JP2011206891A - ウェハ基板の研磨方法と研磨用プレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研磨定盤上に設置された研磨布とプレートとの間にウェハ基板4を挟み込み、研磨定盤とプレートを回転させることでウェハ基板を研磨する方法であって、上記プレート1が片面側に円柱形状凸型部1aを有しており、この凸型部1aに嵌合する開口部を有するテンプレート2がプレートに貼り付けられてプレートの凸型部1a上面とテンプレートの開口部内壁面とで凹部形状のウェハ収容部3が構成され、このウェハ収容部3に収容されたウェハ基板4がウェハ収容部の凸型部1a上面に液体を介し該液体の吸着力により保持された状態でウェハ基板の研磨加工を行うことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
上記プレートがその片面側に複数の略円柱形状凸型部を有しており、この凸型部に嵌合若しくは遊嵌される複数の開口部を有するテンプレートが上記プレートに貼り付けられてプレートの上記各凸型部上面とテンプレートの上記各開口部内壁面とで凹部形状のウェハ収容部が構成され、このウェハ収容部に収容されたウェハ基板がウェハ収容部の凸型部上面に液体を介し該液体の吸着力により保持されており、
凹部形状のウェハ収容部を形成する上記凹部の高さをH1、ウェハの仕上げ厚みをH2とし、凸型部上面の直径をD1、ウェハ基板の直径をD2とした場合、
H1≦H2、かつ、D2≦D1≦D2+5mmの関係を満たす条件でウェハ基板の研磨加工を行うことを特徴としている。
エポキシガラスにより形成されたテンプレート本体(基材部)2aの厚さを0.65mmとした以外は実施例1と同様にして、タンタル酸リチウム単結晶ウェハ基板を100枚、片面鏡面研磨した。このとき、ウェハ収容部3を形成する上記凹部の高さ[すなわち、プレート1の凸型部1aよりテンプレート本体(基材部)2a表面が飛び出している高さ]H1は0.25mmで、また、ウェハ基板4表面はテンプレート本体(基材部)2a表面と同じ高さであり、また、研磨中の研磨速度は実施例1の約1/2に低下していた。
上記ウェハ基板の直径D2を100.0mm、上記セラミック製プレート1における円柱形状凸型部1a上面の直径D1を97.0mmとした以外は実施例1と同様にして、タンタル酸リチウム単結晶ウェハ基板を100枚、片面鏡面研磨した。
上記ウェハ基板の直径D2を100.0mm、上記セラミック製プレート1における円柱形状凸型部1a上面の直径D1を108.0mmとした以外は実施例1と同様にして、タンタル酸リチウム単結晶ウェハ基板を100枚、片面鏡面研磨しようとしたところ、研磨中にウェハ基板が外れる現象が発生し、内20枚が割れにより破損した。
比較例4は、特許文献1に記載された手法に基づき、加熱したワックスを介してウェハをセラミックプレートへ接着し、片面鏡面研磨した例である。
比較例5は、特許文献2に記載された手法に基づき、セラミックプレートのウェハ保持部に無数の吸着孔を設けてウェハ基板を吸着し、片面鏡面研磨した例である。
比較例6は、特許文献3や特許文献4に記載された手法に基づき、バッキング材と呼ばれる発泡ポリウレタンの吸着材でウェハ基板を水吸着し、片面鏡面研磨した例である。
比較例7は、特許文献5に記載された手法に基づき、型抜き穴が設けられたテンプレートとセラミックプレートとで凹部を形成し、この凹部に収容されたウェハ基板を、水を介して吸着させ、片面鏡面研磨した例である。
比較例8は、特許文献6に記載された手法に基づき、型抜き穴が設けられたテンプレートとセラミックプレートとで凹部を形成し、この凹部にサポート基板が貼り付けられたウェハ基板を収容し、水を介してウェハ基板を吸着させ、片面鏡面研磨した例である。
(1)表1に示されているように、比較例1〜8と較べ、実施例1〜10の方がウェハ基板の平坦度は優れていることから、弾性表面波素子の製造プロセスにおいて、ウェハ基板全面に亘って金属電極パターンの形成が可能になるため、素子歩留まりの改善が図れる。
(2)また、実施例1〜10において、ウェハ基板の裏面に擦れキズや汚れが一切生じないことから、キズに起因したプロセス上の割れや電極の剥離等を回避することが可能となる。
(3)更に、近年のデバイス低背化に伴うウェハの薄板化要求に対応した任意の薄い片面鏡面基板を製作することが可能となる。
1a 凸型部
2 テンプレート
2a テンプレート基材部
2b テンプレート粘着部
3 ウェハ収容部
4 ウェハ基板
5 研磨定盤
6 研磨布
7 研磨定盤の駆動軸
8 押圧機構部
9 押圧機構部の駆動軸
H0 プレートにおける円柱形状凸型部の高さ
H1 ウェハ収容部を形成する凹部の高さ
H2 ウェハの仕上げ厚み
Claims (13)
- 研磨定盤上に設置された研磨布とプレートとの間にウェハ基板を挟み込み、研磨定盤とプレートをそれぞれ回転させることにより、ウェハ基板における上記研磨布側の面を研磨布により研磨する方法において、
上記プレートがその片面側に複数の略円柱形状凸型部を有しており、この凸型部に嵌合若しくは遊嵌される複数の開口部を有するテンプレートが上記プレートに貼り付けられてプレートの上記各凸型部上面とテンプレートの上記各開口部内壁面とで凹部形状のウェハ収容部が構成され、このウェハ収容部に収容されたウェハ基板がウェハ収容部の凸型部上面に液体を介し該液体の吸着力により保持されており、
凹部形状のウェハ収容部を形成する上記凹部の高さをH1、ウェハの仕上げ厚みをH2とし、凸型部上面の直径をD1、ウェハ基板の直径をD2とした場合、
H1≦H2、かつ、D2≦D1≦D2+5mmの関係を満たす条件でウェハ基板の研磨加工を行うことを特徴とするウェハ基板の研磨方法。 - 上記プレートにおける略円柱形状凸型部の高さH0が、0.05mm以上1.00mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ基板の研磨方法。
- 開口部を有するテンプレートの厚みを任意に設定してウェハ収容部を形成する上記凹部の高さH1を調整することを特徴とする請求項1に記載のウェハ基板の研磨方法。
- ウェハ収容部を形成する上記凹部の高さH1が0.05mm以上であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ基板の研磨方法。
- 上記ウェハの仕上げ厚みH2が0.05mm以上であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ基板の研磨方法。
- 上記プレートに貼り付けられるテンプレートが、複数の開口部を有するテンプレート本体(基材部)と、このテンプレート本体(基材部)片面側の開口部を除く部位に設けられテンプレート本体(基材部)を上記プレートに固定する粘着部とで構成されることを特徴とする請求項1に記載のウェハ基板の研磨方法。
- 上記ウェハ収容部がプレートの各凸型部上面とテンプレート本体(基材部)の各開口部内壁面とで構成され、ウェハ収容部を形成する上記凹部にテンプレートの粘着部が露出していないことを特徴とする請求項1に記載のウェハ基板の研磨方法。
- 上記ウェハ基板が圧電性酸化物単結晶基板であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のウェハ基板の研磨方法。
- 上記圧電性酸化物単結晶基板が、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムであることを特徴とする請求項8に記載のウェハ基板の研磨方法。
- 複数の開口部を有するテンプレートの上記開口部に嵌合若しくは遊嵌される複数の略円柱形状凸型部を片面側に備え、上記テンプレートが貼り付けられて上記各凸型部上面とテンプレートの上記各開口部内壁面とで凹部形状のウェハ収容部を構成することを特徴とする研磨用プレート。
- 凸型部上面の直径D1とウェハ基板の直径D2との間に、D2≦D1≦D2+5mmの関係を満たすことを特徴とする請求項10に記載の研磨用プレート。
- 上記凸型部の高さH0が0.05mm以上1.00mm以下であることを特徴とする請求項10または11に記載の研磨用プレート。
- 上記凸型部上面の表面粗さをRa1とし、凸型部上面に接触するウェハ面粗さをRa2とした場合、Ra1/Ra2≦2の関係を満たすことを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の研磨用プレート。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015023113A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体基板の平坦化研削加工方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6316970A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Rodeele Nitta Kk | 研磨用基板ホルダ−およびそれから基板を脱離させる方法 |
JPS6334065A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Nec Yamagata Ltd | 基板の研磨用押え板 |
JPH11265928A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ貼付けプレートとそれを用いた半導体ウェハの研磨方法 |
JP2000317815A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-11-21 | Yoshiaki Nagaura | 圧電素子およびその加工方法 |
-
2010
- 2010-03-30 JP JP2010077824A patent/JP5459016B2/ja active Active
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