樹脂密着フィルムを剥離して、前記バンプの上端部に残存する前記絶縁樹脂層を除去し、当該上端部を前記樹脂絶縁層から露出させる工程とを含むことを特徴とする、請求項3に記載の多層配線基板の製造方法。
  5. 前記第4の工程は、
    第1の金属箔に対して、第2の配線基板ユニットの配線層となる第2の金属箔を、絶縁樹脂層を介して、第1の温度よりも高い第2の温度で押圧し、絶縁樹脂層及びバンプを硬化させるとともに、当該絶縁樹脂層上に第2の金属箔(第2の配線基板ユニット)を積層する工程とを含むことを特徴とする、請求項3又は4に記載の多層配線基板の製造方法。
  6. 前記第1の温度における前記絶縁樹脂層の溶融粘度が1×10Pa・s以下であることを特徴とする、請求項4又は5に記載の多層配線基板の製造方法。
  7. 前記第1の温度における前記絶縁樹脂層の溶融粘度が1×101Pa・s以上であることを特徴とする、請求項4〜6のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
  8. 前記樹脂密着フィルムの弾性率が500MPa以下であることを特徴とする、請求項4〜7のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
  9. 前記バンプは円錐形状を呈することを特徴とする、請求項1又は2に記載の多層配線基板の製造方法。
  10. 少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第1の配線基板ユニットと、
    少なくとも相対向する一対の配線層、前記一対の配線層間に介在する絶縁部材、及び前記絶縁部材を貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する金属製の層間接続体を含む第2の配線基板ユニットと、
    前記第1の配線基板ユニットと前記第2の配線基板ユニットとの間に介在する絶縁部材と、当該絶縁部材を貫通し、前記第1の配線基板ユニットの配線層及び前記第2の配線基板ユニットの配線層間を電気的に接続する導電性組成物からなる層間接続体と、
    を具えることを特徴とする、多層配線基板。
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