JP2014502803A - 共振器回路及び共振器の調整のための方法、システム、及び装置 - Google Patents

共振器回路及び共振器の調整のための方法、システム、及び装置 Download PDF

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Abstract

弾性波共振器及び音波共振器を調整することの実施例について包括的に記載されている。弾性波共振器（ＡＷＭ）にキャパシタを並列又は直列接続することで、調整可能なフィルタを形成することができる。弾性共振器に対して、１つ以上の弾性波共振、又は弾性波の***振周波数は、１つ以上のキャパシタ又は並列又は直列に調整可能なキャパシタによって調整することができる。１つ以上の弾性波モジュールは、フィルタ内でスイッチすることができる。

Description

関連する発明とのクロスレファレンス
本出願は以下の米国仮出願の優先権を主張する。
2010年12月10日に出願の仮出願番号第61/422,009号、名称「METHOD、SYSTEM、AND APPARATUS FOR RESONATOR CIRCUITS AND MODULATING RESONATORS」代理人側管理番号PER-060-PROV;
2011年1月31日に出願の米仮出願番号第61/438,204号、発明の名称「METHOD、SYSTEM、AND APPARATUS FOR RESONATOR CIRCUITS AND MODULATING RESONATORS」、代理人側管理番号PER-060-PROV-2;
2011年6月16日に出願の米仮出願番号第61/497,819号、発明の名称「METHOD、SYSTEM、AND APPARATUS FOR RESONATOR CIRCUITS AND MODULATING RESONATORS」、代理人側管理番号PER-060-PROV-3;
2011年8月9日に出願の米仮出願番号第61/521,590号、発明の名称「METHOD、SYSTEM、AND APPARATUS FOR RESONATOR CIRCUITS AND MODULATING RESONATORS」、代理人側管理番号PER-060-PROV-4;
2011年10月3日に出願の米仮出願番号第61/542,783号、発明の名称「METHOD、SYSTEM、AND APPARATUS FOR RESONATOR CIRCUITS AND MODULATING RESONATORS」、代理人側管理番号PER-060-PROV-5;
2011年11月30日に出願の米仮出願番号第61/565,413号、発明の名称「METHOD、SYSTEM、AND APPARATUS FOR RESONATOR CIRCUITS AND MODULATING RESONATORS」、代理人側管理番号PER-060-PROV-6;
以上の出願は、本明細書において参照することにより、本明細書中に組み込まれる。
"Surface Acoustic Wave Devices in Telecommunications: Modeling and Simulation" by Ken-Ya Hashimoto, published by Springer on July 31, 2000, ISBN-10: 354067232X and ISBN-13: 978-3540672326
１つ以上の共振器を調整することによって、その共振点及び***振点をシフトさせることを含み、共振回路を提供する。本発明は、このような調整及び回路を提供する。
一実施例は、弾性波モジュール（ＡＷＭ）と；前記ＡＷＭ並列に接続され、又は前記ＡＷＭに直列接続された第１のキャパシタモジュールであって、前記弾性波モジュールは、電気的信号を変換し、かつ前記ＡＷＭの組合せ及び前記第１のキャパシタモジュールは、前記電気的信号を修正する、第１のキャパシタモジュールと；を有する、電気的信号処理システムを提供する。
種々の実施例における二重通信トランシーバのアーキテクチャの概略ブロック図である。 種々の実施例におけるＲＦチャネル構成の概略図である。 図１Ｂに示されたＲＦチャネル構成のセクションの部分的な図である。 種々の実施例における図１Ｂに示されたＲＦチャネル構成のセクションの部分的な図において、第１のバンドに適用されたフィルタの特性を示す図である。 種々の実施例における図１Ｂに示されたＲＦチャネル構成のセクションの部分的な図において、第２のバンドに適用されたフィルタの特性を示す図である。 種々の実施例における、第１のバンドのサブユニット又はバンドに適用されたフィルタ特性を持つ図１Ｂに示すＲＦチャネル構成の選択の簡略化された部分的グラフを示す図である。 種々の実施例における、第１のバンドのサブユニット又はバンドに適用されたフィルタ特性を持つ図１Ｂに示すＲＦチャネル構成の選択の簡略化された部分的グラフを示す図である。 種々の実施例における、共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、共振器の特性を示す電気的要素を示すフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な共振器モジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な共振器モジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、ＡＷに接続され得るキャパシタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、ＡＷに接続され得るキャパシタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、ＡＷに接続され得るキャパシタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、ＡＷに接続され得る調整可能なキャパシタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、ＡＷに接続され得る調整可能なキャパシタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な共振器を含む調整可能なフィルタモジュールの製造における構成のブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な共振器のブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な共振器のブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な共振器のブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された、スイッチ可能な共振器を含む、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された、スイッチ可能な共振器を含む、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、フィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、共振器を含むフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、共振器を含むスイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な又は調整された共振器を含む、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、フィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な、又は調整された共振器を含む、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な、又は調整された共振器を含む、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答を示すグラフである。 種々の実施例における、調整可能な、スイッチ可能なフィルタモジュールのフィルタ応答を示すグラフである。 種々の実施例における、フィルタ周波数応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、フィルタ応答の選択方法を示すフローチャートである。 種々の実施例における、フィルタアーキテクチャの単純化されたブロック図である。 種々の実施例における、調整された、又は調整可能な共振器モジュール及び共振器モジュールを含むフィルタアーキテクチャを示すブロック図である。 種々の実施例における、共振器モジュールのフィルタ周波数応答を示すグラフである。 種々の実施例における、調整された、又は調整可能な共振器モジュールのフィルタ周波数応答を示すグラフである。 種々の実施例における、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び共振器モジュールを含むフィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答を示すグラフである。 種々の実施例における、ＲＦチャネル構成の単純化されたグラフを示す図である。 種々の実施例における、第１のモードにおけるＲＦチャネル構成の単純化されたグラフを示す図である。 種々の実施例における、第２のモードにおけるＲＦチャネル構成の単純化されたグラフを示す図である。 種々の実施例における、フィルタアーキテクチャの単純化されたブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び共振器モジュールを含むフィルタアーキテクチャのブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び共振器モジュールを含む他のフィルタアーキテクチャのブロック図である。 種々の実施例における、スイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び共振器モジュールを含む他のフィルタアーキテクチャのブロック図である。 種々の実施例における、信号トランシーバアーキテクチャのブロック図である。 種々の実施例における、共振器モジュールのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、第１のモードにおける、スイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュールのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、第１のモードにおけるスイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び共振器モジュールを含むフィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、共振器モジュールのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、第２のモードにおける、スイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュールのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、第２のモードにおける、スイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び共振器モジュールを含むフィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答を示すグラフである。 種々の実施例における、第１のスイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、第１の共振器モジュール、第２のスイッチ可能な、調整された、又は調整可能な共振器モジュール、及び第２の共振器モジュールを含むフィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、結合されたフィルタ構成方法のフローチャートである。 種々の実施例における、共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのブロック図、及び共振器のフィルタ周波数応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、第１の、通過バンドフィルタモードにおける図１９Ａの共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、第２の、ノッチフィルタモードにおける図１９Ａの共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのフィルタ周波数応答を示すグラフである。 種々の実施例における、第１の、通過バンドフィルタモードにおける図１９Ａの共振器を含む電気的信号フィルタモジュールの結合されたフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、第２の、ノッチフィルタモードにおける図１９Ａの共振器を含む電気的信号フィルタモジュールの結合されたフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、調整可能な共振器の特性を表す電気的要素を含む、調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、調整可能な共振器の特性を表す電気的要素を含む、他の調整可能なフィルタモジュールのブロック図である。 種々の実施例における、共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのブロック図、及び、共振器のフィルタ周波数応答のグラフを示す図である。 種々の実施例における、ノッチフィルタモードにおける図２１Ａの共振器を含む電気的信号フィルタモジュールのフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、ノッチフィルタモードにおける図２１Ａの共振器を含む電気的信号フィルタモジュールの結合されたフィルタ周波数応答のグラフである。 種々の実施例における、弾性波（ＡＷ）デバイスの製造のばらつきを表す共振周波数予測関数の共振のグラフを示す。 種々の実施例における、弾性波（ＡＷ）デバイスの製造のばらつきを表す共振周波数予測関数の***振のグラフを示す。 種々の実施例における、弾性波（ＡＷ）デバイスの温度の変化を表す共振周波数関数の共振のグラフを示す。 種々の実施例における、キャパシタモジュールの単位領域当たりのキャパシタンスの製造のばらつきを表す予測関数のグラフである。 種々の実施例における、調整可能な共振器を含む、調整可能なフィルタモジュールの構成のブロック図である。 種々の実施例における、コンポーネントモデリング、製造、及び構成の方法のフローチャートである。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャの単純化されたブロック図である。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャの単純化されたブロック図である。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのブロック図である。 種々の実施例における、信号フィルタアーキテクチャのブロック図である。 種々の実施例における、信号フィルタのフィルタ周波数応答のグラフを示す。 種々の実施例における、信号フィルタのフィルタ周波数応答のグラフを示す。
図１Ａは、種々の実施例における二重通信トランシーバのアーキテクチャ１０の概略ブロック図である。図１Ａに示すように、アーキテクチャ１０は、パワーアンプモジュール（ＰＡ）１２と、信号送受切替器モジュール２０と、無線（ＲＦ）スイッチモジュール４０と、ミキサーモジュール６０Ａと、及びＲＦ信号アンテナ５０とを含む。動作において、アンテナ５０から送信すべき信号８は、ＰＡモジュール１２を介して増幅され、送受切替器モジュール２０によってフィルタリングされ、かつＲＦスイッチモジュール４０を介してアンテナ５０に接続される。二重信号アーキテクチャにおいて、アンテナ５０で受信された信号は、送受切替器モジュール２０において、同時に処理される。結果として受信された信号２４は、ＬＮＡモジュール１４によって増幅され、かつミキサーモジュール６０Ａ及び基準周波数信号を介してベースバンド信号６０Cにダウンミックスされる。
図１Ｂは、種々の実施例におけるＲＦチャネル構成７０Ａの概要の図を示している。図１Ｂに示すように、送信（ＴＸ）バンド７３Ａ及び受信（ＲＸ）バンド７３Ｂは、近接した周波数に位置している。ＴＸバンドは、７２Ａ及び７２Ｂ（ＲＸバンドの開始及び終了）により定義される幅を持つ。そして、バンドの周波数分離は、７２Ｃ及び７２Ｂ（ＲＸバンドの開始と、ＴＸバンドの終了）との間の差となる。図１Ｃ及び図１Ｇに示すように、ＴＸバンド７３Ａ及びＲＸバンド７３Ｂは、複数のサブバンド又はユニット７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、及び７５Ａ、７５Ｂ、及び７５Ｃを含む
アンテナ５０において、ＴＸバンドの信号エネルギ７３Ａは、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、ＲＸバンド信号エネルギよりも大きい。信号エネルギにおけるこのような差は、二重信号アーキテクチャ１０において、ＬＮＡモジュール１４を飽和させ、ＲＸ信号２４を遮断する。送受切替器２０は、（図２Ｆに示すように）１つ以上のフィルタを有し、TX及びRXバンド７３Ａ、７３ＢにおけるＴＸ及びＲＸ信号の混信を規制する。混合されたＴＸ及びＲＸ信号４２は、１つ以上の通信プロトコル又は規格に従って転送される。プロトコル又は規格としては、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、ワイドバンド符号分割多元接続（Ｗ−ＣＤＭＡ）、ＷＩＭＡＸ、ＧＳＭ（登録商標）、ＥＤＧＥ、及びその他の無線通信規格又はプロトコルが挙げられる。このような規格又はプロトコルは、アンテナ５０を介した対応するネットワークにおける信号の通信に対する最低限の信号分離又は干渉の緩和の要件を提供する。
ＰＡモジュール１２は、増幅するべきＴＸバンド周辺のパワーの減少により、ノイズ又は干渉を発生させる。過剰なＰＡパワーは、ＬＡＮモジュール１４の動作に対して干渉を発生させる。ＴＸ、ＲＸバンド７３Ａ、７３Ｂの近傍又はこれらの間の、（他の通信ネットワークの信号に起因し得る）アンテナ５０に存在する、ブロッカー信号（blocker signal）も、同様にＬＡＮモジュール１４の動作に干渉し、ＲＸ信号２４の減少を引き起こす。
二重システム又はアーキテクチャ１０は、フィルタモジュールを導入し、かつ送受切替器モジュールを含む。送受切替器モジュールは、既知のフィルタ要素を含む。例えば、抵抗、キャパシタ、インダクタ、ＤＳＰ、及び共振器が挙げられる。これらのコンポーネントの構成は、フィルタモジュールを構成し、１つ以上の通信プロトコル又は規格に従って、隣接チャネル又はバンドの干渉の要件を満たすかまたはこれを超えるように構成される。実施例において、チャネル構成７０Ａは、ＣＤＭＡバンドＶの信号に用いることができる。この場合、ＴＸバンド７３Ａは、８２４から８４９ＭＨｚ（７２Ａ、７２Ｂ）及び、ＲＸバンド７３Ｂは、８６９から８９４ＭＨｚ（７２Ｃ、７２Ｄ）の帯域をカバーする。この構成において、ＴＸバンド７３Ａ及びＲＸバンド７３Ｂは、２５ＭＨｚ幅を持ち、２０ＭＨｚだけ離れている（７２Ｃ−７２Ｂ）。図１Ｃから図１Ｇに示すように、ＴＸバンド７３Ａは、複数のサブバンド７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃを持ち、ＲＸバンド７３Ｂは、複数のサブバンド７５Ａ、７５Ｂ、７５Ｃを持つ。実施例において、サブバンドは、約１．５ＭＨｚ幅（ＣＤＭＡ）及び５ＭＨｚ幅（Ｗ−ＣＤＭＡ）を持つ。
隣接バンド間の干渉を制限するために、ＴＸバンド７３Ａに対して、図１Ｄに示す周波数特性７６Ａを有するフィルタモジュールが適用される。同様に、ＲＸバンド７３Ｂに対して、図１Ｅに示す周波数特性７６Ｂを有するフィルタモジュールが適用される。図１Ｄ及び図１Ｅに示されるように、フィルタ特性７６Ａ、７６Ｂは、理論的には、通信バンド（通過バンド）のいずれの側においても、高いｄＢロールアウト（rollout）を持つ。当業者に理解できるように、このようなフィルタ特性に必要とされるキャパシタ、インダクタ、及び抵抗は、絶縁性のウエファにおいて、大きく、かつ広いスペースを必要とする。ＴＸ又はＲＸ信号４２に対する７６Ａ、７６Ｂのフィルタ特性を達成するために、１つ以上の共振器が用いられる。
共振器は、表面弾性波（ＳＡＷ）及びバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスを含む。このようなデバイスは、フィルタ、発振器に利用でき、変換及び弾性波（acoustic wave）の伝達に通常用いられる。ＳＡＷ及びＢＡＷにおいて、電気的エネルギは、圧電物質を介して機械的エネルギに変換され、電気的エネルギに戻される。圧電物質は、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、及びランタムガリウムシリケートが含まれる。導電性要素の１つ以上の横断フィンガ（transverse finger）が、圧電物質に置かれ、電気的エネルギを機械的エネルギに変換し、電気的エネルギを機械的エネルギに戻す。ＳＡＷ又は共振器は、このエネルギ変換又はトランスダクション（transduction）のために、１つ以上のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）（導電性要素の横断フィンガ）を含んでもよい。共振器のエネルギ変換及び材料の条件は、より複雑であり、かつ１つ以上のＲＦ通信プロトコル又は標準に従って伝送される高周波コンテンツの電気的信号に対して高価である。
フィルタ又は送受切替器モジュール２０は、図１Ｆ、図１Ｇに示されるＴＸ又はＲＸバンド７３Ａ、７３Ｂの１つ以上のサブユニット又はバンドに特定された７６Ｃ、７６Ｄの周波数特性をもつことが望ましい。このような送受切替器モジュール２０又はフィルタモジュールは、ＴＸ及びＲＸバンド７３Ａ、７３Ｂの間のインタフェースを効果的に遮断し、これは、幾つかの通信プロトコルに要求されたものとなる。バンド７３Ａ、７３Ｂの１つ以上のサブユニット７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７５Ａ、７５Ｂ、７５Ｃをフィルタリングするために、または（ＣＤＭＡシステムのバンドＩからＶなどの）異なるバンドを選択的にフィルタリングするために、異なるフィルタモジュール又は送受切替器が必要である。
図２Ａは、種々の実施例における共振器を含む、電気的信号フィルタモジュール９０Ａのブロック図である。モジュール９０Ａは、３つの共振器８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃ、並びに信号発生器９２Ａを含む。実施例において、信号発生器９２Ａは、アンテナ５０を介して伝送されるべきＴＸ信号を発生し、抵抗９４Ａは、ＴＸ信号の負荷を示している。そして、抵抗９４Ｂは、アンテナ５０の負荷を表している。実施例において、共振器８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃは、送信されるべき信号とアンテナ（信号源負荷９４Ａとアンテナ負荷９４Ｂ）との間でＴ型を形成している。共振器８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃは、ＳＡＷデバイスであってもよい。共振器８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃは、共通に固定共振周波数を持ち、かつ***振周波数を持つ。これは、普通のインダクターキャパシタタイプのフィルタの通過バンドとストップバンドと類似している。
弾性波共振器８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃは、図２Ｂに示す種々の実施例に従った電気的コンポーネントに対応した形で示すことができる。図２Ｂに示すように、共振器８０Ａは、直列接続されたインダクタ８６Ａ、第２のキャパシタ８２Ｂ、及び抵抗８４Ａに並列な、第１のキャパシタ８２Ａで表される。ここで、実施例においては、キャパシタ８２Ａ、８２ＢはキャパシタンスＣ０、Ｃｍをそれぞれ有し、インダクタ８６ＡはインダクタンスＬｍを有し、抵抗８４Ａは、抵抗Ｒｍを有する。電気的コンポーネントによる共振器又はＳＡＷデバイスのモデリングは、非特許文献１に開示されている。
このＣｍ及びＬｍは、ＡＷ ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃの弾性及び慣性に相当する。Ｃ０は、ＡＷ ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃの圧電物質の横断電気的フィンガの実効キャパシタンスを表している。Ｒｍは、ＡＷ ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃの機械的運動により生成される熱を（ＡＷの実効特性（quality）又はＱリミッタ（Q limiter））を表している第１のキャパシタ、インダクタ８６Ａ、第２のキャパシタ８２Ｂ、及び抵抗８４Ａに値Ｃ０、Ｃｍ、Ｌｍ、及びＲｍを用いた場合、弾性波（ＡＷ）デバイス８０Ａの共振ｗｒ及び***振ｗａは、以下のように定義される。
Figure 2014502803
これらの式を用いて、ＡＷ８０Ｃは、短絡パスを形成する。そして、その結果として、ＡＷ８０Ａ、ＡＷ８０Ｂ、及びＡＷ８０Ｃは、８０Ａ、８０Ｂのｗｒ及び８０Ｃのｗａ近傍で通過バンド（図１Ｄの７７Ｃ）、８０Ｃのｗｒで通過バンドの前の第１のノッチ（図１Ｄの７７Ａ）、８０Ａ、８０Ｂのｗａで通過バンドの後の第２のノッチ（図１Ｄの７７Ｂ）を持つ。これらの共振器ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃの共振及び***振値ｗｒ及びｗａは、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃの物理的特徴の関数として固定されている。
特定のサブバンド７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７５Ａ、７５Ｂ、７５Ｃ又は他のＴＸ又はＲＸバンド７３Ａ、７３Ｂに合うように、通過バンド及びストップバンドをシフトするために、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃのｗｒ及びｗａをシフトすることが望ましい。ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃのｗｒ及びｗａは、それぞれのＡＷの温度の関数として変化することに留意すべきである。このような実施例において、温度の変化に対して修正を行うことが望ましい。ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃのｗｒ及びｗａは、それぞれの製造における多様性によって変化することにも留意すべきである。このような実施例において、製造における多様性に対して修正することが望ましい。実施例において、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃのｗｒ及びｗａをシフトし、同調させ、又は調整することを可能とするために、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃに、並列又は直列に様々なキャパシタ９８Ａを接続することができる。これによって、その通過バンド及びストップバンドが調整される。
図２Ｃ及び図２Ｉは、種々の実施例において調整された又は調整可能な共振器モジュール９６Ａ、９６Ｇのブロック図を示す。図２Ｃに示すモジュール９６Ａは、ＡＷ８０Ａに並列接続された可変キャパシタ９８Ａを含んでいる上述の式に基づいて、***振ｗａは、キャパシタンスＣｖを有する可変キャパシタ９８Ａによって調整される（ＡＷの実効Ｃ０は、モジュール９６Ａに対してＣ０＋Ｃｖである）。図２Ｉに示すモジュール９６Ｇには、ＡＷ８０Ｃに並列に可変キャパシタ９８Ｇが接続され、可変キャパシタ９８ＨがＡＷ８０Ｃに直列接続されている。上述の式に基づいて、***振ｗａは、キャパシタンスＣｖ１を持つ可変キャパシタ９８Ｇと、キャパシタンスＣｖ２を持つ可変キャパシタ９８Ｈとによって、調整される。同様に、共振ｗｒは、キャパシタンスＣｖ２を持つ可変キャパシタ９８Ｈによって調整される。
図２Ｄは、種々の実施例に従った電気的信号フィルタモジュール９０Ｂのブロック図を示し、調整可能な共振器モジュレータ９６Ａ、９６Ｂ、９６Ｃを含む。モジュール９０Ｂは、固定の共振周波数及び***振周波数を持つ共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃが同様にＴ型に構成されている点で、図２Ａに示すモジュール９０Ａと類似している。ここで、固定共振周波数及び***振周波数は、通常のインダクターキャパシタタイプフィルタと同様の通過バンド及びストップバンドを持つ。そして、各共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの***振周波数は、可変キャパシタ８８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃにより調整可能である。
上述したように、ＡＷ８０Ｃは、短絡パスを形成し、ＡＷ８０Ａ、ＡＷ８０Ｂ、ＡＷ８０Ｃによる結果として構成されるフィルタは、８０Ａ、８０Ｂのｗｒ及び８０ｃのｗａの近傍で通過バンド（図１Ｄに示す７７Ｃ）を持ち、第１のノッチを８０ｃのｗｒの前（図１Ｄの７７Ａ）において持ち、かつ第２のノッチを通過バンドの８０Ａ、８０Ｂのｗａの後（図１Ｄの７７Ｂ）において持つ。可変キャパシタ８８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃを可変することによって、図１Ｄに示す通過バンド７７Ｃ及び第２ノッチ７７Ｄを変更することができる。
図２Ｅないし図２Ｈは、調整可能な又は招請された共振器又はＡＷを含むフィルタモジュールのブロック図を示している。これは、実施例において、ＲＸバンド７３Ｂ又はサブバンド７５Ａ、７５Ｂ、７５Ｃに適用できる。図２Ｅに示すように、調整可能なフィルタモジュール９０Ｃは、調整可能な共振器又はＡＷモジュール９６Ｄ、９６Ｅ、９６Ｆ、及び９６Ｇ、抵抗９４Ｃ、及び抵抗９４Ｂを含む。上記のように、抵抗９４Ｂは、アンテナ５０の負荷を表し、抵抗９４Ｃは、信号（ＲＸ又はＴＸ）の負荷を示す。実施例において、調整可能なモジュール９０Ｃは、調整可能な短絡９６Ｇ及び９６Ｆ及び調整可能な直列接続されたパスＡＷモジュール９６Ｄ、９６Ｅを含んでもよい。モジュール９０Ｃは、同様のモジュール９０Ａ（Ｔ型構成）に、付加的第２の短絡９６Ｇを有し、９６Ｇは、***振周波数に影響するキャパシタ９８Ｇ、及びＡＷ８０Ｇの共振周波数に影響するＡＷ８０Ｇに直列接続された第２の調整可能なキャパシタ９８Ｈを含む。
図２Ｆは、種々の実施例に従った、第１の調整可能なフィルタモジュール９５Ａ、及び第２の調整可能なフィルタモジュール９５Ｂを含む電気的信号フィルタモジュール９０Ｄのブロック図を示す。このモジュール９０Ｄは、第１のフィルタモジュール９５Ｂ、第２のフィルタモジュール９５Ｂ、第１の信号源９２Ａ及び負荷抵抗９４Ａ、第２の信号源９２Ｂ及び負荷抵抗９４Ｃ、及びアンテナ負荷抵抗９４Ｂを含む。モジュール９５Ａは、モジュール９０Ｂと類似している。そして、モジュール９５Ｂは、モジュール９０Ｃと類似している。モジュール９５Ａは、Ｔ型構成のモジュールであり、かつモジュール９５Ｂは、変形されたＴ型構成に第２の短絡（直列接続されたキャパシタ９８Ｈ）を含む。実施例において、モジュール９０Ｄは、図１Ａの調整可能な送受切替器２０として用いることができる。
図２Ｇ、図２Ｈ、図２Ｊは、調整可能なフィルタモジュール９５Ｃ、９５Ｄ、９５Ｅのブロック図である。これらは、実施例において、ＲＸバンド７３Ｂ、又はサブバンド７５Ａ、７５Ｂ、７５Ｃをフィルタリングするための、調整可能な或いは調整された共振器又はＡＷを含む。図２Ｇに示すように、調整可能なフィルタ９０Ｅは、調整可能な共振器又はＡＷモジュール９６Ｄ、９６Ｇ、抵抗９４Ｃ、抵抗９４Ｂ、及び実効キャパシタ（effective capacitance）９７Ａ、９７Ｂを含んでもよい。上述のように、抵抗９４Ｂは、アンテナ５０の負荷を表し、抵抗９４Ｃは、信号（ＲＸ又はＴＸ）負荷を表し、９２Ｂは信号源を表す。実施例において、モジュール９０Ｅは、２つの短絡９６Ｇ及び９６Ｆ、並びに負荷９４Ｃ及び９４Ｂと直列接続された単一の調整可能なＡＷモジュール９６Ｄを有する。モジュール９０Ｅは、第１のモジュール９６Ｄに直列接続された第２のモジュール９６Ｅを取り除いた形のモジュール９０Ｄと類似している。
図２Ｈに示すように、調整可能なフィルタモジュール９０Ｆは、調整可能な共振器又はＡＷモジュール９６Ｄ、９６Ｇ、９６Ｆ、９６Ｈ、調整可能なキャパシタ９８Ｈ、抵抗９４Ｃ、抵抗９４Ｂ、及び実効キャパシタ９７Ａ、９７Ｂを有する。上述のように、抵抗９４Ｂは、アンテナ５０の負荷を表し、抵抗９４Ｃは、信号（ＲＸ又はＲＸ）の負荷を表し、９２Ｂは信号源を表す。実施例において、モジュール９０Ｆは、２つの調整可能な短絡９６Ｇ、９６Ｆ、及び９６Ｈ、並びに負荷９４Ｃ、９４Ｂに直列接続された単一の調整可能なＡＷモジュール９６Ｄを有する。モジュール９０Ｆは、短絡モジュール９６Ｈを加えた形のモジュール９０Ｆに類似している。
図２Ｊに示すように、調整可能なフィルタモジュール９５Ｅは、調整可能な共振器ＡＷモジュール９６Ｂ、９６Ｆ、及び複数のＡＷモジュール８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、８０Ｇ、８０Ｈ、８０Ｉを有する。フィルタモジュール９５Ｅにおいて、調整可能な共振器ＡＷモジュール９６Ｂ、９６Ｆ及び複数のＡＷモジュール８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、８０Ｇ、８０Ｈ、８０Ｉは、Ｔ型サブフィルタ例えば８０Ａ、９６Ｂ、及び８０Ｃの直列接続を形成する。上述のように、Ｔサブフィルタは、２つの通過バンド（ＡＷ８０Ａ、９６Ｂ）及びストップバンド（８０Ｃ）による周波数共振を形成する。実施例において、ＡＷ８０Ａないし８０Ｉの１つ以上は、調整可能でなく（図２ＪのＡＷモジュール８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、８０Ｇ、８０Ｈ、８０Ｉ）、ＡＷ８０Ａないし８０Ｉの１つ以上は、調整可能である（図２Ｊの８０Ｂ、及び８０Ｆ）。調整可能なキャパシタ９８Ｂ、９８Ｆは、ＡＷ８０Ａないし８０Ｉの１つ以上が温度、又は製造のばらつきのために、又はＡＷ８０Ａないし８０Ｉの周波数調整を提供するために、ＡＷ８０Ａないし８０Ｉの１つ以上を調整することが望ましい場合、ＡＷ８０Ａないし８０Ｉと（並列に）接続してもよい。
図３Ａないし図３Ｃは、種々の実施例に従ったキャパシタモジュールのブロック図を示す。ここにおいて、これらのモジュールは、ＡＷ８０Ａないし８０Ｆと並列接続されるキャパシタ９８Ａないし９８Ｇ、及びＡＷ８０Ｇに直列接続される９８Ｈとして用いることができる。図３Ｃに示すように、モジュール１２０Ｃは、単一のキャパシタ１０４Ａを含む。このキャパシタ１０４Ａのキャパシタンスは、（プロセスのばらつき又は動作温度の変化を補償し）ＡＷ８０Ａないし８０Ｇの物理的特徴が測定された後、決定される。キャパシタ１０４Ａのキャパシタンスは、モジュール１２０Ｃを含むモジュール９６Ａないし９６ＧによりフィルタリングされるべきＴＸ又はＲＸバンド７３Ａ、７３Ｂに対応して、変更され得る。
図３Ｂに示すように、モジュール１２０Ｂは、キャパシタ１０４Ａ、並びに、第１のキャパシタ１０４Ａに並列接続された、第２のキャパシタ１０４Ｂ及び抵抗１０６を有する。この追加的なキャパシタ１０４Ｂは、ＡＷ８０Ａないし８０Ｇの***振周波数又は共振周波数を更にシフトし、第２のバンド又はサブバンドが調整される。図３Ａに示すように、モジュール１２０Ａは、キャパシタ１０４Ａ、第１のキャパシタ１０４Ａに並列接続された第２のキャパシタ１０４Ｂ及び抵抗１０６Ａ、並びに第１のキャパシタ１０４Ａ（及び第２のキャパシタ１０４Ｂ及び抵抗１０Ａ）に並列接続された第３のキャパシタ１０４Ｃ及び第２の抵抗１０６Ｂ追加的なキャパシタ１０４Ｃは、モジュール９６Ａないし９６Ｇに示されるように、モジュール１２０Ａないし１２０Ｄが並列に又は直列にＡＷ８０Ａないし８０Ｇに接続された場合、ＡＷ８０Ａないし８０Ｇの***振周波数又は共振周波数をシフトし、第３のバンド又はサブバンドを調整する。
図３Ｄは、種々の実施例に従った、調整可能なキャパシタモジュールのブロック図を示している。図３Ｄに示すように、モジュール１２０Ｄは、キャパシタ１０４Ａ、（スイッチ１０５Ａを介して）選択的に第１のキャパシタ１０４Ａと並列接続されるキャパシタ１０４Ｂ及び抵抗１０６Ａ、並びに、（第２のスイッチ１０５Ｂを介して）選択的に第１のキャパシタ１０４Ａ（及び第２のキャパシタ１０Ｂ及び抵抗１０６Ａ）と並列接続される第３のキャパシタ１０４Ｃ及び第２の抵抗１０６Ｂを含む。モジュール１２０Ｄは、モジュール９６Ａないし９６Ｇに示されるように、ＡＷ８０Ａないし８０Ｈと並列又は直列接続された場合、ＡＷ８０Ａないし８０Ｈの***振周波数又は共振周波数をシフトすることができ、スイッチ１０５Ｂ、１０５Ａの関数として第１、第２、又は第３のバンド、又はサブバンドを調整する。モジュール１２０Ｄは、ＡＷ８０Ａの***振周波数をシフトすることができ、温度変化又は製造のばらつきを補償する（account for）。
図３Ｅは、種々の実施例に従った、調整可能なキャパシタモジュール６００のブロック図である。調整可能なキャパシタモジュール６００は、複数のキャパシタバンク６０２を含み、それぞれは制御線６４０、６４２、６４４を介して動作をスイッチすることが可能である。実施例において、連続した各キャパシタバンクは、その前のバンク６０２の倍のキャパシタンスを持っている。これによって、制御線６４０、６４２、及び６４４は、二進数の桁に対応する。実施例において、抵抗ＲＤＳで接続されるソース及びドレインを持つＣＭＯＳ ＦＥＴで形成されるキャパシタバンクは、並列接続のキャパシタを形成する。ＣＭＯＳ ＦＥＴの各ゲート６０６、６０８、６１０、６１２、６１４は、それぞれ対応する制御線６４０、６４２、６４４に接続されている。したがって、（並列又は直列に）調整可能なキャパシタ６００を用いたＡＷモジュール９６Ａないし９６Ｇは、モジュール６００のＮ−１種類の実効キャパシタンスに基づいて、Ｎ−１種類の（Ｎは制御線の数）の異なる調整可能な***振周波数又は共振周波数を持ち得る。デジタル的に調整可能なキャパシタの更なる詳細は、共通に譲渡され出願継続中の「集積回路デバイスにおけるキャパシタのデジタル的な調整に用いるための方法、及び装置」（代理人管理番号ＰＥＲ−０２４、出願日２００９年３月２日、国際出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２００９／００１３５８）と題する出願に記載されている。この出願は、本明細書において参照することにより、本明細書に組み込まれる。
図４は、調整可能なフィルタモジュール１３０のブロック図である。フィルタモジュール１３０は、種々の実施例に従って、調整可能な複数の共振器を含んでいる。フィルタモジュール１３０は、共通の回路基板又はモジュール１３２、共振器又はＡＷボード又はモジュール１５０、及び電気的コンポーネントボード又はモジュール１４０を含む。ＡＷモジュール１５０は、複数の共振器又はＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ、８０Ｉを含む。実施例において、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃは、図２Ａに示したＴ型構成９０Ａを形成する。ＡＷモジュール１５０は、バイアスＡＷ８０Ｉを更に有する。
電気的コンポーネントボード又はモジュール１４０は、３つの調整可能なキャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃ、及び制御ロジックモジュール１４６、及び発振器１４４を有する。各調整可能なキャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃは、モジュール１４０と１５０との間のコンダクタンス線を介して、２つのそれぞれＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃに並列接続されている。したがって、ＡＷ８０Ａと調整可能なキャパシタ９８Ａとの組合せによって、図２Ｂに示した調整可能なＡＷモジュール９６Ａが形成される。発振器１４４は、コンダクタンス線を介して、バイアスＡＷ８０Ｉに接続され得る。バイアスＡＷ８０Ｉの実効共振周波数は、既知の計測可能な形態で、発振器１４４の発振を調整する。
制御ロジックモジュール１４６は、調整可能なキャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、及び９８Ｃのキャパシタンスを制御するための制御信号ＳＰＩ、及び安定クロック又は基準周波数（例えばフェーズロック信号）を受信する。実施例において、ＡＷ８０Ｉの共振周波数、又は***振周波数は、温度の関数として変動し得る。同様に、発振器１４４の周波数は、ＡＷ８０Ｉの共振周波数又は***振周波数に従って変動し、温度によって変化し得る。制御ロジック１４６は、安定した基準周波数信号によって発信周波数１４４の変化をモニタすることができ、制御ロジック１４６は、既知の変化量（delta）に基づいて調整可能なキャパシタのキャパシタンスを調整し、発振器の周波数を調整する（account for）。これによって、対応するＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの共振周波数又は、***振周波数を調整する。実施例において、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの温度の影響に対して調整するために、この変化量がＳＩＰ制御信号に加算される。
図５Ａは、種々の実施例にしたがった、スイッチ可能な共振器モジュール（ＳＲＭ：switchable resonator module）を含む電気信号フィルタモジュール１９０Ａのブロック図である。モジュール１９０Ａは、３つのスイッチ可能な共振器モジュール（ＳＲＭ）１８０Ａ、１８０Ｂ、及び１８０Ｃ、共振器９４Ａ、９４Ｂ、及び信号発生器９２Ａを有する。実施例における信号発生器８２Ａは、アンテナ５０を介して伝送するべきＴＸ信号を表す。抵抗９４Ａは、ＴＸ信号の負荷を示す。そして抵抗９４Ｂは、アンテナ５０の負荷を示す。実施例において、スイッチ可能な共振器モジュール（ＳＡＭ）１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃは、送信すべき信号とアンテナ（信号源負荷９４Ａとアンテナ負荷９４Ｂ）との間で、Ｔ型を構成する。スイッチ可能な共振器モジュール（ＳＡＭ）１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃは、１つ以上の共振器デバイス又はモジュールを含む。ここで、１つ以上のモジュールはスイッチ可能な共振器を含んでもよい。１つ以上の共振器は、通常のインダクタ−キャパシタタイプのフィルタの通過バンド及びストップバンドと同様に、固定の共振周波数及び***振周波数を持つ。
図５Ｂないし図５Ｄは、種々の実施例に従って、ＳＡＭ１８４Ａないし１８４Ｃのブロック図を示している。図５Ｂないし図５Ｄに示すように、共振モジュール１８４Ａ、１８４Ｂ、１８４Ｃは、幾つかの（弾性波）共振器８２Ａないし８２Ｎを含んでいる。ここで共振器８２Ａないし８２Ｎは、1つ以上のスイッチ１８２Ａないし１８２Ｎを介して、バイパス又はアクティベートすることができる。
図５Ｂにおいて、スイッチ可能な共振モジュール（ＳＲＭ）１８４Ａは、２つの共振器８２Ａ、８２Ｂ及び２つのスイッチ１８２Ａ、１８２Ｂを含んでもよい。共振器８２Ａ、８２Ｂは直列接続されている。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂは、共振器８２Ａ、８２Ｂと並列接続されている。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂが閉じた場合、対応する共振器８２Ａ、８２Ｂは、バイパスされ非動作である。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂが開いたとき、対応する共振器８２Ａ、８２Ｂが、アクティブとなる。実施例において、スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂは、制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｂにより制御される。実施例において、共振器８２Ａ、８２Ｂは、独立に又は協働して制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｂの関数として動作する。更なる実施例において、単一の信号がスイッチ１８２Ａ、１８２Ｂを制御することができる。ここで、第１の信号状態において、スイッチ１８２Ａが開きスイッチ１８２Ｂが閉じる。そして、第２の信号状態において、スイッチ１８２Ａが閉じスイッチ１８２Ｂが開く。
図５Ｃにおいて、共振モジュール（ＳＲＭ）１８４Ｂは、３つの共振器８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ及び３つのスイッチ１８２Ａ、１８２Ｂ、１８２Ｃを有する。共振器８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃは直列接続されている。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂ、１８２Ｃは、それぞれ共振器８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃに並列接続されている。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂ、１８２Ｃが閉じた場合、対応する共振器８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃは、バイパスされ非動作である。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂ、１８２Ｃが開いた場合、対応する共振器８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃは、はアクティブとなる。スイッチ１８２Ａ、１８２Ｂ、１８２Ｃの各々は、独立の制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｂ、Ｓ１Ｃにより制御され得る。実施例において、共振器８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃは、制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｂ、Ｓ１Ｃの関数として、独立に又は様々な組合せによって動作する。
図５Ｄにおいて、スイッチ可能な共振器モジュール（ＳＲＭ）１８４Ｃは、複数の共振器８２Ａないし８２Ｎ及び対応するスイッチ１８２Ａないし１８２Ｎを含む。共振器８２Ａないし８２Ｎは、直列接続されている。スイッチ１８２Ａないし１８２Ｎは、それぞれ共振器８２Ａないし８２Ｎに並列接続されている。スイッチ１８２Ａないし１８２Ｎが閉じた場合、対応する共振器８２Ａないし８２Ｎは、バイパスされ非動作である。同様に、スイッチ１８２Ａないし１８２Ｎが開いた場合、対応する共振器８２Ａないし８２Ｎは、アクティブとなる。スイッチ１８２Ａないし１８２Ｎの各々は、制御信号Ｓ１ＡないしＳ１Ｎによって制御される。実施例において、共振器８２Ａないし８２Ｎは、独立に又は制御信号Ｓ１ＡないしＳ１Ｎの関数として、様々な組合せで動作する。
図５Ｅは、種々の実施例に従った、調整された、または調整可能な共振器モジュールシステム１９０Ｂのブロック図を示す。調整可能な共振器モジュールシステム１９０Ｂは、幾つかの調整可能な共振器モジュール１９６Ａ、１９６Ｂ、１９６Ｃを含み、図５Ａと同様にＴ型の構成を形成する。各調整可能な共振器モジュール１９６Ａ、１９６Ｂ、１９６Ｃは、ＳＲＭ １８４Ｄ、１８４Ｅ、１８４Ｆと並列接続された、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃを含む。各調整可能な共振器モジュール１９６Ａ、１９６Ｂ、１９６Ｃの各々において、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃは、キャパシタの選択されたキャパシタンスＣｖ（モジュール１９６Ａに対して、ＡＷデバイスの実効キャパシタンスＣｅは、Ｃ０＋Ｃｖである。）に基づいて、対応するアクティブ共振器８２Ａないし８２Ｎ、８３Ａないし８３Ｎ、８４Ａないし８４Ｎの***振周波数ｗａを変更することができる。実施例において、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃは、スイッチ１８２Ａないし１８２Ｎ、１８３Ａないし１８３Ｎ、１８５Ａないし１８５Ｎによってバイパスされていない、各共振器８２Ａないし８２Ｎ、８３Ａないし８３Ｎ、８４Ａないし８４Ｎに対する***振ｗａを調整することができる。ここで、スイッチは、スイッチ制御信号Ｓ１ＡないしＳ１Ｎ、Ｓ２ＡないしＳ２Ｎ、Ｓ３ＡないしＳ３Ｎによって制御される。
実施例において、各共振器８２Ａないし８２Ｎ、８３Ａないし８３Ｎ、８４Ａないし８４Ｎは、それぞれのＳＡＭ１８４Ｄ、１８４Ｅ、及び１８４Ｆにおいて、異なる共振を持ち得る。システム１９０Ｂでは、ＳＡＭ１８４Ｄ、１８４Ｅ、及び１８４Ｆにおける異なる共振によって、図６Ａないし図６Ｆにおける周波数応答１９７Ａないし１９７Ｆに示すように、異なるチャネル（異なる共振周波数）を調整（tune）することができる。実施例において、ＳＡＭ１８４Ｄ、１８４Ｅに並列接続されたキャパシタ９８Ａ及び９８Ｂは、それぞれアクティブ共振器８２Ａないし８２Ｎ、８３Ａないし８３Ｎの***振ｗａを調整（modulate or tune）ことだけが可能である。ＳＡＭ１８４Ｄ、１８４Ｅにおいて、選択的に共振器８２Ａないし８２Ｎ及び８３Ａないし８３Ｎをバイパスすることによって、ストップバンドに加えて、システム１９０Ｂの共振周波数又は実効通過バンドを調整することができる。
実施例において、各対応するＳＡＭ１８４Ｄ、１８４Ｅ、１８４ＦのＳ×Ｎ個の制御信号は、同様に開くか又は閉じる。例えば、制御信号１８２Ａ、１８３Ａ、及び１８５Ａは、同時に開くか又は閉じる（モジュール１８４Ｄ、１８４Ｅ、１８４Ｆは協働している）。更なる実施例においては、１つのスイッチ１８２Ａないし１８２Ｎ、１８３Ａないし１８３Ｎ、１８５Ａないし１８５Ｎがいつでも開き、したがって、１つの共振器８２Ａないし８２Ｎ、８３Ａないし８３Ｎ、８４Ａないし８４Ｎが、いつでもアクティブである。実施例において、ＳＡＭ１８４Ｆに並列接続された可変キャパシタ９８Ｃだけが、それぞれアクティブな共振器８２Ａないし８２Ｎ、８３Ａないし８３Ｎの共振ｗｒを調整できる。選択的に共振器８４Ａないし８４Ｎをバイパスすることによって、ストップバンドに加えて、ＳＡＭ１９６Ｃの***振周波数又は実効通過バンドを調整することができる。
図５Ｆは、調整可能なモジュール９６Ｃが、図２Ｅ及び図２Ｉに関連して記載されていたモジュール９６Ｇに変更されている点を除いて、図５Ｅと同様である。モジュール９６Ｇは、ＡＷ８０Ｇに並列接続された可変キャパシタ９８Ｇ、及びＡＷ８０Ｇに直列接続された、可変キャパシタ９８Ｈを含んでいる。したがって、９６Ｇの***振ｗａは、キャパシタンスＣｖ１を持つ可変キャパシタ９８Ｇ、及びキャパシタンスＣｖ２を持つ可変キャパシタ９８Ｈによって、調整することができる。同様に、共振ｗｒは、キャパシタンスＣｖ２を持つ可変キャパシタ９８Ｈによって、調整することができる。キャパシタ９８Ｈは、高電圧にさらされ得る。
図５Ｇは、図２Ｄと同様の調整されたフィルタリングシステム１９０Ｃのブロック図である。ここで、調整可能な共振器９６Ａ、９６Ｂ、９６Ｃは、更に直列接続されている可変キャパシタ９８Ｉ、９８Ｊ、９８Ｈによって調整することができる。可変キャパシタ９８Ｉ 及び９８Ｊは、それぞれ、共振器８０Ａ、８０Ｂの共振周波数を調整（modulate or tune）することができる。このような調整によって、システム１９０Ｃは、調整可能なキャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃ、９８Ｉ、９８Ｊ、及び９８Ｈの関数として異なる通過バンド及びストップバンドを調整することができる。共振器８０Ａ、８０Ｂに直列接続されている調整可能なキャパシタ９８Ｉ、９８Ｊは、非常に高い電圧にさらされるため、キャパシタは、大きなものが必要となる。図２Ａないし図２Ｈに示されている共振器８０Ａないし８０Ｈは、図５Ｂないし図５Ｄに示されているように、ＳＡＭ１８４Ａ、１８４Ｂ、又は１８４Ｃに置きかえることができる。
実施例において、フィルタモジュールの分離、及びストップバンドの除去（rejection）を増加させることが望ましい。図７Ａは、様々な実施例に従った、フィルタモジュール２０２Ａのブロック図を示している。フィルタモジュール２０２Ａは、インダクタ２０４Ａとキャパシタ２０６Ａとの直列接続と、他のインダクタ２０４Ｂとキャパシタ２０６Ｂとの直列接続とが、並列接続されている。インダクタ２０４Ａ、２０４Ｂは、インダクタンスＬ１、Ｌ２を持ち、キャパシタ２０６Ａ、２０６Ｂは、キャパシタンスＣ１、Ｃ２を持つ。フィルタモジュール２０２Ａは、ｗ１及びｗ２での２つの通過バンドをｗｔでの除去ポイント（rejection point）の周囲に持つ。この除去ポイントは、フィルタモジュール２０２Ａの特性Ｑによって制限される。フィルタモジュール２０２Ａにおいて、通過バンドは、以下の式により計算される。
Figure 2014502803
 フィルタモジュール２０２Ａのインピーダンスは以下の式で計算される。
Figure 2014502803
 ここにおいて、
Figure 2014502803
 である。
図２Ｂにおいて説明したように、ＡＷ８０Ａは、キャパシタ８２Ｂ（キャパシタンスＣｍ）と直列にインダクタ８６Ａ（インダクタンスＬｍ）を含んでもよい。抵抗８４Ａ及びキャパシタ８２Ａは、インダクタ８６Ａ及びキャパシタ８２Ｂの関数としての名目上のもの（nominal）である。したがって、実施例において、フィルタモジュール２０２Ａは、ＡＷ２１４Ａ、２１４Ｂの並列接続によって表すことができる（図７Ｂに示すフィルタモジュール２１２Ａ）。この実施例において、弾性波モジュール２１４Ａは、フィルタモジュール２０２Ａのインダクタ２０４Ａ及びキャパシタ２０６Ａを表す。そして、フィルタモジュール２０２ＡのＡＷモジュール２１４Ｂは、インダクタ２０４Ｂ及びキャパシタ２０６Ｂを表す。
ＡＷ２１４Ａ、２１４Ｂの弾性（elasticity）及び慣性（inertia）は、実施例において、Ｌ１又はＬ２に関してＬｍ、C１及びＣ２に関してＣｍと等価の構成または選択できる。ＡＷ２１４Ａ、２１４Ｂにおいて、並列のキャパシタンスＣ０は、圧電物質の実効横断電気的フィンガのキャパシタンスを表し、抵抗Ｒｍは、ＡＷ２１４Ａ、２１４Ｂにおいて、機械的動きによって生成される熱（ＡＷの実効特性又はＱリミッタ）を表す。フィルタリングされる信号の関数として、通過バンド及び実効ストップバンド、ｗ１及びｗ２は、シフトされ、又は変更されることが望ましい。
図８Ａのフィルタモジュール２０８Ａに示すように、実施例において、低抵抗のスイッチ２０５Ａ、２０５Ｂに直列接続された複数のインダクターキャパシタフィルタモジュール（ＬＣＦ）２０２Ａと、２０２Ｂとを、並列に接続する。スイッチ２０５Ａは、（制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｂの関数として）閉じられたときに低抵抗となる１つ以上のＭＯＳ又はＭＯＳＦＥＴデバイスを含んでもよい。実施例において、ＬＣＦ２０２Ａは、第１の所望の通過バンド及びストップバンドを持ち、そしてＬＣＦ２０２Ｂは、第２の所望の通過バンド及びストップバンドを持つ。制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ２Ａを介して、信号は、フィルタモジュール２０８ＡのフィルタのＬＣＦ２０２Ａ又はＬＣＦ２０２Ｂのいずれかによって処理される。モジュール２０２Ａ、２０２Ｂは、並列に設置されているために、動作し得る信号パスは、信号スイッチ２０５Ａ、２０５Ｂの単一のスイッチの抵抗を含む。したがって、フィルタモジュール２０２Ａ、２０２Ｂの特性及びそれら除去の強さを向上させる。
実施例において、高い電圧または、限られた回路要素で信号を処理することが望ましい。フィルタモジュール２０８ＡのＬＣＦ２０２Ａ、２０２Ｂは、図８Ｂのフィルタモジュール２２２に示されるように、弾性波フィルタ（ＡＷＦ）２１２Ａ、２１２Ｂによって置きかえることができる。ＡＷＦ２１２Ａ、２１２Ｂは、図７Ｂに示されるように、並列接続された複数のＡＷモジュール２１４Ａ、２１４Ｂを含んでもよい。上述のように、ＡＷデバイスにおけるプロセスのばらつきのために調節を行うために、或いは温度変化のためのモジュールの変動のために、可変キャパシタ２１８Ａを並列接続することができる。そして、デバイスの通過バンド又はストップバンドをシフトすることができる。図８Ｃのフィルタモジュール２２４に示すように、可変キャパシタ２１８Ａを、１つ以上のＡＷＦ２１２Ａ、２１２Ｂに並列接続することができる。フィルタモジュール２２４において、キャパシタ２１８Ａのキャパシタンスは、ＡＷＦ２１２Ａ又はＡＷＦ２１２Ｂを調整するための２１６Ａ、２１６Ｂのコントロール信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｂの関数として、変動する。
図９Ｂは、様々な実施例におけるフィルタモジュール２３０Ａのブロック図である。フィルタモジュール２３０Ａは、第１のキャパシタンス調整可能なパラレルスイッチによるＡＷモジュールフィルタ２３２Ａ、第２のキャパシタンス調整可能なパラレルスイッチによるＡＷモジュールフィルタ２３２Ｂ、第１のキャパシタンス調整可能なパラレルスイッチによるＡＷＦモジュールフィルタ２２４Ａ、インピーダンス反転モジュール２２８Ａ、２２８Ｂを含み得る。モジュール２３２Ａは、反転モジュール２２８Ａを介して、モジュール２３２Ｂと接続され得る。そして、モジュール２３２Ｂは、反転モジュール２２８Ｂを介して、モジュール２２４Ａと接続され得る。モジュール２３４Ａは、グランドと、モジュール２３２Ａとに接続され得る。
実施例において、第１のキャパシタンス調整可能な、パラレルスイッチによるＡＷモジュールフィルタ２３２Ａは、ＡＷモジュール２１４Ａ、２１４Ｂ、スイッチ２１６Ａ、２１６Ｂ、及び可変キャパシタ２１８Ａを含み得る。ＡＷモジュール２１４Ａは、スイッチ２１６Ａと直列接続され、ＡＷモジュール２１４Ｂは、スイッチ２１６Ｂと直列接続されている。各モジュールで、スイッチペア２１４Ａ、２１６Ａ、２１４Ｂ、２１６Ｂは、可変キャパシタ２１８Ａと並列接続されている。同様に、第１のキャパシタンス調整可能な、パラレルスイッチによるＡＷモジュールフィルタ２３２Ｂは、ＡＷモジュール２１４Ｃ、２１４Ｄ、スイッチ２１６Ｃ、２１６Ｃ、及び可変キャパシタ２１８Ｂを含み得る。ＡＷモジュール２１４Ｃは、スイッチ２１６Ｃと直列接続され、ＡＷモジュール２１４Ｄは、スイッチ２１６Ｄと直列接続されている。各モジュールで、スイッチペア２１４Ｃ、２１６Ｃ、２１４Ｄ、２１６Ｄは、可変キャパシタ２１８Ｂと並列接続されている。
キャパシタンス調整可能な、パラレルスイッチによるＡＷＦモジュールフィルタ２２４Ａは、ＡＷＦモジュール２１２Ａ、２１２Ｂ、スイッチ２１６Ｅ、２１６Ｆ、及び可変キャパシタ２１８Ｃを含み得る。ＡＷＦモジュール２１２Ａは、スイッチ２１６Ｅと直列接続され、ＡＷＦモジュール２１２Ｂは、スイッチ２１６Ｆと直列接続されている。各モジュールで、スイッチペア２１２Ａ、２１６Ｅ、２１２Ｂ、２１６Ｆは、可変キャパシタ２１８Ｃと並列接続されている。ＡＷＦモジュール２１２Ａ、２１２Ｂの各々は、それぞれ２つの並列接続ＡＷモジュール２１４Ｃ、２１４Ｄ、及び２１４Ｅ、２１４Ｆを含む。キャパシタンス調整可能なＡＷモジュール２３４Ａは、ＡＷモジュール２１４Ｇと並列接続された可変キャパシタ２１８Ｄを含む。
図９Ａに示すように、実施例において、反転モジュール２２８Ａ、２２８Bは、K−フィルタ２２８であってもよい。フィルタ２２８は、直列接続の２つのキャパシタ２２６Ａ、２２６Bは、直列接続のキャパシタ２２６Ａ、２２６Bの間において、キャパシタ２２６Cと並列である。実施例において、キャパシタ２２６Ａ、２２６Bは、−Cのキャパシタンスを持ち、キャパシタ２２６Cは＋Cのキャパシタンスを持つ。図９Ｂに示すように、変転モジュール２２８Ａ、２２８Ｂのキャパシタ２２６Ｃは、グランドへも接続されている。
実施例において、モジュール２３４Ａは、固定の高い除去、及び調整可能な通過バンドを提供し、モジュール２３２Ａ、２３１Ｂは、移動可能な、スイッチ可能な通過バンド及び調整可能な除去バンドを提供し、そして、モジュール２２４Ａは、変更可能な、スイッチ可能な、高い除去ポイント及び通過バンドを提供することができる。図９Ｂのフィルタモジュール２３０Ａは、図１０Ａ、図１０Ｂに示す周波数応答２４０Ａ、２４０Ｂを提供するために用いることができる。ここで、制御信号Ｓ１Ｂ、Ｓ１Ｄ、Ｓ１Ｆがインアクティブ、アクティブのとき、それぞれ制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｃ、Ｓ１Ｅは、アクティブ、インアクティブである。これによって、図１０Ａ、図１０Ｂ（２４０Ａ、２４０Ｂ）に示す通過バンド、及びストップ又は除去バンドをシフトすることができる。図９Ｃに示す２３０Ｂの実施例において、図９Ｂの反転モジュール１１８Ａ、２２８Ｂは、グランドに接続された１つ以上のキャパシタ２２６Ｄ、２２６Ｅに置きかえることができる。
図１１は、種々の実施例に従ったフィルタ周波数応答２５０を示している。図１１は、第１の周波数応答２５９Ｂ及び第２の周波数応答２５８Ａを示している。実施例において、フィルタレスポンス２５８Ａ、２５８Ｂは、通過バンド２６１を含み、通過バンドエッジ２６２及びストップバンド２６３を持っている。更にフィルタ応答２５８Ａ、２５８Ｂは、（通過バンドエッジ２６２を形成する）通過バンド領域２６１に最大許容ロス２５２、及びストップバンド２６３に最小減衰又は除去２５６を持つ。更に、ストップバンド２６３の最小減衰又は除去２５６は、特定の周波数２５４すなわちチャネル境界又はカットオフ周波数までには達成されていることが望ましい。実施例において、図１３Ｂの共振モジュール２９２Ｂのようなフィルタメカニズム又はモジュールは、理想的な動作及び理想的な製造状態において、第１の周波数応答２５８Ｂを提供する。同一のフィルタ２９２Ｂは、理想的でない動作又は理想的でない製造状態においてシフトされた周波数応答２５８Ａを生成する。実施例において、温度の変動及び製造のばらつきにより、周波数応答が２５８Ｂから２５８Ａにシフトする。
フィルタモジュール２９２Ｂの周波数応答の潜在的な（２５８Ｂから２５８Ａへの）シフトがあるため、フィルタ２９２Ｂを通過した信号の通過バンド２６１の領域又は幅は、狭く又は減少させることが望ましい。これによって、要求された周波数２５４において最小の要求された減衰２５６が達成される。要求された周波数２５４は、他のチャネルの開始であってもよく、かつフィルタモジュール２９２Ｂは、隣接チャネルへの信号漏れを防止するよう要求され得る。チャネル境界２５４と通過バンドエッジ２６２との間の距離は、フィルタ又はチャネルのガードバンドと通常称される。図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃに示されるチャネルアーキテクチャ３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃのようなシステム又はアーキテクチャにおいて、ガードバンド（図１５Ｂの３１６Ｂ、及び図１５Ｃの３１８Ｂ）は、欠落又は使用されないバンド幅を示している。したがって、フィルタの温度及びプロセス又は製造のばらつき、又は隣接チャネルとの間の信号漏れを制限又は防止するために採用されるフィルタアーキテクチャの影響を減少させることによって、ガードバンド３１６Ｂ、３１８Ｂを最小にすることが望ましい。
図１２は、種々の実施例に従ったフィルタ構成方法２７０のフローチャートを示している。方法２７０において、最大通過バンドロス２５２が選択される。このロスレベルは、（標準又は他の通信プロトコル制定機関によって）要求又は示されている（アクティビティ２７２）。隣接チャネルへの信号漏れを減少させ又は防止するのに必要なフィルタ応答ストップバンド最小減衰量２５６が選択される。この最小減少量は、（標準又は他の通信プロトコル制定機関によって）要求又は示されている（アクティビティ２７４）。更に、最小減少量２５６に対する最小ストップバンドエッジ２５４も、選択される。この最小ストップバンドエッジ２５４は、（標準又は他の通信プロトコル制定機関によって）要求又は示されている（アクティビティ２７６）。
方法２７０において、最小ストップバンドエッジ２５４が、事前にシフトされる（pre-shifted）。これによって、フィルタ応答２５８Ｂを達成することができる。温度又はプロセスのばらつきによってシフトされたときにも、所望の又は要求された境界又はエッジ２５４までに、最小減衰量２５６を達成することができる（アクティビティ２７８）。更に、加えてフィルタ通過バンド２６２エッジを、シフトさせてもよい。これによって、利用できる信号バンド幅を効果的に減少させ、最大ロス２５２よりも低いところが通過バンドにおいて存在することを確実にする。このようにして、効果的なガードバンド３１６Ｂ、３１８Ｂが増大する。
図１３Ａは、種々の実施例に従ったフィルタアーキテクチャ２９０Ａの単純化されたブロック図を示している。フィルタアーキテクチャは、フィルタ２９２Ａを含み、調整可能なフィルタ２９４Ａに直列接続されている。実施例において、フィルタ２９２Ａは、図１１の２５８Ａに示すような理想の周波数応答を持つ。しかしながら、これは、温度又はプロセスのばらつきに依存する。ここで、固定されたフィルタ２９２Ａの周波数レスポンスは、図１４Ａに示すように、フィルタ応答３００Ａにシフトし得る。このような最悪の場合の周波数応答３０２Ａは、受け入れることができない。これによって、理想的なチャネル又は信号境界２５４から信号漏れが生じるからである。周波数応答３０２Ａは、それ以外については、安定した通過バンド及びストップバンドを有する。
調整可能なフィルタ２９４Ａは、図１３Ｂに示すモジュール２９４Ｂのような調整可能な周波数応答を持つ。この場合、温度の変化及び製造のばらつきは、調整可能なキャパシタ２１８Ａなどの調整可能な要素によって、修正され又は調整される。調整可能なフィルタ２９４Ａは、図１４Ｂに示す周波数応答３００Ｂを持ち得る。図１４Ｂに示すように、周波数応答３０２Ｂは、所望の又は要求された、エッジ２６２を伴う最大通過バンドロス２５２を達成する。エッジ２６２は、（潜在的なシフトを考慮して調整された場合）フィルタ３０２Ａよりも高い周波数となり、かつ対応してより狭い必要なガードバンド３１６Ｂ、３１８Ｂとなる。調整可能なフィルタ２９４Ａに対するフィルタ応答３０２Ｂも、境界２５４（図１４Ｂにおける点３０３Ｂ）までに、最小減少量２５６を満足することが望ましい。この調整可能なフィルタ２９４Ａの応答３０２Ｂは、隣接チャネル３０５内において、第２の、許容できない通過バンド３０４Ｂを持ち得る。したがって、単一のフィルタとしては、許容できるものではない。
実施例においてフィルタモジュール２９２Ａ、２９２Ｂ及び調整可能なフィルタ２９４Ａ、２９４Ｂ、２９０Ａ、２９０Ｂは、それぞれ、これらの組合せで、図１４Ｃに示す周波数共振３００Ｃを形成する。図１４Ｃに示すように、正味の（ｎｅｔ）周波数応答は、後続のフィルタ２９２Ａ、Ｂのストップバンド３０４Ａなしのフィルタフィルタ２９４Ａ、Ｂの所望のストップバンドを含み得る。更に、フィルタ２０２Ａ、Ｂのストップバンドエッジ３０３Ａは、温度の変化及びプロセスのばらつきによって変化するが、フィルタ２９４Ａ、Ｂが、不要な第２の通過バンド３０４Ｂを抑制することは、十分になされる。その結果得られる周波数応答３００Ｃは、温度の変化及びプロセスのばらつきにかかわらず、所望の境界又は周波数カットオフ２５４に至るまでに、許容できる通過バンドロス２５２及び最小ストップバンド減少量２５６を得ることができる。
図１３Ｂは、種々の実施例にしたがって、調整可能な共振器モジュール２９４Ｂ及び共振器モジュール２９２Ｂを含むフィルタアーキテクチャ２９０Ｂのブロック図を示している。共振器モジュール２９２Ｂは、図１４Ａに示す周波数応答３００Ａと同様の周波数応答を呈する調整可能でないフィルタであってもよい。共振器モジュール２９２Ｂは、表面弾性波（ＳＡＷ）及びバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスを含む。このデバイスは、弾性波のエネルギ変換を可能とする。弾性波デバイスにおいて、電気的エネルギは、機械的エネルギに変換され、圧電素子によって電気的エネルギに逆変換される。圧電物質は、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、及びランタムガリウムシリケートが含まれる。導電性要素の１つ以上の横断フィンガ（transverse finger）が、圧電物質に置かれ、電気的エネルギを機械的エネルギに変化し、電気的エネルギを機械的エネルギに戻す。
実施例において、調整可能な共振器２９４Ｂは、１つ以上の弾性波モジュール又はデバイス２１４Ａ、２１４Ｂ、及び調整可能なキャパシタ２１８Ａを含む。図１３Ｂに示すように実施例においてＡＷモジュール２１４Ａ、２１４Ｂ、及び調整可能なキャパシタ２１８Ａは、並列接続され得る。既に述べたように、この構成は、除去点ｗｔの周辺に２つの通過バンドｗ１及びｗ２を有し得る。ｗ１及びｗ２における通過バンドは、図１４Ｂに示されたフィルタ共振コンポーネント３０２Ｂ及び３０４Ｂに対応し、ｗｔの除去点は、コンポーネント３０３Ｂに対応する。ＡＷ２１４Ａ、２１４Ｂに並列接続された可変キャパシタ２１８Ａは、温度の変化又はプロセスのばらつきを修正するように、フィルタモジュール２９４Ｂの周波数応答３００Ｂを調整又は変更する。図２Ａないし図２Ｈ、図４、図５Ａないし図５Ｇ、図７Ｂないし図８Ｃ、及び図９Ｂないし図９Ｃに示した他の共振器フィルタは、全てまたは一部が、調整可能な共振器又はフィルタ２９４Ｂとして採用することができる。
図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、及び図１６Ｄに示したように、異なるフィルタ要求又はパラメータに対して、フィルタアーキテクチャ２９２Ｂを修正することができる。図１６Ａに示すように、フィルタアーキテクチャ３３０Ａは、スイッチ可能かつ調整可能なフィルタモジュール３３４Ａを含み得る。このようなモジュール３３４Ａ及び得られるアーキテクチャ（及びスイッチ可能な周波数応答）は、１つ以上の信号を処理する様々なフィルタを必要とする通信アーキテクチャにおいて採用される。図１６Ｂに示されるように、スイッチ可能な、調整可能なフィルタアーキテクチャ３３０Ｂは、第１のスイッチ可能な調整可能なフィルタモジュール３３５Ａ及び第２のスイッチ可能な調整可能なフィルタモジュール３３５Ｂを含み得る。３３５Ａ、３３５Ｂの各々のモジュールは、モジュール２９２Ｂ（図１４Ｂ）と類似のフィルタモジュール３３２Ｂ、３３２Ｃを含む。スイッチ可能な調整可能なモジュール３３５Ａ、３３５Ｂの各々は、ＡＷＦ２１２Ａ、ＡＷＦ２１２Ｂ、スイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｅ及び２１６Ｆ、２１７Ｆ、及びＡＷＦ９６Ｃ、９６Ｆを更に含む。
各ＡＷＦモジュール２１２Ａ、２１２Ｂは、それぞれ並列接続された２つのＡＷモジュール２１４Ｃ、２１４Ｄ、及び２１４Ｅ、２１４Ｆ、及び更にそれぞれ並列に２つのＡＷモジュール２１４Ｃ、２１４Ｄ、及び２１４Ｅ、２１４Ｆに接続された可変キャパシタ２１８Ｃ、２１８Ｄを含み得る。調整可能なモジュール３３５Ａ、３３５Ｂは、ＡＷ３３２Ｂ、３３２Ｃ、及び２１２Ａ、２１２Ｂ、及びグランドの間に位置する、ＡＷＦモジュール９６Ｃ、９６Ｄを含む。ＡＷＦ９６Ｃ、９６Ｄの各々は、ＡＷモジュール８０Ｃ、８０Ｆ、及びＡＷモジュール８０Ｃ、８０Ｆに並列接続された調整可能なキャパシタ９８Ｃ、９８Ｆを含み得る。スイッチ可能な調整可能なモジュール３３５Ａ、３３５Ｂの各々は、並列接続される。上述のように、ＡＷＦモジュール２１２Ａ、２１２Ｂの各々は、除去点ｗの周辺に２つの通過バンドｗ１及びｗ２を含む周波数応答を持ち得る。実施例において、スイッチ可能な調整可能なアーキテクチャ３３０Ｂは、２つのモードで動作することができる：モード１（スイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｆを閉じ、かつスイッチペア２１６Ｆ、２１７Ｆを開く）（図１７Ａ及び図１７Ｂに示す周波数応答３２０Ａ及び３２０Ｂが結合され、図１７Ｃに示す応答３２０Ｃを形成する）、モード２（スイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｆを開き、かつスイッチペア２１６Ｆ、２１７Ｆを閉じる）（図１７Ｄ及び図１７Ｅに示す周波数応答３２０Ｄ及び３２０Ｅが結合され、図１７Ｆに示す応答３２０Ｆを形成する）。
ＡＷモジュール３３２Ｂ、３３２Ｃは、図１７Ａ及び図１７Ｄに示すように、それぞれ周波数応答３２０Ａ、２３０Ｄを持つ。この周波数応答３２０Ａ、３２０Ｄが、スイッチ可能な調整なＡＷモジュール３３５Ａの周波数応答モード１の３２０Ｂ（図１７Ｂ）、又は、調整可能なＡＷモジュールの３３５Ｂモード２の３２０Ｄ（図１７Ｅ）と結合された場合、結果として得られる周波数応答は結合され、モード１で２３０Ｃ（図１７Ｃ）、又はモード２で３２０Ｆ（図１７Ｆ）となる。このようなスイッチ可能な調整可能なフィルタアーキテクチャ３３０Ａ、３３０Ｂは、異なるフィルタモードを要求するチャネルアーキテクチャにおいて適用される。この点は、図１５Ａないし図１５Ｃに示されている。このＡＷＦ９６Ｃ、９６Ｆは、ＡＷ８０Ｃ、８０Ｆの構成の関数として、追加的なストップバンドを提供する。
図１５Ａのチャネル構成３１０Ａにおいて、時分割多重（ＴＤＤ：time division multiplex）バンド３８は、バンド７の送信チャネルと、バンド７の受信チャネルとの間に位置する。実施例においてバンド７は、ＬＴＥ（long term evolution）システムの周波数分割二重（ＦＤＤ：frequency division duplex）スペクトルであってもよく、バンド３８は、ＬＴＥシステム又はアーキテクチャのＴＤＤスペクトルであってもよい。結合されたＬＴＥ ＦＤＤ、ＴＤＤスペクトルバンド３８において、スペクトル３１４Ａは、バンド７のスペクトル３１２Ａ、３１２Ｂの間のサンドイッチとなっている。ＴＤＤチャネル又はバンド３８が送信している場合（図１５Ｂの３１０Ｂに示す）、バンド３８は、ＲＸバンド７の３１２Ｂに漏れてはならないことが望ましい。バンド３８の送信モード３１０Ｂにおいて、フィルタアーキテクチャ３３０Ｂのモード１が採用され、図１７Ｃに示す周波数応答３２Ｃが生成される。
バンド３８の送信モードでのチャネル構成３１０Ｂにおいて、ガードバンド３１６Ｂは、バンド３８の送信セクション又は通過バンド３１６Ａと、バンド７の受信バンド３１２Ｂとの間に位置する。モード１において、フィルタアーキテクチャ３３０Ｂは、図１７Ｃに示す周波数応答３２０Ｃを生成する。この場合、ストップバンド３２４Ａは、ガードバンド３１６Ｂに位置する。バンド３８の受信モード（図１５Ｃ、３１０Ｃ）の場合、バンド７の送信チャネル３１２Ａは、バンド３８の受信チャネル３１８Ａを干渉する。この構成において、図１６Ｂのフィルタアーキテクチャ３３０Ｂは、第２のモード（モード２）で動作し、図１７Ｆに示す周波数応答３２０Ｆを生成する。周波数応答３２０Ｆのストップバンド３２４Ｂは、バンド３８が受信モードの場合、ガードバンド３２８Ｂに位置する。図１６Ｂに示すアーキテクチャ３３０Ｂは、ガードバンドのサイズ３１６Ｂ、３１８Ｂを減少させ、（図１５Ａないし図１５Ｃに示す実施例におけるバンド３８の）広いバンド幅の利用を可能とする。
他のフィルタの実施例３３０Ｃが図１６Ｃに示されている。フィルタ３３０Ｃは、第１の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール３３４Ｃ及び第２の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール３３４Ｄを含み、これらは直列接続されている。第１の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール３３４Ｃは、第１の共振器３３２Ｂ、第１の調整可能な共振器２１２Ａ、第１の設置された調整可能な共振器９６Ｃ、及び第１の反対スイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｅを含む。スイッチ２１７Ｅ、第１の共振器３３２Ｂ、及び第１の調整可能な共振器２１２Ａは、一体的に直列接続され得る。そして、直列接続グループ（２１７Ｅ、３３２Ｂ、２１２Ａ）はスイッチ２１６Ｅと並列接続され得る。ＡＷＦモジュール９６Ｃは、ＡＷ３３２Ｂと２１２Ａとグランドとの間に位置し得る。ＡＷＦ９６Ｃは、ＡＷモジュール８０Ｃと、ＡＷモジュール８０Ｃに並列接続された調整可能なキャパシタ９８Ｃとを含む。
同様に、第２の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール３３４Ｄは、第２の共振器３３２Ｃ、第２の調整可能な共振器２１２Ｂ、第２の設置された調整可能な共振器９６Ｆ、及び第２の反対スイッチペア２１６Ｆ、２１７Ｆを含む。スイッチ２１７Ｆ、第２の共振器３３２Ｃ、及び第２の調整可能な共振器２１２Ｂは、一体的に直列接続され得る。そして、直列接続グループ（２１７Ｆ、３３２Ｃ、２１２Ｂ）はスイッチ２１６Ｆと並列接続され得る。ＡＷＦモジュール９６Ｆは、ＡＷ３３２Ｃと２１２Ｂとグランドとの間に位置し得る。ＡＷＦ９６Ｆは、ＡＷモジュール８０Ｆと、ＡＷモジュール８０Ｆに並列接続された調整可能なキャパシタ９８Ｆとを含む。
フィルタモジュール３３４Ｃは、アクティブである場合（スイッチ２１６Ｅ開、スイッチ２１７Ｅ閉、スイッチ２１６Ｆ閉、スイッチ２１７Ｆ開（モード１））、図１７Ｃに示す周波数応答３２０Ｃを提供する。フィルタモジュール３３４Ｄは、アクティブである場合（スイッチ２１６Ｅ閉、スイッチ２１７Ｅ開、スイッチ２１６Ｆ開、スイッチ２１７Ｆ閉（モード２））、図１７Ｆに示す周波数応答３２０Ｆを提供する。他のモード、モード３において、スイッチ２１６Ｅ及び２１６Ｆの両者は開き、かつ２１７Ｅ、２１７Ｆは閉じる（フィルタモジュール３３４Ｃ、３３４Ｄの両者が動作する）場合、得１７Ｇに示す周波数応答３２０Ｇを生成する。このような周波数応答は、結合されたフィルタのいずれのサイドにおいてもバンドを保護する。これは、図１５Ａに示すバンド７の送信バンド３１２Ａ及び受信バンド３１２Ｂである。ＡＷＦ９６Ｃは、ＡＷ８０Ｃの構成の関数として追加的なストップバンドを提供する。
フィルタシステム又はアーキテクチャ３３０Ｃは、潜在的なロス及びオープンスイッチ２１６Ｆ、２１７Ｅ（モード２）、スイッチ２１６Ｅ、２１７Ｆ（モード１）のキャパシタンスがあるために、モード１又は２において許容できない挿入ロスが発生する場合がある。他のフィルタアーキテクチャ３３０Ｄは、図１６Ｄに示すように、モード１、２、及び３に対して、より少ない挿入ロスとなる。図１６Ｄに示すように、フィルタアーキテクチャ３３４Ｅは、第１のフィルタモジュール３３６Ａ、第２のフィルタモジュール３３６Ｂ、及び第３のフィルタモジュール３３６Ｃを含み、全てが互いに並列接続される。第１のフィルタモジュール３３６Ａは、第１の共振器３３２Ｂ、第１のＡＷＦ２１２Ａ、第１の設置されたＡＷＦ９６Ｃ、及びスイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｅを含み直列接続されている。直列接続されたこれらの共振器は、図１７Ｃに示す周波数応答３２０Ｃを提供する（モード１：スイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｅ閉、スイッチペア２１６Ｆ、２１７Ｆ開、かつスイッチペア２１６Ｇ、２１７Ｇ開）。
第２のフィルタモジュール３３６Ｂは、第２の共振器３３２Ｃ、第２のＡＷＦ２１２Ｂ、第２の設置されたＡＷＦ９６Ｆ、及びスイッチペア２１６Ｆ、２１７Ｆを含み直列接続されている。直列接続されたこれらの共振器は、図１７Ｆに示す周波数応答３２０Ｆを提供する（モード２：スイッチペア２１６Ｅ、２１７Ｅ開、スイッチペア２１６Ｆ、２１７Ｆ閉、かつスイッチペア２１６Ｇ、２１７Ｇ開）。第３のフィルタモジュール３３６Ｃは、第１の共振器３３２Ｂ、第１のＡＷＦ２１２Ａ、第２の共振器３３２Ｃ、第２のＡＷＦ２１２Ｂ、第１の設置されたＡＷＦ９６Ｃ、第２の設置されたＡＷＦ９６Ｆ、及びスイッチペア２１６Ｇ、２１７Ｇを含み、直列接続されている。モード３において、結合された共振器３３２Ｂ、２１２Ａ、３３２Ｃ、及び２１２Ｂは、図１７Ｇに示す周波数応答３２０Ｇを提供する。
信号処理アーキテクチャ３３０Ｅを図１６Ｅに示す。アーキテクチャ３３０Ｅは、第１のフィルタシステム２１５Ａ、第２のフィルタシステム２１５Ｂ、２ポジションスイッチ２１６Ｈ、パワーアンプ（ＰＡ）１２、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）１４、アンテナ５０、及びミキサ６０Ａを含む。アンテナ５０を介して送信されるべき信号８は、ＰＡ１２によって増幅され、増幅された信号２２を提供する。その結果生じる信号２２は、望まれる又は許される送信バンド幅を超える信号コンテンツ、例えば図１５Ｂに示すバンド３８の送信チャネル３１６Ａを含み得る。この結果として得られる信号２２は、フィルタシステム２１５Ａによってフィルタリングされる。このフィルタシステム２１５Ａは、第１の共振モジュール３３２Ｂ、第１の設置された共振モジュール９６Ｃ（含共振器８０Ｃ及び調整可能な共振器９８Ｃ）、及び第１の並列共振器モジュール（含共振器２１４Ｃ、２１４Ｄ及び調整可能なキャパシタ２１８Ｃ）を含み得る。実施例において、第１のフィルタシステム２１５Ａは、図１７Ｃに示す周波数応答３２０Ｃを生成する。
このフィルタリングされた信号は、スイッチ２１６Ｈを介して、アンテナ５０に接続される。同様に、アンテナ５０によって受信された信号４２は、第２のフィルタシステム２１５Ｂによってフィルタリングされる。このフィルタシステム２１５Ｂは、第２の共振モジュール３３２Ｃ、第２の設置された共振モジュール９６Ｆ（含共振器８０Ｆ及び調整可能な共振器９８Ｆ）、及び第２の並列共振器モジュール（含共振器２１４Ｅ、２１４Ｆ及び調整可能なキャパシタ２１８Ｄ）を含み得る。実施例において、第２のフィルタシステム２１５Ｂは、図１７Ｆに示す周波数応答３２０Ｆを生成する。受信された信号のフィルタリングされた結果は、ＬＡＮ１４によって増幅される。フィルタリングされ増幅された受信信号は、ミキサ６０Ａ及び基準周波数信号６０Ｂを介して、他の中心周波数（すなわち通過バンド）にシフトされ、受信された信号６０Ｃはフィルタリングされ増幅され周波数シフトされる。
図１８に、実施例における方法３４０を示す。この方法では、図１３Ａ、図１３Ｂ、及び図１６Ａないし図１６Eに示す、それぞれフィルタアーキテクチャ２９０Ａ、２９０Ｂ、３３０Ａないし３３０Ｅを採用することができる。方法３４０において、（要求され、又は指示される）最大挿入ロス（通過バンド最大ロス）２５２が選択される（アクティビティ３４２）。（要求され、又は指示される）ストップバンド最小エッジ２５４が選択される（アクティビティ３４４）。同様に、（要求され、又は指示される）ストップバンドエッジに対する最小減衰量２５６が更に選択される（アクティビティ３４６）。これらの要求２５２、２５４、２５６に基づいて、最大通過バンドロス２５２の要求が満たされ、かつ点２５４にストップバンドが設定されるよう、更に少なくとも減衰量２５６に設定されるよう、調整可能な共振器フィルタ２９４Ａ、２９４Ｂ、３３４Ａ、３３４Ｂが構成される（アクティビティ３４８）。共振器フィルタ２９２Ａ、２９２Ｂ、３３２Ａ、３３２Ｂ、３３２Ｃは、可能性のある温度変化及びプロセスのばらつきに基づいて、当初のストップバンド２５４を通過（pass）が超えるストップバンドを持ち、最小減少量２５６及び最大通過バンドロス２５２を持つよう構成される（アクティビティ３５２）。アクティビティ３４８、３５２は、どの順序で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
図１９Ａは、電気的信号フィルタモジュール３６０Ａのブロック図を示しレいる。このフィルタモジュール３６０Ａは、共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを含む。様々な実施例に従って、共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃは、それぞれフィルタ周波数応答３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃを持つ。共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃは、それぞれ対応する電気的コンポーネントに基づいて、様々な実施例に従って、図２Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂに示すように特性が表現される。図２Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂに示すように、共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃは、直列接続されているインダクタ８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ、第２のキャパシタ８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ、及び抵抗８４Ａ、８４Ｂ、８４Ｃに並列接続された第１のキャパシタ８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃで構成され得る。ここで、実施例においては、キャパシタ８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃ、８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃは、それぞれキャパシタンスＣＯＡ、ＣＯＢ、ＣＯＣ、ＣＭＡ、ＣＭＢ、ＣＭＣを持ち、インダクタ８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃは、インダクタンスをＬＭＡ、ＬＭＢ、ＬＭＣを持ち、かつ抵抗８４Ａ、８４Ｂ、８４Ｃは、ＲＭＡ、ＲＭＢ、ＲＭＣ抵抗値を持つ。
実施例において、ＣＭＡ、ＣＭＢ、ＣＭＣ及びＬＭＡ、ＬＭＢ、ＬＭＣの値は、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの弾性及び慣性に関係する。実施例において、ＣＯＡ、ＣＯＢ、ＣＯＣの値は、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの圧電物質の横断電気的フィンガの実効キャパシタンスを表す。実施例において、ＲＭＡ、ＲＭＢ、ＲＭＣの値は、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの機械的動きによって生成される熱を表し得る（ＡＷの実効特性又はＱリミッタ）。共振器８０Ａにおける第１のキャパシタ８１Ａ、インダクタ８６Ａ、第２のキャパシタ８２Ｂ、及び抵抗８４Ａの値として、ＣＯＡ、ＣＭＡ、ＬＭＡ、及びＲＭＡを用いると、以下の式によって、弾性（ＡＷ）デバイス８０Ａの共振ｗｒ及び***振ｗａは以下の式によって表される。
Figure 2014502803
これらの式を用いて、ＡＷ８０Ａは図１９Ａに示す周波数応答３６２Ａを持つ。この応答は、ローパスフィルタに類似しており、通過バンドとして、共振周波数としてｆｒ１近傍、及びストップバンドとして***振ｆａ１近傍の特性を有する。同様にＡＷ８０Ｂは、図１９Ａに示す周波数応答３６２Ｂを呈する。この応答は、ローパスフィルタに類似しており、通過バンドとして、共振周波数としてｆｒ２近傍、及びストップバンドとして***振ｆａ２近傍の特性を有する。ＡＷ８０Ｃは、図１９Ａに示す周波数応答３６２Ｃを呈する。この応答は、ローパスフィルタに類似しており、通過バンドとして、共振周波数としてｆｒ３近傍、及びストップバンドとして***振ｆａ３近傍の特性を有する。ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの共振及び***振周波数ｆｒ１、ｆｒ２、ｆｒ３及びｆａ１、ｆａ２、ｆａ３は、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃのデバイスの物理的特徴の関数として決定（固定）される。機械的特徴に基づく、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃのデバイスが結果的に呈する周波数応答を用いて、デバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの様々な組合せによって、様々なフィルタ応答が形成される。
図１９Ｂは、図１９Ａの共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを含む電気的フィルタモジュール３６０Ａの３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃのフィルタ周波数応答であり、ここでは、種々の実施例に従った中心周波数ｆｃを持つ第１の通過バンドフィルタ構成３６４Ａを示す。図１９Ｄは、図１９Ａの共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを含む電気的フィルタモジュール３６０Ａの３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃのフィルタ周波数応答であり、ここでは、種々の実施例に従った中心周波数ｆｃを持つ第１の通過バンドフィルタ構成３６４Ｃを示す。
図１９Ｂ及び図１０ＤにおいてＡＷデバイス８０Ａの周波数応答３６２Ａの共振周波数ｆｒ１は、フィルタ３６４Ａのｆｃより高くなるよう構成されている。そのため、***振ｆａ１近傍の、そのストップバンドもフィルタ３６４Ａのｆｃ及びその共振周波数ｆｒ１より高い。同様に、ＡＷデバイス８０Ｂの周波数応答３６２Ｂの共振周波数ｆｒ２は、フィルタ３６４Ａのｆｃ、及びＡＷデバイス８０Ａの周波数応答３６２Ａの共振周波数ｆｒ１より高くなるよう構成されている。***振ｆａ２の近傍のＡＷデバイス８０Ｂのストップバンドも、フィルタ３６４Ａのｆｃ、その共振周波数ｆｒ２、及びＡＷデバイス８０Ａの共振周波数ｆｒ１、及び***振周波数ｆａ１よりも高い。短絡パーツＡＷデバイス８０Ｃの周波数応答３６２Ｃの***振周波数ｆａ３は、フィルタ６３４Ａのｆｃより低く構成される。したがって、共振ｆｒ３の近傍のそのストップバンドも、フィルタ３６４Ａのｆｃ及びその***振周波数ｆａ３よりも低い。図１９Ｄに示すように、図１９Ｂに示す（ＡＷデバイスの物理的特徴に基づく）実効的な周波数応答３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃを持つ、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの組合せは、バンド幅３６６Ａを持つ帯域通過フィルタ３６４Ｃを形成する。
図１９Ｃは、種々の実施例に従って、中心周波数ｆｃを持つノッチフィルタ構成３６４Ｂの図１９Ａの共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを含む電気的信号フィルタモジュール３６０Ａのフィルタ応答３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃのグラフを示す。図１９Ｅは、種々の実施例に従った中心周波数ｆｃを持つノッチフィルタ構成３６４Ｅの図１９Ａの共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを含む電気的信号フィルタモジュール３６０Ａの周波数応答３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃの実効的な組合せのグラフを示す。
図１９Ｃ及び図１９Ｅにおいて、ＡＷデバイス８０Ａの周波数応答３６２Ａの***振ストップバンド周波数ｆａ１は、フィルタ３６４Ａのｆｃよりも低く、このため、共振ｆｒ１の近傍の通過バンドもフィルタ３６４Ａのｆｃ、及びその***振周波数ｆａ１よりも低い。ＡＷデバイス８０Ｂの周波数応答３６２Ｂの***振周波数ｆａ２は、フィルタ３６４Ｂの中心周波数ｆｃの近傍で、ＡＷデバイス８０Ａの周波数応答３６２Ａの***振周波数ｆａ１より高く構成され得る。ＡＷデバイス８０Ｂの共振ｆｒ２近傍の通過バンドも、フィルタ３６４Ｂのｆｃ、その***振周波数ｆａ２、及びＡＷデバイス８０Ａの***振周波数ｆａ１より低い。共振ｆｒ２の近傍のＡＷデバイス８０Ｂの通過バンドは、ＡＷデバイス８０Ａの共振周波数ｆｒ１よりも高い。
短絡パーツＡＷデバイス８０Ｃの周波数応答３６２Ｃのストップバンド共振周波数ｆｒ３は、フィルタ３６４Ａのｆｃよりも高く構成される。したがって、***振ｆａ３の近傍のその通過バンドも、フィルタ３６４Ａのｆｃ、及びその共振周波数ｆｒ３よりも高い。図１９Ｅに示すように、（ＡＷデバイスの物理的特徴に基づく）図１９Ｃの周波数応答３６２Ａ、３６２Ｂ、３６２Ｃを持つ、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの有効な組合せは、バンド幅３６６Ｂを持つノッチフィルタ３６４Ｄを形成し得る。
図２１Ａは、種々の実施例に従った、共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｄ、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、及び９８Ｄ、を含む、調整可能な電気的信号フィルタモジュール３８０Ａのブロック図、及び、共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｄのそれぞれのフィルタ周波数応答３６２Ａ、３６２Ｃ、３６２Ｄのグラフを示す。実施例において、可変キャパシタ９８Ａは、ＡＷデバイス８０Ａに並列接続されている。可変キャパシタ９８Ｃは、ＡＷデバイス８０Ｃに並列接続されている。可変キャパシタ９８Ｄは、ＡＷデバイス８０Ｄに並列接続されている。可変キャパシタ９８Ｃに並列接続されたＡＷデバイス８０Ｃは、第１の短絡パスを形成する。可変キャパシタ９８Ｄに並列接続されたＡＷデバイス８０Ｄは、第１の短絡パスを形成する。
図１９Ａと同様に、ＡＷ８０Ａは、図２１Ａに示す周波数応答３６２Ａを呈する。この応答は、共振周波数ｆｒ１近傍での通過バンドと、***振ｆａ１近傍でのストップバンドとを持つローパスフィルタに類似している。ＡＷ８０Ｃは、短絡パスを形成し、図２１Ａに示す周波数応答３６２Ｃを形成する。これは、その***振ｆａ３近傍で通過バンドと、共振周波数ｆｒ３近傍でストップバンドとを持つハイパスフィルタに類似する。ＡＷ８０Ｄも、短絡パスを形成し、図２１Ａに示す周波数応答３６２Ｄを形成する。これは、その***振ｆａ４近傍で通過バンドと、共振周波数ｆｒ４近傍でストップバンドとを持つハイパスフィルタに類似する。
共振器ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄは、周波数ｆｒ１、ｆｒ３、ｆｒ４、及びｆａ１、ｆａ２、ｆａ４において、共振及び***振し、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄの機械的特徴の関数として調整される。上述のように、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄは、デバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄの特性をシフトする。機械的な特性に基づく、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄによって結果的に得られる周波数応答を利用することによって、デバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄの様々な組合せで、様々なフィルタ応答が形成され得る。
図２１Ｂは、種々の実施例に従った、電気的信号フィルタモジュール３８０Ａ（図２１Ａ）のフィルタの周波数応答３６２Ａ、３６２Ｃ、３６２Ｄを示し、図２１Ａの共振器８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄの、中心周波数ｆｃを持つノッチフィルタ構成３８０Ｂを示す。図２１Ｃは、図２１Ａの共振器８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄを含む電気的フィルタモジュール３８０Ａのフィルタ周波数応答３６２Ａ、３６２Ｃ、３６２Ｄの実効的な組合せ３８０Ｃを示すグラフである。このフィルタは、ノッチ構成３８０Ｃであり、種々の実施例に従って、中心周波数ｆｃ及びバンド幅３８６Ｃを持つ。
図２１Ｂ及び２１Ｃにおいて、ＡＷデバイス８０Ａの周波数応答３６２Ａの***振ストップバンド周波数ｆａ１は、フィルタ３８０Ｂのｆｃより低く構成される。これによって、共振ｆｒ１近傍の通過バンドは、フィルタ１８０Ｂのｆｃ及びその***振周波数ｆａ１よりも低い。短絡パーツＡＷデバイス８０Ｃの周波数応答３６２Ｃのストップバンド共振周波数ｆｒ３は、フィルタ３８０Ａのｆｃ近傍に構成される。したがって、その***振ｆａ３の近傍の通過バンドは、フィルタ３８０Ａのｆｃ、及び共振周波数ｆｒ３より高い。第２の短絡パーツＡＷデバイス８０Ｄの周波数レスポンス３６２Ｄのストップバンド共振周波数ｆｒ４は、フィルタ３８０Ａのｆｃより高く構成される。したがって、***振ｆａ３近傍の通過バンドは、フィルタ３８０Ａのｆｃ、及びその共振周波数ｆｒ３よりも高い。図２１Ｃに示すように、図２１Ｃに示す周波数応答３６２Ａ、３６２Ｃ、３６２Ｄを持つＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄの実効的な組合せは、（ＡＷデバイスの物理的特性に基づいて）バンド幅３８６Ｃを持つノッチフィルタ３８Ｃを形成し得る。
図２０Ａは、種々の実施例に従った、調整可能な共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの特性を示す電気的要素を含む調整可能なフィルタモジュール３７０Ａのブロック図を示している。図２０Ａに示すように、フィルタモジュール３７０Ａは、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、及び９８Ｃ、信号源又はジェネレータ９２Ａ、入力負荷を示す抵抗９４Ａ、及びアンテナ負荷を示す抵抗９４Ｂを含む。可変キャパシタ９８Ａは、ＡＷデバイス８０Ａに並列接続され得る。可変キャパシタ９８Ｂは、ＡＷデバイス８０Ｂに並列接続され得る。可変キャパシタ９８Ｃは、ＡＷデバイス８０Ｃに並列接続され得る。
図２０Ａに示すように、共振器８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃは、直列接続されたインダクタ８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ、第２のキャパシタ８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ、及び抵抗８４Ａ、８４Ｂ、８４Ｃに、並列接続される第１のキャパシタ８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃで構成される。ここで、実施例において、キャパシタ８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃ、８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃは、それぞれキャパシタンスＣＯＡ、ＣＯＢ、ＣＯＣ、ＣＭＡ、ＣＭＢ、ＣＭＣを持ち、インダクタ８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃは、インダクタンスＬＭＡ、ＬＭＢ、ＬＭＣを持ち、抵抗８４Ａ、８４Ｂ、８４Ｃは、抵抗値ＲＭＡ、ＲＭＢ、ＲＭＣを持つ。上述のように、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの物理的特性は、１つ以上のフィルタモジュール（図１９Ｄの帯域通過３６４Ｃ、図１９Ｅのノッチ３６４Ｄ）を形成するために選択される。可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃが所望の調整効果を、対応するＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃに発揮するために、それらのキャパシタンス範囲は、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃの実効的なインダクタンスＬＭＡ、ＬＭＢ、ＬＭＣに関連して重要である。
可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃは、キャパシタを含む半導体のダイの広い範囲を占有する。そして、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃを含むフィルタ３７０Ａの特性Ｑ（quality）に影響を与える。実施例において、図１９Ｅのフィルタ３６４Ｄは、略８００ＭＨｚの中心周波数を持ち得る。ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃは、それぞれ、７９７ＭＨｚ、９１８ＭＨｚ、及び８００ＭＨｚの近傍に、共振周波数ｆｒ１、ｆｒ２、ｆｒ３を持つ。このようなフィルタに対して、調整されたＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０ＣのインダクタンスＬＭＡ、ＬＭＢ、ＬＭＣは、それぞれ約３０ｎＨ、３０ｎＨ、及び１３２ｎＨである。実施例において、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを効果的に調整するためには、９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃのキャパシタンスの範囲は、約４−９．５ｐＦ、３．５−１３ｐＦ、及び２−１０ｐＦである。この実施例において、共振器のＱは、約５００であり、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８ＣのＱは、約１００である。
実施例において、ＡＷデバイス８０Ａは、ＡＷデバイス８０Ｂと類似していてもよい。この実施例において、可変キャパシタ９８は、可変キャパシタ９８Ｂと類似していてもよい。図２０Ｂに示すように、単一の可変キャパシタ９８Ｄを、ＡＷデバイス８０Ａ及びＡＷデバイス８０Ｂの両者を効果的に調整するために用いることができる。フィルタモジュール３７０Ｂにおいて、可変キャパシタ９８Ｄは、直列接続されたＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂと並列接続される。図２０Ｂのフィルタモジュール３７０Ｂを用いることによって、ＡＷ８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃが、７９７ＭＨｚ、９１８ＭＨｚ、及び８００ＭＨｚの近傍に、共振周波数ｆｒ１、ｆｒ２、ｆｒ３を持つよう選択される。このようなフィルタに対して、モデル化されたＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０ＣのインダクタンスＬＭＡ、ＬＭＢ、ＬＭＣは、それぞれ約４６ｎＨ、７７ｎＨ、及び４４ｎＨである。フィルタ３７０ＢのＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃを効果的に調整するために、９８Ｄ及び９８Ｃのキャパシタンスの範囲は、実施例において約２−４ｐＦ、２．５−３．３ｐＦである。図２０Ａのフィルタモジュール３７０Ａのキャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃと比較して実質的なキャパシタンスの減少となる。図２０Ｂのフィルタモジュール又は構成３７０Ｂは、フィルタモジュール３７０Ｂのフィルタの挿入ロスを減少させ、Ｑを向上させる。実施例において、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、及び８０Ｃは、４１度（degree）のニオブ酸リチウムを含み得る。
上述のように、図４に示す８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ弾性波（ＡＷ：ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）デバイスでは、共振、及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０は、製造のばらつき及び動作温度に影響され得る。加えて、例えば図４に示す可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃにおいて、選択された、又は可変キャパシタンスｃｘ０ｍ（ここで、ｘは、可変キャパシタの選択ｘである）は、製造のばらつき及び動作温度に依存して変動する。実施例において、例えば、図２３に示すシステム４３０は、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ、及び可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃ、及びＡＷモジュール９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃの製造のばらつき及びＡＷデバイスモジュール９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃの動作温度の計測結果に基づいて、１つ以上のキャパシタに対する調整信号４４２Ａ、４４２Ｂ、４４２Ｃを調節する。
実施例において、ＡＷモジュール９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃに近接した４４４Ｂに接続された温度センサモジュール４４４Ａは、ＡＷモジュール９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃの近くの温度を計算する。制御ロジックモジュール４４６は、計算された温度、及びシステム４３０のコンポーネントの既知の製造のばらつきを用いて、それらの制御信号４４２Ａ、４４２Ｂ、４４２Ｃを介して、１つ以上の可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃを制御する。
実施例において、ＡＷモジュール９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃは、公称の環境温度において動作するよう構成されているが、実際の環境温度は、この公称の温度より高いか低いことがあり得る。制御ロジックモジュール４４６は、ＡＷモジュールの９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃの公称の動作温度と、測定されたまたは計算された環境温度との間の差を特定する。ＡＷモジュールの９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃの公称の動作温度は、ＰＲＯＭ４４８（図２３）に保存されていてもよい。さらにＳＰＩ信号は、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃの望ましい設定を提供する。制御ロジックモジュール４４６は、計算された環境温度及びシステム４３０のコンポーネントに対する製造の既知のばらつきに基づいて、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃに対するＳＰＩベースの設定を調整する
実施例において、プログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）４４８は、システム４３０の１つ以上のコンポーネント８０Ａないし８０Ｃ及び９８Ａないし９８Ｃに対して製造のばらつきの特徴を含んでいる。ＰＲＯＭ４４８の特徴は、各ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃに対して、可能な共振及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０、又は、各ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃに対する公称の共振及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０と、予想される共振及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０との間のデルタを含む。制御ロジックモジュール４４６は、対応する可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｃを調整することによって、ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃに対するこのデルタ又は周波数差又は予想される周波数を使用して、達成されるべき望まれる修正を計算する。
図２２Ａは、種々の実施例にしたがった弾性波（ＡＷ）モジュールに対する製造のばらつきを表す共振周波数ｆｒ０予測関数（probably function）Ｐｒ（ｆ）３９２Ａのグラフを示している。図２２Ｂは、種々の実施例にしたがった弾性波（ＡＷ）モジュールに対する製造のばらつきを表す***振周波数ｆａ０の予測関数Ｆａ（ｆ）３９２Ｂのグラフを示している。図２２Ｄは、種々の実施例に従ったキャパシタモジュールに対する製造のばらつきを表す予測関数Ｐｃ（ｆ）３９２Ｄの単位領域ｃ０当たりのキャパシタンスのグラフを示している。実施例において、ＰＲＯＭ４４８は、各関数３９２Ａないし３９２Ｃに対する計測された標準偏差Δｆｒ０、Δｆａ０、Δｆｃ０を含む、各Ｐｒ（ｆ）３９２Ａ、Ｆａ（ｆ）３９２Ｂ、Ｐｃ（ｆ）３９２Ｃを表すデータを含む。これらの関数は、サンプリング又は計測された値として略ガウス関数に近似する。
実施例において、プログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）４４８は、さらにシステム４３０のコンポーネント８０Ａないし８０Ｃの１つ以上の温度変化の特徴を含む。ＲＯＭ４４８の特徴は、各ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃに対する可能な共振及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０、又は、各ＡＷ８０Ａないし８０Ｃに対する最適な又は公称の共振及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０と、予測共振及び***振周波数ｆｒ０、ｆａ０との間のデルタを含む。制御ロジックモジュール４４６は、各ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃに対する温度デルタ又は周波数差又は予測周波数を用い、対応する可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｃを調整することによって達成されるべき所望の修正を計算する。
実施例において、図２２Ｃに示すように、ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃに対する共振及び***振の周波数変化３９２Ｃは、リニアである。図２２Ｃに示すように、公称の温度（例えば室の温度）からの正の温度デルタΔＴ０に対して、温度関数３９２Ｃの傾斜及び温度デルタΔＴ０に基づいてＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃの共振又は***振周波数は、所定の数値だけ減少する。同様に、図２２Ｃに示すように、負の温度デルタ−ΔＴ０に対して、温度関数３９２Ｃの傾斜及び温度デルタ−ΔＴ０に基づいてＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃの共振又は***振周波数は、所定の数値だけ増加する。
実施例において、制御ロジックモジュール４４６は、コンポーネント８０Ａないし８０Ｃに対するＰＲＯＭ４４８によって提供された製造のばらつきのデルタと、温度変化のデルタとを合体させ、対応する可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｃに対する総合的なデルタ又は修正を特定又は計算する。更なる実施例において、制御ロジックモジュール４４６は、コンポーネント８０Ａないし８０Ｃに対するＰＲＯＭ４４８によって提供された製造のばらつきのデルタ及び温度変化のデルタと、可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｃに対するＰＲＯＭ４４８によって提供された製造のばらつきのデルタとを合体させ、対応する可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｃに対する総合的なデルタ又は修正を特定又は計算する。
実施例において、ＰＲＯＭ４４８のデータは、１つ以上の方法によってアップデートされ得る。この実施例において、ＰＲＯＭ４４８に保存された１つ以上のコンポーネント８０Ａないし８０Ｃに対する温度及び製品のばらつきの特徴データは、計測された応答又はアップデートされたコンポーネントテストに基づいてアップデートされてもよい。同様に、測定された応答又はアップデートされたコンポーネントのテストに基づき、１つ以上のキャパシタ９８Ａないし９８Ｃの製造のばらつきに関する特徴データがアップデートされる。実施例において、システム４３０の制御ロジックモジュール４４６は、温度及びコンポーネント８０Ａないし８０Ｃの製造の特徴及び、コンポーネント９８Ａないし９８Ｃの製造の特徴を保存するメモリを含む。
可能な可変システム特徴を備えるＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃ又は可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｃ又は他のコンポーネントを提供するために、図２４に示す製造方法４００が採用される。図２４は、種々の実施例に従ったコンポーネントのモデリング、製造、及び構成の方法を示している。方法４００において、ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃ又は可変キャパシタモジュール９８Ａないし９８Ｃの一般的なコンポーネントの特徴が特定される。所望のパラメータを持つＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｃ又は可変キャパシタモジュール９８Ａないし９８Ｃを設計し、製造するために、テストデバイス又は関連するモジュールが製造されかつその特徴が評価される（アクティビティ４０２）。特に、テストデバイスに対して重要でクリティカルなパラメータがチェックされる。これには、ＡＷモジュールに関連するデバイスに対する共振及び***振周波数、及びキャパシタ又は可変キャパシタに関連するデバイスに対するユニット領域毎のキャパシタンスが含まれる。
テストデバイス、及び首尾一貫した或いはよく吟味された製造プロセスに基づいて、テストデバイスにクリティカルなパラメータに対する確率曲線又は標準偏差が特定される。実施例において、各クリティカルパラメータの確率関数に対して、ガウス分布が適用され、そして第１の標準偏差が計算される。テストデバイスと、設計され製造されるＡＷモジュール又は可変キャパシタモジュールの相関を用いて、確率関数（例えば各Ｐｒ（ｆ）３９２Ａ、Ｐａ（ｆ）３９２Ｂ、Ｐｃ（ｆ）３９２Ｃ）は、ＡＷモジュール又は可変キャパシタモジュールに対して特定される。
クリティカルパラメータに対する、テストデバイスと、得られた確率関数との相関に基づいて、ＡＷモジュール又はキャパシタモジュールが設計される（アクティビティ４０４）。本発明において言及されている補償モジュールが無い場合、ＡＷモジュール又はキャパシタモジュールの設計パラメータは、製造のばらつきに対する余裕を持つ（loose）ことが望ましい。ＡＷモジュール又はキャパシタを（補償モジュールと共に）、本発明のシステム４３０に導入することによって、システム４３０のコンポーネントのばらつきを補償するためのより厳格な設計パラメータを得ることができる。実施例において、設計に基づいて、最初の、最終的なコンポーネント（ＡＷモジュール又はキャパシタモジュール）が製造される。そして、対応する設計に基づいた最初のコンポーネントは、テストされ、重要なクリティカルなパラメータに対する予測特徴が特定される。
最初の、最終的な、設計されたコンポーネントに対する、この特定された予測特徴は、テストデバイスに対して特定された予測特徴と比較される。予測通り、特徴に相関がある場合、より多くの最終的な設計コンポーネントが製造され、ランダムにテストされる（アクティビティ４１２）。製造プロセス及びソースが制御され良好であれば、以前に特定された予測関数Ｐｒ（ｆ） ３９２Ａ、Ｐａ（ｆ）３９２Ｂ、Ｐｃ（ｆ）３９２Ｃに対する相関を確かめるために、僅かな又はランダムなコンポーネントがテストされればよい。ＡＷモジュールを含む、温度に敏感なコンポーネントに対して、温度の効果についてもモデリングされ（アクティビティ４０２）、そしてコンポーネントの設計において考慮される（アクティビティ４０４）。最初の最終的なコンポーネントの温度の特徴も、温度に敏感なコンポーネントのより多くの製造（アクティビティ４１２）の前に、特定される（アクティビティ４０８）。実施例において、最終的な設計コンポーネント（ＡＷモジュール又は可変キャパシタモジュール）の各々の又はバッチのグループは、テストされ、重要なクリティカルモジュールの特徴に対する得られた予測関が、特定される。上述のように、特定された予測関数は、対応するモジュール（８０Ａないし８０Ｃ、９８Ａないし９８Ｃ）が導入されているシステム４３０に記憶される。
ＡＷの製造のばらつき及び動作温度によるモジュールのパフォーマンスのばらつきを調整することに加えて、フィルタモジュール４５２Ａの入力又は出力におけるインピーダンスも、フィルタモジュール４５２Ａ（図２５Ａ）に影響を与える。図２５Ａのフィルタモジュールは、入力モードにおいて特定の負荷を与えられ、出力ノードにおいて特定の負荷が与えられる。実施例において、フィルタモジュール４５２Ａの入力ノードの目標の／設計された負荷９４Ａ、又は出力ノードの目標の／設計された負荷９４Ｂの差異は、そのパフォーマンスに影響を与える。図２５Ａは、信号フィルタアーキテクチャ４５０Ａを示すブロック図である。アーキテクチャ４５０Ａは、フィルタモジュール４５２Ａ、抵抗で表現された入力負荷９４Ａ、及び亭号で表現された出力負荷９４Ｂを含む。フィルタモジュール４５２Ａは、平衡負荷を持つよう構成されており、入力インピーダンス９４Ａ及び出力インピーダンス９４Ｂは、略等しく、そして所定の値、実施例において、例えば５０オームである。
９４Ａ、９４Ｂの目標負荷の間の比は、そのモジュールの電圧安定化比（ＶＳＷＲ：Voltage Standing Wave Ratio）に関連する。上述のように、フィルタモジュール４５２Ａは、１：１の共通のＶＳＷＲと（入力負荷９４Ａは略出力負荷９４Ｂに等しく）なるよう構成され得る。１：１のＶＳＷＲで構成されたフィルタモジュール４５２Ａの入出力ミスマッチ（ＶＳＷＲが１：１以外）の場合、大きな信号挿入ロス（大きなフィルタ通過バンドロス）となる。図２５Ｂは、信号フィルタアーキテクチャ４５０Ｂのブロック図を示しており、調整可能なフィルタモジュール４５２Ｂを含む。調整可能なフィルタモジュール４５２Ｂは、負荷９４Ａ、９４Ｂの間の（フィルタモジュール４５２Ａ、４５２Ｂにより予測される公称のＶＳＷＲと異なる）インピーダンスミスマッチの効果を減少させるよう構成されている。
図２５Ｂに示すように、信号フィルタアーキテクチャ４５０Ｂは、入力負荷９４Ａ、出力負荷９４Ｂ、及び調整可能なフィルタモジュール４５２Ｂを含む。この調整可能なフィルタモジュール４５２Ｂは、複数の調整可能なＡＷモジュール９６Ａ、９６Ｃ、９６Ｄ、９６Ｅを含む。調整可能なＡＷモジュール９６Ａ、９６Ｃ、９６Ｄ、９６Ｅの各々は、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆ（電気的な等価なコンポーネントで表されている）を含み、利用可能な可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆと、それぞれ並列接続されている。調整可能なＡＷモジュール９６Ｃは、入力負荷９４Ａとグランドとの間に接続されている。１つ以上のサブフィルタモジュール４５４Ａ、４５４Ｂは、調整可能なＡＷモジュール９６Ｃと、出力負荷９４Ｂとの間に接続されている。
サブフィルタモジュール４５４Ａ、４５４Ｂの各々は、それぞれ、第１の調整可能なＡＷモジュール９６Ｃ、９６Ｅ、及びグランドと接続されている第２の調整可能なＡＷモジュール９６Ｄ、９６Ｆを含んでいる。上述のように、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、８０Ｆは、インダクタ８６Ａ、８６Ｃ、８６Ｄ、８６Ｅ、キャパシタ８２Ａ、８２Ｃ、８２Ｄ、８２Ｅ、８２Ｆ、抵抗８４Ａ、８４Ｃ、８４Ｄ、８４Ｅ、８４Ｆが直列接続され、これらがそれぞれ、キャパシタ８１Ａ、８１Ｃ、８１Ｄ、８１Ｅ、８１Ｆと並列接続されている。ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆに並列接続されている、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆは、８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆのフィルタ特性に影響を与えるために変化する。
上述のように、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆは、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整するために利用され得る。これによって、共振及び***振周波数がシフトし、異なるバンド、サブバンドが選択され、製造のばらつき、及び温度シフトが修正される。可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆは、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整して、予期しない構成されていないＶＳＷＲのために（フィルタモデル４５２Ｂが製造された設計されたＶＳＷＲが等しくないために）生じる入力信号の挿入ロスを減少させる。
実施例において、フィルタモジュール４５２Ｂは、約１：１のＶＳＷＲに設計されている。そして、ＶＳＷＲが１：１以外の（未調整の）ＶＳＷＲによる挿入ロスを減少させるために、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆが調整される。例えば、図２６Ａは、（ノーマルな）１：１のＶＳＷＲフィルタモジュール４５２Ｂの周波数レスポンスのグラフを示している。図２６Ａに示すように、挿入ロス（通過バンドの減少量）は、約０．５ｄＢである。図２６Ｂは、１つ以上の可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆは、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整し、挿入ロスを減少させるために、それぞれのＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整した場合の、１：１．５のＶＳＷＲのフィルタモジュール４５２Ｂの周波数応答のグラフを示している。図２６Ｂに示すように、この挿入ロス（通過バンド減少量）は、約０．６８ｄＢである。図２６Ｃは、１つ以上の可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆは、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整し、挿入ロスを減少させるために、それぞれのＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整した場合の、１：２のＶＳＷＲのフィルタモジュール４５２Ｂの周波数応答のグラフを示している。図２６Ｃに示すように、この挿入ロス（通過バンド減少量）は、約１ｄＢである。
他の実施例において、図２３におけるＰＲＯＭ４４８は、様々なＶＳＷＲに対する可変キャパシタの変化量を含むことができる。ユーザは、出力負荷を示し、適切にＰＲＯＭ４４８を構成することができる。他の実施例において、制御ロジックモジュールは、出力負荷を検出し、ＶＳＷＲの差を特定し、ＰＲＯＭ４４８から最も近い可変キャパシタの変化量を選択することができる。更に他の実施例において、フィルタモジュール４５２Ｂは、構成され、（フィルタモジュール４５２Ｂが取り得る値に対しての中央値で）ノーマルなＶＳＷＲになるよう設計される。例えば、アーキテクチャ４５０Ｂに対して、１：１、１：１．５、１：２のＶＳＷＲが予測される。フィルタモジュール４５２Ｂは、１：１．５のＶＳＷＲでフィルタモジュール４５２Ｂが最適になるよう設計される。そして、ＶＳＷＲが１：１又は１：２である場合には、それぞれＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整するために、可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆが調整される。更なる実施例において、可変キャパシタは、ＡＷモジュール８０Ｃ、８０Ｆ、（又は８０Ａ、８０Ｅ）は（図２０Ａのキャパシタ９８Ｃのように）、直列接続されてもよい。フィルタモジュール４５２Ｂの目標の／設計された値以外の負荷９４Ａ、９４Ｂを補償するために、ＡＷモジュール８０Ｃ、８０Ｆに対する可変キャパシタの直列接続が調整される。
図２７Ａは、１：１のＶＳＷＲに対するフィルタモジュール４５２Ａの周波数応答を示している。ここで、フィルタモジュール４５２Ｂは、ＶＳＷＲが１：１、１：１．５、及び１：２で最適化されており、そして、１：１のＶＳＷＲの挿入ロスにそれぞれ減少させるために、１つ以上の可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８Ｆは、ＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整する。図２７Ａに示すように、挿入ロス（通過バンド減少量）は、０．６５ｄＢである。図２７Ｂは、１：１．５のＶＳＷＲのフィルタモジュール４５２Ｂの周波数応答を示すグラフである。ここで、フィルタモジュール４５２Ａの周波数応答は、１：１、１：１．５、１：２のＶＳＷＲで最適化されており、１つ以上の可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８ＦがそれぞれＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整して、１：１．５のＶＳＷＲの挿入ロスを減少させるようにしている。図２７Ｂに示すように、挿入ロス（通過バンド減少量）は、約０．６２ｄＢである。図２７Ｃは、１：２のＶＳＷＲでのフィルタモジュール４５２Ｂの周波数応答を示すグラフである。ここで、フィルタモジュール４５２Ｂは、１：１、１：１．５、１：２のＶＳＷＲで最適化されており、１つ以上の可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｃ、９８Ｄ、９８Ｅ、及び９８ＦがそれぞれＡＷデバイス８０Ａ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、及び８０Ｆを調整して、１：２のＶＳＷＲの挿入ロスを減少させるようにしている。図２７Ｂに示すように、挿入ロス（通過バンド減少量）は、約０．６９ｄＢである。
図２６Ａないし図２６Ｃに示すように、１：１のＶＳＷＲとして設計されたシステムに対して平均的な挿入ロスは約０．７２ｄＢであり、１：１．５、１：２のＶＳＷＲに対して調整される。図２７Ａないし２７Ｃに示すように、１：１ないし１：２のＶＳＷＲとして最適化されたシステムに対して、平均的な挿入ロスは約０．６５ｄＢであり、１：１．０、１：１．５、及び１：２のＶＳＷＲに対して調整される。１：１のＶＳＷＲに対して最適化されたフィルタモジュール４５２Ｂの挿入ロスは、可変キャパシタの調整にもかかわらず１：１ないし１：２の範囲で最適化されたフィルタモジュール４５２Ｂの挿入ロスよりも低い（０．５ｄＢ対０．６５ｄＢ）。このようにして、システムの実装において、予測される範囲のＶＳＷＲの関数として、そして、挿入ロスを最小化する基準として、１：１のＶＳＷＲの最適化された異なるフィルタモジュール４５２Ｂ又はＶＳＷＲの範囲が選択される。
上述のように、ＶＳＷＲは、システムの入力負荷及び出力負荷の間のバランスに基づいている。図１Ａ及び図２８Ａに示したように、パワーアンプ１２は、一側面としては、フィルタモジュール４５２Ａ（図２８Ａ）の負荷を提供する。パワーアンプ１２は、通常非常に低いインピーダンスを提供する。フィルタモジュール４５２Ａ（図２８）又はＲＦスイッチ４０（図１Ａ）に、所望の入力インピーダンスを提供するために、インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａを形成する１つ以上の要素が、ＰＡ１２とフィルタモジュール４６２Ａとの間に設置され得る。このインピーダンスマッチングモジュール４７０Ａは、フィルタモジュール４６２Ａの入力ポートにおいて、予測されたインピーダンスを提供する。フィルタモジュール４６２Ａが調整可能であり、かつ異なる周波数バンドをフィルタリングすることをサポートする場合、マッチングモジュール４７０Ａは、調整可能なモジュール４６２Ａの様々な動作／フィルタリングモードの全てに対しては効果的ではない場合がある。
図２８Ａは、様々な実施例に従った、フィルタシステムアーキテクチャ４６０Ａのブロック図を示している。アーキテクチャ４６０Ａは、ＰＡ１２、インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａ、及び調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ａを含む。インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａは、ＰＡ１２を調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ａに接続する。実施例において、調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ａは、可変キャパシタ制御信号ＳＰＩ及びバンド選択信号を含む。調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ａは、異なる周波数スペクトル又はバンドに対する異なる周波数応答を提供又はスイッチする。実施例において、インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａは、インダクタ４６４Ａを含む。ＰＡ１２は、実施例においては、入力ＶＤＤから電力を受け取る。
インダクタ４６４Ａは、インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａのインピーダンスマッチング機能を提供する。実施例において、インダクタは約２ないし３ｎＨのインダクタである。図２８Ｂは、調整可能な／スイッチ可能な信号フィルタモジュール４６２Ｂのブロック図を示している。これは、複数のバンドにおいて動作し、マッチングモジュール４７０Ａにインピーダンスマッチングを提供する。実施例において、フィルタモジュール４６２Ｂは、ＵＭＴＳにおける地上無線アクセス網ＬＴＥ（e-UTRAN Long Term Evolution）において動作することができる。ＬＴＥバンド１３は、送信バンド７７６ＭＨｚから７８７ＭＨｚを持ち、受信バンド７４６ＭＨｚから７５７ＭＨｚを持つ。ＬＴＥバンド１７は、送信バンド７０４ＭＨｚから７１６ＭＨｚ、受信バンド７３４ＭＨｚから７４６ＭＨｚを持つ。ＬＴＥバンド１３と１７は、近接しておりタイトなバンドである。
図２８Ｂに示すように、調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ｂは、複数の調整可能なＡＷモジュール４７６Ｃ、４７６Ｄ、４７６Ｆ及び複数の調整可能な／スイッチ可能なＡＷモジュール４７６Ａ、４７６Ｅを含む。調整可能なＡＷモジュール４７６Ｃは、並列接続されたＡＷデバイス８０Ｃ及び８０Ｅを含む。このセットは、可変キャパシタ９８Ｃと並列接続されている。調整可能なＡＷモジュール４７６Ｃは、インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａとグランドとの間に接続されている。調整可能なＡＷモジュール４７６Ｄ、６７６Ｆは、可変キャパシタ９８Ｄ、９８Ｆにそれぞれ並列接続されたＡＷデバイス８０Ｄ、８０Ｇを含む。１つ以上のサブフィルタモジュール４７４Ａ、４７４Ｂは、調整可能なＡＷモジュール９６Ｃと出力負荷９４Ｂとの間に接続されている。
サブフィルタモジュール４７４Ａ、４７４Ｂは、第１の調整可能な／スイッチ可能なＡＷモジュール４７６Ａ、４７６Ｅ、及びそれぞれグランドに接続されている第２の調整可能なＡＷモジュール４７６Ｄ、４７６Ｆを含む。調整可能なＡＷモジュール４７６Ａは、スイッチ４７２Ａに直列接続されたＡＷモジュール８０Ａと、スイッチ４７２Ｂに直列接続されたＡＷモジュール８０Ｆとが並列接続されている。このセットは、可変キャパシタ９８Ａと並列接続されている。調整可能なＡＷモジュール４７６Ｅは、スイッチ４７２Ｃに直列接続されたＡＷモジュール８０Ｈと、スイッチ４７２Ｄに直列接続されたＡＷモジュール８０Ｉとが並列接続されている。このセットは、可変キャパシタ９８Ｅと並列接続されている。
第１のモードにおいて、バンド１３又は１７に対して、スイッチ４７４Ａないし４７４Ｄは、ＡＷモジュール８０Ａ及びＡＷモジュール８０Ｈをオン（閉）とし、ＡＷモジュール８０Ｆ及びＡＷモジュール８０Ｉをオフ（スイッチ開）とする。第２のモードにおいて、バンド１３又は１７に対して、スイッチ４７４Ａないし４７４Ｄは、ＡＷモジュール８０Ａ及びＡＷモジュール８０Ｈをオフ（スイッチ開）とし、ＡＷモジュール８０Ｆ及びＡＷモジュール８０Ｉをオン又はアクティブ（スイッチ閉）とする。可変キャパシタ９８Ａ、９８Ｅ、９８Ｆ、及び９８Ｄは、温度、出力インピーダンス、及び製造のばらつきを修正するために、ＡＷモジュール８０Ｆ、８０Ａ、８０Ｉ、８０Ｈ、８０Ｇ、及び８０Ｄの動作を調整するよう、利用される。可変キャパシタ９８Ａは、ＡＷモジュール８０Ａ又は８０Ｆを（共有して）調整し、可変キャパシタ９８Ｅは、ＡＷモジュール８０Ｈ又は８０Ｉを（共有して）調整する。
利用されるキャパシタ９８Ｃは、フィルタモジュール４６２Ｂと、インピーダンスマッチングモジュール４７０Ａとの間のインピーダンスマッチングを提供するために調整される。図２９Ａは、実施例において、ＬＴＥバンド１７の信号を通過させた第１のモードでの、調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ｂのフィルタレスポンスを示すグラフである。図２９Ｂは、実施例において、ＬＴＥバンド１３の信号を通過させた第２のモードでの、調整可能な／スイッチ可能なフィルタモジュール４６２Ｂのフィルタレスポンスを示すグラフである。実施例において、ＡＷモジュール８０Ｃ及び８０Ｅのパラレルコンビネーションの構成によって、ＬＴＥバンド１７近傍で共振し、これによって、ＬＴＥバンドの１７より下及び、ＬＴＥバンド１７と１３との間のリジェクトを提供している。可変キャパシタ９８Ｃは、更に、動作のモード（モード１又はモード２）の関数として、ＬＴＥバンド１７及び１３の間の***振ポイントを調整する。
実施例において、スイッチ４７２Ａないし４７２Ｄは、ＰＡで増幅された信号を通過させるための、スタックされたＣＭＯＳＦＥＴで構成され得る。直列接続された複数のサブフィルタ４７４Ａ、４７４Ｂは、サブフィルタにおいて信号を分けて処理するため、スタックのサイズを減少させ、スイッチ４７４Ａないし４７４Ｄのスイッチにかかるパワーを減少させる。更なる実施例において、キャパシタ９８Ａないし９８Ｅは、固定されていてもよい。これらのキャパシタンスは、既知の製造のばらつき、動作温度の変動、及びフィルタモジュール４６２Ｂに対して固定されたインピーダンスマッチング（出力）の修正に基づき、これらのキャパシタンスは、プリセットすることができる。他の実施例において、全ての可変キャパシタ９８Ａないし９８Ｇについてのキャパシタンスの範囲、粒度は、関連するＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｇの公称の共振及び***振周波数の許容できる範囲において、必要とされる修正の関数として変更され得る。ＡＷモジュール８０Ａないし８０Ｇの既知の製造のばらつき、動作温度の変化、及び出力インピーダンスの補償の条件に基づいて、修正量は、既知であるか又は計算することができる。
様々な実施例の新規な装置又はシステムを含む本発明の適用は、高速なコンピュータに用いられる電気的回路、通信及び信号処理回路、モデム、シングル又はマルチプロセッサモジュール、シングル又はマルチの組込型プロセッサ、データスイッチ、及びマルチレイヤ、マルチチップモジュールを含む専用モジュール、が含まれる。このような装置及びシステムは、様々な電気的システム内のサブコンポーネントとして含まれ得る。例えば、テレビ、テレビ電話、パーソナルコンピュータ（例えば、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、タブレットコンピュータ等）、ワークステーション、ラジオ、ビデオプレーヤ、ラジオプレーヤ（例えばｍｐ３プレーヤ）、車、医療デバイス（例えば、心拍モニタ、血圧モニタ等）、その他が挙げられる。ある実施例においては、複数の方法が含まれ得る。
本明細書において記載したアクティビティを、記載された順序とは異なる順序で実行することができる。本明細書において特定された方法に関連する様々なアクティビティは、反復して、直列に、又は並列に実行することができる。
ソフトウエアプログラムが、コンピュータベースのシステムにおいて、コンピュータ可読の媒体に記憶され得る。そして、ソフトウエアプログラムで定義された機能を実行することができる。様々なプログラミング言語を利用することができ、本明細書に記載された方法をインプリメントし実行するよう設計されたソフトウエアプログラムを生成することができる。例えば、オブジェクト指向のＪａｖａ（登録商標）又はＣ++の言語を用いて、オブジェクト指向の形式で、プログラムを形成することができる。あるいは、アセンブラ又はＣなどの手続言語を用いて、手続指向で構成されたプログラムが生成されてもよい。ソフトウエアコンポーネントは、当業者に知られているメカニズムを用いて通信することができる。例えば、アプリケーションプログラミングインターフェース、又はリモートプロシジャコールを含むプロセス間通信技術が挙げられる。様々な実施例の教示は、特定のプログラミング言語又は環境に限定されるものではない。
添付の図面は、例示的目的で用いられており、技術的範囲を定義して限定するためのものではない。ここで記載されている実施例は、当業者が記載された教示を実行するために十分であるように詳細に記載されている。他の実施例が用いられてもよい。また、これから他の実施例が導かれてもよい。これによって、開示の範囲を超えること無く構成上の及び論理上の代替及び変更がなされてもよい。この詳細な説明は、したがって、限定するためのものではなく、様々な実施例の技術的範囲は、添付の請求項によってのみ定義される。そして、請求項の均等物が含まれる。
この発明の実施例は、個別的に又は総合的に、「発明」という語を用いて表現される。この語は、単に用いられるだけであり、単一の又は１つ以上の本発明を限定するために用いるものではない。したがって、特定の実施例が例示され記載されているが、同じ目的を達成するいかなるものも、この特定の実施例に代替することができる。この開示は、様々な実施例の適用又は変形例の全てをカバーするものである。上述の実施例の組合せ、本明細書に特に記載されていない他の実施例は、上述の記載をレビューすることによって、当業者に明らかである。
要約は、請求項を限定するために、またはクレームの意味を限定するために用いられてはならない。上述の詳細な説明において、開示の一貫性を担保するために、様々な特徴がグループにまとめられ、１つの実施例となり得る。本明細書の記載方法において、各請求項に明示的に記載されている特徴を記載することを要求するよう解釈してはならない。むしろ、単一の開示された実施例の全ての特徴よりも少ない特徴から、技術的範囲は把握し得るものである。したがって、以下の請求項は、詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、それぞれ別個の実施例として、それ自身で存在するものである。

Claims (160)

  1. 弾性波モジュール（ＡＷＭ）と；
    前記ＡＷＭ並列に接続され、又は前記ＡＷＭに直列接続された第１のキャパシタモジュールであって、前記弾性波モジュールは、電気的信号を変換し、かつ前記ＡＷＭの組合せ及び前記第１のキャパシタモジュールは、前記電気的信号を修正する、第１のキャパシタモジュールと；
    を有する、電気的信号処理システム。
  2. 前記ＡＷＭは、前記電気的信号をフィルタリングする、請求項１記載の電気的信号処理システム。
  3. 前記ＡＷＭフィルタは、共振周波数及び***振周波数を持つ、請求項１又は２記載の電気的信号処理システム。
  4. 前記第１のキャパシタモジュールは、前記共振周波数及び前記***振周波数を修正する、請求項３記載の電気的信号処理システム。
  5. 前記第１のキャパシタモジュールは、前記ＡＷＭと並列接続される、請求項２ないし４のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  6. 前記ＡＷＭの組合せ及び前記第１のキャパシタモジュールは、ＡＷＭの***振周波数を修正する、請求項５記載の電気的信号処理システム。
  7. 前記第１のキャパシタモジュールは、前記ＡＷＭに直列接続される、請求項２ないし４のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  8. 前記ＡＷＭの組合せ及び前記第１のキャパシタモジュールは、ＡＷＭの共振周波数を修正する、請求項７記載の電気的信号処理システム。
  9. 前記第１のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項１ないし８のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  10. 前記第１のキャパシタモジュールは、共振周波数及び前記***振周波数の１つを可変的に修正する、請求項９記載の電気的信号処理システム。
  11. 前記第１のキャパシタモジュールは、前記ＡＷＭに並列接続されている、請求項９又は１０記載の電気的信号処理システム。
  12. 前記ＡＷＭの組合せ及び前記第１のキャパシタモジュールは、ＡＷＭの***振周波数を可変的に修正する、請求項１１記載の電気的信号処理システム。
  13. 前記ＡＷＭに並列接続された前記第１のキャパシタモジュールと、更に前記ＡＷＭモジュールに直列接続された第２のキャパシタモジュールを有する、請求項３記載の電気的信号処理システム。
  14. 前記ＡＷＭの組合せ、前記第１のキャパシタモジュール、及び前記第２のキャパシタモジュールは、前記ＡＷＭの共振周波数及びＡＷＭの***振周波数を修正する、請求項１３記載の電気的信号処理システム。
  15. 前記第１のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項１４記載の電気的信号処理システム。
  16. 前記第１のキャパシタモジュールは、前記ＡＷＭの***振周波数を可変的に修正する、請求項１５記載の電気的信号処理システム。
  17. 前記第２のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項１６記載の電気的信号処理システム。
  18. 前記第１のキャパシタモジュール、及び前記第２のキャパシタモジュールは、前記ＡＷＭの***振周波数及び共振周波数を可変的に修正する、請求項１７記載の電気的信号処理システム。
  19. 前記第１のキャパシタモジュールは、少なくとも２つの選択可能なキャパシタを含む、請求項１記載の電気的信号処理システム。
  20. 前記第１のキャパシタモジュールは、少なくとも１つの第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み可変であり、前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの整数倍である、請求項１記載の電気的信号処理システム。
  21. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）と；
    前記ＦＡＷＭに並列接続された第１のキャパシタと；
    第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）であって、前記ＳＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及びグランドに接続されている、ＳＡＷＭと；
    を有し、
    電気的信号は、前記ＦＡＷＭと、前記ＳＡＷＭと、前記第１のキャパシタモジュールとの組合せにより処理される、
    電気的信号処理システム。
  22. 前記ＦＡＷＭは、前記電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＳＡＷＭは、前記電気的信号をフィルタリングする、請求項２１記載の電気的信号処理システム。
  23. 前記ＦＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ１）、及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持ち、前記ＳＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ２）、及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、請求項２２記載の電気的信号処理システム。
  24. 前記第１のキャパシタモジュールは、***振周波数ＡＦＡ１を修正する、請求項２３記載の電気的信号処理システム。
  25. 前記ＲＦＡ１は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ１は、有効なストップバンドを形成する、請求項２３記載の電気的信号処理システム。
  26. 前記ＡＦＡ２は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＲＦＡ２は、有効なストップバンドを形成する、請求項２５記載の電気的信号処理システム。
  27. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの組合せは、帯域通過フィルタを形成する、請求項２６記載の電気的信号処理システム。
  28. 前記ＦＡＷＭ及びＳＡＷＭの組合せは、帯域除去フィルタを形成する、請求項２６記載の電気的信号処理システム。
  29. 前記第１のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項２６ないし２８のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  30. 前記ＦＡＷＭの組合せ、前記可変の第１のキャパシタモジュール、及び前記ＳＡＷＭは、調整可能な帯域通過フィルタを形成する、請求項２９記載の電気的信号処理システム。
  31. 前記ＦＡＷＭ、前記可変の第１のキャパシタモジュール、及び前記ＳＡＷＭは、調整可能な帯域除去フィルタを形成する、請求項２９記載の電気的信号処理システム。
  32. １つのＳＡＷＭモジュールに並列接続され、１つのＳＡＷＭモジュールに直列接続されている、第２のキャパシタモジュール、を更に有する請求項２３記載の電気的信号処理システム。
  33. 前記第２のキャパシタモジュールは、前記ＲＦＡ２及び前記ＡＦＡ２のうちの１つを修正する、請求項３２記載の電気的信号処理システム。
  34. 前記ＳＡＷＭモジュールに並列接続された第２のキャパシタモジュールを更に有し、前記第２のキャパシタモジュールは、前記ＡＦＡ２を修正する、請求項２３記載の電気的信号処理システム。
  35. 前記第１のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変であり、かつ前記ＡＦＡ１を可変的に修正する、請求項２３記載の電気的信号処理システム。
  36. 前記第２のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変であり、かつ前記ＡＦＡ２を可変的に修正する、請求項３２又は３３記載の電気的信号処理システム。
  37. 前記第２のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項３２又は３３記載の電気的信号処理システム。
  38. 前記ＳＡＷＭモジュールに直列接続された第２のキャパシタモジュールを更に有し、前記第２のキャパシタモジュールは、前記ＲＦＡ２を修正する、請求項２３記載の電気的信号処理システム。
  39. 前記第２のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変であり、かつ前記ＲＦＡ２を可変的に修正する、請求項３８記載の電気的信号処理システム。
  40. 前記第１のキャパシタモジュールは、少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み可変であり、前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの整数倍である、請求項３５記載の電気的信号処理システム。
  41. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）と；
    前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）であって、前記ＦＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは第１の制御線を介して選択可能である、ＦＶＣＭと；
    前記ＦＡＷＭの又はその近傍の温度の指標を提供する温度検出モジュールと；
    前記温度の指標を受け取り、少なくとも前記温度の指標の一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、プロセッサと；
    を有する電気的信号処理システム。
  42. 前記ＦＡＷＭは、前記電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＦＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ１）、及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持つ、請求項４１記載の電気的信号処理システム。
  43. 前記ＦＡＷＭのＲＦＡ１及びＡＦＡ１は、前記ＦＡＷＭの前記温度の関数として変化する、請求項４２記載の電気的信号処理システム。
  44. 前記ＦＶＣＭは、ＲＦＡ１及び前記ＡＦＡ１のうち１つを修正する、請求項４３記載の電気的信号処理システム。
  45. 前記ＦＶＣＭは、ＦＡＷＭに並列接続され、かつ前記ＦＡＷＭ及び前記ＦＶＣＭの組合せはＡＦＡ１を修正する、請求項４３記載の電気的信号処理システム。
  46. 前記ＦＶＣＭは、前記ＦＡＷＭに直列接続され、かつ前記ＦＡＷＭ及び前記ＦＶＣＭの組合せはＡＦＡ１を修正する、請求項４３記載の電気的信号処理システム。
  47. 前記ＦＣＶＭは、前記ＦＡＷＭと並列接続され、前記ＦＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは第２の制御線を介して選択可能であり、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標を受け取り、かつ前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、前記第２の制御線を介して複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項４３記載の電気的信号処理システム。
  48. 前記ＦＡＷＭ、前記ＦＣＶＭ、及び前記ＳＶＣＭの組合せは、前記ＲＦＡ１及び前記ＡＦＡ１を修正する、請求項４７記載の電気的信号処理システム。
  49. 前記ＦＶＣＭは、少なくとも２つの選択可能なキャパシタを含み、かつ前記ＳＶＣＭは、少なくとも２つの選択可能なキャパシタを含む、請求項４７又は４８記載の電気的信号処理システム。
  50. 前記ＦＶＣＭは少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み、前記第１のキャパシタンスは、前記第２のキャパシタンスの整数倍である、請求項４７又は４８記載の電気的信号処理システム。
  51. 前記ＳＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャシパタンスを含み、前記第１のキャパシタンスは、前記第２のキャパシタンスの整数倍である、請求項５０記載の電気的信号処理システム。
  52. 第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）を更に有し、前記ＳＡＷＭは、前記ＦＡＷＭとグランドとに接続されており、前記ＳＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ２）及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、請求項４１ないし５１のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  53. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第３の可変キャパシタモジュール（ＴＶＣＭ）を更に有し、前記ＴＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第３の制御線を介して選択可能であり、前記プロセッサは、前記温度の指標を受け取り、かつ前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、前記複数のＴＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項５２記載の電気的信号処理システム。
  54. 前記ＴＶＣＭは、前記ＲＦＡ２及び前記ＡＦＡ２のうち１つを修正する、請求項５３記載の電気的信号処理システム。
  55. 前記ＲＦＡ１は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ１は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ２は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＲＦＡ２は、有効なストップバンドを形成する、請求項５４記載の電気的信号処理システム。
  56. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの組合せは、帯域通過フィルタ及び帯域除去フィルタのうち１つを形成する、請求項５５記載の電気的信号処理システム。
  57. 前記ＦＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、前記ＳＡＷＭ、及び前記ＴＶＣＭの組合せは、調整可能な帯域通過フィルタ、及び帯域除去フィルタのうち１つを形成する、請求項５５記載の電気的信号処理システム。
  58. 前記プロセッサは、ＦＶＣＭのキャパシタンスの選択信号を受け取り、前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記ＦＶＣＭのキャパシタンス選択信号の少なくとも一部に基づき、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスを、前記第１の制御線を介して、選択する、請求項４１ないし５７のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  59. 前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記ＦＡＷＭ温度変化データの少なくとも一部に基づき、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスのうちの１つを、前記第１の制御線を介して、選択する、請求項４１ないし５８のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  60. 前記プロセッサは、ＳＡＷＭに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記ＳＡＷＭ温度変化データの少なくとも一部に基づき、前記複数のＴＶＣＭの選択可能なキャパシタンスを、前記第３の制御線を介して、選択する請求項５３記載の電気的信号処理システム。
  61. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）と；
    前記ＦＡＷＭに並列接続された第１のスイッチであって、前記第１のスイッチは、閉じられたときにＦＡＷＭをバイパスし、前記ＦＡＷＭは、前記第１のスイッチが開である場合に電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＦＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ１）及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持つ、第１のスイッチと；
    第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）であって、前記ＳＡＷＭは、前記ＦＡＷＭと直列接続されている、ＳＡＷＭと；
    前記ＳＡＷＭに並列接続されたスイッチであって、前記第２のスイッチは、閉じられたときにＳＡＷＭをバイパスし、前記ＳＡＷＭは、前記第２のスイッチがかいである場合に電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＳＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ２）及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、第２のスイッチと；
    を有し、
    前記ＲＦＡ１及びＲＦＡ２は、周波数オフセットがかけられている、
    電気的信号処理システム。
  62. 前記ＲＦＡ１は、周波数マグニチュードを持ち、前記周波数オフセットは、ＲＦＡ１の周波数マグニチュードの５％より大きい、請求項６１記載の電気的信号処理システム。
  63. 前記ＲＦＡ１は、周波数マグニチュードを持ち、前記周波数オフセットは、ＲＦＡ１の周波数マグニチュードの１０％より大きい、請求項６２記載の電気的信号処理システム。
  64. 前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された第１のキャパシタモジュール（ＦＣＭ）を更に有し、前記ＦＣＭは、ＲＦＡ１及びＡＦＡ１のうち１つを修正する、請求項６１ないし６３のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  65. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第２のキャパシタモジュール（ＳＣＭ）を更に有し、前記ＳＣＭは、ＲＦＡ２及びＡＦＡ２のうち１つを修正する、請求項６４記載の電気的信号処理システム。
  66. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの直列の組合せに並列接続された第１のキャパシタモジュール（ＦＣＭ）を更に有し、前記ＦＣＭは、ＡＦＡ１及びＡＦＡ２を修正する、請求項６１記載の電気的信号処理システム。
  67. 前記ＦＡＷＭに直列接続された第２のキャパシタモジュール(ＳＣＭ) を更に有し、前記ＳＣＭは、前記ＲＦＡ１を修正する、請求項６６記載の電気的信号処理システム。
  68. 前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）を更に有し、前記ＦＶＣＭは前記ＲＦＡ１及び前記ＡＦＡ１を可変的に修正する、請求項６１記載の電気的信号処理システム。
  69. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール(ＳＶＣＭ) を更に有し、前記ＳＶＣＭは、前記ＲＦＡ２及びＡＦＡ２のうちの１つを可変的に修正する、請求項６８記載の電気的信号処理システム。
  70. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭとの直列接続の組合せに並列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）を更に有し、前記ＦＶＣＭは前記ＡＦＡ１及びＡＦＡ２を可変的に修正する、請求項６１記載の電気的信号処理システム。
  71. 前記ＦＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは前記ＲＦＡ１を可変的に修正する、請求項７０記載の電気的信号処理システム。
  72. 前記ＲＦＡ１は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記第１のスイッチが開であるとき、前記ＡＦＡ１は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、前記ＲＦＡ２は、有効な通過バンドを形成し、前記ＡＦＡ２は有効なストップバンドを形成する、請求項６１ないし７１のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  73. 前記ＦＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み可変であり、前記第１のキャパシタンスの値は前記第２のキャパシタンスの整数倍である、請求項６８記載の電気的信号処理システム。
  74. 第３の弾性波モジュール（ＴＡＷＭ）を更に有し、前記ＴＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの直列接続の間と、グランドとに接続され、前記ＴＡＷＭは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＴＡＷＭは共振周波数（ＲＦＡ３）及び***振周波数（ＡＦＡ３）を持つ、請求項６１ないし７３のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  75. 前記ＡＦＡ３は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＲＦＡ３は、有効なストップバンドを形成する、請求項７４記載の電気的信号処理システム。
  76. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチがかいであり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第１の帯域通過フィルタを形成し、前記ＳＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、第２のバンドバスフィルタを形成する、請求項７５記載の電気的信号処理システム。
  77. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第１の帯域除去フィルタを形成し、かつ前記ＳＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、帯域除去フィルタを形成する、請求項７５記載の電気的信号処理システム。
  78. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、帯域通過フィルタを形成し、かつ前記ＳＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、帯域通過フィルタを形成する、請求項７５記載の電気的信号処理システム。
  79. 第３の弾性波モジュール（ＴＡＷＭ）を更に含み、前記ＴＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの直列接続の間と、グランドとに接続され、前記ＴＡＷＭは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＴＡＷＭは共振周波数（ＲＦＡ３）及び***振周波数（ＡＦＡ３）を持ち、前記ＡＦＡ３は、有効な通過バンドを形成し、かつＲＦＡ３は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＦＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第１の可変フィルタを形成し、かつ前記ＳＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、第２の可変フィルタを形成する、請求項７０記載の電気的信号処理システム。
  80. 第３の弾性波モジュール（ＴＡＷＭ）を更に含み、前記ＴＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの直列接続の間と、グランドとに接続され、前記ＴＡＷＭは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＴＡＷＭは共振周波数（ＲＦＡ３）及び***振周波数（ＡＦＡ３）を持ち、前記ＡＦＡ３は、有効な通過バンドを形成し、かつＲＦＡ３は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＦＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第１の可変フィルタを形成し、かつ前記ＳＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、第２の可変フィルタを形成する、請求項６９記載の電気的信号処理システム。
  81. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）と；
    前記ＦＡＷＭに直列接続された第１のスイッチであって、前記第１のスイッチは、前記第１のスイッチが閉であるとき、前記ＦＡＷＭを短絡させ、かつ前記ＦＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ１）及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持つ、第１のスイッチと；
    第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）と；
    前記ＳＡＷＭに直列接続された第２のスイッチであって、前記第２のスイッチは、前記第２のスイッチが閉であるとき、前記ＳＡＷＭを短絡させ、かつＳＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ２）及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、第２のスイッチと；
    を有し、
    前記ＲＦＡ１及びＲＦＡ２は、周波数オフセットがかけられており、かつ前記第１のスイッチに接続された前記ＦＡＷＭは、前記第２のスイッチに接続された前記ＳＡＷＭの組合せに並列である、
    電気的信号処理システム。
  82. 前記ＲＦＡ１は周波数マグニチュードを持ち、かつ前記周波数オフセットは、前記ＲＦＡ１の周波数マグニチュードの５％より大きい、請求項８１記載の電気的信号処理システム。
  83. 前記ＲＦＡ１は周波数マグニチュードを持ち、かつ周波数オフセットは前記ＲＦＡ１の周波数マグニチュードの１０％より大きい、請求項８２記載の電気的信号処理システム。
  84. 前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された第１のキャパシタモジュール（ＦＣＭ）を更に有し、前記ＦＣＭは前記ＲＦＡ１及びＡＦＡ１のうち１つを修正する、請求項８１ないし８３のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  85. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第２のキャパシタモジュール（ＳＣＭ）を更に有し、前記ＳＣＭは前記ＲＦＡ２及びＡＦＡ２のうち１つを修正する、請求項８４記載の電気的信号処理システム。
  86. 前記ＦＡＷＭに直列接続された前記第１のスイッチの組合せと、前記ＳＡＷＭに直列接続された前記第２のスイッチとに、並列接続された第１のキャパシタモジュール（ＦＣＭ）を更に有し、前記ＦＣＭは前記ＡＦＡ１及び前記ＡＦＡ２を修正する、請求項８１記載の電気的信号処理システム。
  87. 前記ＦＡＷＭに直列接続された第２のキャパシタモジュール（ＳＣＭ）を更に有し、前記ＳＣＭは前記ＲＦＡ１を修正する、請求項８６記載の電気的信号処理システム。
  88. 前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）を更に有し、前記ＦＶＣＭは、前記ＲＦＡ１及びＡＦＡ１の１つを可変的に修正する、請求項８１記載の電気的信号処理システム。
  89. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、前記ＲＦＡ２及びＡＦＡ２の１つを可変的に修正する、請求項８８記載の電気的信号処理システム。
  90. 前記ＦＡＷＭに直列接続された前記第１のスイッチの組合せと、前記ＳＡＷＭに直列接続された第２のスイッチとに、並列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）を更に有し、前記ＦＶＣＭは、ＡＦＡ１及びＡＦＡ２を可変的に修正する、請求項８１記載の電気的信号処理システム。
  91. 前記ＦＡＷＭに直列接続された第２のキャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは前記ＲＦＡ１を可変的に修正する、請求項９０記載の電気的信号処理システム。
  92. 前記ＲＦＡ１は、有効な通過バンドを形成し、前記ＡＦＡ１は、前記第１のスイッチが閉であるとき、有効なストップバンドを形成し、前記第２のスイッチが閉であるとき、前記ＲＦＡ２は、有効な通過バンドを形成し、前記ＡＦＡ２は、有効なストップバンドを形成する、請求項９１記載の電気的信号処理システム。
  93. 前記ＦＶＣＭは、第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み可変であり、前記第１のキャパシタンスは、前記第２のキャパシタンスの整数倍である、請求項８８記載の電気的信号処理システム。
  94. 第３の弾性波モジュール（ＴＡＷＭ）を有し、前記ＴＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭに接続され、かつグランドに接続され、前記ＴＡＷＭは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＴＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ３）、及び***振周波数（ＡＦＡ３）を持ち、前ＡＦＡ３は、有効な通過バンドを形成し、前記ＲＦＡ３は、有効なストップバンドを形成する、請求項８１ないし９３記載のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  95. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、前記第２のスイッチが開であるとき、第１のフィルタを形成し、前記ＳＡＷＭ及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、前記第２のスイッチが閉であるとき、第２のファイルタを形成する、請求項９４記載の電気的信号処理システム。
  96. 第３の弾性波モジュール（ＴＡＷＭ）を有し、前記ＴＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭに接続され、かつグランドに接続され、前記ＴＡＷＭは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＴＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ３）、及び***振周波数（ＡＦＡ３）を持ち、前記ＡＦＡ３は、有効な通過バンドを形成し、前記ＲＦＡ３は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＦＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、第１の可変フィルタを形成し、前記ＳＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＴＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第２の可変フィルタを形成する、請求項９０記載の電気的信号処理システム。
  97. 前記第１のスイッチに直列接続され、前記ＦＡＷＭに並列接続された第４の弾性波モジュール（ＲＡＷＭ）を更に有し、前記第１のスイッチは開の場合、前記ＦＡＷＭ及び前記ＲＡＷＭを短絡し、前記ＲＡＷＭは、前記第１のスイッチが閉であるとき、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＲＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ４）及び***振周波数（ＡＦＡ４）を持つ、請求項８１記載の電気的信号処理システム。
  98. 前記第２のスイッチに直列接続され、前記ＳＡＷＭに並列接続された第５の弾性波モジュール（ＨＡＷＭ）を更に有し、前記第２のスイッチは、前記第２のスイッチが閉であるとき、前記ＳＡＷＭ及び前記ＨＡＷＭを短絡し、かつ前記ＨＡＷＭは共振周波数（ＲＦＡ５）及び***振周波数（ＡＦＡ５）を持つ、請求項９７記載の電気的信号処理システム。
  99. 前記ＲＦＡ１は周波数マグニチュードを持ち、かつＲＦＡ１とＲＦＡ４との間の周波数オフセットは、前記ＲＦＡ１の周波数マグニチュードの１０％より大きい、請求項９７記載の電気的信号処理システム。
  100. 前記ＲＦＡ２は、周波数マグニチュードを持ち、ＲＦＡ２とＲＦＡ５との間の前記周波数オフセットは、前記ＲＦＡ２の周波数マグニチュードの１０％より大きい、請求項９８記載の電気的信号処理システム。
  101. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）であって、前記ＦＡＷＭは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＦＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ１）及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持つ、ＦＡＷＭと；
    第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）であって、前記ＳＡＷＭは前記ＦＡＷＭに直列接続され、前記ＳＡＷＭは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＳＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ２）、及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、ＳＡＷＭと；
    前記ＳＡＷＭに並列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）であって、前記ＦＶＣＭは複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第１の制御線を介して、選択可能であり、かつ前記ＦＶＣＭは、前記ＡＦＡ２を可変的に修正する、ＦＶＣＭと；
    を有し、
    前記ＡＦＡ１及びＡＦＡ２は、マグニチュードにおいて同等であり、温度に基づき、前記ＦＡＷＭのＦＡＦ１は、変化する、
    電気的信号処理システム。
  102. プロセッサを更に有し、前記プロセッサは、前記第１の制御線を介して、ＡＦＡ１に基づきＡＦＡ２をシフトするために、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１０１記載の電気的信号処理システム。
  103. 前記ＦＡＷＭの又はその近傍の温度の指標を提供する温度検出モジュールと、前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、ＡＦＡ２をシフトするための前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスを選択するプロセッサと、を更に有する請求項１０２記載の電気的信号処理システム。
  104. 前記ＳＡＷＭに直列接続された第１のスイッチであって、前記第１のスイッチは開のときに、前記ＳＡＷＭを短絡させ、前記ＳＡＷＭは、前記第１のスイッチが閉のとき、電気的信号をフィルタリングする、第１のスイッチと；
    第３の弾性波モジュール（ＴＡＷＭ）と；
    前記ＴＡＷＭに直列接続された第２のスイッチであって、前記第２のスイッチは開のときに、前記ＴＡＷＭを短絡させ、前記ＴＡＷＭは、前記第２のスイッチが閉のときに、電気的信号をフィルタリングし、前記ＴＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ３）及び***振周波数（ＡＦＡ３）を持つ、第２のスイッチと；
    を更に有し、
    前記ＲＦＡ２及びＲＦＡ３は、周波数オフセットがかけられており、前記ＳＡＷＭと前記第１のスイッチとの直列接続の組合せと、前記ＦＡＷＭと前記第２のスイッチとの直列接続の組合せとは、並列である、
    請求項１０３に記載の電気的信号処理システム。
  105. 前記ＳＡＷＭに直列接続された第２のキャパシタモジュール（ＳＣＭ）を更に有し、前記ＳＣＭは、前記ＲＦＡ２を修正する、請求項１０４記載の電気的信号処理システム。
  106. 前記ＴＡＷＭに並列接続され、又は前記ＴＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、前記ＲＦＡ２及びＡＦＡ２の１つを可変的に修正する、請求項１０１ないし１０５のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  107. 前記第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）は、前記ＳＡＷＭに直列接続された第１のスイッチの組合せと、前記ＴＡＷＭに直列接続された第２のスイッチの組合せとに、並列接続され、前記ＦＶＣＭは、前記ＡＦＡ２及び前記ＡＦＡ３を可変的に修正する、請求項１０１ないし１０５のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  108. 前記ＳＡＷＭと並列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは前記ＲＦＡ２を可変的に修正する、請求項１０７記載の電気的信号処理システム。
  109. 前記ＲＦＡ２は、前記だい１のスイッチが閉であるとき、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ２は、有効なストップバンドを形成し、前記ＲＦＡ３は、前記第２のスイッチが閉であるとき、有効なストップバンドを形成する、請求項１０８記載の電気的信号処理システム。
  110. 前記ＦＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み、前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの値の整数倍である、請求項１０１ないし１０９のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  111. 第４の弾性波モジュール（ＲＡＷＭ）を更に有し、前記ＲＡＷＭは、前記ＳＡＷＭと、前記ＴＡＷＭと、グランドとに接続され、前記ＲＡＷＭは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＲＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ４）及び***振周波数（ＡＦＡ４）を持ち、前記ＡＦＡ４は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＲＦＡ４は有効なストップバンドを形成する、請求項１０４記載の電気的信号処理システム。
  112. 前記ＦＡＷＭ、ＳＡＷＭ、ＦＶＣＭ及び前記ＲＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第１のフィルタを形成し、前記ＦＡＷＭ、ＴＡＷＭ、及び前記ＲＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であるとき、第２のフィルタを形成する、請求項１１１記載の電気的信号処理システム。
  113. 第４の弾性波モジュール（ＲＡＷＭ）を更に有し、前記ＲＡＷＭは前記ＳＡＷＭ、及び前記ＴＡＷＭ、及びグランドに接続され、前記ＲＡＷＭは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＲＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ４）及び***振周波数（ＡＦＡ４）を持ち、前記ＡＦＡ４は、有効な通過バンドを形成し、前記ＲＦＡ４は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＦＡＷＭ、前記ＳＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＲＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが閉であり、かつ前記第２のスイッチが開であるとき、第１の可変フィルタを形成し、かつ前記ＦＡＷＭ、ＴＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、及び前記ＲＡＷＭの組合せは、前記第１のスイッチが開であり、かつ前記第２のスイッチが閉であるとき、第２のフィルタを形成する、請求項１０７記載の電気的信号処理システム。
  114. 第１のスイッチに直列接続され、かつ前記ＳＡＷＭに並列接続された第５の弾性波モジュール（ＨＡＷＭ）を更に有し、前記第１のスイッチは開のとき、前記ＳＡＷＭ及び前記ＨＡＷＭを短絡し、前記ＨＡＷＭは、前記第１のスイッチが閉であるとき、電気的信号を短絡し、前記ＨＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ５）及び***振周波数（ＡＦＡ５）を持つ、請求項１０１ないし１１３のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  115. 第２のスイッチに直列接続され、かつ前記ＴＡＷＭに並列接続された第６の弾性波モジュール（ＸＡＷＭ）を更に有し、前記第２のスイッチは開のときに、前記ＴＡＷＭ及び前記ＸＡＷＭを短絡し、前記ＸＡＷＭは、前記第２のスイッチが閉であるとき、電気的信号をフィルタリングし、前記ＸＡＷＭは、共振周波数（ＲＦＡ６）及び***振周波数（ＡＦＡ６）を持つ、請求項１１４記載の電気的信号処理システム。
  116. 前記ＲＦＡ２は周波数マグニチュードを持ち、かつＲＦＡ２とＲＦＡ５との間の周波数オフセットは、前記ＲＦＡ２の周波数マグニチュードの１０％より大きい、請求項１１４又は１１５に記載の電気的信号処理システム。
  117. 前記ＲＦＡ３は、周波数マグニチュードを持ち、かつＲＦＡ３とＲＦＡ６との間の周波数オフセットは、前記ＲＦＡ３の周波数マグニチュードの１０％より大きい、請求項１１５記載の電気的信号処理システム。
  118. 前記ＳＶＣＭの複数の選択可能なキャパシタンスは、第２の制御線を介して選択可能であり、かつプロセッサは、前記第２の制御線を介して、ＡＦＡ３をシフトするために、前記複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスを選択する、請求項１０６記載の電気的信号処理システム。
  119. 前記ＴＡＷＭの又はその近傍の温度の指標を提供する温度検出モジュールを更に有し、かつ前記プロセッサは、ＡＦＡ３をシフトするために、前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、前記第２の制御線を介して、前記複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１１８記載の電気的信号処理システム。
  120. プロセッサは、前記ＳＡＷＭに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記ＳＡＷＭ温度変化データの少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１０６記載の電気的信号処理システム。
  121. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）と；
    前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された第１の可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）であって、前記ＦＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第１の制御線を介して、選択可能である、ＦＶＣＭと；
    プロセッサであって、前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭの動作に関する統計的データを記憶し、前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭの動作に関する記憶された統計的データの少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、プロセッサと；
    を有する電気的信号処理システム。
  122. 前記ＦＡＷＭは、前記電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＦＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ１）及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持つ、請求項１２１記載の電気的信号処理システム。
  123. 前記記憶された統計的データは、前記ＦＡＷＭのＲＦＡ１及びＡＦＡ１に関連する、請求項１２２記載の電気的信号処理システム。
  124. 前記ＦＶＣＭはＲＦＡ１及びＡＦＡ１の１つを修正する、請求項１２３記載の電気的信号処理システム。
  125. 前記ＦＶＣＭは、前記ＦＡＷＭに並列接続され、かつ前記ＦＡＷＭ及び前記ＦＶＣＭの組合せは、前記ＡＦＡ１を修正する、請求項１２３記載の電気的信号処理システム。
  126. 温度検出モジュールを更に有し、前記温度検出モジュールは、前記ＦＡＷＭのまたはその近傍の前記温度の指標を提供し、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標を受け取り、かつ前記温度の指標、及び前記ＦＡＷＭの動作に関する前記記憶された統計的データの少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１２３記載の電気的信号処理システム。
  127. 前記ＦＣＶＭは、前記ＦＡＷＭに並列接続され、前記ＦＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを有し、前記キャパシタンスは、第２の制御線を介して選択可能であり、かつ前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭの動作に関する前記記憶された統計的データの少なくとも一部に基づき、前記第２の制御線を介して、前記複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１２３記載の電気的信号処理システム。
  128. 前記ＦＡＷＭ、前記ＦＣＶＭ、及び前記ＳＶＣＭの組合せは、前記ＲＦＡ１及び前記ＡＦＡ１を修正する、請求項１２７記載の電気的信号処理システム。
  129. 前記ＦＣＶＭは、前記ＦＡＷＭに並列接続され、前記ＦＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第２の制御線を介して選択可能であり、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記ＦＡＷＭの動作に関する前記記憶された統計的データの少なくとも一部に基づき、前記第２の制御線を介し、前記複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１２６記載の電気的信号処理システム。
  130. 前記ＦＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み、前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの値の整数倍である、請求項１２８記載の電気的信号処理システム。
  131. 前記ＳＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスを含み、前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの値の整数倍である、請求項１２７記載の電気的信号処理システム。
  132. 第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）を更に有し、前記ＳＡＷＭは、前記ＦＡＷＭ及びグランドに説属されており、前記ＳＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ２）及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、請求項１２１ないし１３１のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  133. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第３の可変キャパシタモジュール（ＴＶＣＭ）を更に有し、前記ＴＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第３の制御線を介して選択可能であり、前記プロセッサは、前記ＳＡＷＭの動作に関する統計的データを記憶し、前記プロセッサは、前記ＳＡＷＭの動作に関する記憶された統計的データの少なくとも一部に基づき、前記第３の制御線を介して、前記複数のＴＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１３２記載の電気的信号処理システム。
  134. 前記ＴＶＣＭは、前記ＲＦＡ２及び前記ＡＦＡ２の１つを修正する、請求項１３３記載の電気的信号処理システム。
  135. 前記ＲＦＡ１は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ１は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ２は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＲＦＡ２は、有効なストップバンドを形成する、請求項１３４記載の電気的信号処理システム。
  136. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの組合せは、帯域通過フィルタ及び帯域除去フィルタの１つを形成する、請求項１３５記載の電気的信号処理システム。
  137. 前記ＦＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、前記ＳＡＷＭ、及び前記ＴＶＣＭの組合せは、超石化脳な帯域通過フィルタ及び帯域除去フィルタの１つを形成する、請求項１３５記載の電気的信号処理システム。
  138. 前記プロセッサは、ＦＶＣＭキャパシタンス選択信号を受け取り、かつ前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭの動作に関する前記記憶された統計的データ、及びＦＶＣＭキャパシタンス選択信号の少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１２１ないし１３７のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  139. 前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、前記ＦＡＷＭ温度変化データ、及び前記ＦＡＷＭの動作に関する前記記憶された統計情報の少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１２６記載の電気的信号処理システム。
  140. 前記プロセッサは、ＳＡＷＭに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、前記ＳＡＷＭ温度変化データ、及び前記記憶された前記ＳＡＷＭの動作に関する統計的データの少なくとも一部に基づき、第３の選択線を介して、前記複数のＴＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１３９記載の電気的信号処理システム。
  141. 第１の弾性波モジュール（ＦＡＷＭ）と；
    前記ＦＡＷＭに並列接続され、又は前記ＦＡＷＭに直列接続された前記可変キャパシタモジュール（ＦＶＣＭ）であって、前記ＦＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第１の選択線を介して、選択可能である、ＦＶＣＭと；
    プロセッサであって、前記プロセッサは、電気的信号処理システムの動作に関する出力インピーダンスのデータを記憶するメモリを含み、前記プロセッサは、記憶された出力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、プロセッサと；
    を有する電気的信号処理システム。
  142. 前記ＦＡＷＭは前記電気的信号をフィルタリングし、かつ前記ＦＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ１）及び***振周波数（ＡＦＡ１）を持つ、請求項１４１記載の電気的信号処理システム。
  143. 前記記憶された出力インピーダンスデータは、前記ＦＡＷＭのＲＦＡ１及びＡＦＡ１に関連する、請求項１４２記載の電気的信号処理システム。
  144. 前記ＦＶＣＭは、前記記憶された出力インピーダンスデータに基づき、ＲＦＡ１及びＡＦＡ１の１つを修正し、前記電気的信号処理システムのインピーダンスを調整する、請求項１４３記載の電気的信号処理システム。
  145. 前記ＦＡＷＭに並列接続された前記ＦＶＣＭ、及び前記ＦＡＷＭと前記ＦＶＣＭとの組合せは、前記ＡＦＡ１を修正する、請求項１４３記載の電気的信号処理システム。
  146. 出力インピーダンス検出モジュールを更に有し、前記出力インピーダンス検出モジュールは、前記ＦＡＷＭの前記出力インピーダンスの指標を提供し、かつ前記プロセッサは、前記出力インピーダンスの指標を受け取り、かつ、前記出力インピーダンスの指標、及び前記記憶された出力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１４３記載の電気的信号処理システム。
  147. 前記ＦＣＶＭは、前記ＦＡＷＭに並列接続され、かつ前記ＦＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第２の制御線を介して、選択可能であり、前記プロセッサは、前記記憶された出力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、前記第２の制御線を介して、前記複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１４３記載の電気的信号処理システム。
  148. 前記ＦＡＷＭ、前記ＦＣＶＭ、及び前記ＳＶＣＭの組合せは、前記ＲＦＡ１及び前記ＡＦＡ１を修正する、請求項１４７記載の電気的信号処理システム。
  149. 前記ＦＣＶＭは、前記ＦＡＷＭに並列接続され、かつ前記ＦＡＷＭに直列接続された第２の可変キャパシタモジュール（ＳＶＣＭ）を更に有し、前記ＳＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第２の制御線を介して選択可能であり、かつ前記プロセッサは、前記出力インピーダンスの指標、及び前記記憶された出力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、前記第２の選択線を介し、前記複数のＳＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１４６記載の電気的信号処理システム。
  150. 前記ＦＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス、及び第２のキャパシタンスを含み、かつ前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの値の整数倍である、請求項１４８記載の電気的信号処理システム。
  151. 前記ＳＶＣＭは、少なくとも第１のキャパシタンス、及び第２のキャパシタンスを含み、かつ前記第１のキャパシタンスの値は、前記第２のキャパシタンスの値の整数倍である、請求項１４７記載の電気的信号処理システム。
  152. 第２の弾性波モジュール（ＳＡＷＭ）を更に有し、前記ＳＡＷＭは、前記ＦＡＷＭとグランドとに接続され、前記ＳＡＷＭフィルタは、共振周波数（ＲＦＡ２）及び***振周波数（ＡＦＡ２）を持つ、請求項１４１ないし１５１のうちいずれか１項記載の電気的信号処理システム。
  153. 前記ＳＡＷＭに並列接続され、又は前記ＳＡＷＭに直列接続された第３の可変キャパシタモジュール（ＴＶＣＭ）を更に有し、前記ＴＶＣＭは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第３の制御線を介して、選択可能であり、前記プロセッサは、前記電気的信号処理システムの動作に関する入力インピーダンスデータを記憶するメモリを含み、前記プロセッサは、記憶された入力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、前記第３の制御線を介して、前記複数のＴＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１５２記載の電気的信号処理システム。
  154. 前記ＴＶＣＭは、前記ＲＦＡ２及び前記ＡＦＡ２の１つを修正する、請求項１５３記載の電気的信号処理システム。
  155. 前記ＲＦＡ１は、有効な通過バンドを形成し、かつＡＦＡ１は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記ＡＦＡ２は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記ＲＦＡ２は、有効なストップバンドを形成する、請求項１５４記載の電気的信号処理システム。
  156. 前記ＦＡＷＭ及び前記ＳＡＷＭの組合せは、帯域通過フィルタ及び帯域除去フィルタの１つを形成する、請求項１５５記載の電気的信号処理システム。
  157. 前記ＦＡＷＭ、前記ＦＶＣＭ、前記ＳＡＷＭ、及び前記ＴＶＣＭの組合せは、調整可能な帯域通過フィルタ及び帯域除去フィルタの１つを形成する、請求項１５５記載の電気的信号処理システム。
  158. 前記プロセッサは、ＦＶＣＭキャパシタンス選択信号を受け取り、かつ前記プロセッサは、前記記憶された出力インピーダンスデータ及び前記ＦＶＣＭキャパシタンス選択信号の少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１５１記載の電気的信号処理システム。
  159. 前記プロセッサは、前記ＦＡＷＭに対する出力インピーダンス変化データを含み、前記プロセッサは、前記出力インピーダンスの指標、前記ＦＡＷＭ出力インピーダンス変化データ、及び前記記憶された出力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、前記第１の制御線を介して、前記複数のＦＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１４６記載の電気的信号処理システム。
  160. 前記プロセッサは、前記ＳＡＷＭに対する入力インピーダンス変化データを含み、かつ前記プロセッサは、入力インピーダンスの指標、前記ＳＡＷＭ入力インピーダンス変化データ、及び記憶された入力インピーダンスデータの少なくとも一部に基づき、第３の制御線を介して、前記複数のＴＶＣＭの選択可能なキャパシタンスの１つを選択する、請求項１５９記載の電気的信号処理システム。
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