FI113111B - Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely - Google Patents
Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely Download PDFInfo
- Publication number
- FI113111B FI113111B FI20002585A FI20002585A FI113111B FI 113111 B FI113111 B FI 113111B FI 20002585 A FI20002585 A FI 20002585A FI 20002585 A FI20002585 A FI 20002585A FI 113111 B FI113111 B FI 113111B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- piezoelectric
- filter
- resonator
- resonators
- piezoelectric resonator
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 28
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 33
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 26
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000001837 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000000429 Factor XII Human genes 0.000 description 1
- 108010080865 Factor XII Proteins 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0095—Balance-unbalance or balance-balance networks using bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
113111
Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely - Filter-struktur och arrangemang med piezoelektriska resonatorer
Keksintö liittyy yleisesti radiotaajuussuotimiin. Erityisesti se liittyy pietsosähköisiä 5 resonaattoreita käsittäviin suodinrakenteisiin, tyypillisesti ohutkalvotekniikalla toteutettaviin, tilavuusakustisiin (bulk acoustic wave, BAW) resonaattoreihin tai pin-ta-akustisiin (surface acoustic wave, SAW) resonaattoreihin.
Langattomassa tietoliikenteessä kehitetään jatkuvasti yhä pienempiä ja monimutkaisempia kannettavia laitteita. Kehitys johtaa lisääntyviin vaatimuksiin kannettavissa 10 tietoliikennevälineissä käytettävien komponenttien ja rakenteiden koon pienentämiseksi. Tämä kehitys koskee myös radiotaajuus (RF) -suodinrakenteita, joiden pitäisi pienentymisestä huolimatta kestää huomattavan suuria tehoja ja joissa pitäisi olla hyvin jyrkät päästökaistan reunat ja pienet häviöt.
Tunnetun tekniikan mukaisissa matkaviestimissä käytettävät RF-suotimet ovat taval- 15 lisesti erillisiä akustisiin pinta-aaltoihin perustuvia SAW-suotimia tai keraamisia suotimia. Pinta-akustisten resonaattoreiden eli SAW-resonaattoreiden rakenne on ; tyypillisesti kuvassa 1 esitettyä vastaava. Pinta-akustiset resonaattorit hyödyntävät Y: kiinteän pinnan pinta-akustisia värähtelymuotoja, joissa värähtely rajoittuu kiinteän ' aineen pintaan ja heikkenee nopeasti pinnasta kauemmaksi siirryttäessä. SAW-reso- « * « : 20 naattori käsittää tyypillisesti pietsosähköisen kerroksen 100 ja kaksi elektrodia 122, * * * , ** 124. Nämä elektrodit muodostavat lomisormitetun muuntimen (Interdigital Transdu- • · cer, IDT). Elektrodien 122, 124 muoto muistuttaa tyypillisesti E-kirjainta tai kam-*’* paa, ja elektrodit on sijoitettu niin, että ensimmäisen elektrodin ’’sormet” ovat yh densuuntaisia toisen elektrodin ’’sormien” kanssa ja niiden välissä. SAW-resonaatto-'. ‘: 25 rin taajuus riippuu eniten sormien välisestä etäisyydestä, mutta myös sormien levey- Y / destä. SAW-resonaattorin impedanssi riippuu eniten sormien lukumäärästä ja sormi- en pituudesta. IDT:n lisäksi SAW-resonaattorissa on tyypillisesti kaksi heijastinta, ,· >, yksi IDT:n kummallakin puolella, joiden tarkoituksena on heijastaa takaisin IDT:n • indusoima pinta-akustinen aalto, joka kulkee poikittain suuntaan, joka on kohtisuora : Λ: 30 IDT:n sormiin nähden.
SAW-resonaattoreiden avulla tuotetaan monenlaisia resonaattorirakenteita, kuten suotimia. SAW-resonaattorilla on etunaan hyvin pieni koko, mutta valitettavasti SAW-resonaattori ei kestä suuria tehoja.
2 113111
Tunnettua tekniikkaa on rakentaa ohutkalvotekniikalla akustisiin tilavuusaaltoihin perustuvia resonaattoreita puolijohdekiekoille, kuten pii (Si)- tai galliumarsenidi (GaAs)-kiekoille. Esimerkiksi K.M. Lakinin ja J.S. Wangin artikkelissa "Acoustic Bulk Wave Composite Resonators", Applied Physics Letters, Vol. 38, No. 3, s. 125-5 127, Feb. 1, 1981, esitetään akustinen tilavuusaaltoresonaattori, jossa on pietsosäh- köinen ohutkalvokerros sinkkioksidia (ZnO), joka on sirotushöyrytetty (sputteroitu) ohuen piikalvon (Si) päälle. Myös artikkelissa "An Air-Gap Type Piezoelectric Composite Thin Film Resonator", 15 Proc. 39th Annual Symp. Freq. Control, s. 361-366, 1985, jonka ovat kirjoittaneet Hiroaki Satoh, Yasuo Ebata, Hitoshi Suzuki 10 ja Choji Narahara, esitetään akustinen tilavuusaaltoresonaattori, jossa on siltaraken-ne.
Kuva 2 esittää yhtä esimerkkiä akustisesta tilavuusaaltoresonaattorista, jossa on sil-tarakenne. Rakenne käsittää pohjalevylle 200 muodostetun kalvon 130. Resonaattorissa on lisäksi kalvolla oleva pohjaelektrodi 110, pietsosähköinen kerros 100 ja pin-15 taelektrodi 120. Kalvon ja pohjalevyn välille muodostetaan rako 210 syövyttämällä pois jonkin verran pohjalevyä yläpinnalta. Rako toimii akustisena eristeenä, joka olennaisesti eristää värähtelevän resonaattorirakenteen pohjalevystä.
Seuraavassa kuvataan ensin eräitä BAW-resonaattoreiden tyyppejä. Akustiset tila-vuusaaltoresonaattorit valmistetaan tyypillisesti pohjalevylle, joka on piitä (Si), gal-:Y: 20 liumarsenidia (GaAs), lasia tai keraamista materiaalia. Eräs keraaminen pohjalevy- ; tyyppi on alumiinioksidia. BAW-laitteet valmistetaan tyypillisesti käyttäen erilaisia : ohutkalvovalmistustekniikoita, kuten esimerkiksi sirotushöyrytystä (sputterointia), .···* tyhjöhöyrystystä tai kemiallista höyrypäällystystä. BAW-laitteet käyttävät pietso- L! sähköistä ohutkalvokerrosta akustisten tilavuusaaltojen muodostamiseen. Tyypillis- 25 ten BAW-laitteiden resonanssitaajuudet ovat välillä 0,5 GHz - 5 GHz, laitteen koosta ja materiaaleista riippuen. BAW-resonaattoreissa esiintyvät kideresonaattoreille « · · ’ · '; tyypilliset sarja- ja rinnakkaisresonanssit. Resonanssitaajuudet määräytyvät pääasi- ’...: assa resonaattorin materiaalin ja resonaattorin kerrosten mittojen perusteella.
ft· •;;; Tyypillinen BAW-resonaattori koostuu kolmesta peruselementistä: ’ ·; · * 30 - akustisesti aktiivinen pietsosähköinen kerros, : ’ ·.: - elektrodit pietsosähköisen kerroksen vastakkaisilla puolilla, ja •; · · | - akustinen eristys pohjalevystä.
Pietsosähköisen kerroksen materiaalina voi olla esimerkiksi ZnO, AIN, ZnS tai mikä tahansa muu pietsosähköinen materiaali, joka voidaan valmistaa ohueksi kalvoksi. 35 Pietsosähköisenä materiaalina voidaan käyttää myös esimerkiksi ferrosähköistä ke- 3 113111 ramiikkaa. Voidaan käyttää esimerkiksi PbTi03:ta ja Pb(ZrxTil-x)03:ta ja muita ns. lyijylantaanizirkonaattititanaattiperheen jäseniä.
Elektrodikerrosten muodostamiseen käytettävä materiaali on sähköisesti johtavaa materiaalia. Elektrodit voivat olla esimerkiksi mitä tahansa sopivaa metallia, kuten 5 volframia (W), alumiinia (AI), kuparia (Cu), molybdeeniä (Mo), nikkeliä (Ni), titaania (Ti), niobiumia (Nb), hopeaa (Ag), kultaa (Au) ja tantaalia (Ta). Pohjalevy on tyypillisesti esimerkiksi piitä (Si), piidioksidia (Si02), galliumarsenidia (GaAs) tai keraamista materiaalia.
Akustinen eristys voidaan tuottaa esimerkiksi seuraavilla tekniikoilla: 10 - pohjalevyn läpivientiaukolla, - mikromekaanisella siltarakenteella, tai - akustisella peilirakenteella.
Läpivientiaukko- ja siltarakenteissa akustisesti heijastavat pinnat ovat laitteiden ala-ja yläpuolella olevia ilmarajapintoja. Siltarakenne valmistetaan tyypillisesti käyttä-15 mällä tilapäiskerrosta, joka syövytetään pois vapaasti seisovan rakenteen muodostamiseksi. Tilapäiskerroksen käyttäminen mahdollistaa monenlaisten pohjalevyma-teriaalien käyttämisen, koska pohjalevyä ei tarvitse muunnella kovin paljon, kuten läpivientiaukkorakenteessa. Siltarakenne voidaan tuottaa myös käyttämällä syövy-tysaukkorakennetta, jossa tapauksessa aukko on syövytettävä pohjalevyyn tai mate-. ! 20 riaalikerrokseen BAW-resonaattorin alapuolelle vapaasti seisovan siltarakenteen , ‘ ; tuottamiseksi.
» » · : Kuva 3 esittää yhtä esimerkkiä erilaisista tavoista siltarakenteen tuottamiseksi. En- nen BAW-rakenteen muiden kerrosten valmistamista muodostetaan ensin tilapäis-kerros 135 ja kuvioidaan se. Loput BAW-rakenteesta muodostetaan ja kuvioidaan : 25 osittain tilapäiskerroksen 135 päälle. Sen jälkeen, kun BAW-rakenteen loppuosa on ···’ valmis, tilapäiskerros 135 syövytetään pois. Kuva 3 esittää myös pohjalevyä 200, kalvokerrosta 130, pohjaelektrodia 110, pietsosähköistä kerrosta 100 ja pintaelekt-rodia 120. Tilapäiskerros voidaan toteuttaa käyttämällä esimerkiksi keraamista ma-:,..: teriaalia, metallia tai polymeeriä.
» · · ’· ” 30 Läpivientiaukkorakenteessa resonaattori on akustisesti eristetty pohjalevystä syövyt- tämällä pohjalevy pois suurelta alueelta BAW-resonaattorirakenteen alta. Kuva 4 esittää BAW-resonaattorin läpivientiaukkorakennetta. Kuva 4 esittää pohjalevyä 200, kalvokerrosta 130, pohjaelektrodia 110, pietsosähköistä kerrosta 100 ja pinta-elektrodia 120. Koko pohjalevyn läpi on syövytetty läpivientiaukko 211. Tarvittavan 4 113111 syövytyksen vuoksi läpivientirakenteet toteutetaan tavallisesti vain Si- tai GaAs-pohjalevyillä.
Toinen tapa eristää BAW-resonaattori pohjalevystä on käyttää akustista peiliraken-netta. Akustinen peilirakenne toteuttaa eristyksen heijastamalla akustisen aallon ta-5 kaisin resonaattorirakenteeseen. Akustisessa peilissä on tyypillisesti useita kerroksia, joiden paksuus on neljännesaallonpituus keskitaajuudella, ja eri kerroksilla on erilaiset akustiset impedanssit. Kerrosten lukumäärä akustisessa peilissä on tyypillisesti kolmesta yhdeksään. Kahden peräkkäisen kerroksen akustisten impedanssien suhteen pitäisi olla suuri, jotta se tarjoaisi BAW-resonaattorille mahdollisimman 10 pienen akustisen impedanssin pohjalevymateriaalin suhteellisen suuren impedanssin sijasta. Kun on kysymys pietsosähköisestä kerroksesta, jonka paksuus on neljännes-aallonpituus, peilin kerrokset valitaan niin, että resonaattorille saadaan mahdollisimman suuri akustinen impedanssi. Tämä on esitetty patenttijulkaisussa US 5 373 268. Suuri-impedanssisten kerrosten materiaali voi olla esimerkiksi kultaa 15 (Au), molybdeeniä (Mo) tai volframia, ja pieni-impedanssiset kerrokset voivat olla esimerkiksi piitä (Si), polypiitä (poly-Si), piidioksidia (Si02), alumiinia (AI) tai polymeeriä. Koska akustista peilirakennetta käyttävissä rakenteissa resonaattori on eristetty pohjalevystä eikä pohjalevyä muuteta kovin paljon, pohjalevynä voidaan käyttää monenlaisia materiaaleja. Polymeerikerros voidaan muodostaa mistä tahansa : i 20 polymeerimateriaalista, jolla on pienihäviöinen ominaiskäyrä ja pieni akustinen im-:· pedanssi. Polymeerimateriaali on edullisesti sellaista, että se kestää vähintään • ; · 350 °C:n lämpötilaa, koska akustisen peilirakenteen kerrosten ja muiden rakenteiden ; ’ , i muodostamisen aikana voidaan tarvita suhteellisen korkeita lämpötiloja. Polymeeri- : kerros voi olla esimerkiksi polyimidiä, sykloteeniä, jotakin hiili- tai piipohjaista ma- ." \ 25 teriaalia tai jotakin muuta sopivaa materiaalia.
Kuvassa 5 on esimerkki BAW-resonaattorista akustisen peilirakenteen päällä. Ku-vassa 5 näkyy pohjalevy 200, pohjaelektrodi 110, pietsosähköinen kerros 100 ja pin-taelektrodi 120. Akustinen peilirakenne 150 käsittää tässä esimerkissä kolme kerros-ta 150a, 150b. Kaksi kerroksista 150a on muodostettu ensimmäisestä materiaalista ,···, 30 ja kolmas kerros 150b kahden kerroksen välissä on muodostettu toisesta materiaalis- • · '·’ ta. Ensimmäisellä ja toisella materiaalilla on erilaiset akustiset impedanssit, kuten edellä on selostettu. Materiaalien järjestys voi vaihdella. Suuren akustisen impe-danssin omaava materiaali voi esimerkiksi olla keskellä ja pienen akustisen impedanssin omaava materiaali sen molemmilla puolilla tai päinvastoin. Pohjaelektrodia 35 voidaan myös käyttää akustisen peilin yhtenä kerroksena.
5 113111
Kuva 6 esittää toista esimerkkiä BAW-resonaattorirakenteesta. Kuvan 6 esittämä BAW-resonaattori on pinottu resonaattorirakenne, jossa on kaksi pietsosähköistä kerrosta 100. Pohjaelektrodin 110 ja pintaelektrodin 120 lisäksi pinottu rakenne vaatii keskielektrodin 115, joka on kytketty maapotentiaaliin. Kuvassa 6 näkyy myös 5 kalvokerros 130, pohjalevy 200 ja syövytetty aukko 210, joka erottaa rakenteen poh-jalevystä.
Pietsosähköisiä resonaattoreita käyttämällä voidaan rakentaa esimerkiksi radiotaa-juussuotimia. SAW-resonaattoreiden ja ohutkalvotekniikalla toteutettujen BAW-resonaattoreiden resonanssitaajuudet ovat sellaisia, että on edullista käyttää niitä 10 suotimissa, jotka on suunniteltu toimimaan tietyllä taajuuskaistalla yhdestä gigahert-sistä muutamaan gigahertsiin ulottuvalla taajuusalueella. Kuvassa 7a on esimerkki tikapuusuodinlohkosta 700, jossa on sarjaan kytketty resonaattori 701 ja toinen, rinnan kytketty resonaattori 702. Resonaattorin 701 sarjaresonanssitaajuus on tyypillisesti sama kuin tikapuusuodinlohkon 700 keskitaajuutena oleva resonaattorin 702 15 rinnakkaistaajuus tai lähellä sitä. Tikapuusuodin muodostetaan tyypillisesti kytkemällä tietty määrä tikapuusuodinlohkoja 700 sarjaan haluttujen suodinominaisuuksi-en aikaansaamiseksi. Kuva 7b esittää esimerkkiä verkkosuodinrakenteesta 710, jossa resonaattorit 701 ja 701b on kytketty sarjaan ja resonaattorit 702a ja 702b on kytketty rinnan.
> · I · . , ·. 20 Pietsosähköisten resonaattoreiden valmistukseen sisältyy vaihe, jossa muodostetaan kerros pietsosähköistä materiaalia pohjalevyn päälle. Esimerkiksi sopivaa maskia “ 1. käyttämällä on mahdollista kuvioida pietsosähköinen kerros niin, että se peittää vain pietsosähköisten resonaattoreiden alueet. Koska monet pietsosähköiset materiaalit ’;;; ’ ovat hygroskooppisia, tavallisesti käytetään suojakerrosta peittämään pietsosähköi- '··· 25 nen kerros. Tavallisesti läpivientiaukot, jotka paljastavat pohjaelektrodin, valmiste taan kuvioimattomalle pietsosähköiselle kerrokselle ja suojakerrokselle. Jos pietso- * · :: kerros on sopivasti kuvioitu, läpivientiaukkojen tekeminen suojakerrokseen voi riit- : tää. Läpivientiaukot mahdollistavat pohja- ja pintaelektrodien kytkemisen haluttui- ’:. hin paikkoihin: pohjaelektrodeihin kytketyt johtavat liuskat paljastuvat, ja pietso- 30 sähköiset resonaattorit voidaan helposti kytkeä sähköisen piiristön muihin osiin.
• · ; US-patenttijulkaisuissa 5 231 327 ja 5 404 628 kuvataan menetelmää läpivientiauk- ..,.: kojen lukumäärän minimoimiseksi BAW-resonaattoreita sisältävissä piireissä: piiris- • 1 sä oleva BAW-resonaattori voidaan korvata BAW-resonaattoriparilla, jolla on yhteinen elektrodi. Tällä tavoin elektrodit, joita käyttämällä BAW-resonaattoripari on 35 kytketty piiristön muihin osiin, ovat kuvioimattoman pietsosähköisen kerroksen samalla puolella, ja pietsosähköisten resonaattoreiden yhteys samalla pohjalevyllä 6 113111 olevan piiristön muihin osiin on mahdollinen jopa tekemättä läpivientiaukkoja piet-sosähköiseen kerrokseen tai kuvioimatta pietsosähköistä kerrosta.
Yleensä piirien suunnittelun tavoitteena on pitää sekä resonaattoreiden että muiden komponenttien lukumäärä mahdollisimman pienenä. Tällöin myös valmistuskustan-5 nukset voidaan pitää mahdollisimman pieninä. Lisäksi suurempi määrä komponentteja piirissä, esimerkiksi suotimessa, aiheuttaa suuremman vaimennuksen. Suotimissa, joissa on hyväksyttävää käyttää kuvioitua pietsosähköistä kerrosta suodinraken-teessa (toisin sanoen suotimissa, joiden valmistukseen sisältyy pietsosähköisen kerroksen kuviointi) ei resonaattoriparien käyttö yksittäisten resonaattoreiden sijasta 10 näytä olevan kannattavaa.
Niin houkuttelevaa kuin SAW- tai BAW-resonaattoreiden käyttö radiotaajuussuoti-missa ja muissa piiristöissä olisikin, valitettavasti kummatkaan resonaattorityypit eivät kestä suuria tehoja. Radiotaajuussuotimien tehonkäsittelykapasiteetti on ratkaisevan tärkeä esimerkiksi matkaviestimien lähettimille. Kun piiristöön kohdistetaan 15 liian suuri teho, BAW-resonaattorit tyypillisesti rikkoutuvat niin nopeasti, että on vaikeaa analysoida rikkoutumisen syytä. Usein BAW-resonaattori tuhoutuu silloin niin perusteellisesti, että ainoastaan pohjaelektrodi jää pohjalevylle rikkoutumisen jälkeen.
*
Toinen ongelma on se, että sellaisilla tehoilla, jotka eivät vahingoita suotimen pietin 20 sosähköisiä resonaattoreita, lämpökuorma voi aiheuttaa pietsosähköisten resonaatto-reiden lämpötilan nousemisen. Tämä taas tyypillisesti aiheuttaa sen, että pietsosäh-; / köisten resonaattoreiden resonanssitaajuudet ja suotimen ominaisuudet muuttuvat.
• · ’ Lämpötilan nousu voi esimerkiksi aiheuttaa suotimen kaistanpäästön siirtymisen.
Keksinnön tavoitteena on esittää suodinrakenne, jossa on pietsosähköisiä resonaat-, , : 25 toreita ja jolla on hyvä tehonkäsittelykapasiteetti ja hyvä sähköinen vaste. Keksin- . · ·. ’ nön toisena tavoitteena on esittää lähetysjärjestely, jolla on hyvä tehonkäsittelykapa- siteetti. Keksinnön toisena tavoitteena on esittää menetelmä sellaisen sähköisen pii-ristön suunnittelemiseksi, jossa on pietsosähköisiä resonaattoreita ja jolla on hyvä :: tehonkäsittelykapasiteetti j a hyvä sähköinen vaste. 1 '· 30 Keksinnön tavoitteet saavutetaan käyttämällä suodinrakenteessa ainakin yhtä ryh- • · mää pietsosähköisiä resonaattoreita, joilla kaikilla on tietty resonaattoritaajuus, jotka on kytketty sarjaan toistensa kanssa ja jotka on kytketty suodinrakenteen tulo-johtimeen.
7 113111
Keksintö koskee suodinrakennetta, jolla on tietty impedanssitaso ja jossa on ensimmäinen pietsosähköinen resonaattori, jonka resonanssitaajuus on ensimmäinen reso-nanssitaajuus ja joka on kytketty mainitun suodinrakenteen tulojohtimeen, ja mainittu suodinrakenne on tunnettu siitä, että siinä on lisäksi suodinrakenteen tehonkäsit-5 telykapasiteetin lisäämiseksi pietsosähköisten resonaattoreiden ketju, joka käsittää ainakin kaksi pietsosähköistä resonaattoria, jotka on kytketty sarjaan ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin kanssa ja jotka muodostavat yhdessä ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin kanssa sarjaan kytketyn, pietsosähköisen resonaattori-ryhmän, ja siitä, että 10 -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso-sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin osiin vain mainitun, sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa 15 päässä olevan ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
: 20 Keksintö koskee myös suodinrakennetta, jolla on tietty impedanssitaso ja jossa on ’.* ensimmäinen akustinen pinta-aaltoresonaattori, jonka resonanssitaajuus on ensim- : : mäinen resonanssitaajuus ja joka on kytketty mainitun suodinrakenteen tulojohti- *, ’ : meen, ja mainittu suodinrakenne on tunnettu siitä, että siinä on lisäksi suodinraken- ; *teen tehonkäsittelykapasiteetin lisäämiseksi toinen akustinen pinta-aaltoresonaattori, 25 mainitun ensimmäisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin ensimmäinen elektrodi on kytketty mainitun toisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin ensimmäiseen elektro-, ·, ; diin, ja mainittu toinen akustinen pinta-aaltoresonaattori muodostaa yhdessä ensim- mäisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin kanssa sarjaan kytketyn pietsosähköisen '! ‘ resonaattoriryhmän, ja siitä, että 30 -jokaisella mainittuun pietsosähköiseen resonaattoriryhmään kuuluvalla pietsosäh-köisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensim-,·, : mäinen resonanssitaajuus, -mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin osiin vain ensimmäisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin toisen elektrodin 35 ja toisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin toisen elektrodin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
8 113111
Keksintö koskee myös suodinrakennetta, jolla on tietty impedanssitaso ja jossa on ensimmäinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori, jonka resonanssitaajuus on ensimmäinen resonanssitaajuus ja joka on kytketty mainitun suodinrakenteen tulojoh-timeen, ja mainittu suodinrakenne on tunnettu siitä, että siinä on lisäksi suodin-5 rakenteen tehonkäsittelykapasiteetin lisäämiseksi toinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori, mainitun ensimmäisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin ensimmäinen elektrodi on kytketty mainitun toisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin ensimmäiseen elektrodiin, ja mainittu toinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori muodostaa yhdessä ensimmäisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin kanssa sarjaan kytkettyjen 10 pietsosähköisen resonaattoreiden ryhmän tai ketjun, ja siitä, että -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla piet-sosähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin 15 osiin vain ensimmäisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin toisen elektrodin ja toisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin toisen elektrodin kautta, - ensimmäistä akustista tilavuusaaltoresonaattoria ja toista akustista tilavuusaaltore-sonaattoria ei muodosteta käyttämällä yhtä kuvioimatonta pietsosähköistä kerrosta, ja : 20 - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovi- ‘ : tettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
t · , . : Keksintö koskee myös suodinrakennetta, jossa on ensimmäinen suodinhaara ensim- .···*. mäisen signaalin suodattamiseksi, jolloin mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa .'.!t on ensimmäinen tulojohdin ja ensimmäinen lähtöjohdin, ja toinen suodinhaara toi- 25 sen signaalin suodattamiseksi, jolloin mainitussa toisessa suodinhaarassa on toinen tulojohdin ja toinen lähtöjohdin, ja mainittu ensimmäinen lähtöjohdin on kytketty * * · ' · ”· mainittuun toiseen tulojohtimeen; suodinrakenne on tunnettu siitä, että mainitussa *...: ensimmäisessä suodinhaarassa on pietsosähköisten resonaattoreiden ketju, mainitus- ··· sa ketjussa on ainakin kaksi sarjaan kytkettyä pietsosähköistä resonaattoria ja se .“·. 30 muodostaa sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän, ja siitä, että • t -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso- '· sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin en- *: ”: simmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty ensimmäisen suodinhaaran 35 muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan, ensimmäiseen tulojohtimeen kytketyn ensimmäisen pietsosäh- 9 113111 köisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryh-män toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen ensimmäisen suodinhaaran impedanssitason kanssa.
5 Keksintö koskee myös järjestelyä radiotaajuussignaalin lähettämiseksi ja vastaanottamiseksi, jossa järjestelyssä on - ensimmäiset vahvistusvälineet ensimmäisen signaalin vahvistamiseksi, - toiset vahvistusvälineet toisen signaalin vahvistamiseksi, ja - suodinrakenne, jossa on ensimmäinen suodinhaara ensimmäisen signaalin suodatit) tamiseksi ja toinen suodinhaara toisen signaalin suodattamiseksi, jolloin mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa on ensimmäinen tulojohdin ja ensimmäinen lähtö-johdin, ja mainitussa toisessa suodinhaarassa on toinen tulojohdin ja toinen lähtö-johdin, mainittu ensimmäinen lähtökohdin on kytketty mainittuun toiseen tulojohti-meen, mainittu ensimmäinen tulojohdin on liitetty ensimmäisten vahvistusvälineiden 15 lähtöön ja mainittu toinen lähtökohdin on liitetty toisten vahvistusvälineiden tuloon, ja mainittu järjestely on tunnettu siitä, että mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa on pietsosähköisten resonaattoreiden ketju, mainitussa ketjussa on ainakin kaksi sarjaan kytkettyä pietsosähköistä resonaattoria, jotka muodostavat sarjaan kytketyn , · 20 pietsosähköisen resonaattoriryhmän, ja siitä, että •V: -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla piet- 1 sosähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin I · · .'. : ensimmäinen resonanssitaajuus, 1 · .' *, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty ensimmäisen suodinhaaran * · / · _ 25 muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toi sessa päässä olevan, ensimmäiseen tulojohtimeen kytketyn ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisten resonaattori-' l ryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovi- • · · 30 tettu yhteen ensimmäisen suodinhaaran impedanssitason kanssa.
:** Keksintö koskee myös järjestelyä radiotaajuussignaalin lähettämiseksi, jossa järjes- : telyssä on ; · · i - vahvistusvälineet radiotaajuussignaalin vahvistamiseksi, ja - suodinrakenne vahvistetun radiotaajuussignaalin suodattamiseksi, 35 ja mainittu järjestely on tunnettu siitä, että mainitussa suodinrakenteessa on pietsosähköisten resonaattoreiden ketju, mainitussa ketjussa on ainakin kaksi sarjaan 10 113111 kytkettyä pietsosähköistä resonaattoria, jotka muodostavat sarjaan kytketyn piet-sosähköisen resonaattoriryhmän, ja siitä, että - jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso-sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin en- 5 simmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan, mainitun suodinrakenteen tulojohtimeen kytketyn ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattori- 10 ryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
Keksinnön mukainen menetelmä on menetelmä suotimen suunnittelemiseksi, ja siinä on seuraava vaihe, jossa: 15 - määritetään suodinrakenne, jossa on pietsosähköisiä resonaattoreita ja joka saavut taa taajuusvasteen tietyn tavoitearvon, ja menetelmä on tunnettu siitä, että siinä on lisäksi seuraavat vaiheet: - suodinrakenteessa korvataan alkuperäinen pietsosähköinen resonaattori, jolla on ensimmäinen resonanssitaajuus, ryhmällä pietsosähköisiä resonaattoreita, joista jo- , , ! 20 kaisen resonanssitaajuus on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, : t:, *' jotka on kytketty sarjaan, ja sarjaan kytkettyjen resonaattoreiden ryhmän impedanssi ! · ’: on sama kuin alkuperäisen pietsosähköisen resonaattorin impedanssi, ja ,· - valitaan mainitussa pietsosähköisten resonaattoreiden ryhmässä olevien pietsosäh- . · * *. köisten resonaattoreiden lukumäärä.
• » '· >·' 25 Oheisissa epäitsenäisissä vaatimuksissa kuvataan joitakin keksinnön edullisia toteu tusmuotoja.
* · • I · » · , Pietsosähköisen BAW-resonaattorin rikkoutumisen voi aiheuttaa suuren jännitteen • ’ ja/tai resonaattorin pietsosähköisesti herätettyjen mekaanisten värähtelyjen amplitu- . .: din aiheuttama sähköinen rikkoutuminen. Sähköinen rikkoutuminen ja mekaanisten > · · 30 värähtelyjen amplitudi, jota ei pitäisi ylittää, osoittaa, että pietsosähköiseen reso- . ·. : naattoriin kohdistuvalle jännitteelle on olemassa raja, jota ei voi ylittää vahingoitta- ,,..: matta resonaattoria. Kun yhden pietsosähköisen resonaattorin sijasta käytetään sar- < · jaan kytkettyä pietsosähköistä resonaattoriryhmää, jokaiseen pietsosähköiseen resonaattoriin kohdistuva jännite pienenee. Jännitteen ylärajan saavuttamiseen tarvitaan 35 siis suurempi teho kuin yhtä pietsosähköistä resonaattoria käytettäessä.
11 113111
Pietsosähköisissä SAW-resonaattoreissa SAW-resonaattoriin kohdistuva jännite on merkittävä SAW-resonaattoreita vahingoittava tekijä. Siksi suodinrakenteella, jossa on ryhmä sarjaan kytkettyjä, pietsosähköisiä SAW-resonaattoreita, on parempi te-honkäsittelykapasiteetti kuin suodinrakenteella, jossa on yksi vastaava SAW-reso-5 naattori.
Koska sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten resonaattoreiden ryhmän impedanssin on tyypillisesti sovittava yhteen suodinpiirin resonanssin kanssa, pietsosähköiseen re-sonaattoriryhmään kuuluvien yksittäisten pietsosähköisten resonaattoreiden kapasitanssit ovat suurempia kuin yhden pietsosähköisen resonaattorin kapasitanssi. Esi-10 merkiksi pietsosähköisen BAW-resonaattorin kapasitanssi on suoraan verrannollinen resonaattorin pinta-alaan. Impedanssisovituksen vuoksi sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten BAW-resonaattoreiden kokonaispinta-alan on siis oltava huomattavasti suurempi kuin yhden pietsosähköisen BAW-resonaattorin pinta-ala. SAW-resonaat-torin impedanssi riippuu eniten sormien lukumäärästä ja sormien pituudesta. Samoin 15 myös pietsosähköisten, sarjaan kytkettyjen ja sopivan impedanssin omaavien SAW-resonaattoreiden ryhmän pinta-ala on tyypillisesti suurempi kuin yhden SAW-reso-naattorin. Suurempi pinta-ala parantaa lämmönsiirtoa pietsosähköisistä resonaattoreista pohjalevyyn, ja sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten resonaattoreiden ryhmän lämpötila nousee tyypillisesti vähemmän kuin yhden pietsosähköisen resonaattorin i 20 lämpötila samoissa olosuhteissa. Tämä auttaa pitämään suotimen tai piirin muiden . ,: osien ominaisuudet muuttumattomina. Lisäksi on mahdollista, että pietsosähköisten . I resonaattoreiden rikkoutuminen johtuu - ainakin osittain - liian korkeasta lämpöti- lasta. Lisääntynyt lämmönsiirtokapasiteetti voi siten suoraan parantaa myös piet-sosähköisiä resonaattoreita sisältävän piirin tehonkäsittelykapasiteettia.
• » '*··’ 25 Useita sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä BAW-resonaattoreita sisältävän suotimen vaimennus ei yleensä merkittävästi kasva verrattuna suotimeen, jossa on yksi vas- 4 « ·’. i taava pietsosähköinen BAW-resonaattori. Tämä johtuu siitä, että pietsosähköisen * I t ',,,: BAW-resonaattorin pinta-alan kasvaessa pietsosähköisen BAW-resonaattorin tehol- ,:, linen pietsosähköinen kytkentäkerroin kasvaa. Tämä johtuu pääasiassa hajakapasi- )···, 30 tanssin vähenevästä vaikutuksesta. Tehollinen pietsosähköinen kytkentäkerroin
I I
'! ‘ osoittaa, kuinka tehokkaasti pietsosähköiseen resonaattoriin vaikuttava jännite muut- 1 > i tuu mekaanisiksi värähtelyiksi pietsosähköisessä resonaattorissa, ja se riippuu voi- » makkaasti siihen vaikuttavan jännitteen taajuudesta. Tästä syystä, vaikka jokainen pietsosähköinen BAW-resonaattori lisää suotimen vaimennusta, suotimen kaistan-35 päästö voidaan suunnitella vähän leveämmäksi (suurempi tehollinen kytkentäkerroin 12 113111 mahdollistaa tämän) ja vaimennuksen kasvaminen voidaan ainakin osittain kompensoida.
Silloin, kun suotimen tehonkäsittelykapasiteettiin on kiinnitettävä huomiota, useiden sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten resonaattoreiden käyttö suodinrakenteissa on 5 edullista riippumatta siitä, kuuluuko pietsosähköisten resonaattoreiden valmistukseen pietsosähköisen kerroksen kuviointi vai ei. Pietsosähköisten resonaattoreiden lukumäärän ja pinta-alan kasvaessa suodinrakenteen pinta-ala myös tyypillisesti kasvaa. Useiden sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten resonaattoreiden käytön edut ovat kuitenkin monissa tilanteissa niin merkittäviä, että suotimen pinta-alan kasva-10 minen on hyväksyttävää. Sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita sisältävän suotimen tarvitsema tila on huomattavasti pienempi kuin esimerkiksi keraamisen suotimen tarvitsema tila. Keraamisia suotimia käytetään nykyään esimerkiksi so-lukkoradiopuhelimissa.
Keksintöä kuvataan nyt yksityiskohtaisemmin viitaten esimerkkinä esitettyihin edul-15 lisiin toteutusmuotoihin ja oheisiin piirustuksiin, joista kuva 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista akustista pinta-aaltoresonaattoria, kuva 2 esittää tunnetun tekniikan mukaista akustista tilavuusaaltoresonaattoria, kuva 3 esittää toista akustista tilavuusaaltoresonaattorirakennetta, jossa on silta-:Y: rakenne, ; 20 kuva4 esittää akustista tilavuusaaltoresonaattoria, jossa on läpivientiaukkora-
I t I
' · ‘ *· kenne, kuva 5 esittää akustista tilavuusaaltoresonaattoria, joka on eristetty pohjalevystä akustisella peilirakenteella, ’·.*·: kuva 6 esittää pinottua akustista tilavuusaaltoresonaattoria, 25 kuva 7 esittää esimerkkiä tunnetun tekniikan mukaisesta tikapuusuodinlohkosta • ·;; ja esimerkkiä tunnetun tekniikan mukaisesta verkkosuodinrakenteesta, . kuva 8 esittää tehollista pietsosähköisiä kytkentäkerrointa BAW-resonaattorin ' elektrodin leveyden funktiona, kuva 9 esittää vuokaaviota menetelmästä suodinrakenteen suunnittelemiseksi 30 keksinnön ensimmäisen edullisen toteutusmuodon mukaan, 13 113111 kuva 10 esittää esimerkkinä keksinnön toisen edullisen toteutusmuodon mukaista tikapuusuodinlohkoa, kuva 11 esittää esimerkkinä keksinnön kolmannen edullisen toteutusmuodon mukaista tikapuusuodinta, 5 kuva 12 esittää esimerkkinä keksinnön neljännen edullisen toteutusmuodon mukaista verkkosuodinrakennetta, kuva 13 esittää kahta esimerkkiä kuvan 11 mukaisen suodinrakenteen toteuttamisesta, kuva 14 esittää esimerkkinä keksinnön mukaista dupleksisuodinrakennetta, 10 kuva 15 esittää esimerkkinä järjestelyä radiotaajuussignaalin lähettämiseksi ja vastaanottamiseksi keksinnön mukaan, ja kuva 16 esittää esimerkkinä järjestelyä radiotaajuussignaalin lähettämiseksi keksinnön mukaan.
Edellä tunnetun tekniikan kuvauksen yhteydessä viitattiin kuviin 1-7. Kuvissa käyte-15 tään toisiaan vastaavista osista samoja viitenumerotta.
: Nyt selostamme lyhyesti BAW-resonaattorin elektrodeilla varustetun alueen A koon vaikutusta teholliseen pietsosähköiseen kytkentäkertoimeen keff. Tehollisen pietso-• . *. sähköisen kytkentäkertoimen yläraja on todellinen pietsosähköinen kytkentäkerroin, 1 joka riippuu pääasiassa BAW-resonaattorissa käytetystä pietsosähköisestä materiaa- 20 lista.
:...· On mahdollista määrittää resonaattorin tehollinen pietsosähköinen kytkentäkerroin mittaamalla resonaattorin rinnakkaisresonanssitaajuus ja sarjaresonanssitaajuus: te-hollinen pietsosähköinen kytkentäkerroin voidaan laskea käyttämällä näiden reso-nanssitaajuuksien välistä eroa. Kuva 8 esittää avoimin ja täytetyin ympyröin tehol-25 lista pietsosähköistä kytkentäkerrointa 2 GHz.n taajuudella kahdelle BAW-resonaat-toriryhmälle, kun pietsosähköinen materiaali on ZnO. Tarkasteltavana oleva BAW-resonaattoreiden elektrodialue on neliömäinen, ja neliön leveys on esitetty vaaka-: akselilla. Tarkasteltavana olevien BAW-resonaattoreiden koko on noin 50x50 pm - 600x600 pm2.
30 BAW-resonaattorin rinnakkaiskapasitanssi on Co = Cpl + Cs- Cpi on BAW-resonaattorin elektrodialueen anodikapasitanssi Cpl - εοε,Α/ί, jossa ε0 on vapaan tilan 14 113111 permittiivisyys, sr on pietsosähköisen materiaalin suhteellinen permittiivisyys, A on BAW-resonaattorin elektrodialue ja t on pietsosähköisen kerroksen paksuus. Cs on rajalliseen elektrodialueeseen liittyvä hajakapasitanssi, joka aiheuttaa sähkökentän vuotamisen BAW-resonaattorin elektrodien välistä. Hajakapasitanssi voidaan arvioi-5 da käyttämällä yleisesti tunnettuja kaavoja.
Resonaattorin mekaaninen kapasitanssi Cm voidaan johtaa anodikapasitanssista ja todellisesta pietsosähköisestä kytkentäkertoimesta k käyttämällä Cm = Cpl / Tehollinen kytkentäkerroin on silloin kff= I- Cm~ eff VC0+Cm 10 joka on elektrodialueen A funktio. On mahdollista sovittaa tämä funktio tehollisen pietsosähköisen kytkentäkertoimen mitattuun arvoon ja saada arvio todelliselle piet-sosähköiselle kytkentäkertoimelle k. Kuva 8 esittää sovituksen tulokset yhtenäisenä viivana ja katkoviivana. Avoimin ympyröin merkityille resonaattoreille saadaan todellisen pietsosähköisen kytkentäkertoimen arvoksi k = 0,271. Täytetyin ympyröin 15 merkityille resonaattoreille saadaan arvo k = 0,266. Kuten kuvasta 8 voidaan nähdä, tarkasteltavina olevilla BAW-resonaattoreilla, joiden pinta-ala on noin 250x250 μιη tai suurempi, tehollinen pietsosähköinen kytkentäkerroin on hyvin lähellä todellista # t’: | pietsosähköistä kytkentäkerrointa. Tutkittavana olevilla BAW-resonaattoreilla, joi- den pinta-ala on alle 200x200 pm2, hajakapasitanssin Cs vaikutus on selvästi nähtä- ; 20 vissä: tehollinen pietsosähköinen kytkentäkerroin on huomattavasti pienempi kuin * 1 · . ·. j todellinen pietsosähköinen kytkentäkerroin.
'···* Suotimen impedanssi sovitetaan tyypillisesti tiettyyn impedanssitasoon, usein 50 ohmin impedanssiin. Pietsosähköisen BAW-resonaattorin impedanssi aiheutuu pääasiassa rinnakkaiskapasitanssista C0, ja siksi impedanssin sovitus johtaa siihen, että 25 yksittäisten, sarjaan kytkettyjen BAW-resonaattoreiden kapasitanssit ovat suurempia kuin mainittujen BAW-resonaattoreiden yhdistelmän kapasitanssi. Tästä syystä, kun BAW-resonaattoreiden ryhmä on kytketty sarjaan korvaamaan yksittäinen BAW-resonaattori, jolla on sama impedanssi, BAW-resonaattoreiden ryhmän pinta-ala on ···' huomattavasti suurempi kuin yksittäisen BAW-resonaattorin. Yksittäinen BAW- : 30 resonaattori, jonka koko on 200x200 pm , voidaan korvata esimerkiksi kahdella •;··· 282x282 pm2:n tai kolmella 346x346 pm2:n sarjaan kytketyllä BAW-resonaattorilla.
Sarjaan kytkettyjen resonaattoreiden pinta-alan ei tarvitse olla sama, mutta tavallisesti ne ovat samankokoisia. Jos n BAW-resonaattoria, joilla on tietty pinta-ala a ja jotka on kytketty sarjaan, korvaavat yksittäisen BAW-resonaattorin, jonka pinta-ala 15 113111 on A, jokaisen BAW-resonaattorin pinta-ala a on olennaisesti nA impedanssin sovituksen aikaansaamiseksi. Kuten edellä on selostettu, yksittäisen BAW-resonaattorin tehollinen pietsosähköinen kytkentäkerroin kasvaa BAW-resonaattorin pinta-alan kasvaessa. Siksi vaimennushäviöt, jotka johtuvat suuremmasta resonaattoreiden 5 määrästä suodinrakenteessa, voidaan ainakin osittain kompensoida suunnittelemalla suodin toimimaan vähän leveämmällä taajuuskaistalla.
Suotimissa, joissa käytetään SAW-resonaattoreita, vaimennus voi kasvaa, kun SAW-resonaattoreiden lukumäärä kasvaa. Toisaalta taas SAW-resonaattoreiden kyt-kentäkertoimet ovat melko hyviä - ainakin verrattuna BAW-resonaattoreiden kyt-10 kentäkertoimiin - joten monissa tapauksissa vähäinen vaimennuksen kasvu on vielä hyväksyttävää.
Kuva 9 esittää vuokaaviota keksinnön ensimmäisen edullisen toteutusmuodon mukaisesta menetelmästä 900 pietsosähköisiä resonaattoreita sisältävän suotimen suunnittelemiseksi. Vaiheessa 901 määritellään suotimelle taajuusvasteen tavoitearvo. 15 Suodin voi olla esimerkiksi kaistanpäästösuodin, jolla on päästökaista taajuudella 1805-1880 MHz tai 925-960 MHz. Vaiheessa 902 määritetään ensimmäinen suo-dinrakenne, joka saavuttaa määritellyn taajuusvasteen tavoitearvon. Tämä suodinra-kenne voi olla tyypillinen tunnetun tekniikan mukainen suodinrakenne, jossa läpivienti aukkojen kautta suodinpiiriin kytkettyjen pietsosähköisten resonaattoreiden 20 määrä pidetään mahdollisimman pienenä. Vaiheet 901 ja 902 ovat mukana käytän- » i · . ·, ·. nöllisesti katsoen kaikissa suotimien suunnittelumenetelmissä.
· Vaiheessa 903 määritellään suotimelle tavoitteena oleva tehonkäsittelykapasiteetti, :: ja vaiheessa 904 määritetään ensimmäisen suodinrakenteen tehonkäsittelykapasiteet- v,.: ti. Suotimen tehonkäsittelykapasiteetti voidaan määrittää esimerkiksi analysoimalla 25 suodinrakennetta ja sen käyttäytymistä toiminnan aikana teoreettisesti tai käyttämällä simulointia tai testaamalla valmistettu suodin tulosignaaleilla, joilla on kasvavat tehotasot.
·;·’ Jos ensimmäisen suodinrakenteen tehonkäsittelykapasiteetti on pienempi kuin ta- :· voitteena oleva tehonkäsittelykapasiteetti (vaihe 905), vaiheessa 908 määritetään 30 toinen suodinrakenne korvaamalla ensimmäisessä suodinrakenteessa alkuperäinen . pietsosähköinen resonaattori, jolla on ensimmäinen resonanssitaajuus, ryhmällä * ; pietsosähköisiä resonaattoreita, joista jokaisen resonanssitaajuus on olennaisesti sa- «· · · · ma kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, jotka on kytketty sarjaan, ja tämän sarjaan kytketyn resonaattoriryhmän impedanssi on sama kuin alkuperäisen pietsosähköisen 35 resonaattorin tai alkuperäisen resonanssijärjestelyn impedanssi (jos tämä resonaatto- 16 113111 riryhmä korvaa tietyn määrän alkuperäisiä pietsosähköisiä resonaattoreita) ensimmäisessä suodinrakenteessa. On mahdollista sijoittaa toiseen suodinrakenteeseen ryhmä sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita tai useampi kuin yksi sellainen ryhmä. On esimerkiksi mahdollista määrittää (vaiheessa 906) - taas esimer-5 kiksi joko teoreettisesti, esimerkiksi simulaatioita käyttämällä, tai kokeellisesti - mikä (mitkä) pietsosähköisistä resonaattoreista ensimmäisessä suodinrakenteessa on (ovat) alttiimpia särkymään suuren tehotason vaikutuksesta. Se, mikä tai mitkä pietsosähköisistä resonaattoreista ovat herkimpiä, voi riippua tulosignaalin taajuudesta ja suotimen rakenteesta. Esimerkiksi suurimmalle jännitteelle alttiina oleva pietso-10 sähköinen resonaattori (tai resonanssijärjestely) on tavallisesti (tuloja kohti) ensimmäinen pietsosähköinen resonaattori (resonanssijärjestely). Taajuuksilla, jotka ovat lähellä kaistanpäästön alareunaa, ensimmäinen rinnakkainen pietsosähköinen resonaattori on tyypillisesti herkin. Taajuuksilla, jotka ovat lähellä kaistanpäästön yläreunaa, ensimmäinen sarjaan kytketty pietsosähköinen resonaattori on tyypillisesti 15 herkin. Siksi voi olla suositeltavaa sijoittaa ensimmäinen ryhmä sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita ensimmäiseksi sarjaan kytketyksi pietsosähköiseksi resonanssijärjestelyksi toiseen suodinrakenteeseen ja toinen ryhmä sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita ensimmäiseksi rinnan kytketyksi pietsosähköiseksi resonanssijärjestelyksi toiseen suodinrakenteeseen. Pietsosähköisten resonaattorei-20 den lukumäärät näissä ensimmäisessä ja toisessa ryhmässä voivat olla samat tai erilaiset. Vaihtoehtoisesti voi riittää, että korvataan vain yksi sarjaan ja rinnan kytke-. . tyistä ensimmäisistä pietsosähköisistä resonaattoreista (pietsosähköisistä resonanssi- • ,·. järjestelyistä) sarjaan kytketyllä pietsosähköisellä resonaattoriryhmällä. Lisäksi voi V olla tarpeen korvata myös muita pietsosähköisiä resonaattoreita ensimmäisessä suo- ;,. ’ 25 dinrakenteessa sarjaan kytketyillä pietsosähköisillä resonaattoriryhmillä.
: Kuten edellä on selostettu, niiden sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten resonaatto- reiden määrä, jotka korvaavat alkuperäisen pietsosähköisen resonaattorin ensimmäi-:'. : sessä suodinrakenteessa, vaikuttaa toisen suodinrakenteen vaimennukseen ja taa- . · ·. juusvasteeseen. Pietsosähköisten resonaattoreiden määrän lisääminen pietsosähköis- ’·*’ 30 ten resonaattoreiden ryhmässä lisää tyypillisesti toisen suodinrakenteen tehonkäsit- ··: telykapasiteettia, mutta se voi myös lisätä toisen suodinrakenteen vaimennusta ja muuttaa toisen suodinrakenteen taajuusvastetta. Jonkin verran suurempi vaimennus . * : voidaan joissakin tapauksissa jättää huomiotta, koska tehonkäsittelyvaatimukset voi- vat osoittaa, että suodin on erityisesti suunniteltu käytettäväksi suurtehoalueella, 35 jossa lisääntynyt vaimennus ei tyypillisesti aiheuta ongelmia. Siksi on tyypillisesti tarve löytää sopiva tasapaino ainakin toisen suodinrakenteen tehonkäsittelykapasi-teetin ja toisen suodinrakenteen taajuusvasteen välille valitsemalla sarjaan kytketty- 17 113111 jen pietsosähköisten resonaattoreiden lukumäärä. Vaihtoehtoisesti on myös mahdollista priorisoida tehonkäsittelykapasiteetti.
Menetelmässä 900 sarjaan kytkettyjen pietsosähköisten resonaattoreiden lukumäärä n valitaan esimerkiksi kokeilemalla joitakin mahdollisuuksia, alkaen n = 2 (vaihe 5 907). Ensin vaiheessa 906 määritellään ensimmäisessä suodinrakenteessa oleva piet- sosähköinen resonaattori, joka on tarkoitus korvata n kappaleella sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita, joilla on sama yhdistetty impedanssi kuin alkuperäisellä pietsosähköisellä resonaattorilla, ja korvataan se näillä resonaattoreilla vaiheessa 908. Sen jälkeen määritellään nykyisen toisen suodinrakenteen tehonkäsitte-10 lykapasiteetti ja taajuusvaste vaiheessa 909. Pietsosähköisten resonaattoreiden lukumäärää n mainitussa ryhmässä lisätään vaiheessa 910 ja vaiheet 908-910 toistetaan joitakin kertoja; n:n yläraja voi riippua esimerkiksi suodinrakenteelle käytettävissä olevasta tilasta. Sen jälkeen valitaan vaiheessa 911 n:n arvo, jolla saadaan sopiva (tavallisesti paras mahdollinen) tehonkäsittelykapasiteetin ja taajuusvasteen 15 yhdistelmä.
Menetelmä 900 on vain esimerkki menetelmästä suodinrakenteen tehonkäsittelykapasiteetin säätämiseksi. Tietenkin on mahdollista käyttää myös kehittyneempää menetelmää, jossa jotkin ensimmäisessä suodinrakenteessa olevat pietsosähköiset resonaattorit korvataan sarjaan kytketyillä pietsosähköisillä resonaattoriryhmillä. Vaih-: 20 toehtoisesti on mahdollista käyttää menetelmää 900 erikseen eri taajuuksille (eli va- :: Iita eri pietsosähköiset resonaattorit vaiheessa 906) ja tuloksia käyttäen määrittää sit- . ·. ten sopivin suodinrakenne.
;,.' Menetelmää 900 tai muuta vastaavaa menetelmää käyttämällä on mahdollista muut- taa tunnetun tekniikan mukaista pietsosähköisiä resonaattoreita sisältävää suodinra- t ♦ ‘ · · · ‘ 25 kennetta niin, että sillä on parempi tehonkäsittelykapasiteetti.
Kuva 10 esittää esimerkkinä keksinnön toisen edullisen toteutusmuodon mukaista . tikapuusuodinlohkoa 1090 vastaavaa piiriä. Tässä tikapuusuodinlohkossa 1090 on ensimmäinen ryhmä 1010 pietsosähköisiä resonaattoreita, joilla on tietty ensimmäi-nen resonanssitaajuus ja jotka on kytketty sarjaan, ja toinen ryhmä 1020 pietsosäh-:.. 30 köisiä resonaattoreita, joilla on tietty toinen resonanssitaajuus (tyypillisesti erilainen kuin ensimmäinen resonanssitaajuus) ja jotka on kytketty sarjaan. Tikapuusuodin-lohkossa 1090 ensimmäinen pietsosähköinen resonaattoriryhmä 1010 on kytketty sarjaan ja toinen pietsosähköinen resonaattoriryhmä 1020 on kytketty rinnan tulo-johtimien 1030a, 1030b ja lähtöjohtimien 1040a, 1040b väliin. Kolme pistettä kuvan 35 10 ryhmissä 1010 ja 1020 viittaavat tiettyyn määrään (mainittu määrä > 0) sarjaan 18 113111 kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita äärimmäisten pietsosähköisten resonaatto-reiden 1011a, 1011b, 1021a, 1021b välillä kuvassa 10. Tämä pietsosähköisten reso-naattoreiden lukumäärä voi olla mikä tahansa positiivinen kokonaisluku tai nolla. Kuvassa 10 ryhmässä 1010 on siten ainakin kaksi pietsosähköisiä resonaattoria, ja 5 ryhmässä 1020 on ainakin kolme pietsosähköisiä resonaattoria. Tämä on vain esimerkki, ja on mahdollista, että keksinnön mukaisessa suodinrakenteessa tulo- ja läh-töjohtimien välissä olevassa rinnan kytketyssä pietsosähköisessä resonaattoriryh-mässä (eli ryhmässä, joka vastaa ryhmää 1020 lohkossa 1090) on ainakin kaksi piet-sosähköistä resonaattoria ja/tai tulo- ja lähtöjohtimien välissä olevassa sarjaan kyt-10 ketyssä pietsosähköisessä resonaattoriryhmässä (eli ryhmässä, joka vastaa ryhmää 1010 lohkossa 1090) on ainakin kolme resonaattoria.
Sarjaan kytketyssä pietsosähköisessä resonaattoriryhmässä 1010, 1020 on ensimmäinen pietsosähköinen resonaattori 1011a, 1021a mainitun sarjaan kytketyn piet-sosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä ja toinen pietsosähköinen resonaat-15 tori 1011b, 1021b mainitun ryhmän toisessa päässä. Sarjaan kytketty pietsosähköinen resonaattoriryhmä 1010, 1020 on kytketty toiseen tikapuusuodinlohkoon 1090 vain ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin 1011a, 1021a ja toisen pietsosäh-köisen resonaattorin 1011b, 1021b kautta. Pietsosähköisten resonaattoriryhmien 1010, 1020 impedanssit on vastaavasti sovitettu tikapuusuodinlohkon 1090 impe-20 danssin tavoitearvoon.
; y. Kuva 11 esittää esimerkkinä keksinnön kolmannen edullisen toteutusmuodon mu- • ,*. kaista tikapuusuodinta 1100. Tässä tikapuusuotimessa 1100 on kolme tikapuu- ,·’ * suodinlohkoa. Niistä ensimmäisessä, tikapuusuodinlohkossa 1190 on ryhmä 1110 .,.' sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaattoreita, joilla on sama resonanssitaajuus ;;; 25 ja jotka on kytketty sarjaan tulojohtimien 1030a, 1030b ja lähtöjohtimien 1040a, '··' 1040b väliin, ja pietsosähköinen resonaattori 1191, joka on kytketty rinnan tulo- ja lähtöjohtimien väliin. Esimerkiksi kuvassa 11 esitetty ryhmä 1110 koostuu kahdesta :. ·: pietsosähköisestä resonaattorista, mutta niiden lukumäärä voi olla suurempi muissa ’...· keksinnön mukaisissa tikapuusuotimissa. Tikapuusuodinlohkot 1180a ja 1180b on 30 kytketty sarjaan tikapuusuodinlohkon 1190 kanssa. Tikapuusuodinlohkoista 1180a ja 1180b kummassakin on pietsosähköinen resonaattori 1181a, 1181b, jotka on kyt-': ’ ketty sarjaan, ja pietsosähköinen resonaattori 1182a, 1182b, jotka on kytketty rinnan :.' ·: tulo- ja lähtöjohtimien väliin.
Pietsosähköinen resonaattoriryhmä 1110 toimii tikapuusuotimessa 1100 ensimmäi-35 senä sarjaan kytkettynä pietsosähköisenä resonanssijärjestelynä. Kuten edellä on selostettu menetelmän 900 yhteydessä, on usein suositeltavaa sijoittaa pietsosähköinen 19 113111 resonaattoriryhmä ensimmäiseksi pietsosähköiseksi resonanssijärjestelyksi. Toisena esimerkkinä tikapuusuodinlohko 1190 voidaan korvata esimerkiksi kuvan 10 esittämällä suodinlohkolla 1090. Pietsosähköinen resonaattoriryhmä, joka on kytketty rinnan tulo-ja lähtöjohtimien väliin ja suoraan tulojohtimeen, parantaa edelleen suo-5 timen tehonkäsittelykapasiteettia.
Yhden tikapuusuotimen, jolla on sama rakenne kuin tikapuusuotimella 1100, jossa pietsosähköiset resonaattorit ovat pietsosähköisiä BAW-resonaattoreita, joiden piet-sosähköisenä materiaalina on ZnO, jossa ryhmä 1110 koostuu kahdesta pietsosäh-köisestä BAW-resonaattorista ja jonka tikapuusuotimen keskitaajuus on 942,5 MHz, 10 havaitaan kestävän 33 dBm:n tehoa. Vastaava tikapuusuodin, jossa ryhmä 1110 korvataan vastaavalla yksittäisellä pietsosähköisellä BAW-resonaattorilla, pystyy käsittelemään 30 dBm.n tehoa. Käyttämällä ryhmää 1110, jossa on enemmän kuin kaksi pietsosähköistä resonaattoria, on mahdollista lisätä tämän esimerkinomaisen tikapuusuotimen tehonkäsittelykapasiteettia vielä enemmän.
15 Kuva 12 esittää esimerkkinä keksinnön neljännen edullisen toteutusmuodon mukaista verkkosuodinrakennetta 1200 vastaavaa piiriä. Verkkosuodinrakenteessa 1200 on neljä pietsosähköistä resonaattoriryhmää. Tässä verkkosuodinrakenteessa 1200 ryhmät 1210a, 1210b on kytketty sarjaan tulojohtimien 1030a, 1030b ja lähtöjohtimien 1040a ja 1040b välille, ja ryhmät 1220a, 1220b on kytketty rinnan tulo-ja lähtöjoh-i 20 timien välille. Ryhmät 1010a ja 1010b ovat tyypillisesti identtisiä (tai niin identtisiä : kuin on mahdollista valmistaa), samoin kuin ryhmät 1020a ja 1020b. Tunnetun tek- : nilkan mukaiseen verkkosuotimeen verrattuna verkkosuodinrakenteessa 1200 en- simmäinen sarjaan kytketty resonaattori ja ensimmäinen rinnan kytketty resonaattori ‘ . korvataan pietsosähköisillä resonaattoriryhmillä. Suodinrakenteen pitämiseksi sym- , · ·. 25 metrisenä myös muut resonaattorit tunnetun tekniikan mukaisessa verkkosuotimessa korvataan pietsosähköisillä resonaattoriryhmillä. Esimerkiksi suodinrakenteessa . . 1200 ryhmä 1210a, 1210b koostuu kahdesta pietsosähköisestä resonaattorista ja ; / ryhmä 1220a, 1220b koostuu kahdesta pietsosähköisestä resonaattorista.
Mainittuihin ryhmiin 1210a, 1210b, 1230a, 1230b kuuluvat pietsosähköiset reso-;; 30 naattorit voivat olla esimerkiksi pietsosähköisiä BAW-resonaattoreita, jotka muo dostetaan kuvioimalla pietsosähköinen kerros erillisiksi lohkoiksi pietsosähköistä :. ‘ ·: materiaalia, jolloin jokaisessa BAW-resonaattorissa on erillinen lohko pietsosäh- •: · * i köistä materiaalia. Nämä pietsosähköiset BAW-resonaattorit on tyypillisesti kytketty toisiinsa käyttämällä läpivientiaukkoja, jotka tehdään suojakerroksen läpi. Vaihtoeh-35 toisesti on mahdollista, että BAW-resonaattorit muodostetaan käyttämällä yhtä pietsosähköistä kerrosta, johon muodostetaan tarvittava määrä läpivientiaukkoja BAW- 20 113111 resonaattoreiden kytkemiseksi toisiinsa ja/tai toiseen suodinpiiriin. Vaihtoehtoisesti mainittuihin ryhmiin 1210a, 1210b, 1230a, 1230b kuuluvat pietsosähköiset resonaattorit voivat olla esimerkiksi pietsosähköisiä SAW-resonaattoreita. Silloin, kun suotimessa on pietsosähköisiä resonaattoreita, suodinrakenteessa käytetään yleensä 5 vain joko BAW- tai SAW-resonaattoreita.
Kuvissa 10-12 esitetyt suodinrakenteet ovat esimerkkejä keksinnön mukaisista suo-dinrakenteista. On mahdollista rakentaa monenlaisia muita suodinrakenteita, jotka kuuluvat oheisten patenttivaatimusten suojapiiriin. Erityisesti keksinnön mukaisella suodinrakenteella voi olla useampi kuin yksi sarjaan kytketty pietsosähköinen reso-10 naattoriryhmä.
Sarjaan kytketyt BAW-resonaattorit voidaan muodostaa käyttäen joko kuvioitua tai kuvioimatonta pietsosähköisiä kerrosta. Kuva 13 esittää kahta esimerkkiä suodinra-kenteen 1200 muodostamisesta; näissä esimerkeissä käytetään kuvioitua pietsosäh-köistä kerrosta. Johtava materiaali, joka muodostaa esimerkiksi BAW-resonaatto-15 reiden pohjaelektrodit ja tulo- ja lähtöjohtimet, on merkitty ristikkäisviivoituksella. Johtava materiaali, joka muodostaa BAW-resonaattoreiden pintaelektrodit ja osan kytkentäpiiristöstä, on jätetty valkoiseksi. Pietsosähköinen kerros on merkitty vino-viivoituksella. BAW-resonaattorit 1110a ja 1110b muodostavat pietsosähköiset resonaattorit, jotka on merkitty numerolla 1110 kuvassa 11. Kuvassa 13a pietsosäh-’: 20 köinen kerros on kuvioitu niin, että jokainen mainittuun suodinrakenteeseen kuuluva \ BAW-resonaattori muodostuu erillisestä lohkosta pietsosähköisiä materiaalia. Kuva 13b esittää toista esimerkkiä, jossa muodostetaan joukko läpivientiaukkoja ainakin | yhden suodinrakenteessa olevan BAW-resonaattorin kytkemiseksi suodinpiiristöön.
; On mahdollista, että tähän tarkoitukseen tarvitaan vain yksi läpivientiaukko. Kuvi- ;;;* 25 oimattoman pietsosähköisen kerroksen käyttäminen (ei esitetty kuvassa 13) tarkoit- ‘ · ··’ taa sitä, että käytännössä suodinpiiristön koko alue on peitetty pietsosähköisellä ker roksella.
SAW-resonaattoreita sisältävät suotimet muodostetaan tyypillisesti pietsosähköi- • sestä kiteestä muodostetulle levylle (substraatille). SAW-resonaattoreiden elektrodit • · · 30 sijoitetaan tyypillisesti pietsosähköisen kiteen yhdelle pinnalle. SAW-resonaattorit ‘: kytketään tavallisesti yhteen käyttämällä samaa johtavaa kerrosta, josta elektrodit on ; ‘ · (j muodostettu, ja/tai käyttämällä sidontajohtimia.
Esimerkiksi monissa solukkojärjestelmissä signaalin lähetys ja vastaanotto tapahtuu eri taajuuksilla. Jos lähetys tapahtuu ensimmäisellä taajuuskaistalla ja vastaanotto 35 toisella taajuuskaistalla, käytetään dupleksisuodinta erottamaan lähetetyt ja vastaan- 21 113111 otetut signaalit toisistaan. Dupleksisuotimessa on kaksi suodinhaaraa, ja suodinhaa-rojen päästökaistat ovat erilaiset. Antenniin kytketyn dupleksisuotimen avulla on siten mahdollista lähettää signaaleja ensimmäisellä taajuuskaistalla ja vastaanottaa signaaleja toisella taajuuskaistalla. Lisäksi on mahdollista, että signaalien lähetys 5 ja/tai vastaanotto tapahtuu eri taajuuskaistoilla, ei ainoastaan yhtä taajuuskaistaa käyttämällä. On mahdollista suunnitella suodin, joka mahdollistaa signaalien lähetyksen ja vastaanoton myös tässä tapauksessa.
Kuva 14 esittää kaavamaisesti vielä yhtä keksinnön mukaista suodinrakennetta 1400. Tätä suodinrakennetta 1400 käytetään tyypillisesti radiolähetin/vastaanotti-10 missä, ja kuva 14 esittää, kuinka se on kytketty antenniin. Suodinrakenteessa 1400 on ensimmäinen suodinhaara 1401 lähetettävien signaalien suodattamiseksi ja toinen suodinhaara 1402 vastaanotettavien signaalien suodattamiseksi. Ensimmäisen suo-dinrakenteen lähtö on tyypillisesti yhteinen toisen suodinrakenteen tulon kanssa, ja sitä nimitetään tavallisesti antenniportiksi. Suodinrakenne 1400 voi olla esimerkiksi 15 dupleksisuodin.
Ensimmäisen suodinhaaran päästökaistat, joita voi olla yksi tai useampia, ovat erilaisia kuin toisessa suodinhaarassa, ja suodinrakenne 1400 erottaa siksi lähetetyt signaalit vastaanotetuista. Lähetetyt signaalit, joiden taajuuskaista on erilainen kuin vastaanotettujen signaalien taajuuskaista, kokevat toisen suodinhaaran 1302 suurena ! 20 impedanssina eivätkä siksi mene toiseen suodinhaaraan. Solukkojärjestelmissä lähe- / tetyn signaalin teho voi olla esimerkiksi enintään 2 W. Toisaalta taas vastaanotettu- : jen signaalien teho voi olla luokkaa -lOOdBm. Vastaavasti vastaanotettu signaali ko- • kee ensimmäisen suodinhaaran suurena impedanssina, ja menee toiseen suodinhaa- ' raan. Tällä tavoin käytännöllisesti katsoen koko vastaanotettu signaaliteho menee •, 25 vastaanotinpiiristöön.
Suodinrakenteen 1400 ensimmäisessä suodinhaarassa on keksinnön mukainen ryh- j mä pietsosähköisiä suotimia, jotka on kytketty sarjaan. Ensimmäisessä suodinhaa- : rassa voi olla esimerkiksi tikapuusuodinrakenne 1100 tai symmetrinen suodinraken- ne 1200. Toisen suodinhaaran 1402 rakenteelle ei aseteta mitään rajoituksia suodin-! 30 rakenteessa 1400, koska vastaanotetun signaalin teho on tyypillisesti niin pieni, ettei tehonkäsittelykapasiteetti aiheuta siinä ongelmia. Suodinrakennetta 1400 käytetään » •; edullisesti langattomissa tietoliikennelaitteissa.
1 I I
Kuva 15 esittää esimerkkiä järjestelystä 1500 radiotaajuussignaalien lähettämiseksi ja vastaanottamiseksi. Tässä järjestelyssä on suodinrakenteen 1400 lisäksi paikal-35 lisoskillaattori 1502 ja modulaattori 1501, joka tuottaa lähetettävät tiedot sisältävän 22 113111 datasignaalin. Paikallisoskillaattorista tuleva kantoaaltosignaali ja modulaattorista tuleva datasignaali sekoitetaan, ja sen jälkeen tuloksena oleva signaali vahvistetaan tehovahvistimella 1503. Vahvistettu signaali suodatetaan suodinrakenteen 1400 ensimmäisessä suodinhaarassa 1401, jolloin esimerkiksi lähetystaajuuden monikerrat 5 suodatetaan pois. Tehovahvistimen 1503 ja ensimmäisen suodinhaaran 1401 välissä tarvitaan tyypillisesti impedanssin sovituselin 1504. Järjestelyssä olevan suodinrakenteen 1400 toisen suodinhaaran 1402 lähtö on tyypillisesti kytketty pienikohinai-seen vahvistimeen 1505, joka vahvistaa vastaanotetun signaalin ennen jatkokäsittelyä.
10 Kuva 16 esittää järjestelyä 1600 radiotaajuussignaalin lähettämiseksi. Sellainen järjestely voi olla esimerkiksi langattoman tietoliikennelaitteen osana. Se on muuten samanlainen kuin järjestely 1500, mutta suodinrakenne 1601 liittää tehovahvistimen 1503 antenniin. Tämä suodinrakenne voi olla esimerkiksi suodinrakenne 1100 tai 1200 tai mikä tahansa muu keksinnön mukainen suodinrakenne, jolla on hyvät te- 15 honkäsittelyominaisuudet.
Oheisissa vaatimuksissa termi akustinen tilavuusaaltoresonaattori viittaa rakenteeseen, jossa on pietsosähköinen kerros ja ensimmäinen elektrodi mainitun pietsosäh-köisen kerroksen yhdellä puolella ja toinen elektrodi mainitun pietsosähköisen kerroksen vastakkaisella puolella. Rakenteessa voi olla lisäksi esimerkiksi muita piet- i 20 sosähköisiä kerroksia ja lisäelektrodeja.
Oheisissa vaatimuksissa ja tässä selostuksessa termi akustinen pinta-aaltoresonaat- s t j tori viittaa rakenteeseen, jossa on ainakin kaksi elektrodia pietsosähköisen materiaa- ;,, ‘ Iin pinnalla, ja mainittu pietsosähköinen materiaali on tyypillisesti yksi pietsosäh köinen kide.
* 1 * 25 Oheisissa vaatimuksissa ja tässä selostuksessa termi kytkeä ja sen johdannaiset viit- • taavat galvaaniseen kytkentään. Oheisissa vaatimuksissa ja tässä selostuksessa termi . liittää ja sen johdannaiset viittaavat sähköiseen - ei välttämättä galvaaniseen - lii täntään. Esimerkiksi kaksi toisiinsa liitettyä komponenttia voivat kumpikin olla gal- i t • vaanisesti kytkettyjä välittävään sähköiseen komponenttiin.
t 30 > > »
Claims (43)
1. Suodinrakenne (1090, 1100, 1200), jolla on tietty impedanssitaso ja jossa on ensimmäinen pietsosähköinen resonaattori (1021a), jonka resonanssitaajuus on ensimmäinen resonanssitaajuus ja joka on kytketty mainitun suodinrakenteen tulojoh- 5 timeen (1030a, 1030b), tunnettu siitä, että siinä on lisäksi suodinrakenteen tehonkä-sittelykapasiteetin lisäämiseksi pietsosähköisten resonaattoreiden ketju, jossa ketjussa on ainakin kaksi pietsosähköistä resonaattoria, jotka on kytketty sarjaan ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin kanssa ja jotka muodostavat yhdessä ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin kanssa sarjaan kytketyn pietsosähköisen reso-10 naattoriryhmän (1020, 1110, 1220), ja siitä, että -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla piet-sosähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä (1020, 1110, 1220) on kytketty suo-15 dinrakenteen muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaat- toriryhmän toisessa päässä olevan ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin (1021a) ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin (1021b) kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovi-20 tettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodinrakenne (1100, 1200), tunnettu siitä, ‘ ‘ että *: *· - siinä on lisäksi toinen sarjaan kytketty pietsosähköinen resonaattoriryhmä (1010, 1210), jossa ryhmässä on ainakin kaksi pietsosähköistä resonaattoria, * » · 25 -jokaisella mainittuun toiseen pietsosähköiseen resonaattoriryhmään kuuluvalla pietsosähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on sama kuin toinen resonanssitaajuus, -mainittu toinen pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen . · · ·. muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toi- 30 sessa päässä olevan kolmannen pietsosähköisen resonaattorin (1011a) ja mainitun ··· sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan neljän- * * · :: nen pietsosähköisen resonaattorin (1011b) kautta, ja . \ : - mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi ....: on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensimmäi nen resonanssitaajuus on olennaisesti sama kuin toinen resonanssitaajuus. 113111
4. Patenttivaatimuksen 2 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensimmäinen resonanssitaajuus on erilainen kuin toinen resonanssitaajuus.
5. Patenttivaatimuksen 2 mukainen suodinrakenne (1090, 1200), tunnettu siitä, että mainittu kolmas pietsosähköinen resonaattori (101 la) on kytketty mainitun suo- 5 dinrakenteen toiseen tulojohtimeen (1030a).
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että se on tika-puusuodinrakenne (1100).
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että se on verkkosuodinrakenne (1200).
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen pietsosähköinen resonaattori ja mainittu toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia tilavuusaaltoresonaattoreita.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainitut pietsosähköiset resonaattorit, jotka muodostavat mainitun pietsosähköisen resonaat- 15 toriryhmän, ovat akustisia tilavuusaaltoresonaattoreita.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainitut akustiset tilavuusaaltoresonaattorit on muodostettu kuvioimattomalle kerrokselle : pietsosähköistä materiaalia.
11. Patenttivaatimuksen 9 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainitut 2. akustiset tilavuusaaltoresonaattorit on muodostettu kuvioidulle kerrokselle piet- sosähköistä materiaalia.
: 12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainitut akustiset tilavuusaaltoresonaattorit on muodostettu erillisille lohkoille pietsosähköis-*,· tä materiaalia.
13. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainittu :· ensimmäinen pietsosähköinen resonaattori ja mainittu toinen pietsosähköinen reso naattori ovat akustisia pinta-aaltoresonaattoreita.
, ' 14. Suodinrakenne (1090, 1100, 1200), jolla on tietty impedanssitaso ja jossa on 'ensimmäinen akustinen pinta-aaltoresonaattori (1011a), jonka resonanssitaajuus on 30 ensimmäinen resonanssitaajuus ja joka on kytketty mainitun suodinrakenteen tulojohtimeen, tunnettu siitä, että siinä on lisäksi suodinrakenteen tehonkäsittelykapasi- 113111 teetin lisäämiseksi toinen akustinen pinta-aaltoresonaattori (1011b), mainitun ensimmäisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin ensimmäinen elektrodi on kytketty mainitun toisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin ensimmäiseen elektrodiin ja muodostaa yhdessä ensimmäisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin kanssa sarjaan kyt-5 ketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän (1010), ja siitä, että -jokaisella mainittuun pietsosähköiseen resonaattoriryhmään kuuluvalla pietsosäh-köisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin 10 osiin vain ensimmäisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin toisen elektrodin ja toisen akustisen pinta-aaltoresonaattorin toisen elektrodin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen suodinrakenne (1100, 1200), tunnettu siitä, 15 että - siinä on lisäksi toinen sarjaan kytketty pietsosähköinen resonaattoriryhmä (1010, 1210) ja mainitussa ryhmässä on ainakin kaksi pietsosähköistä resonaattoria, -jokaisella mainittuun toiseen pietsosähköiseen resonaattoriryhmään kuuluvalla pietsosähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka vastaa toista resonanssi- 20 taajuutta, ': - mainittu toinen pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen .* ·. muihin osiin vain mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryh- • .·. män toisessa päässä olevan kolmannen pietsosähköisen resonaattorin (1011a) ja " mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä 25 olevan neljännen pietsosähköisen resonaattorin (1011b) kautta, ja :'; - mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi * · · ‘ on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
16. Patenttivaatimuksen 15 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensim- . * ·. mäinen resonanssitaajuus on olennaisesti sama kuin toinen resonanssitaajuus. ;:· 30
17. Patenttivaatimuksen 15 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensim- ; ’': mäinen resonanssitaajuus on erilainen kuin toinen resonanssitaajuus.
’·,·: 18. Patenttivaatimuksen 15 mukainen suodinrakenne (1090, 1200), tunnettu siitä, •' "· että mainittu kolmas pietsosähköinen resonaattori (1011 a) on kytketty mainitun suo dinrakenteen toiseen tulojohtimeen (1030a). 113111
19. Patenttivaatimuksen 14 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että se on ti-kapuusuodinrakenne (1100).
20. Patenttivaatimuksen 14 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että se on verkkosuodinrakenne (1200).
21. Suodinrakenne (1090, 1100, 1200), jolla on tietty impedanssitaso ja jossa on ensimmäinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori (1011a), jonka resonanssitaajuus on ensimmäinen resonanssitaajuus ja joka on kytketty mainitun suodinrakenteen tu-lojohtimeen, tunnettu siitä, että siinä on lisäksi suodinrakenteen tehonkäsittelykapa-siteetin lisäämiseksi toinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori (1011b), mainitun 10 ensimmäisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin ensimmäinen elektrodi on kytketty mainitun toisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin ensimmäiseen elektrodiin ja se muodostaa yhdessä ensimmäisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin kanssa sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän (1010), ja siitä, että -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso-15 sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin osiin vain ensimmäisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin toisen elektrodin ja toisen akustisen tilavuusaaltoresonaattorin toisen elektrodin kautta, . 20 ensimmäistä akustista tilavuusaaltoresonaattoria ja toista akustista tilavuusaaltore- •. sonaattoria ei muodosteta käyttämällä yhtä kuvioimatonta pietsosähköistä kerrosta, ; ! - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovi- ;. / tettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
22. Patenttivaatimuksen 21 mukainen suodinrakenne (1100, 1200), tunnettu siitä, että .·, : - siinä on lisäksi toinen sarjaan kytketty pietsosähköinen resonaattoriryhmä (1010, .·*. 1210) ja mainitussa ryhmässä on ainakin kaksi pietsosähköistä resonaattoria, ’·’ -jokaisella mainittuun toiseen pietsosähköiseen resonaattoriryhmään kuuluvalla 30 pietsosähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka vastaa toista resonanssi-taajuutta, : -mainittu toinen pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin osiin vain mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan kolmannen pietsosähköisen resonaattorin (1011a) ja 35 mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan neljännen pietsosähköisen resonaattorin (1011b) kautta, ja 113111 - mainitun toisen sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa.
23. Patenttivaatimuksen 22 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensimmäinen resonanssitaajuus on olennaisesti sama kuin toinen resonanssitaajuus.
24. Patenttivaatimuksen 22 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensim mäinen resonanssitaajuus on erilainen kuin toinen resonanssitaajuus.
25. Patenttivaatimuksen 22 mukainen suodinrakenne (1090, 1200), tunnettu siitä, että mainittu kolmas pietsosähköinen resonaattori (101 la) on kytketty mainitun suodinrakenteen toiseen tulojohtimeen (1030a).
26. Patenttivaatimuksen 21 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että se on ti- kapuusuodinrakenne (1100).
27. Patenttivaatimuksen 21 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että se on verkkosuodinrakenne (1200).
28. Patenttivaatimuksen 21 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainitut 15 ensimmäinen ja toinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori on muodostettu kuvioidulle kerrokselle pietsosähköistä materiaalia ja kytketään yhteen käyttämällä läpi-vientiaukkoja.
29. Patenttivaatimuksen 21 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainitut ensimmäinen ja toinen akustinen tilavuusaaltoresonaattori on muodostettu erillisille * 20 lohkoille pietsosähköistä materiaalia.
30. Suodinrakenne (1400), jossa on ensimmäinen suodinhaara (1401) ensimmäisen signaalin suodattamiseksi, jolloin mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa on ensimmäinen tulojohdin ja ensimmäinen lähtöjohdin, ja toinen suodinhaara (1402) toi- , ‘ · · sen signaalin suodattamiseksi, jolloin mainitussa toisessa suodinhaarassa on toinen : 25 tulojohdin ja toinen lähtöjohdin ja mainittu ensimmäinen lähtöjohdin on kytketty mainittuun toiseen tulojohtimeen, tunnettu siitä, että mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa on pietsosähköisten resonaattoreiden ketju, mainitussa ketjussa on ‘;' ainakin kaksi sarjaan kytkettyä pietsosähköistä resonaattoria, jotka muodostavat sar- : jaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän, ja siitä, että ·:·: 30 -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso- sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, 113111 - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty ensimmäisen suodinhaaran muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan, ensimmäiseen tulojohtimeen kytketyn ensimmäisen pietsosähköisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattori- 5 ryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen ensimmäisen suodinhaaran impedanssitason kanssa.
31. Patenttivaatimuksen 30 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että ensimmäisen suodinhaaran päästökaista on erilainen kuin toisen suodinhaaran päästökais- 10 ta.
32. Patenttivaatimuksen 30 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen ja toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia tilavuusaaltore-sonaattoreita.
33. Patenttivaatimuksen 30 mukainen suodinrakenne, tunnettu siitä, että mainittu 15 ensimmäinen ja toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia pinta-aaltoreso- naattoreita.
34. Järjestely (1500) radiotaajuussignaalien lähettämiseksi ja vastaanottamiseksi, jossa on : - ensimmäiset vahvistusvälineet (1503) ensimmäisen signaalin vahvistamiseksi, 20. toiset vahvistusvälineet (1505) toisen signaalin vahvistamiseksi, ja 1 : -suodinrakenne (1400), jossa on ensimmäinen suodinhaara (1401) ensimmäisen ;' ,· signaalin suodattamiseksi ja toinen suodinhaara (1402) toisen signaalin suodattami- :" ‘; seksi, jolloin mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa on ensimmäinen tulojohdin ·. ja ensimmäinen lähtöjohdin, ja mainitussa toisessa suodinhaarassa on toinen tulo- 25 johdin ja toinen lähtöjohdin, mainittu ensimmäinen lähtöjohdin on kytketty mainit-. tuun toiseen tulojohtimeen, mainittu ensimmäinen tulojohdin on liitetty ensimmäis ten vahvistusvälineiden lähtöön ja mainittu toinen lähtöjohdin on liitetty toisten ; · ‘ vahvistusvälineiden tuloon, tunnettu siitä, että mainitussa ensimmäisessä suodinhaarassa on pietsosähköisten 30 resonaattoreiden ketju, jossa on ainakin kaksi sarjaan kytkettyä pietsosähköistä Γεν·: sonaattoria, jotka muodostavat ryhmän sarjaan kytkettyjä pietsosähköisiä resonaatto- ;·*: reita, ja siitä, että - jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso-sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin en- 29 113111 simmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosahköinen resonaattoriryhmä on kytketty ensimmäisen suodinhaaran muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn, pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan, ensimmäiseen tulojohtimeen kytketyn ensimmäisen piet- 5 sosähköisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja - mainitun sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on sovitettu yhteen ensimmäisen suodinhaaran impedanssitason kanssa.
35. Patenttivaatimuksen 34 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että ensimmäisen 10 suodinhaaran päästökaista on erilainen kuin toisen suodinhaaran päästökaista.
36. Patenttivaatimuksen 34 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen ja toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia tilavuusaaltoreso-naattoreita.
37. Patenttivaatimuksen 34 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että mainittu en-15 simmäinen ja toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia pinta-aaltoresonaat- toreita.
38. Järjestely (1600) radiotaajuussignaalien lähettämiseksi, jossa järjestelyssä on - vahvistusvälineet (1503) radiotaajuussignaalin vahvistamiseksi, ja : - suodinrakenne (1090, 1100, 1200, 1601) vahvistetun radiotaajuussignaalin suo- 20 dattamiseksi, : tunnettu siitä, että mainitussa suodinrakenteessa on pietsosähköisten resonaattorei- • den ketju, jossa on ainakin kaksi sarjaan kytkettyä pietsosähköistä resonaattoria, jot- ’; ka muodostavat sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriryhmän, ja siitä, että -jokaisella mainittuun pietsosähköisten resonaattoreiden ketjuun kuuluvalla pietso-25 sähköisellä resonaattorilla on resonanssitaajuus, joka on olennaisesti sama kuin en-. simmäinen resonanssitaajuus, - mainittu pietsosähköinen resonaattoriryhmä on kytketty suodinrakenteen muihin osiin vain mainitun sarjaan kytketyn, pietsosähköisen resonaattoriryhmän toisessa ;· päässä olevan, mainitun suodinrakenteen tulojohtimeen kytketyn ensimmäisen piet- 30 sosähköisen resonaattorin ja mainitun sarjaan kytketyn, pietsosähköisen resonaatto-. riryhmän toisessa päässä olevan toisen pietsosähköisen resonaattorin kautta, ja ‘ ' - mainitun sarjaan kytketyn, pietsosähköisen resonaattoriryhmän impedanssi on so vitettu yhteen suodinrakenteen impedanssitason kanssa. 113111
39. Patenttivaatimuksen 38 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että ensimmäisen suodinhaaran päästökaista on erilainen kuin toisen suodinhaaran päästökaista.
40. Patenttivaatimuksen 38 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen ja toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia tilavuusaaltoreso- 5 naattoreita.
41. Patenttivaatimuksen 38 mukainen järjestely, tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen ja toinen pietsosähköinen resonaattori ovat akustisia pinta-aaltoresonaat-toreita.
42. Menetelmä suotimen suunnittelemiseksi, jossa menetelmässä on seuraava vai-10 he: - määritetään suodinrakenne, jossa on pietsosähköisiä resonaattoreita ja joka saavuttaa taajuusvasteen tavoitearvon, tunnettu siitä, että siinä on lisäksi seuraavat vaiheet: - suodinrakenteessa korvataan alkuperäinen pietsosähköinen resonaattori, jolla on 15 ensimmäinen resonanssitaajuus, joukolla pietsosähköisiä resonaattoreita, joista jokaisen resonanssitaajuus on olennaisesti sama kuin ensimmäinen resonanssitaajuus, ja sarjaan kytketyn pietsosähköisen resonaattoriiyhmän impedanssi on sama kuin alkuperäisen pietsosähköisen resonaattorin impedanssi, ja - valitaan mainitussa pietsosähköisessä resonaattoriryhmässä olevien pietsosähköis- : 20 ten resonaattoreiden lukumäärä.
·. 43. Patenttivaatimuksen 42 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että siinä on myös vaiheet, joissa: - määritellään tehonkäsittelykapasiteetin tavoitearvo, - määritetään pietsosähköisen resonaattoriryhmän sisältävän suodinrakenteen tehon- ·* 25 käsittelykapasiteetti, ja - määritetään pietsosähköisen resonaattoriryhmän sisältävän suodinrakenteen taa- '·: juusvaste, ' ja siitä, että vaiheessa, jossa valitaan pietsosähköisten resonaattoreiden lukumäärä mainitussa pietsosähköisessä resonaattoriryhmässä, valinta tehdään niin, että saavu- 4! 30 tetaan tasapaino suodinrakenteen tehonkäsittelykapasiteetin ja suodinrakenteen taa- :' juusvasteen välillä. 3, 113111
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20002585A FI113111B (fi) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely |
| EP11160545A EP2355345A1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| EP01660207A EP1209807B1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| EP11160549A EP2355347A1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| EP11160548A EP2355346A1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| US09/989,020 US6741145B2 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-20 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| JP2001359859A JP3996379B2 (ja) | 2000-11-24 | 2001-11-26 | 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成 |
| JP2007128094A JP4654220B2 (ja) | 2000-11-24 | 2007-05-14 | 圧電共振子を含むフィルタ構造 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20002585A FI113111B (fi) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely |
| FI20002585 | 2000-11-24 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20002585A0 FI20002585A0 (fi) | 2000-11-24 |
| FI20002585A FI20002585A (fi) | 2002-05-25 |
| FI113111B true FI113111B (fi) | 2004-02-27 |
Family
ID=8559575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20002585A FI113111B (fi) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6741145B2 (fi) |
| EP (4) | EP2355345A1 (fi) |
| JP (2) | JP3996379B2 (fi) |
| FI (1) | FI113111B (fi) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI118400B (fi) * | 2001-08-21 | 2007-10-31 | Nokia Corp | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne |
| DE10160617A1 (de) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Epcos Ag | Akustischer Spiegel mit verbesserter Reflexion |
| JP3952464B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2007-08-01 | Ｔｄｋ株式会社 | デュプレクサ |
| JP2003298392A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fujitsu Media Device Kk | フィルタチップ及びフィルタ装置 |
| JP3879643B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 |
| JP2004173245A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Murata Mfg Co Ltd | ラダー型フィルタ、分波器、および通信機 |
| JP3963824B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2007-08-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路 |
| JP3827232B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2006-09-27 | Ｔｄｋ株式会社 | フィルタ装置およびそれを用いた分波器 |
| US20050093652A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-05 | Qing Ma | Size scaling of film bulk acoustic resonator (FBAR) filters using impedance transformer (IT) or balun |
| US7082655B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-08-01 | Ge Inspection Technologies, Lp | Process for plating a piezoelectric composite |
| JP2005311568A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sony Corp | フィルタ装置及び送受信機 |
| JP4303178B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2009-07-29 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| DE102004058064A1 (de) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Siemens Ag | Biochemisches Halbleiterchiplabor mit angekoppeltem Adressier- und Steuerchip und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US7274275B2 (en) * | 2005-06-10 | 2007-09-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bandpass filter network and method for bandpass filtering signals using multiple acoustic resonators |
| DE102005027715B4 (de) * | 2005-06-15 | 2020-01-02 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustischer Resonator, Filter, Duplexer und Verfahren zur Bestimmung von Parametern eines Resonators |
| DE602006009929D1 (de) | 2005-06-20 | 2009-12-03 | Murata Manufacturing Co | Piezoelektrischer dünnschichtfilter |
| US20070057772A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Honeywell International Inc. | Hybrid SAW/BAW sensor |
| EP1942576A4 (en) * | 2005-10-27 | 2009-09-30 | Kyocera Corp | DISTRIBUTOR AND COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME |
| US7535323B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-05-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Bulk acoustic wave filter with reduced nonlinear signal distortion |
| KR100777451B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 필터 및 듀플렉서 |
| WO2008126473A1 (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜フィルタ |
| US7548140B2 (en) * | 2007-04-16 | 2009-06-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having reduced second harmonic generation and method of reducing second harmonic generation in a BAW filter |
| DE102008003820B4 (de) * | 2008-01-10 | 2013-01-17 | Epcos Ag | Frontendschaltung |
| US8198958B1 (en) * | 2009-03-30 | 2012-06-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | Power amplifier matching RF system and method using bulk acoustics wave device |
| KR101663010B1 (ko) * | 2010-11-09 | 2016-10-06 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ｒｆ통합 소자 |
| US9300038B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-03-29 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method, system, and apparatus for resonator circuits and modulating resonators |
| EP2922202B1 (en) * | 2010-12-10 | 2021-06-02 | pSemi Corporation | Acoustic wave filter with cutoff frequency stabilized against temperature drift |
| KR101959204B1 (ko) * | 2013-01-09 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법 |
| DE102014112676A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Epcos Ag | Filter mit verbesserter Linearität |
| JP2016195305A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器、およびモジュール |
| CN111279613A (zh) * | 2017-08-03 | 2020-06-12 | 阿库斯蒂斯有限公司 | 用于体声波谐振器的椭圆结构 |
| JP7084739B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-06-15 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
| WO2020009121A1 (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| DE102018131054B4 (de) * | 2018-12-05 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Mikroakustisches HF-Filter |
| US11349454B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-05-31 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Acoustic wave devices with common glass substrate |
| WO2020133316A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 天津大学 | 一种拆分结构谐振器 |
| US20230023769A1 (en) * | 2019-12-19 | 2023-01-26 | Qorvo Us, Inc. | Resonator structure for mass sensing |
| WO2022010833A1 (en) * | 2020-07-08 | 2022-01-13 | Kampanics, L.L.C. | Acoustic wave devices for microfluidic applications |
| US20220052664A1 (en) * | 2020-08-17 | 2022-02-17 | RF360 Europe GmbH | Lateral feature control for reducing coupling variation |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2045991A (en) * | 1931-09-19 | 1936-06-30 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
| US2222417A (en) * | 1938-09-24 | 1940-11-19 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
| JPH0697727B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1994-11-30 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JPS63132515A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Hitachi Ltd | 弾性表面波複合フイルタ |
| US5231327A (en) | 1990-12-14 | 1993-07-27 | Tfr Technologies, Inc. | Optimized piezoelectric resonator-based networks |
| JP2800905B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1998-09-21 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| US5373268A (en) | 1993-02-01 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method |
| JPH0774584A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| US5692279A (en) * | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| JP3296158B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2002-06-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜振動子 |
| JPH09205343A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP3720930B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2005-11-30 | 株式会社東芝 | 弾性表面波フィルタおよび通過周波数帯域の形成方法 |
| JP3241293B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子およびこれを用いた分波器 |
| US5910756A (en) | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US5949306A (en) * | 1997-12-02 | 1999-09-07 | Cts Corporation | Saw ladder filter with split resonators and method of providing same |
| JPH11251871A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波分波器の受信用フィルタ |
| EP1030448B1 (en) * | 1998-05-19 | 2013-11-06 | Panasonic Corporation | Saw filter, antenna sharing device using the same, and mobile communication terminal using the same |
| FI113211B (fi) * | 1998-12-30 | 2004-03-15 | Nokia Corp | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
| US6262637B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
| DE19931297A1 (de) | 1999-07-07 | 2001-01-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Volumenwellen-Filter |
| JP2001156588A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP4352572B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-10-28 | パナソニック株式会社 | アンテナ共用器 |
| GB0014630D0 (en) | 2000-06-16 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Bulk accoustic wave filter |
| US6542055B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-04-01 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter balun |
-
2000
- 2000-11-24 FI FI20002585A patent/FI113111B/fi not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-19 EP EP11160545A patent/EP2355345A1/en not_active Withdrawn
- 2001-11-19 EP EP11160549A patent/EP2355347A1/en not_active Withdrawn
- 2001-11-19 EP EP01660207A patent/EP1209807B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-19 EP EP11160548A patent/EP2355346A1/en not_active Withdrawn
- 2001-11-20 US US09/989,020 patent/US6741145B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-26 JP JP2001359859A patent/JP3996379B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-14 JP JP2007128094A patent/JP4654220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20002585A0 (fi) | 2000-11-24 |
| JP4654220B2 (ja) | 2011-03-16 |
| EP2355347A1 (en) | 2011-08-10 |
| US6741145B2 (en) | 2004-05-25 |
| EP2355346A1 (en) | 2011-08-10 |
| EP1209807B1 (en) | 2012-01-11 |
| EP1209807A2 (en) | 2002-05-29 |
| JP2007267405A (ja) | 2007-10-11 |
| EP2355345A1 (en) | 2011-08-10 |
| JP3996379B2 (ja) | 2007-10-24 |
| JP2002198777A (ja) | 2002-07-12 |
| US20020093394A1 (en) | 2002-07-18 |
| FI20002585A (fi) | 2002-05-25 |
| EP1209807A3 (en) | 2008-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI113111B (fi) | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely | |
| EP1673860B1 (en) | Ladder-type thin-film bulk acoustic wave filter | |
| EP1058383B1 (en) | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) | |
| Bradley et al. | A film bulk acoustic resonator (FBAR) duplexer for USPCS handset applications | |
| FI108583B (fi) | Resonaattorirakenteita | |
| CN1503451B (zh) | 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路 | |
| US6927649B2 (en) | Component working with acoustic waves and having a matching network | |
| CN100511998C (zh) | 基于耦合baw谐振器的双工器 | |
| FI118400B (fi) | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne | |
| US7535322B2 (en) | Monolithic RF filter | |
| CN1739237B (zh) | 具有等谐振频率的谐振滤波器结构 | |
| Kim et al. | AlN microresonator-based filters with multiple bandwidths at low intermediate frequencies | |
| KR100649497B1 (ko) | 불평형-평형 입출력 구조의 ｆｂａｒ필터 | |
| CN116545406A (zh) | 用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器 | |
| JP2005529535A (ja) | 調整可能なフィルタおよび周波数調整方法 | |
| Kaitila et al. | ZnO based thin film bulk acoustic wave filters for EGSM band | |
| WO2004066495A1 (en) | Circuit arrangement providing impedance transformation | |
| US20220321099A1 (en) | Tiled transversely-excited film bulk acoustic resonator high power filters | |
| Zuo et al. | Novel electrode configurations in dual-layer stacked and switchable ALN contour-mode resonators for low impedance filter termination and reduced insertion loss | |
| Ha et al. | Novel 1-chip FBAR filter for wireless handsets | |
| Yun-Kwon et al. | Fabrication of monolithic 1-Chip FBAR duplexer for W-CDMA handsets | |
| KR20200025471A (ko) | 적층 pcb 제조 공법을 이용한 fbar 듀플렉서 설계 방법 및 그 방법으로 제작된 fbar 듀플렉서 | |
| Muller et al. | A high performance WCDMA hybrid differential BAW filter | |
| Campanella et al. | RFMEMS resonators and filters built in thick oxide insulator (TOI) A1N platform |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LT Free format text: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD. |
|
| MM | Patent lapsed |