JP2014522103A - ウエハ背面のプラズマ支援デチャックを備えた静電チャック - Google Patents
ウエハ背面のプラズマ支援デチャックを備えた静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014522103A JP2014522103A JP2014521654A JP2014521654A JP2014522103A JP 2014522103 A JP2014522103 A JP 2014522103A JP 2014521654 A JP2014521654 A JP 2014521654A JP 2014521654 A JP2014521654 A JP 2014521654A JP 2014522103 A JP2014522103 A JP 2014522103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- electrostatic chuck
- wafer
- plasma
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ処理チャンバで用いる静電チャックアセンブリが開示されており、静電チャックアセンブリは:チャンバ内で半導体ウエハを処理する際にウエハを支持するための支持面と;静電クランプ電圧がクランプ電極に印加された時に支持面上のウエハに静電クランプ力を印加する少なくとも1つの静電クランプ電極と;支持面に設けられウエハの下側に熱伝導ガスを供給する少なくとも1つの流出口と;熱伝導ガス源に接続された少なくとも1つのガス通路であって、熱伝導ガス源は、所望の圧力の熱伝導ガスを少なくとも1つのガス通路に供給するよう動作可能であるガス通路と;少なくとも1つのガス通路に沿って配置された少なくとも1つの空洞およびプラズマ生成電極と、を備え、プラズマ生成電極は、空洞内にデチャックプラズマを形成するよう動作可能であり、デチャックプラズマは、ウエハの下側および静電チャックの支持面の電荷を中和することにより、ウエハおよび支持面の間の残留付着力を低減する効果を奏する。
【選択図】図1
Description
Claims (20)
- プラズマ処理チャンバ内の下側電極に組み込まれた静電チャック上に静電荷によって保持されたウエハをデチャックする方法であって、
静電クランプ電圧を前記静電チャックに印加することによって、前記プラズマ処理チャンバ内の前記静電チャックの支持面上にウエハをクランプする工程と、
前記ウエハにプラズマ処理を受けさせつつ、5Torrより高い圧力の熱伝導ガスを前記ウエハの下側に供給する工程と、
前記チャンバ内の前記プラズマを消して、1ないし10Torrの圧力の前記熱伝導ガスを供給する工程と、
前記静電クランプ電圧の印加をオフする工程と、
前記静電チャックの空洞内でデチャックプラズマを形成して、前記ウエハの前記下側および前記静電チャックの前記支持面の電荷を前記デチャックプラズマで中和する工程と
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記熱伝導ガスはヘリウムであり、前記デチャックプラズマは、前記空洞の両側に配置された一対の電極に電力を印加することによって形成される方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記空洞は、長方形の断面を有する連続的な環状空洞であり、高さの少なくとも2倍の幅を有し、前記空洞と前記静電チャックの前記支持面との間に伸びる複数の垂直ガス通路と流体連通している方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記一対の電極は、前記空洞の内周に沿った内側電極と、前記空洞の外周に沿った外側電極とを含む方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記デチャックプラズマは、前記熱伝導ガスをプラズマに点火するのに十分な直流電力を前記電極に印加しつつ、前記熱伝導ガスをイオン化状態に維持するのに十分な高周波電力を前記電極に供給することによって形成される方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記下側電極は、前記静電チャックの下に温度制御されたベースプレートを備え、前記デチャックプラズマは、前記熱伝導ガスをプラズマに点火するのに十分な直流電力を前記電極に印加しつつ、前記熱伝導ガスをイオン化状態に維持するのに十分な高周波電力を前記ベースプレートに供給することによって形成される方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記一対の電極は、内側電極および外側電極を含み、前記内側電極は、前記空洞の内周の内側に配置された少なくとも1つの垂直導体によって相互接続された平行かつ平坦な上側および下側の内側リングを備え、前記内側リングは、前記空洞の内側部分の上下に配置された外側部分を備え、前記外側電極は、前記空洞の外周の外側に配置された少なくとも1つの垂直導体によって相互接続された平行かつ平坦な上側および下側の外側リングを備え、前記外側リングは、前記空洞の外側部分の上下に配置された部分を備え、前記内側および外側リングは、主に半径方向に電界を生成する方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記一対の電極は、平行かつ平坦な上側および下側の環状電極を含み、前記上側および下側の環状電極は、前記空洞から前記支持面まで伸びる垂直のガス通路を囲む開口部を備える方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記熱伝導ガスはヘリウムであり、前記空洞は、前記空洞から前記支持面まで伸びる複数のヘリウムガス通路と流体連通した環状空洞である方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記チャックは二領域チャックであり、前記方法は、前記ウエハの下の内側および外側領域にヘリウムを供給して、前記ウエハのプラズマ処理中に前記内側および外側領域にわたる前記ウエハの温度を独立的に制御する工程と、前記プラズマを消した後に前記デチャックプラズマを前記内側および外側領域に供給する工程とを備える方法。
- プラズマ処理チャンバで利用される静電チャックアセンブリであって、
前記チャンバ内で半導体ウエハを処理する際に前記ウエハを支持するためのセラミック材料層における支持面と、
前記セラミック材料層に埋め込まれた少なくとも1つの静電クランプ電極であって、静電クランプ電圧が前記クランプ電極に印加された時に前記支持面上の前記ウエハに静電クランプ力を印加するよう動作可能な静電クランプ電極と、
前記支持面に設けられ前記ウエハの下側に熱伝導ガスを供給する少なくとも1つの流出口と、
前記セラミック材料層に設けられた少なくとも1つのガス通路であって、所望の圧力の前記熱伝導ガスを前記少なくとも1つのガス通路に供給するよう動作可能な熱伝導ガス源に接続されているガス通路と、
前記少なくとも1つのガス通路に沿って配置された少なくとも1つの空洞およびプラズマ生成電極と
を備え、
前記プラズマ生成電極は、前記空洞内にデチャックプラズマを形成するよう動作可能であり、前記デチャックプラズマは、前記ウエハの前記下側および前記静電チャックの前記支持面の電荷を中和することにより、前記ウエハおよび前記支持面の間の残留付着力を低減する効果を奏する静電チャックアセンブリ。 - 請求項11に記載の静電チャックアセンブリであって、前記セラミック層の下面は、ヒータプレートの上面に接着され、前記ヒータプレートの下面は、温度制御されたベースプレートの上面に接着され、前記プラズマ生成電極は、前記空洞の両側に配置された一対の電極を含む静電チャックアセンブリ。
- 請求項12に記載の静電チャックアセンブリであって、前記空洞は、長方形の断面を有する連続的な環状空洞であり、高さの少なくとも2倍の幅を有し、前記空洞と前記静電チャックの前記支持面との間に伸びる複数の垂直ガス通路と流体連通している静電チャックアセンブリ。
- 請求項13に記載の静電チャックアセンブリであって、前記一対の電極は、前記空洞の内周に沿った内側電極と、前記空洞の外周に沿った外側電極とを含む静電チャックアセンブリ。
- 請求項12に記載の静電チャックアセンブリであって、さらに、前記一対の電極に接続された直流電源と、前記一対の電極に接続された高周波(RF)電源と、前記熱伝導ガスをプラズマに点火するのに十分な直流電力を前記電極に印加しつつ前記熱伝導ガスをイオン化状態に維持するのに十分な高周波電力を前記電極に印加することによって前記デチャックプラズマが形成されるように、前記直流および高周波電源からの電力の供給を制御するコントローラとを備える静電チャックアセンブリ。
- 請求項12に記載の静電チャックアセンブリであって、前記一対の電極は、内側電極および外側電極を含み、前記内側電極は、前記空洞の内周の内側に配置された少なくとも1つの垂直導体によって相互接続された平行かつ平坦な上側および下側の内側リングを備え、前記内側リングは、前記空洞の内側部分の上下に配置された外側部分を備え、前記外側電極は、前記空洞の外周の外側に配置された少なくとも1つの垂直導体によって相互接続された平行かつ平坦な上側および下側の外側リングを備え、前記外側リングは、前記空洞の外側部分の上下に配置された部分を備え、前記内側および外側リングは、主に半径方向に電界を生成する静電チャックアセンブリ。
- 請求項12に記載の静電チャックアセンブリであって、前記一対の電極は、平行かつ平坦な上側および下側の環状電極を含み、前記上側および下側の環状電極は、前記空洞から前記支持面まで伸びる垂直のガス通路を囲む開口部を備える静電チャックアセンブリ。
- 請求項11に記載の静電チャックアセンブリであって、前記熱伝導ガス源はヘリウムを前記空洞に供給し、前記空洞は、前記空洞から前記支持面まで伸びる複数のヘリウムガス通路と流体連通した環状空洞である静電チャックアセンブリ。
- 請求項11に記載の静電チャックアセンブリであって、前記チャックは、前記ウエハの下の内側および外側領域に、独立的に制御された圧力でヘリウムを供給することにより、前記ウエハのプラズマ処理中に前記内側および外側領域にわたる前記ウエハの温度を独立的に制御するよう動作可能な二領域チャックであり、前記デチャックプラズマは、前記内側および外側領域に供給される静電チャックアセンブリ。
- 請求項12に記載の静電チャックアセンブリであって、さらに、前記静電チャックの下のベースプレートと、前記一対の電極に接続された直流電源と、前記ベースプレートに接続された高周波(RF)電源と、前記熱伝導ガスをプラズマに点火するのに十分な直流電力を前記電極に印加しつつ前記熱伝導ガスをイオン化状態に維持するのに十分な高周波電力を前記ベースプレートに印加することによって前記デチャックプラズマが形成されるように、前記直流および高周波電源からの電力の供給を制御するコントローラとを備える静電チャックアセンブリ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/185,968 US8520360B2 (en) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck |
US13/185,968 | 2011-07-19 | ||
PCT/US2012/046066 WO2013012612A1 (en) | 2011-07-19 | 2012-07-10 | Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014522103A true JP2014522103A (ja) | 2014-08-28 |
JP6173313B2 JP6173313B2 (ja) | 2017-08-02 |
Family
ID=47555610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014521654A Active JP6173313B2 (ja) | 2011-07-19 | 2012-07-10 | ウエハ背面のプラズマ支援デチャックを備えた静電チャック |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8520360B2 (ja) |
JP (1) | JP6173313B2 (ja) |
KR (1) | KR101919644B1 (ja) |
TW (1) | TWI555118B (ja) |
WO (1) | WO2013012612A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180006307A (ko) * | 2016-07-07 | 2018-01-17 | 램 리써치 코포레이션 | 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척 |
WO2023095707A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
JP7409536B1 (ja) | 2023-02-22 | 2024-01-09 | Toto株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
US11984296B2 (en) | 2017-01-05 | 2024-05-14 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9159595B2 (en) * | 2010-02-09 | 2015-10-13 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Thin wafer carrier |
US8832916B2 (en) * | 2011-07-12 | 2014-09-16 | Lam Research Corporation | Methods of dechucking and system thereof |
US10388493B2 (en) * | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
JP6132497B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2017-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
JP2014216503A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 保持部材、処理装置及び物品の製造方法 |
US9101038B2 (en) * | 2013-12-20 | 2015-08-04 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping |
TWI646576B (zh) | 2013-12-22 | 2019-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有夾盤組件之極紫外線微影系統及其製造方法 |
US20150228524A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma resistant electrostatic clamp |
EP3207565A1 (en) * | 2014-10-14 | 2017-08-23 | Evatec AG | Film stress uniformity control by rf coupling and wafer mount with adapted rf coupling |
US10002782B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-06-19 | Lam Research Corporation | ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough |
US9673025B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
US10083853B2 (en) * | 2015-10-19 | 2018-09-25 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck design for cooling-gas light-up prevention |
US11532497B2 (en) * | 2016-06-07 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling |
JP2018006392A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN106563989B (zh) * | 2016-09-23 | 2019-01-04 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种抛光后蓝宝石晶片的装夹方法 |
US10629416B2 (en) * | 2017-01-23 | 2020-04-21 | Infineon Technologies Ag | Wafer chuck and processing arrangement |
US10923379B2 (en) * | 2017-02-15 | 2021-02-16 | Lam Research Corporation | Methods for controlling clamping of insulator-type substrate on electrostatic-type substrate support structure |
JP2018170468A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP6948822B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板取り外し方法 |
US11114327B2 (en) * | 2017-08-29 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | ESC substrate support with chucking force control |
JP6994981B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び載置台の製造方法 |
US10903096B2 (en) * | 2018-04-06 | 2021-01-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and apparatus for process chamber window cooling |
US11521884B2 (en) * | 2018-06-29 | 2022-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electrostatic chuck sidewall gas curtain |
US10546731B1 (en) | 2018-10-05 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Method, apparatus and system for wafer dechucking using dynamic voltage sweeping |
US11521838B2 (en) * | 2018-12-18 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Integrated cleaning process for substrate etching |
US20200286717A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for high bias radio frequency (rf) power application in a plasma processing chamber |
WO2020229302A1 (en) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus comprising an electrostatic clamp and method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188305A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置 |
JP2004047511A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
JP2006032821A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20060087793A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Taeg-Kon Kim | Methods adapted for use in semiconductor processing apparatus including electrostatic chuck |
JP2006156938A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法 |
JP2008004815A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Sharp Corp | プラズマ処理方法およびその方法を用いて製造された光電変換素子 |
JP2010010477A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | デチャック機構、真空装置、デチャック方法およびデチャック用部品 |
WO2011031589A2 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-17 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5708556A (en) | 1995-07-10 | 1998-01-13 | Watkins Johnson Company | Electrostatic chuck assembly |
US5858879A (en) | 1997-06-06 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for etching metal lines with enhanced profile control |
US6790375B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-09-14 | Lam Research Corporation | Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors |
US6320736B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Chuck having pressurized zones of heat transfer gas |
JP5165817B2 (ja) | 2000-03-31 | 2013-03-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電チャック及びその製造方法 |
KR100378187B1 (ko) | 2000-11-09 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 정전척을 구비한 웨이퍼 지지대 및 이를 이용한 웨이퍼 디척킹 방법 |
US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
US7156951B1 (en) | 2002-06-21 | 2007-01-02 | Lam Research Corporation | Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer |
US20030236004A1 (en) | 2002-06-24 | 2003-12-25 | Applied Materials, Inc. | Dechucking with N2/O2 plasma |
US7993460B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-08-09 | Lam Research Corporation | Substrate support having dynamic temperature control |
US20060046506A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | Soft de-chucking sequence |
JP5036339B2 (ja) | 2007-02-07 | 2012-09-26 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
US7782591B2 (en) | 2007-06-22 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
US7892445B1 (en) | 2007-09-12 | 2011-02-22 | Lam Research Corporation | Wafer electrical discharge control using argon free dechucking gas |
US8313612B2 (en) | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
US8797705B2 (en) | 2009-09-10 | 2014-08-05 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential |
US20110060442A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Valcore Jr John C | Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber |
US8637794B2 (en) | 2009-10-21 | 2014-01-28 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
US8293649B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-10-23 | Global Unichip Corp. | Release accumulative charges on wafers using O2 neutralization |
-
2011
- 2011-07-19 US US13/185,968 patent/US8520360B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-10 KR KR1020147004247A patent/KR101919644B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-10 WO PCT/US2012/046066 patent/WO2013012612A1/en active Application Filing
- 2012-07-10 JP JP2014521654A patent/JP6173313B2/ja active Active
- 2012-07-17 TW TW101125635A patent/TWI555118B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188305A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置 |
JP2004047511A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
JP2006032821A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20060087793A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Taeg-Kon Kim | Methods adapted for use in semiconductor processing apparatus including electrostatic chuck |
JP2006156938A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法 |
JP2008004815A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Sharp Corp | プラズマ処理方法およびその方法を用いて製造された光電変換素子 |
JP2010010477A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | デチャック機構、真空装置、デチャック方法およびデチャック用部品 |
WO2011031589A2 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-17 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for detecting a wafer-released event within a plasma processing chamber |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180006307A (ko) * | 2016-07-07 | 2018-01-17 | 램 리써치 코포레이션 | 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척 |
JP2018014492A (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-25 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック |
JP7062383B2 (ja) | 2016-07-07 | 2022-05-06 | ラム リサーチ コーポレーション | アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック |
KR102454532B1 (ko) * | 2016-07-07 | 2022-10-13 | 램 리써치 코포레이션 | 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척 |
US11984296B2 (en) | 2017-01-05 | 2024-05-14 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
WO2023095707A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
JP7409536B1 (ja) | 2023-02-22 | 2024-01-09 | Toto株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI555118B (zh) | 2016-10-21 |
US20130021717A1 (en) | 2013-01-24 |
WO2013012612A1 (en) | 2013-01-24 |
JP6173313B2 (ja) | 2017-08-02 |
KR20140051961A (ko) | 2014-05-02 |
KR101919644B1 (ko) | 2019-02-08 |
TW201318100A (zh) | 2013-05-01 |
US8520360B2 (en) | 2013-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6173313B2 (ja) | ウエハ背面のプラズマ支援デチャックを備えた静電チャック | |
JP6633275B2 (ja) | デクランプ電極を備えた静電チャックと脱離方法 | |
JP5357639B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP6717985B2 (ja) | ガス孔に開口縮小プラグを有する大電力静電チャック | |
JP4935143B2 (ja) | 載置台及び真空処理装置 | |
JP6144263B2 (ja) | 半導体処理のための平面熱ゾーンを伴う熱板 | |
JP4435565B2 (ja) | 電極プレートの保持装置、シャワーヘッド電極アセンブリの組み立て方法及び半導体基板の処理方法 | |
US8295026B2 (en) | Electrostatic chuck and substrate processing apparatus having same | |
JP6670576B2 (ja) | 均一なrf電力供給のための導電性ガスケットを含むescアセンブリ | |
TW200405443A (en) | Electrostatic absorbing apparatus | |
JPH07201959A (ja) | 静電チャック装置 | |
US9530657B2 (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
JP3847363B2 (ja) | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 | |
KR100188455B1 (ko) | 드라이 에칭방법 | |
TW202224092A (zh) | 高溫雙極靜電卡盤 | |
TW201525184A (zh) | 電漿體處理裝置 | |
TW202135219A (zh) | 雙極靜電吸盤上的邊緣均勻性調諧 | |
TW202147371A (zh) | 用於基板處理的靜電邊緣環架置系統 | |
JP4495687B2 (ja) | 静電チャック | |
JP5086206B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008235735A (ja) | 静電チャック及びこれを備えたプラズマ処理装置 | |
JP2009088558A (ja) | 静電チャック装置 | |
TWI645499B (zh) | 支撐基板的裝置以及操作靜電夾的方法 | |
JP2008117800A (ja) | 静電チャック | |
JP2004172202A (ja) | 静電チャック装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160812 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6173313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |