JP2015126179A - 研磨終点検出方法、及び研磨終点検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研磨終点検出方法は、ナノカーボン材料と光透過材料の混成膜を含む研磨対象物を研磨しながら研磨対象物に光を照射する(ステップS102)。続いて、研磨終点検出方法は、研磨対象物から反射した光を受光する(ステップS103)。続いて、研磨終点検出方法は、受光した反射光に信号処理を行う(ステップS104)。続いて、研磨終点検出方法は、信号処理の結果に基づいて研磨対象物の研磨終点を判定し(ステップS105)、研磨終点を検出する(ステップS106)。
【選択図】図8
Description
し、前記研磨対象物から反射した光に基づいて前記研磨対象物の研磨終点を検出する、ことを特徴とする。
の層であるSOG層580が形成される。混成層570及びSOG層580に用いているSOG膜は、光透過材料590の一例である。本実施形態では混成層570及びSOG層580にSOG膜を用いる例を示したが、これに限らず、光を透過することができ、かつ、カーボンナノチューブ560に含浸可能な物質であれば用いることができる。また、以下では、カーボンナノチューブと光透過材料とを含む基板の研磨終点の検出について説明するが、これに限らず、他のナノカーボン材料(例えばMLGなど)と光透過材料とを含む基板の研磨終点の検出についても適用することができる。
トルの波形が比較的小さい周期で上下に振幅している。
102 基板
140 研磨装置制御部
200 研磨終点検出装置
210 光学式センサ
220 終点検出装置本体
230 分光器
240 信号処理部
250 研磨終点検出部
510 金属膜
520 窒化膜
530 酸化膜
540 下地膜
550 触媒層
560 カーボンナノチューブ
570 混成層
580 SOG層
590 光透過材料
610 シリコン基板
620 TEOS層
630 下地層
640 混成層
650 SOG層
Claims (12)
- ナノカーボン材料と光透過材料の混成膜を含む研磨対象物を研磨しながら前記研磨対象物に光を照射し、
前記研磨対象物から反射した光に基づいて前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出方法。 - 請求項1の研磨終点検出方法において、
前記研磨対象物の研磨終点を検出するステップは、前記研磨対象物から反射した光の位相差に基づいて前記研磨対象物の膜厚を測定する分光干渉法を用いて、前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出方法。 - 請求項1又は2の研磨終点検出方法において、
前記研磨対象物の研磨終点を検出するステップは、前記研磨対象物の複数の反射面から反射した光を合成した合成波の強度の変化と、前記研磨対象物の研磨レートと、に基づいて、前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項の研磨終点検出方法において、
前記研磨終点を検出するステップは、前記研磨対象物から反射した光の光学スペクトルの変化に基づいて、前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出方法。 - 請求項4の研磨終点検出方法において、
前記研磨終点を検出するステップは、あらかじめ設定された光学スペクトル波形と、前記研磨対象物から反射した光の光学スペクトル波形とを比較し、比較結果に基づいて前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項の研磨終点検出方法において、
前記ナノカーボン材料は、グラフェンシート又はカーボンナノチューブを含む、
ことを特徴とする研磨終点検出方法。 - ナノカーボン材料と光透過材料の混成膜を含む研磨対象物に光を照射する照射部と、
前記研磨対象物から反射した光を受光する受光部と、
前記受光部によって受光された光に基づいて前記研磨対象物の研磨終点を検出する検出部と、
を備えることを特徴とする研磨終点検出装置。 - 請求項7の研磨終点検出装置において、
前記検出部は、前記研磨対象物から反射した光の位相差に基づいて前記研磨対象物の膜厚を測定する分光干渉法を用いて、前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出装置。 - 請求項7又は8の研磨終点検出方法において、
前記検出部は、前記研磨対象物の複数の反射面から反射した光を合成した合成波の強度の変化と、前記研磨対象物の研磨レートと、に基づいて、前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出装置。 - 請求項7〜9のいずれか1項の研磨終点検出装置において、
前記検出部は、前記研磨対象物から反射した光の光学スペクトルの変化に基づいて、前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出装置。 - 請求項10の研磨終点検出方法において、
前記検出部は、あらかじめ設定された光学スペクトル波形と、前記研磨対象物から反射した光の光学スペクトル波形とを比較し、比較結果に基づいて前記研磨対象物の研磨終点を検出する、
ことを特徴とする研磨終点検出装置。 - 請求項7〜11のいずれか1項の研磨終点検出装置において、
前記ナノカーボン材料は、グラフェンシート又はカーボンナノチューブを含む、
ことを特徴とする研磨終点検出装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
JP7046358B2 (ja) * | 2018-04-17 | 2022-04-04 | スピードファム株式会社 | 研磨装置 |
JP2023148801A (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-13 | 株式会社東京精密 | 研磨終点検出装置及びcmp装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000326220A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-11-28 | Applied Materials Inc | 異なる波長の光線を用いた終点検出 |
JP2009070911A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Fujitsu Ltd | 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法 |
JP2010135631A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 配線構造及びその形成方法、並びに半導体装置 |
JP2012049268A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2013526080A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 終点検出のためのスペクトル特徴部の動的または適応的な追跡 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3327289B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2002-09-24 | 株式会社ニコン | 工程終了点測定装置及び測定方法及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法及び信号処理プログラムを記録した記録媒体 |
US7101257B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-09-05 | Ebara Corporation | Substrate polishing apparatus |
JP4464642B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-05-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法 |
US8260446B2 (en) * | 2005-08-22 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Spectrographic monitoring of a substrate during processing using index values |
JP2009129970A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000326220A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-11-28 | Applied Materials Inc | 異なる波長の光線を用いた終点検出 |
JP2009070911A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Fujitsu Ltd | 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法 |
JP2010135631A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 配線構造及びその形成方法、並びに半導体装置 |
JP2013526080A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 終点検出のためのスペクトル特徴部の動的または適応的な追跡 |
JP2012049268A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7469032B2 (ja) | 2019-12-10 | 2024-04-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
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