JP2015145054A - 複合基板の研磨方法及び複合基板 - Google Patents
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Abstract
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圧電基板と支持基板とを接合した複合基板の前記支持基板側を基板キャリアに取り付け、研磨パッドが貼り付けられた研磨定盤に前記圧電基板が接触するように前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧し、前記研磨パッドに研磨用スラリーを供給しながら前記基板キャリア及び前記研磨定盤を回転させることにより前記圧電基板を研磨する、複合基板の研磨方法であって、
前記研磨パッドとしてスウェードパッドを使用し、前記複合基板の前記支持基板側を前記基板キャリアに弾性シートを介して取り付け、前記スウェードパッド及び前記弾性シートは、前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧したときに前記複合基板によって変形するものである。
圧電基板と支持基板とを接合した複合基板の前記支持基板側を基板キャリアに直接取り付け、研磨パッドが貼り付けられた研磨定盤に前記圧電基板が接触するように前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧し、前記研磨パッドに研磨用スラリーを供給しながら前記基板キャリア及び前記研磨定盤を回転させることにより前記圧電基板を研磨する、複合基板の研磨方法であって、
前記研磨パッドとしてスウェードパッドを使用し、前記複合基板として前記圧電基板の厚みが中心部から外周部に向かって徐々に厚くなっているものを使用するものである。
図1は研磨前の複合基板10の斜視図、図2は研磨後の複合基板50の斜視図である。研磨前の複合基板10は、圧電基板12と支持基板14とを備えている。また、研磨後の複合基板50は、研磨前の複合基板10の圧電基板12を研磨して薄くしたものである。
第2実施形態は、図1に示す研磨前の複合基板10を第1実施形態とは異なる手法で研磨する。その研磨手順を図5を用いて以下に説明する。
直径4インチ、厚み250μmのLT基板と、直径4インチ、厚み230μmのSi基板を用意した。まず、Si基板の表面にエポキシ樹脂をスピンコータ(回転数1000rpm)で膜厚1μmとなるように塗布した。そして、エポキシ樹脂を介してSi基板にLT基板を接合し、150℃のオーブンで樹脂を硬化させることで、複合基板を得た。LT基板のうちSi基板との接合面とは反対側の面をグラインダで研削し、LT基板の厚みを25μmとした。続いて、図4に示す研磨装置120を用意し、複合基板のSi基板側を基板キャリア126にワックスで貼り付け、研磨定盤122にウレタンパッド124を載せ、ダイヤスラリー(粒径1μm)を用いてLT基板をラップ研磨した。ラップ研磨後、基板キャリア126から複合基板を取り外し、基板キャリア126にスウェードシート130を貼り付けた。そして、スウェードシート130に純水を十分散布した後、複合基板のSi基板側をスウェードシート130に押しつけた。これにより、複合基板はスウェードシート130を介して基板キャリア126に保持された。また、ウレタンパッド124をスウェードパッド132に交換した。そして、パイプ129からスウェードパッド132にコロイダルシリカを含むスラリーを供給しながら研磨定盤122及び基板キャリア126を軸回転させ、LT基板の最終仕上げ(ダメージ除去)を行った。最終仕上げは、LT基板の中心部での研磨量が5μmになるまで行った。このとき、LT基板の外周部での研磨量は4.7μmだった。つまり、最終仕上げ後のLT基板の内外周での差は0.3μmであり、非常に小さな値だった。
実施例1と同様にして、エポキシ樹脂を介してSi基板にLT基板を接合した複合基板を得た。LT基板のうちSi基板との接合面とは反対側の面をグラインダで研削し、LT基板の厚みを25μmとした。続いて、図4に示す研磨装置120を用意し、複合基板を基板キャリア126にワックスで貼り付け、研磨定盤122にウレタンパッド124を載せ、ダイヤスラリー(粒径1μm)を用いてラップ研磨した。この際、基板キャリア126の中心部の押圧力が外周部よりも大きくなるように、基板キャリア126の中心部に重さ50gの錘128を載せた。その結果、LT基板の厚みは中心部から外周部に向かって徐々に厚くなった。LT基板の中心部と外周部とでは3.6μmの厚みの差があった。続いて、基板キャリア126に複合基板を付けたまま、錘128を外し、ウレタンパッド124をスウェードパッド132に交換した。そして、パイプ129からスウェードパッド132にコロイダルシリカを含むスラリーを供給しながら研磨定盤122及び基板キャリア126を軸回転させ、LT基板の最終仕上げ(ダメージ除去)を行った。最終仕上げは、LT基板の外周部の研磨量が4μmになるまで行った。このとき、LT基板の中心部の研磨量は0.1μmであり、ほとんど研磨されていなかった。最終仕上げ後のLT基板の内外周での差は0.3μmであり、非常に小さな値だった。
基板キャリア126にスウェードシート130を取り付ける工程を除いた以外は実施例1と同様の手順で複合基板を研磨した。LT基板の厚みを測定したところ、中心部では目標値の5μmであったが、外周部は3.8μmであり、中心部と1μm以上の差が出た。以上の実施例、比較例の結果から、本発明の効果が確認できた。
Claims (6)
- 圧電基板と支持基板とを接合した複合基板の前記支持基板側を基板キャリアに取り付け、研磨パッドが貼り付けられた研磨定盤に前記圧電基板が接触するように前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧し、前記研磨パッドに研磨用スラリーを供給しながら前記基板キャリア及び前記研磨定盤を回転させることにより前記圧電基板を研磨する、複合基板の研磨方法であって、
前記研磨パッドとしてスウェードパッドを使用し、前記複合基板の前記支持基板側を前記基板キャリアに弾性シートを介して取り付け、前記スウェードパッド及び前記弾性シートは、前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧したときに前記複合基板によって変形する、
複合基板の研磨方法。 - 前記弾性シートは、前記スウェードパッドに近い弾性率を持つシートであるか、又は、前記スウェードパッドと同じ素材のシートである、
請求項1に記載の複合基板の研磨方法。 - 請求項1又は2に記載の複合基板の研磨方法によって得られた複合基板。
- 圧電基板と支持基板とを接合した複合基板の前記支持基板側を基板キャリアに直接取り付け、研磨パッドが貼り付けられた研磨定盤に前記圧電基板が接触するように前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧し、前記研磨パッドに研磨用スラリーを供給しながら前記基板キャリア及び前記研磨定盤を回転させることにより前記圧電基板を研磨する、複合基板の研磨方法であって、
前記研磨パッドとしてスウェードパッドを使用し、前記複合基板として前記圧電基板の厚みが中心部から外周部に向かって徐々に厚くなっているものを使用する、
複合基板の研磨方法。 - 前記圧電基板の厚みが中心部から外周部に向かって徐々に厚くなっている複合基板は、当初平板状だった複合基板の前記支持基板側を前記基板キャリアに取り付け、ウレタンパッドが貼り付けられた研磨定盤に前記圧電基板が接触するように前記基板キャリアを前記研磨定盤に向かって押圧し、前記複合基板の中心部を外周部よりも強く押圧した状態又は前記複合基板の外周部の一部が前記研磨定盤からはみ出るように前記基板キャリアと前記研磨定盤との相対位置を調整した状態で、前記ウレタンパッドに研磨スラリーを供給しながら前記基板キャリア及び前記研磨定盤を回転させることにより得る、
請求項4に記載の複合基板の研磨方法。 - 請求項4又は5に記載の複合基板の研磨方法によって得られた複合基板。
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