JP6336231B1 - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6336231B1
JP6336231B1 JP2018504956A JP2018504956A JP6336231B1 JP 6336231 B1 JP6336231 B1 JP 6336231B1 JP 2018504956 A JP2018504956 A JP 2018504956A JP 2018504956 A JP2018504956 A JP 2018504956A JP 6336231 B1 JP6336231 B1 JP 6336231B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate holding
vacuum
holding device
processing
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018504956A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018084214A1 (ja
Inventor
展史 南
展史 南
傑之 鈴木
傑之 鈴木
和博 武者
和博 武者
裕利 中尾
裕利 中尾
佐藤　誠一
誠一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Application granted granted Critical
Publication of JP6336231B1 publication Critical patent/JP6336231B1/ja
Publication of JPWO2018084214A1 publication Critical patent/JPWO2018084214A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

設置面積が小さい真空処理装置を提供する。真空槽１２の内部に昇降板１５を配置し、基板保持装置２７を昇降板１５に配置して昇降移動可能にする。昇降板１５が昇降移動する昇降領域１２ｂの側方に位置する処理領域１２ａ内に上方側処理装置４０と下方側処理装置５０とを設け、上方側移動装置３５と下方側移動装置３６とによって、基板保持装置２７に処理領域１２ａ内を通過させ、受渡装置３７によって上方側移動装置３５又は下方側移動装置３６と昇降板１５との間で基板保持装置２７の受け渡しを行う。上方側と下方側で真空処理を行うことができるので真空処理装置１０の設置面積は小さい。

Description

本発明は、真空装置の技術分野に係り、特に、処理対象物を大気雰囲気中と真空雰囲気中で移動させる真空装置に関する。
従来、複数の被処理基板をトレイ等の基板保持器に載置して通過しながら成膜等の処理を行う真空処理装置が知られている。
このような真空処理装置としては、環状の搬送経路を有するものも知られており、また、移載工程において、被処理基板を導入（ローディング）し、既処理基板を排出（アンローディング）していることも示されている。
従来技術の構成では、被処理基板は、ローディング位置からアンローディング位置まで、その処理面が水平に保たれていて、水平面内に構成された環状搬送経路を移動しながら、各プロセスを経由するようになっている。
その結果、このような従来技術では、処理すべき基板表面のみならず、移載を含む付帯設備面積も水平方向に加算される（処理面と平行面に環状軌道が構成されていれば、それが鉛直方向でも加算される）。
また、このような従来技術では、トレイに複数行×複数列の基板が載置されるように構成されているので、処理領域および付帯設備のすべては当該トレイ表面積を完全にカバーできる大きさが必要になり、その結果、上述した問題を含めて設置スペースを小さくする上で、大きな障害となっていた。
ところで、仮に、単列に被処理基板を載置するトレイがある場合において、このトレイを搬送方向に向けて複数載置する場合であっても、トレイ先頭に載置された基板に対する処理を開始し、トレイ後端に載置された基板に対する処理を完了するプロセスにおいては、トレイ先頭の基板が処理を開始する時には、２枚目〜後端の基板の長さ、またトレイ後端の基板が処理を完了するときには、トレイ先頭の基板〜後端前の基板の長さ、それらの双方をカバーする処理余剰領域を設けざるを得ず、省スペース化を十分に行うことができないという問題がある。
特開２００７−３１８２１号公報 特開２００２−２８８８８８号公報 特開２００４−２８５４２６号公報 特開２００２−１７６０９０号公報 ＷＯ２００８−５０６６２号公報 特開平８−９６３５８号公報 特開２００４−２８５４２６号公報 特開２０１３−１３１５４２号公報
本発明は、このような従来の技術の課題を考慮してなされたもので、その目的とするところは、通過型の真空処理装置において、省スペース化を十分に行うことができる技術を提供することにある。
上記課題を解決するため本発明は、処理対象物が処理面を露出させて配置される基板保持装置と、前記基板保持装置が搬出入される真空槽と、昇降板上に配置された前記基板保持装置を前記真空槽内で昇降移動させる昇降装置と、前記真空槽内の上方側で前記基板保持装置を横方向に移動させる上方側移動装置と、前記真空槽内の下方側で前記基板保持装置を横方向に移動させる下方側移動装置と、前記昇降板と、前記上方側移動装置及び前記下方側移動装置との間で前記基板保持装置を受け渡す受渡装置と、を有し、前記上方側移動装置によって移動される前記基板保持装置に配置された前記処理対象物は上方側処理装置によって真空処理がされ、前記下方側移動装置によって移動される前記基板保持装置に配置された前記処理対象物は下方側処理装置によって真空処理をされる真空処理装置である。
本発明は、前記昇降板が上下移動する範囲の上部には、前記真空槽に設けられた開口と、前記開口を覆って搬出入室を形成させる蓋部材とが設けられ、前記基板保持装置に配置された前記処理対象物が前記開口に挿入されると、前記開口は前記蓋部材で閉塞される真空処理装置である。
本発明は、前記搬出入室を真空排気する真空排気装置が設けられた真空処理装置である。
本発明は、前記上方側移動装置と前記下方側移動装置との間で、前記基板保持装置を受け渡す上下間受渡装置が設けられた真空処理装置である。
本発明は、前記基板保持装置にはピンが設けられており、前記受渡装置は、前記ピンと係合可能なフックを有する真空処理装置である。
本発明は、前記フックは、上方又は下方のうち、いずれかに移動することで、前記ピンとの係合が解除される真空処理装置である。
本発明は、前記受渡装置は、前記昇降板と前記上方側移動装置との間で前記基板保持装置を受け渡す上方側受渡装置と、前記昇降板と前記下方側移動装置との間で前記基板保持装置を受け渡す下方側受渡装置と、を有する真空処理装置である。
本発明においては、上方側処理領域と下方側処理領域とを上下二段に配置しているので、真空処理装置の設置面積を減少させることができる。
搬出入室を、昇降板によって開口を気密に覆うことで形成することができ、搬出入室の高さ方向の幅を短縮することができるので、容量を小さくすることができ、搬出入に要する時間も短くすることができる。
本発明の真空処理装置を説明するための図(１) 本発明の真空処理装置を説明するための図(２) 本発明の真空処理装置を説明するための図(３) 本発明の真空処理装置を説明するための図(４) 本発明の真空処理装置を説明するための図(５) 本発明の真空処理装置を説明するための図(６) 本発明の真空処理装置を説明するための図(７) 本発明の真空処理装置を説明するための図(８) 本発明の真空処理装置を説明するための図(９) 本発明の真空処理装置を説明するための図(１０) 本発明の真空処理装置を説明するための図(１１) 処理対象物と基板保持装置との位置関係を説明するための図 本発明の真空処理装置の他の例(１) 本発明の真空処理装置の他の例(２) 揺動型のフックを説明するための図
＜昇降移動＞
図５の符号１０は、処理対象物に真空処理を行う真空処理装置であり、真空槽１２を有しており、真空槽１２には、昇降装置１６が設けられている。
真空槽１２の内部のうち、 処理対象物の真空処理が行われる領域を処理領域１２ａとし、昇降装置１６によって処理対象物の昇降移動が行われる領域を昇降領域１２ｂと呼ぶものとすると、処理領域１２ａと昇降領域１２ｂとは、互いに連通し、同一の圧力の真空雰囲気にされている。
昇降装置１６は、昇降軸１４と、昇降軸１４の上端に設けられた昇降板１５とを有している。昇降領域１２ｂの下方に位置する真空槽１２の底面には昇降孔１７が設けられている。昇降板１５は真空槽１２内の昇降領域１２ｂに位置し、また、昇降軸１４の下部は昇降領域１２ｂよりも下方に位置するように、昇降孔１７には昇降軸１４が鉛直に挿入されている。
昇降領域１２ｂの下方の真空槽１２の外部には、昇降力発生装置２１が配置されており、昇降軸１４の下部は、昇降力発生装置２１の上端に設けられた台座板２２に固定されている。
真空槽１２の底面の内部とは反対側の面、即ち底面の外部側の面の昇降孔１７の周囲の部分には、昇降孔１７と昇降軸１４とを取り囲んで配置されたベローズ２３の上端が気密に固定されており、台座板２２のうちの昇降軸１４の下部が固定された位置の周囲の部分には、そのベローズ２３の下端が気密に固定されている。
昇降力発生装置２１は、制御装置２５に接続されており、制御装置２５によって昇降力発生装置２１の動作が制御されるようになっている。昇降力発生装置２１が制御されながら動作し、上方向への移動力を発生させると、ベローズ２３が短縮しながら台座板２２が上方に移動し、その結果、昇降軸１４と共に昇降板１５が真空槽１２の内部で上方に移動する。その移動の際には真空槽１２の気密は維持される。
他方、昇降力発生装置２１が制御されながら動作して下方向への移動力を発生させると、ベローズ２３は伸張しながら台座板２２が下方に移動し、昇降軸１４と共に昇降板１５が真空槽１２の内部で下方に移動する。その移動の際にも真空槽１２の気密は維持される。
真空槽１２の天井のうち、昇降領域１２ｂの上方であって、昇降板１５の移動方向の延長線と交叉する部分には、開口２６が設けられている。
昇降板１５の上方に向けられた表面の外周部分には、内部密閉リング２９が設けられており、昇降板１５上では、内部密閉リング２９の内側に基板保持装置２７が配置されるように構成されている。ここでは内部密閉リング２９にはオーリングが用いられている。
開口２６の上方には、板状の蓋部３１が配置されている。
蓋部３１は、真空槽１２の外部に配置され、制御装置２５に接続された押圧装置３３に取りつけられており、押圧装置３３は、制御装置２５の制御によって、蓋部３１を鉛直下方に移動させ、又は、鉛直上方に移動させる。符号５２は、蓋部３１が移動する際のガイドである。
蓋部３１の鉛直下方を向く底面には、外部密閉リング３２が配置されている。
真空槽１２は主真空排気装置３４に接続されており、真空槽１２の内部を真空排気する際には、蓋部３１は押圧装置３３によって、蓋部３１に設けられた外部密閉リング３２が、開口２６を取り囲むように真空槽１２の天井部分と接触するように移動され、また、押圧装置３３によって、蓋部３１が真空槽１２の天井に押圧され、外部密閉リング３２は、真空槽１２の開口２６の周囲の部分と蓋部３１とに密着される。
この状態では開口２６は蓋部３１によって気密に覆われて真空槽１２は密閉された状態になっており、主真空排気装置３４を動作させると、真空槽１２の内部が真空排気され、真空槽１２の内部には真空雰囲気が形成される。
真空槽１２の内部に真空雰囲気が形成されているときには、主真空排気装置３４によって真空槽１２が真空排気されながら、昇降力発生装置２１が動作し、昇降板１５が基板保持装置２７を乗せた状態で上方に移動させられると、図６に示すように、基板保持装置２７が開口２６の内部に入ると共に、内部密閉リング２９が真空槽１２の天井に接触する。
昇降力発生装置２１の動作により、昇降板１５が真空槽１２の天井に押圧されると、内部密閉リング２９は真空槽１２の天井と昇降板１５とに密着する。
昇降板１５には、孔は設けられておらず、内部密閉リング２９が真空槽１２の天井に接触されると開口２６は閉塞され、真空槽１２は、蓋部３１と昇降板１５とのいずれによっても密閉され、蓋部３１と、真空槽１２の開口２６と、昇降板１５とで大気から分離された搬出入室３０が形成される。
この状態の搬出入室３０の内部は真空雰囲気になっており、蓋部３１に接続されたガス導入装置等から搬出入室３０の内部に大気等のガスが導入され、搬出入室３０の内部が大気圧力にされた後、蓋部３１が上方に移動されると、図７に示すように、搬出入室３０が大気に開放されたことになる。
このとき、開口２６は昇降板１５によって密閉され、主真空排気装置３４は動作しており、真空槽１２の内部は真空雰囲気が維持されている。
基板保持装置２７には、図１２に示すように、処理対象物１１が配置されており、搬出入室３０が大気に開放されたときには、基板保持装置２７と、基板保持装置２７に配置された処理対象物１１とが大気雰囲気に曝される。
真空槽１２の外部に配置された基板搬送ロボット等により、大気雰囲気に曝された基板保持装置２７上の処理対象物１１が基板保持装置２７上から他の装置に移動され、未処理の処理対象物１１が基板保持装置２７に配置される。
次いで、蓋部３１が降下され、外部密閉リング３２が開口２６の周囲に接触され、蓋部３１によって開口２６が気密に覆われると、真空槽１２の内部雰囲気は外部密閉リング３２と内部密閉リング２９の両方で密閉され、蓋部３１と、真空槽１２の開口２６と、昇降板１５とで、搬出入室３０が形成される。
この状態の搬出入室３０の内部は大気雰囲気になっており、搬出入室３０に接続された副真空排気装置４９が動作し、搬出入室３０の内部が真空排気され、所定圧力の真空雰囲気が形成されたところで、図８に示すように昇降力発生装置２１によって昇降板１５が降下させられると、基板保持装置２７と、基板保持装置２７上に配置された処理対象物１１とは、真空槽１２の内部に搬入される。蓋部３１により、真空槽１２の内部は、真空雰囲気が維持される。
なお、上記例では、副真空排気装置４９が動作して搬出入室３０の内部が真空排気されたが、副真空排気装置４９と蓋部３１との間にバルブを設置し、副真空排気装置４９が動作した状態でバルブが開けられて搬出入室３０の内部が真空排気されるようにしてもよい。
このように、昇降板１５は昇降領域１２ｂの内部で昇降移動するようにされており、処理領域１２ａは、真空槽１２の内部の昇降領域１２ｂの側方に位置している。処理領域１２ａを貫通するように、真空槽１２の内部の上方側には上方側移動装置３５が設けられており、上方側移動装置３５の下方側には下方側移動装置３６が設けられている。
ここでは、昇降移動は、鉛直方向または鉛直に近い方向の上方移動と鉛直方向または鉛直に近い方向の下方移動との両方向の移動が昇降移動とされている。
上方側移動装置３５と下方側移動装置３６とは、基板保持装置２７を横方向にそれぞれ移動させる装置であり、真空槽１２の内部には、上方側移動装置３５及び下方側移動装置３６と昇降板１５との間で基板保持装置２７の受け渡しを行う受渡装置３７が配置されている。
横方向は昇降移動の方向と垂直な方向であり、ここでは、横方向の移動は、水平方向または水平に近い方向への移動となっている。
この例では、受渡装置３７は、上方側移動装置３５と昇降板１５との間で基板保持装置２７の受け渡しを行う上方側受渡装置３７ａと、下方側移動装置３６と昇降板１５との間で基板保持装置２７の受け渡しを行う下方側受渡装置３７ｂとを有しており、下方側受渡装置３７ｂは、上方側受渡装置３７ａの下方に配置されている。
上方側受渡装置３７ａは、上方側スライダー４２と、上方側フック４４とを有しており、下方側受渡装置３７ｂは、下方側スライダー４３と、下方側フック４５とを有している。
上方側スライダー４２は、昇降領域１２ｂの側方と上方側移動装置３５の付近との間に亘って配置されており、下方側スライダー４３は、昇降領域１２ｂの側方と下方側移動装置３６の付近との間に亘って配置されている。
制御装置２５の制御により、上方側受渡装置３７ａは上方側フック４４を上方側スライダー４２に沿って横方向に移動させ、下方側受渡装置３７ｂは下方側フック４５を、下方側スライダー４３に沿って横方向に移動させる。また、上方側受渡装置３７ａと下方側受渡装置３７ｂとは、制御装置２５の制御により、上方側フック４４と下方側フック４５とを、それぞれ上下方向にも個別に移動させる。
図１は、基板保持装置２７が配置されていない昇降板１５が昇降領域１２ｂの下方の所定位置で静止されており、基板保持装置２７は、上方側受渡装置３７ａによって、昇降板１５上から上方側移動装置３５に受け渡され、上方側移動装置３５に配置され、上方側移動装置３５によって処理領域１２ａ内を移動された後、真空槽１２の内部に配置された上下間受渡装置３９によって上方側移動装置３５から下方側移動装置３６に受け渡され、下方側移動装置３６によって、処理領域１２ａ内を移動した後、下方側受渡装置３７ｂに受け渡される位置に到着する。
ところで、真空槽１２内の処理領域１２ａ中の、上方側移動装置３５によって移動される基板保持装置２７に配置された処理対象物１１と対面する位置には、上方側処理装置４０が配置されており、下方側移動装置３６によって移動される基板保持装置２７に配置された処理対象物１１と対面する位置には、下方側処理装置５０が配置されている。
上方側移動装置３５では、処理対象物１１は表面が上方を向けられて移動するので、上方側処理装置４０は処理対象物１１の上方に向けられた表面と対面するように配置されている。処理対象物１１は、表面が上方側処理装置４０によって真空処理された後、上方側移動装置３５から上下間受渡装置３９に受け渡される。
上下間受渡装置３９は、この例では、処理対象物１１の向きを変更せずに下方側移動装置３６に受け渡しており、下方側移動装置３６に配置された基板保持装置２７中の処理対象物１１の表面は上方に向けられている。
基板保持装置２７の底面には図１２に示す貫通孔である窓開部２４が設けられており、処理対象物１１は、窓開部２４よりも大きく、処理対象物１１の周辺部分が基板保持装置２７の底面と接触しながら、窓開部２４が形成された底面上に配置されている。従って、基板保持装置２７に配置された処理対象物１１の裏面は下方に向けて露出されている。
処理領域１２ａの下方位置には、下方側処理装置５０が配置されている。
下方側移動装置３６は、処理対象物１１の裏面と下方側処理装置５０とが対面できるように配置されている。下方側移動装置３６によって処理領域１２ａ内を移動する基板保持装置２７に配置された処理対象物１１の裏面は、下方側処理装置５０によって真空処理される。
ここでは、上方側処理装置４０と下方側処理装置５０とは、それぞれ複数のターゲット装置を有しており、従って、上方側処理装置４０と下方側処理装置５０は、ターゲット装置のバッキングプレート４７と、バッキングプレート４７にそれぞれ固定されたスパッタリングターゲット４６とを有している。
主真空排気装置３４の動作が維持されながら、真空雰囲気にされた真空槽１２の内部に、ガス導入装置４１からスパッタリングガスが導入され、真空槽１２の内部はスパッタリングガス雰囲気にされ、バッキングプレート４７に電圧が印加され、スパッタリングターゲット４６の表面近傍にプラズマが形成される。上方側処理装置４０のスパッタリングターゲット４６と下方側処理装置５０のスパッタリングターゲット４６とはこのプラズマによってスパッタリングされ、処理対象物１１が上方側処理装置４０と対面するときに、表面に薄膜が形成され、下方側処理装置５０と対面するときに、裏面に薄膜が形成される。スパッタリングガス雰囲気は大気圧よりも低圧の真空雰囲気である。
ここでは、上方側移動装置３５と下方側移動装置３６とは、互いに平行に水平に配置され、例えば、基板保持装置２７の縁と接触する複数の搬送ローラと、搬送ローラを回転させる回転装置(搬送ローラと回転装置は不図示)とを設けることができる。
複数の搬送ローラは、基板保持装置２７を移動させる方向に並べられており、基板保持装置２７が搬送ローラ上に乗せられて移動することができる。
この例では、基板保持装置２７には、ピン２８が設けられており、上方側フック４４と下方側フック４５とは、後述するように、ピン２８と係合できるようにされている。
例えば、図１には、下方側移動装置３６によって基板保持装置２７が昇降領域１２ｂ近くまで移動された状態が示されており、下方側受渡装置３７ｂにより、下方側フック４５の上端がピン２８上に位置されており、図２に示されたように、下方側フック４５が降下されると、ピン２８と下方側フック４５(ここでは下方側フック４５の上端)とが係合する。
次いで、下方側フック４５が、処理領域１２ａから遠ざかる方向に移動されると、下方側フック４５にピン２８が係合された基板保持装置２７は下方側フック４５と一緒に移動され、図３に示すように、基板保持装置２７は昇降板１５上に受け渡される。
昇降板１５の表面には、複数のローラ４８が、基板保持装置２７の移動方向に沿った方向に並べられており、更に下方側フック４５が移動されると、基板保持装置２７は昇降板１５のローラ４８を回転させながら移動し、昇降板１５の所定位置に到着する。
次いで、下方側フック４５は、図４に示すように上昇された後、図５に示すように、更に処理領域１２ａから遠ざかる方向に移動されると、下方側フック４５は昇降板１５の上方移動の障害にならない退避場所に到着し、昇降板１５は上昇することができるようになる。
他方、上方側スライダー４２も、既に昇降板１５の上方移動の障害にならない退避場所に配置されており、図６に示すように、昇降板１５の内部密閉リング２９が真空槽１２の天井部分に接触し、昇降板１５が真空槽１２の天井に押圧されると、昇降板１５によって開口２６が気密に覆われ、密閉された搬出入室３０が形成された状態になる。
このとき、上述したように、開口２６は、蓋部３１によって気密に覆われているから、形成された搬出入室３０の内部は真空雰囲気にされており、搬出入室３０内部に気体が導入され、大気圧にされた後、図７に示すように蓋部３１が上方に移動され、搬出入室３０の内部が大気に開放され、昇降板１５上の基板保持装置２７に配置された処理対象物１１が他の装置に移動され、未処理の処理対象物が基板保持装置２７に配置された後、蓋部３１が降下され、押圧されて開口２６が気密に覆われ、搬出入室３０が密閉された状態で副真空排気装置４９によって真空排気されて真空雰囲気にされる。
この副真空排気装置４９は、真空槽１２を真空排気する主真空排気装置３４と同一の装置であってもよいが、例えば、主真空排気装置３４は真空槽１２内を清浄な真空に保っており、副真空排気装置４９は搬出入室３０内の大気雰囲気を繰り返し排気して真空雰囲気を形成しているので、主真空排気装置３４と副真空排気装置４９を同一の装置とすると、真空槽１２内を清浄な真空に保てなくなる可能性がある。従って、真空槽１２を真空排気する主真空排気装置３４と搬出入室３０を真空排気する副真空排気装置４９とは、別々の真空排気装置であった方がよい。
搬出入室３０の内部が所定の圧力になった後、図８に示すように、昇降板１５が降下され、基板保持装置２７上の処理対象物１１が、上方側移動装置３５上の処理対象物１１と同じ高さになったところで昇降板１５の移動が停止される。
このとき、上方側フック４４は上方側スライダー４２上で、予め昇降領域１２ｂよりも処理領域１２ａから遠く、昇降板１５の移動の障害にならない退避位置に移動されており、次にその位置から処理領域１２ａに近づく方向に移動され、上方側フック４４の上端が昇降板１５上の基板保持装置２７のピン２８の上方に位置したところで上方側フック４４の移動が停止され、図９に示すように、上方側フック４４が降下されて上方側フック４４とピン２８とが係合される。
その状態で上方側フック４４が処理領域１２ａに近づく方向に移動されると、基板保持装置２７は、昇降板１５のローラ４８を回転させながら上方側フック４４と一緒に移動され、図１０に示すように、上方側移動装置３５に乗せられる。
以上説明したように、上方側移動装置３５によって移動される基板保持装置２７は、処理領域１２ａ内部の上方側を通過し、上方側処理装置４０によって処理対象物１１の表面の真空処理が行われた後、上下間受渡装置３９によって、下方側移動装置３５に移動され、下方側移動装置３５によって移動される基板保持装置２７は、処理領域１２ａ内部の下方側を移動され、下方側処理装置５０によって、窓開部２４の底面に露出する処理対象物１１の裏面に真空処理がされる。
このとき、図１１に示すように、上方側処理装置４０と下方側処理装置５０とで真空処理が行われた処理対象物１１を配置した基板保持装置２７のうち、昇降領域１２ｂに最近の基板保持装置２７のピン２８が、下方側受渡装置３７ｂの下方側フック４５に係合され、降下した昇降板１５に受け渡される。
次いで、その昇降板１５が上昇され、その基板保持装置２７に配置された処理対象物１１が、上述したように、搬出入室３０の内部に配置された後、大気雰囲気中で取り出され、他の装置に移動され、未処理の処理対象物が昇降板１５上の基板保持装置２７に配置される。
なお、上記例では、処理対象物１１の表面と裏面に真空処理がされたが、それとは異なり、上下間受渡装置３９が上方側移動装置３５から下方側移動装置３６に基板保持装置２７を受け渡す際に、処理対象物１１の上方に向けられた表面が下方を向くように基板保持装置２７と処理対象物１１との向きを一緒に逆転させ、上方側処理装置４０によって真空処理がされた処理対象物１１の表面が下方側処理装置５０に対面され、上方側処理装置４０によって真空処理された表面が、下方側処理装置５０によって真空処理されるようにしてもよい。
例えば、上方側処理装置４０によって形成された薄膜の表面上に、下方側処理装置５０によって薄膜を形成するようにしてもよい。
また、上記例では上下間受渡装置３９によって、上方側移動装置３５に配置された基板保持装置２７が下方側移動装置３６に移動されたが、上方側移動装置３５に配置された基板保持装置２７が往復移動され、上方側受渡装置３７ａによって往復移動された基板保持装置２７が上方側移動装置３５から昇降板１５上に移動され、昇降板１５が降下され、下方側受渡装置３７ｂによって昇降板１５上から下方側移動装置３６に基板保持装置２７が移動され、下方側移動装置３６に配置された基板保持装置２７が往復移動されることで、上方側処理装置４０と下方側処理装置５０とで、処理対象物１１の真空処理が行われるようにしてもよい。
更に、上記例では昇降板１５が上昇し、基板保持装置２７に配置された処理対象物１１が、搬出入室３０の内部に配置された後、大気雰囲気中で取り出され、他の装置に移動され、未処理の処理対象物を昇降板１５上の基板保持装置２７に配置されたが、処理対象物１１が配置された基板保持装置２７ごと他の装置に移動され、未処理の処理対象物１１が配置された基板保持装置２７ごと昇降板１５上に直接配置されることで、例えば、基板保持装置２７に処理対象物１１が複数配置された場合には、入替時間を短縮することができる。
真空処理が終了した処理対象物１１は、その処理対象物１１が配置された基板保持装置２７が、下方側受渡装置３７ｂによって昇降板１５上に移動され、搬出入室３０から、大気雰囲気中に取り出すことができる。
また、上記例では、上方側フック４４と下方側フック４５とが、上方側スライダー４２又は下方側スライダー４３に移動可能に設けられていたが、他の例では図１３に示すように、上下に配置された水平に伸びる上方側棒部材６１と下方側棒部材６２の先端に上方側フック６３と下方側フック６４がそれぞれ設けられ、上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とが上方と下方とに移動されることで上方側フック６３とピン２８との係合とその解除が行われ、また、下方側フック６４とピン２８との係合とその係合の解除とが行われるようにされている。
上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とは、棒部材移動装置６０に取り付けられており、棒部材移動装置６０が動作すると、上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とは、それらの中心軸線が延びる方向に沿って、それぞれ個別に移動するように構成されている。上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とは、水平にされており、直線上を往復移動する。
上方側フック６３と下方側フック６４とは、ピン２８と処理領域１２ａとの間に挿入されることで、上方側フック６３とピン２８との間と、下方側フック６４とピン２８との間が、基板保持装置２７が処理領域１２ａ側から遠ざかる移動の向きに係合され、係合した状態で上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とが、処理領域１２ａから遠ざかる方向に移動すると、基板保持装置２７は昇降板１５上でローラ４８を回転させながら処理領域１２ａから遠ざかる方向に移動する。
他方、上方側フック６３と下方側フック６４とが、ピン２８よりも処理領域１２ａから遠い位置に配置され、係合した状態で上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とが、処理領域１２ａに近づく方向に移動すると、基板保持装置２７は昇降板１５上でローラ４８を回転させながら処理領域１２ａに近づく方向に移動する。
このように上方側棒部材６１及び上方側フック６３と棒部材移動装置６０とで上方側受渡装置３７ａが構成され、下方側棒部材６２及び下方側フック６４と棒部材移動装置６０とで、下方側受渡装置３７ｂが構成される。
但し、上方側受渡装置３７ａと下方側受渡装置３７ｂとは、フックを用いる装置に限定されるものではなく、例えば、ベルトコンベア等の搬送装置を、上方側移動装置３５と昇降領域１２ｂとの間と、下方側移動装置３６と昇降領域１２ｂとの間に設けることで、上方側受渡装置３７ａと下方側受渡装置３７ｂとを構成することもできる。
図１５の符号６７は、上方側フック４４又は下方側フック４５に代えて用いることができる揺動型のフックである。このフック６７のフック本体８１は、上方側スライダー４２又は下方側スライダー４３に揺動可能に取り付けられている。
フック本体８１の先端には、上方に向けて形成された突起８５が設けられており、フック本体８１には、ソレノイド８２によって伸長又は縮小移動する駆動棒８３が回動可能に取りつけられている。
ソレノイド８２が動作して駆動棒８３が縮小する方向に移動させられたときに、突起８５が上方に移動するようにフック本体８１が揺動し、駆動棒８３が伸長する方向に移動させられたときに、突起８５が下方に移動するようにフック本体８１が揺動する。
突起８５が上方に移動すると、突起８５とピン２８とは係合することができ、その逆に、ピン２８と係合している突起８５が下方に移動すると、係合は解除される。
このように、上方側受渡装置３７ａと下方側受渡装置３７ｂとに、上下移動するフックを設け、フックを上下移動させて、係合と係合の解除とを行うことができるが、上下移動するフックに限定されるものではなく、例えば、フックの回転移動によって係合と解除を行う装置も本発明に含まれる。
図１４の符号６５、６６は、回転移動する上方側フックと下方側フックとを示しており、上方側フック６５と下方側フック６６とは、それぞれ上方側棒部材６１の先端と下方側棒部材６２の先端とに取り付けられている。
上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とはそれぞれ水平に配置されており、棒部材移動装置６０によって、上方側棒部材６１と下方側棒部材６２とが伸びる方向に沿った直線上で往復移動できるようにされている。
上方側移動装置３５又は下方側移動装置３６に渡された基板保持装置２７は処理領域１２ａに移動され、基板保持装置２７に配置された処理対象物１１は真空処理がされる。
なお、上記上方側スライダー４２や下方側スライダー４３は、上方側フック４４と下方側フック４５とを有する一台のスライダー装置にすることができるので、上方側受渡装置３７ａと下方側受渡装置３７ｂを設けず、受渡装置３７を一台のスライダー装置と二個のフックで構成することができる。
また、昇降板１５が開口２６を気密に覆うことを邪魔しないように、一個のフックを有する一台のスライダー装置が昇降板１５に取りつけられて、そのスライダー装置が昇降板１５と一緒に昇降移動されるように構成すると、そのスライダー装置のフックが移動されて、昇降板１５と上方側移動装置３５との間と、及び、昇降板１５と下方側移動装置３６との間との両方で、基板保持装置２７の受け渡しが行われるようにできるので、上方側受渡装置と下方側受渡装置を設けず、受渡装置３７を一台のスライダー装置と一個のフックとで受渡が行われるように構成することができる。
なお、上記例では、一台の昇降板１５に１台の基板保持装置２７が配置されていたが、一台の昇降板１５に複数台の基板保持装置２７が配置されていてもよい。
また、一台の基板保持装置２７に複数枚の処理対象物１１が配置されていてもよい。
なお、上記例では、蓋部３１は板状とされていたが、基板保持装置２７の形状に合わせた箱状の蓋部にされていてもよい。
上記説明では、処理領域１２ａと昇降領域１２ｂとは、互いに連通し、同一の圧力の真空雰囲気にされているとしたが、排気経路の相違等の不平衡のため、不可避的な圧力差が処理領域１２ａと昇降領域１２ｂとの間に発生するが、その圧力差は無視できる程度に小さいので、不可避的な圧力差が存在しても同一の圧力であるものとする。
１０……真空処理装置
１１……処理対象物
１２……真空槽
１２ａ……処理領域
１２ｂ……昇降領域
１４……昇降軸
１５……昇降板
１６……昇降装置
１７……昇降孔
２１……昇降力発生装置
２２……台座板
２３……ベローズ
２４……窓開部
２５……制御装置
２６……開口
２７……基板保持装置
２８……ピン
２９……内部密閉リング
３０……搬出入室
３１……蓋部
３２……外部密閉リング
３３……押圧装置
３５……上方側移動装置
３６……下方側移動装置
３７……受渡装置
３７ａ……上方側受渡装置
３７ｂ……下方側受渡装置
３９……上下間受渡装置
４０……上方側処理装置
４１……ガス導入装置
４２……上方側スライダー
４３……下方側スライダー
４４、６７……上方側フック
４５、６７……下方側フック
４６……スパッタリングターゲット
４７……バッキングプレート
４８……ローラ
５０……下方側処理装置

Claims (7)

  1. 処理対象物が処理面を露出させて配置される基板保持装置が搬出入される真空槽と、
    昇降板上に配置された前記基板保持装置を前記真空槽内で昇降移動させる昇降装置と、
    前記真空槽内の上方側で前記基板保持装置を横方向に移動させる上方側移動装置と、
    前記真空槽内の下方側で前記基板保持装置を横方向に移動させる下方側移動装置と、
    前記昇降板と、前記上方側移動装置及び前記下方側移動装置との間で前記基板保持装置を受け渡す受渡装置と、
    を有し、
    前記上方側移動装置によって移動される前記基板保持装置に配置された前記処理対象物は上方側処理装置によって真空処理がされ、前記下方側移動装置によって移動される前記基板保持装置に配置された前記処理対象物は下方側処理装置によって真空処理をされる真空処理装置。
  2. 前記昇降板が上下移動する範囲の上部には、前記真空槽に設けられた開口と、
    前記開口を覆って搬出入室を形成させる蓋部材とが設けられ、
    前記基板保持装置に配置された前記処理対象物が前記開口に挿入されると、前記開口は前記蓋部材で閉塞される請求項１記載の真空処理装置。
  3. 前記搬出入室を真空排気する真空排気装置が設けられた請求項２記載の真空処理装置。
  4. 前記上方側移動装置と前記下方側移動装置との間で、前記基板保持装置を受け渡す上下間受渡装置が設けられた請求項１記載の真空処理装置。
  5. 前記基板保持装置にはピンが設けられており、
    前記受渡装置は、前記ピンと係合可能なフックを有する請求項１記載の真空処理装置。
  6. 前記フックは、上方又は下方のうち、いずれかに移動することで、前記ピンとの係合が解除される請求項５記載の真空処理装置。
  7. 前記受渡装置は、前記昇降板と前記上方側移動装置との間で前記基板保持装置を受け渡す上方側受渡装置と、
    前記昇降板と前記下方側移動装置との間で前記基板保持装置を受け渡す下方側受渡装置と、を有する請求項１記載の真空処理装置。
JP2018504956A 2016-11-02 2017-11-01 真空処理装置 Active JP6336231B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016215115 2016-11-02
JP2016215115 2016-11-02
PCT/JP2017/039629 WO2018084214A1 (ja) 2016-11-02 2017-11-01 真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6336231B1 true JP6336231B1 (ja) 2018-06-06
JPWO2018084214A1 JPWO2018084214A1 (ja) 2018-11-01

Family

ID=62075622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018504956A Active JP6336231B1 (ja) 2016-11-02 2017-11-01 真空処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10612130B2 (ja)
JP (1) JP6336231B1 (ja)
KR (1) KR101972730B1 (ja)
CN (1) CN108884561B (ja)
TW (1) TWI662644B (ja)
WO (1) WO2018084214A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020001893A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 株式会社アルバック 真空処理装置
JP6697118B2 (ja) * 2018-08-27 2020-05-20 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
DE112019005363T5 (de) * 2019-01-08 2021-07-15 Ulvac, Inc. Vakuumbearbeitungsvorrichtung
JP6799193B1 (ja) * 2020-07-29 2020-12-09 株式会社アルバック 搬送駆動機構
WO2022079311A1 (de) * 2020-10-16 2022-04-21 Fhr Anlagenbau Gmbh Verfahren und vorrichtung zum beschichten von einzelnen substraten in einer doppelzügigen/doppelstöckigen inline-vakuum-beschichtungsanlage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5554569A (en) * 1978-10-12 1980-04-21 Leybold Heraeus Verwaltung Vacuum coating apparatus having continuous or semicontinuous crude material transporting apparatus
JP2005171369A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 基板保持機構
WO2007123032A1 (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Ulvac, Inc. 縦型基板搬送装置および成膜装置
JP2008520525A (ja) * 2004-11-15 2008-06-19 日本板硝子株式会社 配列構造を有するコーティングの蒸着方法および設備

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0896358A (ja) 1994-09-22 1996-04-12 Mitsubishi Chem Corp 磁気記録媒体の製造方法
JP4614529B2 (ja) 2000-12-07 2011-01-19 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式基板処理装置
JP4222589B2 (ja) 2001-03-26 2009-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置及びそれを用いた基板処理装置
JP4452029B2 (ja) 2003-03-24 2010-04-21 株式会社アルバック 酸化マグネシウム被膜の形成方法及び大気リターン型のインライン式真空蒸着装置
TWI257959B (en) * 2005-01-20 2006-07-11 Uvat Technology Co Ltd Continuous vacuum film deposition machine with built-in electrostatic dust removal mechanism
JP5014603B2 (ja) 2005-07-29 2012-08-29 株式会社アルバック 真空処理装置
RU2425174C2 (ru) 2006-10-27 2011-07-27 Улвак, Инк. Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели
KR100927621B1 (ko) * 2007-03-22 2009-11-20 삼성에스디아이 주식회사 보호막층을 증착시키는 장치와, 이를 이용한 증착 방법
KR101100366B1 (ko) * 2009-04-24 2011-12-30 주식회사 코리아 인스트루먼트 후막 증착용 마그네트론 스퍼터링 장치
WO2012098871A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
KR20130049080A (ko) * 2011-11-03 2013-05-13 삼성디스플레이 주식회사 회전식 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법
JP2013131542A (ja) 2011-12-20 2013-07-04 Ulvac Japan Ltd インライン式成膜装置
JP6419635B2 (ja) * 2014-04-23 2018-11-07 株式会社アルバック 保持装置、真空処理装置
JP6009513B2 (ja) * 2014-09-02 2016-10-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6255544B2 (ja) * 2015-12-17 2017-12-27 株式会社アルバック 真空処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5554569A (en) * 1978-10-12 1980-04-21 Leybold Heraeus Verwaltung Vacuum coating apparatus having continuous or semicontinuous crude material transporting apparatus
JP2005171369A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 基板保持機構
JP2008520525A (ja) * 2004-11-15 2008-06-19 日本板硝子株式会社 配列構造を有するコーティングの蒸着方法および設備
WO2007123032A1 (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Ulvac, Inc. 縦型基板搬送装置および成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101972730B1 (ko) 2019-04-25
WO2018084214A1 (ja) 2018-05-11
JPWO2018084214A1 (ja) 2018-11-01
CN108884561A (zh) 2018-11-23
US20190233224A1 (en) 2019-08-01
KR20180102197A (ko) 2018-09-14
TWI662644B (zh) 2019-06-11
CN108884561B (zh) 2019-08-06
US10612130B2 (en) 2020-04-07
TW201820516A (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6336231B1 (ja) 真空処理装置
JP5108557B2 (ja) ロードロック装置および基板冷却方法
TWI602764B (zh) 保持裝置、真空處理裝置
JP5729148B2 (ja) 基板搬送容器の開閉装置、蓋体の開閉装置及び半導体製造装置
JP2007266058A (ja) 常温接合装置
JP2015076458A (ja) 真空処理装置
JP2014179431A (ja) 真空処理装置及びその運転方法
JP5603333B2 (ja) 基板処理装置
JP4885023B2 (ja) ロードロック装置および基板の処理システム
JP2010010259A (ja) 真空処理装置
JP5427856B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
KR101688842B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4328123B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2004087781A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP6258726B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP5892828B2 (ja) 真空処理装置
JPH03155619A (ja) 真空処理装置
JP2009218505A (ja) アンロードチャンバ及びその運転方法
JP2550787B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JP2019153695A (ja) 真空処理装置、搬出入室
JP4839097B2 (ja) 真空装置
JP5145209B2 (ja) 真空処理装置
JPH0159354B2 (ja)
JP2004259919A (ja) 真空搬送装置及び真空処理装置
KR20220044122A (ko) 성막 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180130

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180130

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180424

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180501

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6336231

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250