JP2018006392A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018006392A JP2018006392A JP2016127211A JP2016127211A JP2018006392A JP 2018006392 A JP2018006392 A JP 2018006392A JP 2016127211 A JP2016127211 A JP 2016127211A JP 2016127211 A JP2016127211 A JP 2016127211A JP 2018006392 A JP2018006392 A JP 2018006392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- stage
- manufacturing
- semiconductor device
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Robotics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】半導体装置の製造におけるプラズマ処理の生産性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)内部が真空排気によって減圧されたチャンバ内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、(b)上記(a)工程の後、上記半導体ウエハを上記ステージによって吸着保持した状態で上記チャンバ内にプラズマを形成して上記半導体ウエハに所望のエッチング処理を行う工程、を有する。ここで、上記(a)工程の前に、上記チャンバ内に電気陰性度が窒素ガスより高い陰性ガスであるO2ガスを導入し、上記チャンバ内にO2プラズマを形成して上記ステージに残留する電荷を除去する。
【選択図】図2
【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)内部が真空排気によって減圧されたチャンバ内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、(b)上記(a)工程の後、上記半導体ウエハを上記ステージによって吸着保持した状態で上記チャンバ内にプラズマを形成して上記半導体ウエハに所望のエッチング処理を行う工程、を有する。ここで、上記(a)工程の前に、上記チャンバ内に電気陰性度が窒素ガスより高い陰性ガスであるO2ガスを導入し、上記チャンバ内にO2プラズマを形成して上記ステージに残留する電荷を除去する。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば、半導体ウエハにプラズマ処理を行う半導体装置の製造技術に関する。
半導体装置のゲート電極の加工に用いられるプラズマエッチング装置として、ポリシリコンエッチャーと呼ばれるエッチング装置が知られている。ポリシリコンエッチャーでは、主に静電チャック方式によって半導体ウエハ(半導体基板、以降、単にウエハとも呼ぶ)をステージに吸着保持した状態でエッチング処理が行われる。
なお、静電チャック方式でウエハを吸着保持し、かつUV光照射装置によりイオン化した不活性ガスで電荷を中和する旨が、例えば、特開平9−260475号公報(特許文献1)に開示されている。
また、静電チャック方式でウエハを吸着保持し、かつイオナイザーにより静電気を中和する旨が、例えば、特開2010−165726号公報(特許文献2)に開示されている。
上記ポリシリコンエッチャーでは、ウエハに対するエッチング処理の終了後、チャンバ内に不活性ガスを導入してウエハの裏面の電荷を除電し、除電後、リフトピンを上昇させてウエハを押し上げ、搬送アームに対してウエハの受け渡しを行ってウエハを搬出している。その際、本願発明者は、セラミック製のステージの表面に残留した電荷により、ウエハの搬出エラーが発生することを見出した。
すなわち、ステージ上でリフトピンによってウエハを押し上げた際に、ウエハの位置ずれが引き起こされ、これによって、ウエハを搬送アームに受け渡す際の搬送エラーが発生する。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、(a)内部が真空排気によって減圧された真空容器内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、(b)上記(a)工程の後、上記半導体ウエハを上記ステージによって吸着保持した状態で上記真空容器内にプラズマを形成して上記半導体ウエハに所望の処理を行う工程、を有する。さらに、上記(a)工程の前に、上記真空容器内に電気陰性度が窒素ガスより高いプロセスガスを導入し、上記真空容器内にプラズマを形成して上記ステージに残留する電荷を除去する。
また、一実施の形態の他の半導体装置の製造方法は、(a)内部が真空排気によって減圧された真空容器内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、(b)上記(a)工程の後、静電チャック方式により上記半導体ウエハを上記ステージによって吸着保持した状態で上記真空容器内にプラズマを形成して上記半導体ウエハにエッチング処理を行う工程、を有する。さらに、上記(a)工程の前に、上記真空容器内に酸素ガスを導入し、上記真空容器内にプラズマを形成して上記ステージに残留する電荷を除去する。
上記一実施の形態によれば、処理後の半導体ウエハを搬出する際の搬出エラーの発生を低減してプラズマ処理の生産性を向上させることができる。また、半導体ウエハの損傷を低減することができる。
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
また、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Aから成る」、「Aより成る」、「Aを有する」、「Aを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
<エッチング装置の構成>
図1は実施の形態のエッチング装置の要部の構造の一例を示す概略図である。
図1は実施の形態のエッチング装置の要部の構造の一例を示す概略図である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法で用いられるエッチング装置の要部の構成について、図1を用いて説明する。
図1に示すプラズマ処理装置は、半導体デバイスの微細加工プロセスで用いられる処理装置であり、本実施の形態では、プラズマ処理装置の一例として、ドライエッチング処理を行うプラズマエッチング装置を取り上げて説明する。
プラズマエッチング装置1は、真空容器であるチャンバ3と、チャンバ3内に設けられ、かつ処理基板である半導体ウエハ(半導体基板、ウエハ)2が載置されるステージ4と、チャンバ3内を減圧(排気)する排気部9と、を有している。
本実施の形態のプラズマエッチング装置1は、セラミック製のステージ4を備えており、静電チャック(ESC:ElectrostaticChuck)方式によって半導体ウエハ2を吸着保持する場合を説明する。
また、エッチング処理等の所望の処理時は、排気部9によってチャンバ3内を減圧して真空状態とし、さらに、ガス導入部10よりチャンバ3内に所望のガスが導入される。また、ステージ4内に設けられた下部電極4aには高周波電源8から高周波電力が与えられる。そして、半導体ウエハ2は、静電チャック方式によってセラミック製のステージ4の表面に吸着保持される。
また、ステージ4には、後述する図3に示すように、処理後の半導体ウエハ2をステージ4から離脱させるための複数のリフトピン(ピン部材)4bが設けられており、リフトピン4bの上下動によって半導体ウエハ2のステージ4への載置もしくは離脱が行われる。
さらに、半導体ウエハ2のチャンバ3への搬入および搬出は、後述する図4に示すように、ロボット(図示せず)の搬送アーム14を介して行う。すなわち、半導体ウエハ2をチャンバ3内に搬入する際には、半導体ウエハ2を保持した搬送アーム14を進入させてステージ4上で待機し、そこにリフトピン4bを上昇させてステージ4から突出させていき、半導体ウエハ2を搬送アーム14から受け取って保持する。
その後、リフトピン4bによって半導体ウエハ2を保持した状態でリフトピン4bが下降することで、半導体ウエハ2をステージ4上に載置する。
一方、半導体ウエハ2をチャンバ3の外に搬出する際には、処理後の半導体ウエハ2をリフトピン4bを上昇させてステージ4から半導体ウエハ2を離脱させ、リフトピン4bによって半導体ウエハ2を保持した状態で所定の高さまでリフトピン4bを上昇させて待機する。リフトピン4bによって保持された半導体ウエハ2に対して、その下方側に搬送アーム14を進入させ、搬送アーム14がリフトピン4bから半導体ウエハ2を受け取る。
その後、搬送アーム14が半導体ウエハ2を保持した状態でチャンバ3から半導体ウエハ2を搬出する。
また、本実施の形態のプラズマエッチング装置1では、チャンバ3内に高密度プラズマを発生させるために、チャンバ3の直上に石英板7が配置され、さらにこの石英板7を介してコイル状のTCP(Transformer Coupled Plasma)電極5が設けられている。
そして、このTCP電極5に高周波電源6から高周波電力を与えることによって電磁波を発生させ、上記電磁波を石英板7を通してチャンバ3内に導入し、さらにチャンバ3内のガスを励起させることにより高密度プラズマを発生させる構造となっており、これにより、プラズマ処理を行う。
例えば、ポリシリコン膜等の堆積膜を除去するエッチング処理等では、NF3 ガスがチャンバ3内に導入され、プラズマ11(この場合、NF3 プラズマ)を生成してエッチング処理が行われる。
その際、プラズマエッチング装置1では、チャンバ3内を50mTorr以下、好ましくは15mTorr程度に減圧した状態で、静電チャック方式でステージ4により半導体ウエハ2を吸着保持し、この状態で半導体ウエハ2にドライエッチング処理を行う。すなわち、本実施の形態のプラズマエッチング装置1では、チャンバ3内が低圧となるように減圧した雰囲気でエッチング処理等の所望の処理を行う。
なお、エッチング処理において高周波電源6に印加する電圧は、例えば2000Vであり、出力1000Wであるが、この電圧が印加されると、半導体ウエハ2と、ステージ4の静電チャック(ESC)との間に電流が流れる。その結果、上記静電チャックの表面と半導体ウエハ2の表面とが電荷を保有するが、+の電荷と−の電荷とで静電吸着が行われ、半導体ウエハ2が吸着保持される。
<ウエハ搬出手順>
図13は比較例のウエハ搬出手順を示す搬出フロー図、図14は図13に示すウエハ搬出手順における主要手順を示す概略図である。なお、図14において、ステージ4に記載された−(マイナス)は電荷を表している。
図13は比較例のウエハ搬出手順を示す搬出フロー図、図14は図13に示すウエハ搬出手順における主要手順を示す概略図である。なお、図14において、ステージ4に記載された−(マイナス)は電荷を表している。
まず、図13および図14を用いて、本願発明者が比較検討を行ったエッチング処理後のウエハ搬出手順について説明する。
図13に示す半導体ウエハの搬出フロー図において、エッチング処理終了の後、高周波電源停止を行う。ここでは、図1に示すプラズマエッチング装置1における高周波電源6を停止する。
次に、ESC−高電圧電源停止を行う。ここでは、プラズマエッチング装置1のステージ4に設けられた下部電極4aに印加されている高周波電源8を停止する。
次に、ウエハ裏面の除電を行うためのガスの導入である不活性ガス導入を行う。ここでは、例えば、アルゴン(Ar)ガスをチャンバ3内に導入する。その後、ウエハ裏面−電荷除去を行う。ここでは、チャンバ3内にガス導入部10を介してアルゴンガスを導入して、図14のプラズマ除電に示すように半導体ウエハ2上にArプラズマ12を形成し、この状態で、例えば、−1000Vの逆高電圧をステージ4の下部電極4aに印加して半導体ウエハ2の裏面の除電を行う。
除電完了後、図13に示すリフトピン上昇を行う。ここでは、図14のウエハ搬出に示すように、除電済みの半導体ウエハ2をリフトピン(ピン部材)4bによって押し上げステージ4から上方に向けて離脱させる。
次に、図13および図14に示すウエハ搬出を行う。ここでは、リフトピン4bによって押し上げられた半導体ウエハ2を、後述する図4に示す搬送アーム14に受け渡し、搬送アーム14によってチャンバ3から搬出する。
搬出後、図14の次ウエハ搬入に示すように、次に処理を行う半導体ウエハ2を搬送アーム14を用いてチャンバ3内に搬入して、さらにリフトピン4bに受け渡してステージ4上に載置する。この時、A部に示すようにステージ4の表面には、−(マイナス)の残留電荷が僅かに存在する状態となっている。
そして、この半導体ウエハ2に対して所望のエッチング処理を行った後(エッチング処理終了)、図13に示すウエハ搬出フローに沿って、かつ上述と同様の条件で、高周波電源停止、ESC−高電圧電源停止、不活性ガス導入、ウエハ裏面−電荷除去をそれぞれ行い、電荷除去後、リフトピン上昇を行う。
その際、リフトピン4bで半導体ウエハ2を押し上げた時に半導体ウエハ2の位置ずれが発生する。これは、1枚目に処理した半導体ウエハ2を搬出した際に、ステージ4の表面に残留していた−電荷の影響によるものと考えられる。
すなわち、上記電荷除電の工程において、ほとんどの−電荷は、ステージ4から放出されるが、ある一定量の僅かな電荷がステージ4の静電チャックに残留し(図14のA部参照)、この残留した電荷の影響で、リフトピン4bによって押し上げられた半導体ウエハ2において位置ずれが発生することを本願発明者は見出した。
そして、リフトピン4bによって押し上げられた半導体ウエハ2において、規定量より大きな位置ずれが発生していると、搬送エラーとなって処理が停止してしまいプラズマ処理の生産性および効率が低下するという課題が発生する。
さらに、上記規定量より大きな位置ずれが発生すると、半導体ウエハ2が傾いて割れたり、損傷する等の課題も発生する。
次に、上記課題を解決する本実施の形態のプラズマエッチング装置1を用いたウエハ搬出手順について説明する。
図2は実施の形態のウエハ搬出手順の一例を示す搬出フロー図、図3は図2に示すウエハ搬出手順における主要手順の一例を示す概略図、図4は図2に示すウエハ搬出手順における搬送アームへのウエハの受渡し状態の一例を示す概略図、図5は図2に示すウエハ搬出手順における残留電荷放電時の状態の一例を示す概略図、図6は図5に示す要部の拡大図である。なお、図3において、ステージ4に記載された−(マイナス)は電荷を表している。
本実施の形態のエッチング処理後のウエハ搬出手順について説明する。
図2に示すフロー図において、エッチング処理終了の後、高周波電源停止を行う。ここでは、図1に示すプラズマエッチング装置1における高周波電源6を停止する。次に、ESC−高電圧電源停止を行う。ここでは、ステージ4に設けられた下部電極4aに印加されている高周波電源8を停止する。
次に、除電を行うためのガスの導入である不活性ガス導入を行う。ここでは、例えば、アルゴン(Ar)ガスをチャンバ3内に導入する。次に、ウエハ裏面−電荷除去を行う。ここでは、チャンバ3内にアルゴンガスを導入して、図3のプラズマ除電に示すようにArプラズマ12を形成し、この状態で、例えば、−1000Vの逆高電圧をステージ4の下部電極4aに印加して半導体ウエハ2の裏面の除電を行う。
除電完了後、図2に示すリフトピン上昇を行う。ここでは、図3のウエハ搬出に示すように、除電済みの半導体ウエハ2をリフトピン(ピン部材)4bによって押し上げステージ4から上方に向けて離脱させる。
次に、図2および図3に示すウエハ搬出を行う。ここでは、リフトピン4bによって押し上げられた半導体ウエハ2を、図4に示す搬送アーム14に受け渡し、搬送アーム14によって半導体ウエハ2を保持してチャンバ3から搬出する。
搬出後、図2に示す陰性ガス導入を行う。ここでは、陰性ガスとして、電気陰性度が窒素ガスより高いプロセスガスである酸素(O2)ガスをガス導入部10を介してチャンバ3内に導入する。
導入後、図2に示す残留電荷放電を行う。ここでは、例えば、出力1000Wの高周波電源6を印加する。これにより、図5に示すように、ステージ4上にO2プラズマ13が形成され、このO2プラズマ13によって図2および図3に示す残留電荷放電が行われる。すなわち、チャンバ3内にO2プラズマ13を形成して、図6に示すようにステージ4の表面に残留する−(マイナス)電荷(A部)を除去する。この時のO2プラズマ13は、O+2e-=O2-である。
次に、図3の次ウエハ搬入に示すように、次に処理を行う半導体ウエハ2を搬送アーム14を用いてチャンバ3内に搬入して、ステージ4上に搬送する。さらにステージ4上でリフトピン4bに受け渡してリフトピン4bを下降させることで半導体ウエハ2をステージ4上に載置する。この時、ステージ4の表面には、残留電荷は無しの状態となっている。
そして、この半導体ウエハ2に対して所望のエッチング処理を行った後(エッチング処理終了)、図2に示すウエハ搬出フローに沿って、上述と同様の条件および手順により、高周波電源停止、ESC−高電圧電源停止、不活性ガス導入、ウエハ裏面−電荷除去をそれぞれ行い、電荷除去後、リフトピン上昇を行う。
上記リフトピン上昇では、ステージ4上でリフトピン4bによって半導体ウエハ2を押し上げる。その際、ステージ4の表面は、残留電荷が存在しない状態となっているため、リフトピン4bで半導体ウエハ2を押し上げた際にも半導体ウエハ2の位置ずれは発生することはなく、所定の位置(規定の範囲の位置)に半導体ウエハ2を押し上げることができる。
その後、リフトピン4bによって押し上げられた半導体ウエハ2を搬送アーム14に受け渡す。この時、半導体ウエハ2は上記所定の位置(規定の範囲の位置)に押し上げられているため、搬送エラーとはならずに搬送アーム14に半導体ウエハ2を受け渡すことができる。そして、搬送アーム14によって保持した状態で半導体ウエハ2をチャンバ3から外に搬出する。
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、減圧された状態のチャンバ3内のステージ4上に半導体ウエハ2を載置する前に、チャンバ3内にO2ガスを導入し、さらにチャンバ3内にO2プラズマ13を形成してステージ4に残留する電荷を除去することで、処理後の半導体ウエハ2を搬出する際の搬出エラーの発生を低減してプラズマ処理の生産性を向上させることができる。
すなわち、リフトピン4bを上昇させて1枚目の半導体ウエハ2を搬出した後、低圧(50mTorr以下)で、O2ガス等の陰性ガスを用いてプラズマ放電を形成して、セラミック製のステージ4の表面の残留電荷を除去する。より具体的には、リフトピン4bを上昇させて1枚目の処理済みの半導体ウエハ2をチャンバ3の外に搬出し、その後、チャンバ3内にO2プラズマ13を放電することで、セラミック製のステージ4の表面に残存する残留電荷を除去する。
これにより、半導体ウエハ2の搬出エラー等の搬送エラーを低減してプラズマ処理の生産性を向上できるとともに、プラズマエッチング装置1を用いたプラズマ処理の効率も向上させることができる。
また、搬出エラー等の搬送エラーを低減することで、静電チャックの使用寿命を延ばすことができ、プラズマ処理におけるコスト削減を図ることができる。
図14に示す比較例のフローでは、A部に示す残留電荷がステージ4の表面に残存した状態で次の半導体ウエハ2を処理するため、半導体ウエハ2の搬送エラーが発生し易い。これに対して、図3に示す本実施の形態のフローでは、O2プラズマ13の放電により、残留電荷をウエハ毎にリセット(除去)するため、半導体ウエハ2の搬送エラーの発生を低減することができる。
また、処理後の半導体ウエハ2を搬出する際の搬出エラーの発生を低減できることにより、半導体ウエハ2の損傷を低減することができる。
ここで、陰性ガス導入および残留電荷放電の工程を実施するタイミングについて説明する。
プラズマエッチング装置1を起動後、まず、所望のロットの1枚目の半導体ウエハ(第1半導体ウエハ)2をエッチング処理し、さらに、図2に示すウエハ搬出フローに沿って、高周波電源停止、ESC−高電圧電源停止、不活性ガス導入、ウエハ裏面−電荷除去、リフトピン上昇およびウエハ搬出(第1半導体ウエハの搬出)までを行う。
そして、上記1枚目のウエハ搬出後、1枚目の半導体ウエハ(第1半導体ウエハ)2とは異なる2枚目の半導体ウエハ(第2半導体ウエハ)2をステージ4上に載置する前の段階で、陰性ガス導入および残留電荷放電の工程を実施してステージ4の表面から電荷を除去する。
すなわち、プラズマエッチング装置1を起動した後、1枚目の半導体ウエハ(第1半導体ウエハ)2をエッチング処理し、処理後、高周波電源停止、ESC−高電圧電源停止、不活性ガス導入、ウエハ裏面−電荷除去およびリフトピン上昇を行って、この半導体ウエハ2をチャンバ3の外に搬出する。
その後、2枚目の半導体ウエハ(第2半導体ウエハ)2をチャンバ3内のステージ4に載置する前に、チャンバ3内にプロセスガスを導入し、チャンバ3内に所望のプラズマを形成してステージ4に残留する電荷を除去する。
なお、プラズマエッチング装置1を起動した後、最初の1枚目の半導体ウエハ2については、ステージ4の表面に電荷は差程残存していない。したがって、少なくとも2枚目の半導体ウエハ(第2半導体ウエハ)2をチャンバ3内のステージ4に載置する前に、ステージ4の表面の残留電荷の除去を行えばよい。
あるいは、プラズマエッチング装置1を起動した後、所望のロットの1枚目の半導体ウエハ2をチャンバ3内のステージ4に載置する前の段階で、チャンバ3内にプロセスガスを導入し、チャンバ3内に所望のプラズマを形成してステージ4に残留する電荷を除去してもよい。
つまり、プラズマエッチング装置1を起動した後、最初の1枚目の半導体ウエハ2をステージ4に載置する前の段階で、チャンバ3内に所望のプラズマを形成してステージ4に残留する電荷を除去してもよい。
以上のように、陰性ガス導入および残留電荷放電の工程を実施するタイミングについては、1枚目の半導体ウエハ2をエッチング処理した後、少なくとも2枚目の半導体ウエハ2をステージ4上に載置する前の段階であれば、陰性ガス導入および残留電荷放電の工程は、如何なるタイミングで行ってもよい。
<効果の検証評価とその結果について>
図7は図2に示すウエハ搬出手順による効果の検証評価の条件の一例を示すデータ図、図8は図7に示す条件に基づいて実施した検証評価の結果を示すグラフ、図9は図8に示す検証評価の結果から得られる好適条件の一例を示すデータ図である。さらに、図10は図9に示す条件による検証評価から得られる効果を示すグラフ、図11は図8に示す検証評価の結果から得られる効果を示すデータ図である。
図7は図2に示すウエハ搬出手順による効果の検証評価の条件の一例を示すデータ図、図8は図7に示す条件に基づいて実施した検証評価の結果を示すグラフ、図9は図8に示す検証評価の結果から得られる好適条件の一例を示すデータ図である。さらに、図10は図9に示す条件による検証評価から得られる効果を示すグラフ、図11は図8に示す検証評価の結果から得られる効果を示すデータ図である。
図7に示す検証評価は、NF3ガスを用いたステップ(以降、ステップ1とも呼ぶ)と、O2ガスを用いたステップ(以降、ステップ2とも呼ぶ)とを、それぞれ#1〜4として評価したものである。NF3ガスは、エッチング処理において、主に、シリコン(Si)系の堆積膜の除去に使用されるガスであり、一方、O2ガスは、主に、カーボン(C)系の堆積膜の除去に使用されるガスである。
図7に示す#1の評価では、ステップ1(NF3ガス)を30秒間実施し、ステップ1に連続してステップ2(O2ガス)を8秒間実施している。
また、#2の評価では、ステップ1(NF3ガス)を45秒間実施し、ステップ1に連続してステップ2(O2ガス)を8秒間実施している。つまり、ステップ1(NF3ガス)のみを15秒長く実施している(NF3ガスを流す時間を延長)。
また、#3の評価では、ステップ1(NF3ガス)を20秒間実施し、ステップ1に連続してステップ2(O2ガス)を40秒間実施している。
さらに、#4の評価では、ステップ1(NF3ガス)を20秒間実施し、ステップ1に連続してステップ2(O2ガス)を60秒間実施している。つまり、ステップ2(O2ガス)のみを20秒長く実施している(O2ガスを流す時間を延長)。
なお、#1〜4の評価においては、それぞれの評価の間に30分間ずつインターバルを設けており、このインターバルにおいて、チャンバ3内のクリーニングを行ってチャンバ3内の雰囲気をリセットしている。
これらの条件の基で、図8は、リフトピン4bによって半導体ウエハ2を押し上げた際の半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量を測定したものである。
図8に示すように、#1の評価では、5枚の半導体ウエハ2のずれ量の測定値が示されており、#2の評価では、3枚の半導体ウエハ2のずれ量の測定値が示されている。また、#3の評価では、2枚の半導体ウエハ2のずれ量の測定値が示されており、#4の評価でも、同様に2枚の半導体ウエハ2のずれ量の測定値が示されている。
図8に示すずれ量の測定値では、半導体ウエハ2のずれ量が5000μmを越えた場合に搬送エラーとなることから、その場合、ずれ判定をNGと判断しており、一方、半導体ウエハ2のずれ量が5000μmより小さい場合には搬送エラーにはならないため、ずれ判定はOKと判断している。
つまり、本実施の形態では、図3に示すリフトピン4bによって押し上げられた半導体ウエハ2が所定の位置(規定の範囲の位置)に配置されている(OK)か否(NG)かの判定基準を、上記ずれ量の5000μmと設定しており、したがって、図8においては、、ずれ量5000μmが、ずれ判定値とされている。
図7に示す#1の評価では、1枚目の半導体ウエハ2と2枚目の半導体ウエハ2では、ずれ量の測定値が5000μmより小さく、ずれ判定はOKであったのに対して、3枚目の半導体ウエハ2と4枚目の半導体ウエハ2と5枚目の半導体ウエハ2は、ずれ量の測定値が5000μmを越えており、ずれ判定はNGとなっている。すなわち、傾向として、半導体ウエハ2の着工が進むにつれて半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量が増加しているのが分かる。
#2の評価では、1枚目の半導体ウエハ2と2枚目の半導体ウエハ2では、ずれ量の測定値が5000μmより小さく、ずれ判定はOKであったのに対して、3枚目の半導体ウエハ2は、ずれ量の測定値が5000μmを越えており、ずれ判定はNGとなっている。すなわち、傾向として、半導体ウエハ2の着工が進むにつれて半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量が増加しているのが分かり、#1の評価結果とほぼ同様の傾向であることが分かる。
これにより、図7に示す#1から#2の評価に対してNF3ガスステップを15秒延長したことは効果が無いことが分かる。
また、#3の評価では、1枚目の半導体ウエハ2と2枚目の半導体ウエハに対して、両方ともずれ量の測定値が3000μm前後であり、ずれ量は5000μmより大幅に小さく、ずれ判定はOKであった。また、1枚目の半導体ウエハ2より2枚目の半導体ウエハ2の方が測定値が小さいため、傾向として、半導体ウエハ2の着工が進んでもずれ量の測定値は5000μmを越えないものと判断できる。
また、#4の評価では、1枚目の半導体ウエハ2と2枚目の半導体ウエハ2に対して、両方ともずれ量の測定値が100〜200μm前後であり、#3の測定値に比較しても大幅にずれ量が小さくなった。そして、#4の測定値も#3の評価と同様にずれ量が5000μmより大幅に小さく、ずれ判定はOKであった。
なお、1枚目の半導体ウエハ2と2枚目の半導体ウエハ2のずれ量の測定値がほぼ等しいため、傾向として、#3の評価と同様に、半導体ウエハ2の着工が進んでもずれ量の測定値は5000μmを越えないものと判断できる。
#3と#4の評価結果より、図7に示す#3から#4の評価に対してO2ガスステップを20秒延長したのは、#4の測定値が#3の測定値に比較しても大幅にずれ量が小さくなっているため、有効であることが分かる。
以上のようにO2ガスステップの時間を延長することは、半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量を小さくすることに非常に有効であると言える。
そこで、図9に示す条件を用いて半導体ウエハ100枚に対して位置ずれのずれ量を評価した結果を示したものが図10である。詳細には、上述のようにO2ガスステップの時間を延長することは、半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量を小さくすることに有効であることが分かったため、図9に示すように、ステップ1(NF3ガス)を20秒とし、ステップ2(O2ガス)を70秒とする評価を新たに100枚の半導体ウエハ2に対して行った。
その際、チャンバ3内の圧力は、ステップ1(NF3ガス)が65mTorrであり、ステップ2(O2ガス)が15mTorrである。すなわち、ステップ2(O2ガス)は、50mTorr以下の低圧の雰囲気で評価を実施した。
そして、図7に示す#1の条件で、同様に100枚の半導体ウエハ2に対して評価を行った。
図10では、O2ガスステップの時間を70秒に延長した評価と、#1の条件の評価とで、半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量のばらつきの範囲を示している。図10に示すように、ステップ1(NF3ガス)30秒+ステップ2(O2ガス)8秒の評価では、測定値のばらつきの上限が9000μm近くまであり、ずれ判定値の5000μmを大幅に越えている。これに対して、ステップ1(NF3ガス)20秒+ステップ2(O2ガス)70秒の評価では、ずれ量の測定値のばらつきの上限が2000μm未満と非常に小さく、ずれ判定値の5000μmより大幅に下回っている。すなわち、ステップ1(NF3ガス)30秒+ステップ2(O2ガス)8秒の評価に対して、ステップ1(NF3ガス)20秒+ステップ2(O2ガス)70秒の評価の方が、測定値のばらつきの上限も小さく(ずれ判定値の5000μmより大幅に小さい)、さらにばらつきの範囲も非常に小さい。
図10の結果より、O2ガスを導入することで半導体ウエハ2の位置ずれのずれ量に対して効果を得ることができるとともに、より長い時間O2ガスを導入することで、半導体ウエハ2のずれ量に対してさらに大きな効果を得ることができる。
以上により、図11に示すように、ステップ1(NF3ガス)においては、その時間を増加しても効果が得られなかったのに対して、ステップ2(O2ガス)においては、その時間を増加すると大きな効果が得られることが分かった。
<使用ガスの電気陰性度について>
図12は図2に示すウエハ搬出手順の残留電荷放電で導入されるガスの電気陰性度の範囲の一例を示す元素周期律表である。
図12は図2に示すウエハ搬出手順の残留電荷放電で導入されるガスの電気陰性度の範囲の一例を示す元素周期律表である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法では、図2に示す陰性ガス導入工程で陰性ガスを導入し、チャンバ3内に上記陰性ガスを導入した状態で残留電荷放電を実施し、これによってセラミック製のステージ4の表面の電荷を除去する。したがって、使用ガスの電気陰性度が大きく関わっている。
電気陰性度は、分子内の原子が電子を引き寄せる強さの相対的な尺度である。異種の原子同士が化学結合しているとすると、この時、各原子における電子の電荷分布は、これら原子が孤立していた場合と異なる分布をとる。これは結合の相手の原子からの影響によるものであり、原子の種類により電子を引きつける強さに違いが存在するためである。
そして、この電子を引きつける強さは、原子の種類ごとの相対的なものとして、その尺度を決めることができ、この尺度が電気陰性度である。
なお、図7〜図10の評価結果より、NF3ガスでは、半導体ウエハ2の位置ずれに対して効果が得られなかったことが分かっている。そして、NF3ガスには窒素(N)が含まれており、かつ図12に示す元素周期律表により、窒素の電気陰性度は、3.04である。したがって、本実施の形態の半導体装置の製造方法(プラズマエッチング装置1による残留電荷放電)で用いるガスは、窒素より電気陰性度が高い元素のガスを用いなければならない。つまり、電気陰性度が窒素ガスより高いガスを用いて残留電荷放電を行う必要がある。
具体的には、図2に示す陰性ガス導入工程で陰性ガスとして窒素より電気陰性度が高い元素のガスを導入し、チャンバ3内に上記陰性ガスを導入した状態で残留電荷放電を実施する。
ここで、図12より、電気陰性度が3.04より大きな元素は、塩素(Cl)=3.16、酸素(O)=3.44、フッ素(F)=3.98であり、これらの元素のうちの何れかのガスを、図2に示す陰性ガス導入工程でチャンバ3内に導入して残留電荷放電を行うことにより、ステージ4の表面の電荷を引き寄せてステージ4から電荷を除去することができる。
なお、塩素、酸素およびフッ素のうち、電気陰性度の大きさから、酸素ガスもしくはフッ素ガスを用いることがより好ましく、図7〜図10の評価結果より、50mTorr以下の低圧の雰囲気で酸素ガス(O2ガス)を使用してO2プラズマ13を形成することが好適であると言える。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、上記実施の形態では、プラズマ処理装置によるプラズマ処理がドライエッチングの場合を一例として取り上げて説明したが、上記プラズマ処理装置によるプラズマ処理は、ドライエッチングに限定されずに、CVD(Chemical Vapor Deposition)やスパッタリング等の処理であってもよい。
また、上記実施の形態では、プラズマエッチング装置のステージがセラミック製からなる場合を説明したが、上記ステージは、比較的誘電率が高い材料であれば、セラミック以外の他の材料から形成されていてもよい。
また、上記実施の形態では、半導体ウエハの位置ずれのずれ量による判定を行う際のずれ判定値が、5000μmを設定した場合を説明したが、上記ずれ判定値は、5000μmに限定されるものではなく、5000μm以外の数値を設定してもよい。
1 プラズマエッチング装置(プラズマ処理装置)
2 半導体ウエハ(半導体基板、ウエハ)
3 チャンバ(真空容器)
4 ステージ
4a 下部電極
4b リフトピン(ピン部材)
5 TCP電極
6 高周波電源
7 石英板
8 高周波電源
9 排気部
10 ガス導入部
11 プラズマ
12 Arプラズマ
13 O2プラズマ
14 搬送アーム
2 半導体ウエハ(半導体基板、ウエハ)
3 チャンバ(真空容器)
4 ステージ
4a 下部電極
4b リフトピン(ピン部材)
5 TCP電極
6 高周波電源
7 石英板
8 高周波電源
9 排気部
10 ガス導入部
11 プラズマ
12 Arプラズマ
13 O2プラズマ
14 搬送アーム
なお、エッチング処理において半導体ウエハ2と、ステージ4の静電チャック(ESC)との間に電流が流れると、上記静電チャックの表面と半導体ウエハ2の表面とが電荷を保有するが、+の電荷と−の電荷とで静電吸着が行われ、半導体ウエハ2が吸着保持される。
Claims (13)
- (a)内部が真空排気によって減圧された真空容器内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、
(b)前記(a)工程の後、前記半導体ウエハを前記ステージによって吸着保持した状態で前記真空容器内にプラズマを形成して前記半導体ウエハに所望の処理を行う工程、
を有し、
前記(a)工程の前に、前記真空容器内に電気陰性度が窒素ガスより高いプロセスガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記所望の処理として、前記半導体ウエハにエッチング処理を行う、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プロセスガスは、酸素ガスまたはフッ素ガスである、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記真空容器内を50mTorr以下に減圧する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程の後、前記真空容器から第1半導体ウエハを搬出し、前記搬出後、前記第1半導体ウエハと異なる第2半導体ウエハに対して前記(a)工程を行う前に、前記真空容器内に前記プロセスガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
所望のロットの1枚目の前記半導体ウエハに対して前記(a)工程を行う前に、前記真空容器内に前記プロセスガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
静電チャック方式により前記半導体ウエハを前記ステージによって吸着保持する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程の後、前記ステージ上でピン部材によって前記半導体ウエハを押し上げ、搬送アームに前記半導体ウエハを受け渡して前記半導体ウエハを搬出する、半導体装置の製造方法。 - (a)内部が真空排気によって減圧された真空容器内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、
(b)前記(a)工程の後、静電チャック方式により前記半導体ウエハを前記ステージによって吸着保持した状態で前記真空容器内にプラズマを形成して前記半導体ウエハにエッチング処理を行う工程、
を有し、
前記(a)工程の前に、前記真空容器内に酸素ガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記真空容器内を50mTorr以下に減圧する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程の後、前記真空容器から第1半導体ウエハを搬出し、前記搬出後、前記第1半導体ウエハと異なる第2半導体ウエハに対して前記(a)工程を行う前に、前記真空容器内に前記プロセスガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
所望のロットの1枚目の前記半導体ウエハに対して前記(a)工程を行う前に、前記真空容器内に前記プロセスガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程の後、前記ステージ上でピン部材によって前記半導体ウエハを押し上げ、搬送アームに前記半導体ウエハを受け渡して前記半導体ウエハを搬出する、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016127211A JP2018006392A (ja) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
US15/498,298 US10056235B2 (en) | 2016-06-28 | 2017-04-26 | Manufacturing method of semiconductor device |
CN201710412838.5A CN107546091A (zh) | 2016-06-28 | 2017-06-05 | 半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016127211A JP2018006392A (ja) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018006392A true JP2018006392A (ja) | 2018-01-11 |
Family
ID=60677465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016127211A Pending JP2018006392A (ja) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10056235B2 (ja) |
JP (1) | JP2018006392A (ja) |
CN (1) | CN107546091A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10950485B2 (en) * | 2019-04-17 | 2021-03-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (ESD) prevention layer |
CN111341719B (zh) * | 2020-03-18 | 2023-04-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法 |
CN111463128A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管 |
JP7450512B2 (ja) * | 2020-10-07 | 2024-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN114823446A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-07-29 | 上海稷以科技有限公司 | 一种解决多尺寸晶圆传送的工艺方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3163973B2 (ja) | 1996-03-26 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 |
JP2002280365A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Applied Materials Inc | 静電チャックのクリーニング方法 |
JP2010165726A (ja) | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Elpida Memory Inc | 真空処理装置、及び、該真空処理装置における静電チャックのクリーニング方法 |
US8293649B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-10-23 | Global Unichip Corp. | Release accumulative charges on wafers using O2 neutralization |
US8520360B2 (en) * | 2011-07-19 | 2013-08-27 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck |
-
2016
- 2016-06-28 JP JP2016127211A patent/JP2018006392A/ja active Pending
-
2017
- 2017-04-26 US US15/498,298 patent/US10056235B2/en active Active
- 2017-06-05 CN CN201710412838.5A patent/CN107546091A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10056235B2 (en) | 2018-08-21 |
US20170372876A1 (en) | 2017-12-28 |
CN107546091A (zh) | 2018-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10056235B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP6519802B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
CN106024682B (zh) | 等离子处理装置以及等离子处理方法 | |
KR102022762B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
TWI479595B (zh) | 從靜電夾盤解箝制晶圓 | |
JP6837274B2 (ja) | 半導体製造装置及び基板搬送方法 | |
US20060102588A1 (en) | Method of processing an object and method of controlling processing apparatus to prevent contamination of the object | |
JP6650593B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US20080242086A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
CN112259457B (zh) | 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台 | |
JP4642809B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
TWI324361B (ja) | ||
TW201933471A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP4789821B2 (ja) | 基板処理装置の検査方法 | |
JP4656364B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US6628500B1 (en) | Method and apparatus for dechucking a substrate from an electrostatic chuck | |
JP4060941B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWI756424B (zh) | 電漿處理裝置之洗淨方法 | |
JP6667400B2 (ja) | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチングシステム | |
JP2010263244A (ja) | プラズマ処理方法 | |
TW202220030A (zh) | 被處理體之處理方法及電漿處理裝置 | |
JP6156850B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の部材の交換判断方法 | |
KR100319468B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
KR102653253B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6067210B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170515 |