JP2015057803A - 回路モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記回路基板は、層内配線が形成された多層基板であって、実装面を有し、上記実装面に表層導体が配設されている。
上記実装部品は、上記実装面に実装されている。
上記封止体は、上記実装面上に形成され、上記実装部品を被覆する封止体であって、上記封止体の主面から上記実装面に向けて形成された、上記表層導体に到達する第1のトレンチ部分と、上記表層導体に到達しない第2のトレンチ部分とを有するトレンチを備える。
上記シールドは、上記封止体を被覆する外部シールド部と、上記トレンチの内部に形成された内部シールド部とを有する。
上記実装面に、実装部品を実装する。
上記実装面上において、上記実装部品を被覆する封止体を形成する。
上記封止体に、上記封止体の主面から上記実装面に向けて、上記表層導体に到達する第1のトレンチ部分と、上記表層導体に到達しない第2のトレンチ部分とを有するトレンチを形成する。
上記封止体を被覆する外部シールド部と、上記トレンチの内部に形成された内部シールド部とを有するシールドを形成する。
上記回路基板は、層内配線が形成された多層基板であって、実装面を有し、上記実装面に表層導体が配設されている。
上記実装部品は、上記実装面に実装されている。
上記封止体は、上記実装面上に形成され、上記実装部品を被覆する封止体であって、上記封止体の主面から上記実装面に向けて形成された、上記表層導体に到達する第1のトレンチ部分と、上記表層導体に到達しない第2のトレンチ部分とを有するトレンチを備える。
上記シールドは、上記封止体を被覆する外部シールド部と、上記トレンチの内部に形成された内部シールド部とを有する。
上記第1のトレンチ部分は、上記第2のトレンチ部分の間に形成されていてもよい。
上記第2のトレンチ部分は、上記封止体において下層に上記非グランド配線が設けられている領域に形成され、
上記第1のトレンチ部分は、上記封止体において下層に上記非グランド配線が設けられてない領域に形成されていてもよい。
上記トレンチは、上記複数の実装部品を隔てるように形成されていてもよい。
上記実装面に、実装部品を実装する。
上記実装面上において、上記実装部品を被覆する封止体を形成する。
上記封止体に、上記封止体の主面から上記実装面に向けて、上記表層導体に到達する第1のトレンチ部分と、上記表層導体に到達しない第2のトレンチ部分とを有するトレンチを形成する。
上記封止体を被覆する外部シールド部と、上記トレンチの内部に形成された内部シールド部とを有するシールドを形成する。
本発明の第1の実施形態に係る回路モジュールについて説明する。
図1は、本実施形態に係る回路モジュール100の斜視図であり、図2は回路モジュール100の平面図である。また、図3及び図4は回路モジュール100の断面図であり、図3は図2のA−A線における断面図、図4は図2のB−B線における断面図である。なお各図において、X方向、Y方向及びZ方向は互いに直交する方向を示す。
トレンチ106は、深さ(Z方向)が異なる部分を有する。図8は、トレンチ106を示す封止体103の平面図であり、図6において実装部品102を省略した図である。図8に示すように、トレンチ106は、第1トレンチ部分106aと第2トレンチ部分106bを有する。なお、第2トレンチ部分106bは、図8において斜線範囲で示す。
回路モジュール100の製造方法について説明する。図15及び図16は回路モジュール100の製造方法を示す模式図である。なお、回路モジュール100は、ひとつの回路基板上に複数が同時に製造され、各回路モジュール100に分割されるものとすることができるが、以下ではそのうちの一つの回路モジュール100について説明する。
本実施形態に係る回路モジュール100より、次のような効果が得られる。即ち、レーザーLの照射開始位置及び照射停止位置においては、レーザーLのエネルギーが集中しやすい。このため、仮にレーザーLの照射エネルギーを一定とすると、照射開始位置及び照射停止位置における回路基板101の層内配線101aがレーザーLによりダメージを受け、断線するおそれがある。
回路モジュール100のトレンチ106は、上述のように実装部品102の種類や配置に応じた形状(線形)を有するものとすることができる。このため、トレンチ106は複数であってもよく、分岐するものであってもよい。
本発明の第2の実施形態に係る回路モジュールについて説明する。
図18は、本実施形態に係る回路モジュール200の断面図である。同図に示すように、回路モジュール200は、回路基板201、実装部品202、封止体203及びシールド204を備える。回路モジュール200の大きさや形状は特に限定されないが、例えば数十mm角で厚さ数mmの直方体形状であるものとすることができる。
トレンチ206は、深さ(Z方向)が異なる部分を有する。図21は、トレンチ206を示す封止体203の平面図である。同図に示すようにトレンチ206は、第1トレンチ部分206aと第2トレンチ部分206bを有する。なお、第2トレンチ部分206bは、図21において斜線範囲で示す。図22は、トレンチ206を示す封止体203等の断面図であり、図21におけるD−D線の断面図である。
[効果]
本実施形態に係る回路モジュール200より、次のような効果が得られる。即ち、第2トレンチ部分206bを形成するために封止体203に照射されるレーザーは、上述のように表層導体205に到達しない。このため、レーザーが表層導体205を貫通して非グランド配線201dに到達し、非グランド配線201dが損傷を受けることが防止されている。一方で、第1トレンチ部分206aを形成するために封止体203に照射されるレーザーは表層導体205に到達し、内部シールド部204bは第1トレンチ部分206aを介して表層導体205に電気的に接続され、シールド204のシールド効果が有効に発生する。
図24は、変形例に係る回路モジュール200を示す、封止体203の平面図である。図25は同回路モジュール200の断面図である。これらの図に示すように第2トレンチ部分206bは、非グランド配線201d上に加え、第1の実施形態と同様に、トレンチ206の端部に形成されていてもよい。これにより、非グランド配線201dと、レーザー照射開始点及び停止点の層内配線201aの、レーザー照射による損傷を回避することが可能である。
101、201…回路基板
102、201…実装部品
103、203…封止体
104、204…シールド
104a、204a…外部シールド部
104b、204b…内部シールド部
105、205…表層導体
106、206…トレンチ
106a、206a…第1トレンチ部分
106b、206b…第2トレンチ部分
Claims (7)
- 層内配線が形成された多層基板であって、実装面を有し、前記実装面に表層導体が配設された回路基板と、
前記実装面に実装された実装部品と、
前記実装面上に形成され、前記実装部品を被覆する封止体であって、前記封止体の主面から前記実装面に向けて形成された、前記表層導体に到達する第1のトレンチ部分と、前記表層導体に到達しない第2のトレンチ部分とを有するトレンチを備える封止体と、
前記封止体を被覆する外部シールド部と、前記トレンチの内部に形成された内部シールド部とを有するシールドと
を具備する回路モジュール。 - 請求項1に記載の回路モジュールであって、
前記第2のトレンチ部分は、前記トレンチの端部に形成され、
前記第1のトレンチ部分は、前記第2のトレンチ部分の間に形成されている
回路モジュール。 - 請求項1に記載の回路モジュールであって、
前記層内配線は、前記回路モジュールのグランドに電気的に接続されたグランド配線と、前記グランド配線に電気的に接続されていない非グランド配線とを含み、
前記第2のトレンチ部分は、前記封止体において下層に前記非グランド配線が設けられている領域に形成され、
前記第1のトレンチ部分は、前記封止体において下層に前記非グランド配線が設けられてない領域に形成されている
回路モジュール。 - 請求項1に記載の回路モジュールであって、
前記実装部品は複数の実装部品を含み、
前記トレンチは、前記複数の実装部品を隔てるように形成されている
回路モジュール。 - 層内配線が形成された多層基板であって、実装面に表層導体が配設された回路基板を準備し、
前記実装面に、実装部品を実装し、
前記実装面上において、前記実装部品を被覆する封止体を形成し、
前記封止体に、前記封止体の主面から前記実装面に向けて、前記表層導体に到達する第1のトレンチ部分と、前記表層導体に到達しない第2のトレンチ部分とを有するトレンチを形成し、
前記封止体を被覆する外部シールド部と、前記トレンチの内部に形成された内部シールド部とを有するシールドを形成する
回路モジュールの製造方法。 - 請求項5に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記トレンチを形成する工程は、第1のレーザー照射条件でレーザーの照射を開始して前記第2のトレンチ部分を形成し、前記第1のレーザー照射条件より照射エネルギーが大きい第2のレーザー照射条件でレーザーを走査して前記第1のトレンチ部分を形成し、前記第1のレーザー照射条件でレーザーの照射を停止して前記第2のトレンチ部分を形成する
回路モジュールの製造方法。 - 請求項5に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記トレンチを形成する工程は、前記封止体の非グランド配線の上層に位置する領域に第1のレーザー照射条件でレーザーを照射して前記第2のトレンチ部分を形成し、前記封止体の非グランド配線の上層に位置しない領域に前記第1のレーザー照射条件より照射エネルギーが大きい第2のレーザー照射条件でレーザーを照射して前記第1のトレンチ部分を形成する
回路モジュールの製造方法。
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