JP2015141908A5 - - Google Patents

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Claims (15)

  1. 真空搬送室と前記真空搬送室に接続される真空処理室とを有し、
    前記真空処理室は、
    排気開口を有するベースプレートと、
    前記ベースプレートの上に配置され、水平断面の内壁が円形状を有する下部容器と、
    前記下部容器の上に配置され、被処理物を載置する試料台およびその試料台の下方でこれを支持する試料台ベースであって前記試料台の外周側で当該試料台を囲んで配置されたリング状部材並びに前記試料台の中心軸に対して軸対称に配置されて前記リング状部材との間を接続して前記試料台を支持する支持梁を有した試料台ベースを備えた試料台ユニットと、
    前記試料台ユニットの上に配置され、水平断面の内壁が円形状を有する上部容器と、
    前記上部容器に配置されて内側を前記被処理物が搬送される上部容器開口部であって、その外周側の前記上部容器の外側側壁が上部容器ゲートバルブで閉塞される上部容器開口と、
    前記試料台ベースに固定され、前記試料台ユニットを上下方向及び水平方向に移動可能な移動手段と、を備えることを特徴とする真空処理装置。
  2. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記ベースプレートの前記排気開口は、前記試料台の真下に配置されていることを特徴とする真空処理装置。
  3. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記ベースプレートと、前記下部容器と、前記試料台ユニットと、前記上部容器との間は、互いに真空シールされていることを特徴とする真空処理装置。
  4. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記真空搬送室と前記真空処理室との間にバルブボックスが配置され、前記真空搬送室は、前記被処理物を前記真空処理室との間で搬送する搬送室開口部と当該搬送室開口部を開閉する搬送室ゲートバルブとを有し、前記バルブボックスは、前記搬送室開口部と前記上部容器開口部との間を接続し、前記上部容器ゲートバルブを有することを特徴とする真空処理装置。
  5. 請求項4記載の真空処理装置において、
    前記真空処理装置のメンテナンスの際、前記搬送室ゲートバルブは閉状態、前記上部容器ゲートバルブは開状態とされるものであることを特徴とする真空処理装置。
  6. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記試料台ユニットは、前記移動手段により上方へ持ち上げられた後、水平方向に旋回されるものであることを特徴とする真空処理装置。
  7. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記試料台ユニットは、前記移動手段により上方へ持ち上げられた後、水平方向に直線的に移動されるものであることを特徴とする真空処理装置。
  8. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記真空処理装置のメンテナンスの際、前記上部容器及び前記下部容器は交換されるものであることを特徴とする真空処理装置。
  9. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記下部容器は内部にインナーを有し、前記真空処理装置のメンテナンスの際、前記下部容器のインナー及び前記上部容器は交換されるものであることを特徴とする真空処理装置。
  10. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記ベースプレートの排気開口は、前記真空処理装置の稼働中は開状態とされ、前記真空処理装置のメンテナンスの際には閉状態とされるものであることを特徴とする真空処理装置。
  11. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記支持梁の内部に設けられた空洞には、前記被処理物を前記試料台に静電吸着させるため用いられる配線コード、前記試料台へ高周波バイアスを印加するために用いられる配線コード、前記試料台の温度を制御するために用いられる配線コード或いは冷媒用配管、前記試料台の温度を検出するために用いられる配線コードの中の少なくとも一つが配置されていることを特徴とする真空処理装置。
  12. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記真空処理室は、ドライエッチング処理が行われるものであることを特徴とする真空処理装置。
  13. 大気ブロックと、真空搬送室及び前記真空搬送室に接続される真空処理室を備えた真空ブロックとを有する真空処理装置において、
    前記真空処理室は、
    排気開口を有するベースプレートと、
    前記ベースプレートの上に配置され、水平断面の内壁が円形状を有する下部容器と、
    前記下部容器の上に配置され、被処理物を載置する試料台および前記試料台を支持する支持梁であって、前記試料台の中心軸に対して軸対称に配置された支持梁を備えたリング状の試料台ベースを有する試料台ユニットと、
    前記試料台ユニットの上に配置され、水平断面の内壁が円形状を有する上部容器と、
    前記上部容器の上に配置され、放電ブロックベース及び前記放電ブロックベースに取り付けられ、水平断面の内壁が円形状の放電ブロックを含み、前記放電ブロックの内側でプラズマが生成される放電ブロックユニットと、
    前記試料台ベース及び前記放電ブロックベースにそれぞれ個別に固定され、前記試料台ユニット及び前記放電ブロックユニットをそれぞれ個別に上下方向及び水平方向に移動可能な移動手段と、を備えることを特徴とする真空処理装置。
  14. 請求項13記載の真空処理装置において、
    前記試料台ユニット及び前記放電ブロックユニットは、前記移動手段によりそれぞれ個別に上方へ持ち上げられた後、水平方向に旋回されるものであることを特徴とする真空処理装置。
  15. 請求項1記載の真空処理装置において、
    前記試料台ユニット及び前記放電ブロックユニットは、前記移動手段によりそれぞれ個別に上方へ持ち上げられた後、水平方向に直線的に移動されるものであることを特徴とする真空処理装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293303B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low contamination chamber for surface activation
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6607795B2 (ja) 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6960737B2 (ja) * 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
CN111433390B (zh) * 2017-12-22 2022-09-27 株式会社村田制作所 成膜装置
JP7083463B2 (ja) 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
KR102207755B1 (ko) * 2018-05-28 2021-01-26 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치
CN109065432A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 德淮半导体有限公司 一种干法刻蚀设备
JP7296739B2 (ja) * 2019-01-31 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の動作方法
JP6750928B2 (ja) * 2019-03-01 2020-09-02 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
CN111705302B (zh) * 2020-08-18 2020-11-10 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备
CN114582693A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法
JP2022143380A (ja) * 2021-03-17 2022-10-03 東京エレクトロン株式会社 開閉装置及び搬送室

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2000133693A (ja) * 1998-08-19 2000-05-12 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置用駆動機構および真空装置
JP3527450B2 (ja) * 1999-12-22 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6719851B1 (en) * 2000-09-26 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Lid assembly for opening a process chamber lid and uses therefor
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6700090B2 (en) * 2002-04-26 2004-03-02 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing method and plasma processing apparatus
TW558789B (en) * 2002-05-02 2003-10-21 Hitachi High Tech Corp Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device
JP4300003B2 (ja) * 2002-08-07 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 載置台の駆動装置及びプローブ方法
JP4277100B2 (ja) * 2002-11-14 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 搬送機構の基準位置補正装置及び基準位置補正方法
JP4219702B2 (ja) * 2003-02-06 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置
JP4522795B2 (ja) * 2003-09-04 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP4426343B2 (ja) 2004-03-08 2010-03-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2006080347A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP4432728B2 (ja) * 2004-10-29 2010-03-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
KR100667598B1 (ko) * 2005-02-25 2007-01-12 주식회사 아이피에스 반도체 처리 장치
CN100358097C (zh) * 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理***及其处理方法
JP4355314B2 (ja) * 2005-12-14 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
KR20080004118A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 설비
JP2008311385A (ja) 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
US9328417B2 (en) 2008-11-01 2016-05-03 Ultratech, Inc. System and method for thin film deposition
TWI408766B (zh) * 2009-11-12 2013-09-11 Hitachi High Tech Corp Vacuum processing device
JP5564271B2 (ja) * 2010-01-20 2014-07-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR101136728B1 (ko) * 2010-10-18 2012-04-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치와 그의 분해 및 조립방법
JP5785712B2 (ja) * 2010-12-28 2015-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US10023954B2 (en) * 2011-09-15 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus, systems, and methods
US8895452B2 (en) * 2012-05-31 2014-11-25 Lam Research Corporation Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber
JP6491891B2 (ja) * 2015-01-23 2019-03-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6960737B2 (ja) * 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
JP7083463B2 (ja) * 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置

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