JP2015185599A - グラフェン配線及び半導体装置 - Google Patents
グラフェン配線及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015185599A JP2015185599A JP2014058842A JP2014058842A JP2015185599A JP 2015185599 A JP2015185599 A JP 2015185599A JP 2014058842 A JP2014058842 A JP 2014058842A JP 2014058842 A JP2014058842 A JP 2014058842A JP 2015185599 A JP2015185599 A JP 2015185599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphene
- conductive layer
- wiring
- facing
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
Description
(実施例1)
図6は、実施例1の縦方向配線(ビア配線)と横方向配線(グラフェン配線)を含む半導体装置の一部の断面模式図である。横方向配線の長さ方向をL、幅方向をWとする。図6の配線は、基板1と、基板1上に下部配線層2と、下部配線層2上に第1層間絶縁膜3と、下部配線層2上に、下部配線層2と上層の配線層を接続するビア配線5と、第1層間配線膜3上に触媒金属膜6と、触媒金属膜6上にグラフェン7と、ビア配線5上にグラフェン7と接続する第1導電層9と、第1導電層9とグラフェン7と接続する第2導電層10と、グラフェン7上(上面)に第3導電層11とを有する。
図8は、下部配線層および層間絶縁膜形成工程である。最初に、半導体集積回路等が形成された基板1上に下部配線層2を形成する。下部配線層2の形成方法は、例えば、CVD(気相成長:Chemical Vapor Deposition)法が挙げられる。次いで、下部配線層2上に第1層間絶縁膜3を形成する。
図15は、実施例2の縦方向配線(ビア配線)と横方向配線(グラフェン配線)を含む半導体装置の一部の断面模式図である。図15の断面図では、第2導電層10の形成領域は、グラフェン7の配線幅方向において対向するグラフェンの側面の第1導電層9側の一部のみであったが、実施例2では、グラフェン7の配線幅方向において対向するグラフェンの側面の全面に第2導電層10を有する。
2:下部配線層
3:第1層間絶縁膜
4:ビアホール
5:ビア配線
6:触媒金属膜
7:グラフェン
8:絶縁膜
9:第1導電層
10:第2導電層
11:第3導電層
12:第2層間絶縁膜
Claims (7)
- グラフェンと、
第1導電層と、
第2導電層と、
第3導電層とを有し、
前記第1導電層は、前記グラフェンの配線長さ方向において対向するグラフェンの側面と接続し、
前記第2導電層は、前記グラフェンの配線幅方向において対向するグラフェンの側面と接続し、
前記第3導電層は、前記グラフェンの上面と接続し、
前記第1導電層と前記第2導電層は、接続することを特徴とするグラフェン配線。 - 前記グラフェンは2層以上の多層構造であり、
前記グラフェンの配線長さ方向において対向するグラフェンの側面とグラフェンの配線幅方向において対向するグラフェンの側面は、多層グラフェンの積層面であることを特徴する請求項1記載のグラフェン配線。 - 前記第2導電層は、前記グラフェンの配線幅方向において対向するグラフェンの側面の全面と接続することを特徴とする請求項1または2に記載のグラフェン配線。
- 前記前記第3の導電層は、前記第1導電層と前記第2導電層のいずれか一方又は両方と接続することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のグラフェン配線。
- 前記グラフェンは、幅が5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のグラフェン配線。
- 前記第1導電層と、前記第2の導電層と、前記第3の導電層のうちの少なくともいずれか1つは、前記グラフェン密着して接続することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のグラフェン配線。
- 前記請求項1ないし6のいずれか1項に記載のグラフェン配線を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014058842A JP6180977B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | グラフェン配線及び半導体装置 |
US14/658,442 US9184133B2 (en) | 2014-03-20 | 2015-03-16 | Graphene wiring and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014058842A JP6180977B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | グラフェン配線及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015185599A true JP2015185599A (ja) | 2015-10-22 |
JP6180977B2 JP6180977B2 (ja) | 2017-08-16 |
Family
ID=54142839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014058842A Expired - Fee Related JP6180977B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | グラフェン配線及び半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9184133B2 (ja) |
JP (1) | JP6180977B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018506181A (ja) * | 2015-01-09 | 2018-03-01 | マイクロン テクノロジー, インク. | 炭素を含む金属線を組み込む構造および炭素を含む金属線を形成する方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015126139A1 (en) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wiring structure and electronic device employing the same |
KR102422421B1 (ko) * | 2015-06-01 | 2022-07-20 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조 및 이를 적용한 전자소자 |
CN107492528A (zh) * | 2016-06-13 | 2017-12-19 | 恩智浦美国有限公司 | 具有石墨烯条带的柔性半导体装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07238000A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-12 | Toshiba Corp | グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置 |
JP2008251701A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujitsu Ltd | 配線構造及びその形成方法 |
JP2009070911A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Fujitsu Ltd | 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法 |
JP2011023420A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012064784A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012080006A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | グラフェン配線およびその製造方法 |
JP2012199520A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013074034A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013115143A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Toshiba Corp | 配線及び半導体装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5439120B2 (ja) | 2009-11-02 | 2014-03-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011204769A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8766258B1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Authentication using graphene based devices as physical unclonable functions |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014058842A patent/JP6180977B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-16 US US14/658,442 patent/US9184133B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07238000A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-12 | Toshiba Corp | グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置 |
JP2008251701A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujitsu Ltd | 配線構造及びその形成方法 |
JP2009070911A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Fujitsu Ltd | 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法 |
JP2011023420A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012064784A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012080006A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | グラフェン配線およびその製造方法 |
JP2012199520A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013074034A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013115143A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Toshiba Corp | 配線及び半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018506181A (ja) * | 2015-01-09 | 2018-03-01 | マイクロン テクノロジー, インク. | 炭素を含む金属線を組み込む構造および炭素を含む金属線を形成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9184133B2 (en) | 2015-11-10 |
JP6180977B2 (ja) | 2017-08-16 |
US20150270226A1 (en) | 2015-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI460839B (zh) | 石墨烯(graphene)內連線及其製造方法 | |
JP5439120B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5637795B2 (ja) | 装置 | |
TWI517182B (zh) | 石墨烯(graphene)內連線及其製造方法 | |
JP5583236B1 (ja) | グラフェン配線 | |
US8710672B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6083197B2 (ja) | 配線構造及びその製造方法 | |
JP5624600B2 (ja) | 配線及び半導体装置の製造方法 | |
JP6180977B2 (ja) | グラフェン配線及び半導体装置 | |
JP2009117591A (ja) | 配線構造及びその形成方法 | |
JP2016058521A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US9355900B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US9209125B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP2017050419A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5233125B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9484206B2 (en) | Semiconductor device including catalyst layer and graphene layer thereon and method for manufacturing the same | |
JP4735314B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6244770B2 (ja) | カーボン導電構造及びその製造方法 | |
JP2018157060A (ja) | 配線及び半導体装置 | |
JP2016063097A (ja) | カーボンナノチューブ配線構造およびその製造方法 | |
JP4352080B2 (ja) | 配線、電子装置及び電子装置の製造方法 | |
JP2014187161A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170719 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6180977 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |