JP2014233137A - スイッチング電源装置、スイッチング電源制御方法および電子機器 - Google Patents

スイッチング電源装置、スイッチング電源制御方法および電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】電流共振型スイッチング電源装置において、デューティを制御することによって、全負荷範囲での効率を改善する。
【解決手段】直流入力が供給されるスイッチング素子と、スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備える。デューティ制御回路は、スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、スイッチングデューティを制御する。
【選択図】図9

Description

本開示は、安定した直流電圧を出力する例えば電流共振型のスイッチング電源装置、スイッチング電源制御方法および電子機器に関する。
スイッチング電源装置の一つとして、電流共振型スイッチング電源装置が知られている。電流共振型スイッチング電源装置は、次のような利点を有する。
1.無負荷から最大負荷の全負荷範囲でZVS(ゼロボルトスイッチング)させられること
2.1次側スイッチング素子のターンオフ時の電流を小さくすることができること
3.2次側整流素子をZCS(ゼロカレントスイッチング)させられること
4.通常時の効率を悪化させることなく、昇圧動作が可能なので保持時間を確保する必要のある電源に適していること
電流共振型スイッチング電源装置は、2個のスイッチング素子を直列接続したスイッチング回路を有する。2個のスイッチング素子が交互にオン/オフする。スイッチング素子に対してトランスが接続され、トランスの2次側に誘起される交流電圧が整流されて出力電圧とされる。
かかる電流共振型スイッチング電源装置において、電力変換効率を改善する場合、トランスの電力損失を考慮することが必要とされる。トランスに生じる電力損失は、1次側の共振電流と励磁電流、ならびに2次側への伝送電流によって生じるワイヤの銅損と、トランスを励磁することによって生じるトランスコアの鉄損との合計になる。通常、最大負荷時に銅損と鉄損の合計が最小となるようなバランスに最適化設計される。例えば(文献:R.W.Erickson, D. Maksimovic: Fundamentals of power electronics, ed. Kluwer Academic Publishers, (2nd edition) ISBN 0792372700)を参照。なお、以下の説明において、電力損失を単に「損失」、電力変換効率を単に「効率」と省略する。
共振電流と伝送電流に起因する銅損は、負荷によってその大きさが変化する。一方、励磁電流に起因する銅損と、鉄損の合計は、負荷によらずほぼ一定の値である。したがって、軽負荷になると、励磁電流に起因する銅損と、鉄損の合計の割合が大きくなり、最大負荷時と同一の動作点を設定すると、軽負荷においては、電流共振型スイッチング電源装置の効率は、疑似共振回路などの効率に比べて悪化する。
このような問題を回避するため、特許文献1、特許文献2および特許文献3に示されるように、軽負荷か重負荷かを検出し、軽負荷か重負荷かに応じて、スイッチング用のスイッチング素子のオン期間を制御して、動作点を移動させて効率の低下を防ぐようにしたものが提案されている。
特開平6−46561号公報 特開2006−204044号公報 特開2001−333576号公報
上述したように、スイッチング素子のオン期間を制御して、効率の改善を図る場合には、スイッチング周波数を固定して第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子のデューティを調整するPWM(Pulse Width Modulation)制御か、第2のスイッチング素子のオン期間を固定して第1のスイッチング素子のオン期間を調整するパルス比変調(Pulse
Ratio Control(PRC))などが用いられる。
しかしながら、上述したような制御の場合、周波数の固定値、または第2のスイッチング素子のオン期間の固定値に依存して、励磁電流に起因する銅損と、鉄損を低減できる度合が変わってしまう。したがって、トランスの損失を最小にするために、周波数の固定値、または第2のスイッチング素子のオン期間の固定値を細かく調整する必要があり、設計が困難であった。さらに、負荷が変化するとトランスの損失が最小となる条件も変化するため、全負荷範囲でトランスの損失を最小にすることができなかった。
したがって、本開示の目的は、トランスの損失が最小となるようにスイッチング素子のオン期間を制御することができ、また、全負荷範囲においてトランスの損失を最小にするためのスイッチング素子のオン期間を制御することができるスイッチング電源装置、スイッチング電源制御方法、並びに電子機器を提供することにある。
上述した課題を解決するために、本開示は、直流入力が供給されるスイッチング素子と、
スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備え、
デューティ制御回路は、スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、スイッチングデューティを制御するスイッチング電源装置である。
さらに、本開示は、デューティ制御回路は、スイッチングデューティの変化に対するスイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるようにするスイッチング電源装置である。
本開示によれば、全負荷領域でトランスの損失を最小化することができる。負荷が変動したとしても自動的に損失が最小の、周波数およびデューティに調整が行われるので、全負荷範囲において効率改善効果が期待できる。
本開示を適用できる電流共振型スイッチング電源装置の接続図である。 従来のスイッチング電源装置における制御回路のブロック図である。 従来のスイッチング電源装置におけるスイッチング制御信号の波形を示す波形図である。 従来のスイッチング電源装置の説明のための波形図である。 スイッチング電源装置の損失の説明に用いる略線図である。 従来の効率の改善方法の説明に用いる略線図である。 本開示の効率の改善方法の説明に用いる略線図である。 本開示の効率の改善方法の説明に用いる略線図である。 本開示のスイッチング電源装置における制御回路のブロック図である。 本開示のスイッチング電源装置におけるスイッチング制御信号の波形を示す波形図である。 本開示のスイッチング電源装置の第1の実施の形態の制御処理の流れを説明するためのフローチャートである。 本開示のスイッチング電源装置の第2の実施の形態の制御処理の流れを説明するためのフローチャートである。
以下、実施の形態について説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
<1.電流共振型スイッチング電源装置>
<2.従来のスイッチング電源装置の問題>
<3.本開示の第1の実施の形態>
<4.本開示の第2の実施の形態>
<5.応用例>
<6.変形例>
なお、以下に説明する実施の形態は、好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本開示の範囲は、以下の説明において、特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの実施の形態に限定されないものとする。
<1.電流共振型スイッチング電源装置>
一例として、交流電源(商用電源)を整流した電圧+Bが図1に示す電流共振型スイッチング電源装置の入力端子1aおよび1bに供給される。例えば入力端子1aおよび1bに対して商用電源を整流するPFC制御のスイッチング電源装置が接続される。電流共振型スイッチング電源装置におけるスイッチング駆動では、2個のスイッチング素子が交互にオン/オフすると共に、両者がオフ期間となるデッドバンドを形成するようにしている。デッドバンドは、2個のスイッチング素子の同時オンを回避するために設けられているものである。
図1の構成は、スイッチング素子として、FET(Field Effect Transistor)3、4を
有する電流共振型コンバータである。FET3、FET4をスイッチング駆動するために、制御回路2が設けられ、制御回路2からのスイッチング制御信号Sg3、Sg4によって、FET3および4がそれぞれスイッチングされる。なお、この図3に示す電源装置は、他励式によりスイッチング素子を駆動する構成を採っている。
FET3および4の接続点に対してコンデンサ5およびトランス6の1次コイルL1からなる直列共振回路14が接続される。制御回路2、FET3および4、コンデンサ5、ならびにトランス6が電流共振回路13を構成している。
トランス6の2次コイルL2およびL3の接続点が2次側接地電位とされる。整流回路7は、ダイオード8および9と平滑用のコンデンサ10とから構成され、整流回路7の出力電圧が出力端子12aおよび12bに取り出される。例えば+12Vの直流電圧が出力される。整流回路7は、両波整流回路であって、2次コイルに励起された交番電圧が整流され、コンデンサ10の両端電圧として、出力直流電圧が生成される。
出力電圧が誤差信号生成回路11に含まれる抵抗R1およびR2によって分圧され、分圧電圧が電圧アンプ15に供給され、所定の電圧源16の電圧と比較される。比較出力に応じてフォトカプラPHの発光ダイオード側に電流IDが流れる。フォトカプラPHのフォトトランジスタ側には、電流IDに比例するフィードバック電流FBが流れる。フィードバック電流FBが制御回路2に対して供給される。
図2に示すように、従来のスイッチング電源装置における制御回路2は、電流制御発振器21およびドライブ出力分配回路22から構成される。電流制御発振器21の制御入力端子に対してフォトカプラPHを介してフィードバック電流FBが供給される。フィードバック電流FBに応じた周波数の信号を電流制御発振器21が発生する。なお、電流制御発振器21に代えてフィードバック電圧によって発振周波数が制御される電圧制御発振器を使用しても良い。ドライブ出力分配回路22によって、FET3およびFET4のそれぞれに対するスイッチング制御信号Sg3、Sg4が形成される。
スイッチング制御信号Sg3、Sg4は、図3に示すように、スイッチング・デューティが約50%で、位相が相互に約180度異なるパルス信号である。スイッチング制御信号Sg3がハイレベルの期間で、FET3がオンし、そのローレベルの期間でFET3がオフする。FET4のオン/オフは、逆位相となる。なお、以下の説明では、スイッチング周波数を単に「周波数」、スイッチング・デューティを単に「デューティ」と称する。
制御回路2は、誤差信号生成回路11からのフィードバック電流FBの大きさに応じて発振周波数を制御し、整流回路7の出力電圧を一定に制御する。例えば、出力端子12aおよび12bに接続された負荷が重かったり、あるい入力端子1aおよび1bを通じて供給される入力電圧が低いと、整流回路7の出力電圧が低下する。この場合には、整流回路7の出力電圧を一定に維持すべく、周波数が低くなるように、誤差信号生成回路11の出力信号であるフィードバック電流FBを調整する。これにより、2次側へのエネルギー伝送量が増加して出力電圧が上昇する。逆に、出力電圧のレベルが上昇したときには、周波数を高くするように制御して、これにより2次側へのエネルギー伝送量を減少させて、出力電圧を低下させる。
図4Aは、スイッチング制御信号Sg3の波形を示す。トランス6の1次側には、トランス6のリーケージインダクタンスとコンデンサ5との共振による共振電流(図6Bにおいて斜線領域41で示す)と、トランス6の励磁インダクタンスに電圧が印加されることによる励磁電流42が流れ、2次側には共振電流に比例した伝送電流が流れる。図6Cにおいて、43aがトランス6の2次コイルL2に流れる伝送電流であり、43bがトランス6の2次コイルL3に流れる伝送電流である。これらの伝送電流43aおよび43bが整流回路7によって整流されて出力電圧が形成される。このようにして電流共振型スイッチング電源装置は、絶縁型のDC−DCコンバータとして電力を1次側から2次側に伝送している。
<2.従来のスイッチング電源装置の問題>
かかる電流共振型スイッチング電源装置において、電力変換効率を改善する場合、トランス6の電力損失を考慮することが必要とされる。トランス6に生じる電力損失は、1次側の共振電流と励磁電流、ならびに2次側への伝送電流によって生じるワイヤの銅損と、トランスを励磁することによって生じるトランスコアの鉄損との合計になる。
図5Aは、最大負荷時の印加磁束密度に対する電力損失の変化の一例を示すグラフである。カーブ51aが1次側の共振電流と2次側への伝送電流による銅損を示すもので、カーブ52aが励磁電流による銅損とトランスコアの鉄損の合計を示すものである。さらに、カーブ53aは、二つのカーブ51aおよび52aを合成した合計損失を示すカーブである。
したがって、カーブ53aにおいて動作点P1で示すように、通常、最大負荷時に銅損と鉄損の合計が最小となるようなバランスに最適化設計される。共振電流と伝送電流に起因する銅損(カーブ51a)は、負荷によってその大きさが変化する。図5Bは、軽負荷時の印加磁束密度に対する電力損失の変化の一例を示すグラフである。軽負荷時には、共振電流と伝送電流に起因する銅損は、カーブ51bで示すものとなる。一方、励磁電流に起因する銅損と、鉄損の合計(カーブ52a)は、負荷によらずほぼ一定の値である。
したがって、軽負荷になると、図5Bに示すように、励磁電流に起因する銅損と、鉄損の合計の割合が大きくなり、二つのカーブ51bおよび52aを合成した合計損失を示すカーブは、53bに示すものとなる。したがって、最大負荷時と同一の動作点P1を設定すると、軽負荷においては、電流共振型スイッチング電源装置の効率は、フライバック方式の電源装置などの効率に比べて悪化する。
このような問題を回避するため、冒頭に挙げた特許文献では、軽負荷か重負荷かを検出し、軽負荷か重負荷かに応じて、スイッチング用のFETのオン期間を制御して、効率の低下を防ぐようにしたものが提案されている。
すなわち、軽負荷以外の時には、図6において、動作点P1が設定され、第1のFETと第2のFETのオン期間が等しくなるように制御され、軽負荷時には、第1のFETのオン期間を短く、第2のFETのオン期間を長くする。このように、軽負荷時にFETのオン期間を変えることにより、図6に示すようにトランスに印加される磁束密度を小さくして動作点P2が設定される。その結果、励磁電流に起因する銅損と、鉄損を低減できる。
しかしながら、上述したような制御の場合、周波数の固定値、または第2のFETのオン期間の固定値に依存して、励磁電流に起因する銅損と、鉄損を低減できる度合が変わってしまう。したがって、トランスの損失を最小にするために、周波数の固定値、または第2のFETのオン期間の固定値を細かく調整する必要があり、設計が困難であった。さらに、負荷が変化するとトランスの損失が最小となる条件も変化するため、全負荷範囲でトランスの損失を最小にすることができなかった。
<3.本開示の第1の実施の形態>
以下、本開示の第1のの実施の形態について説明する。
第1の実施の形態では、回路構成および回路接続は、図1に示したような従来の電流共振型スイッチング電源装置と同様の構成とされる。但し、従来では、制御回路2がデューティが50%に固定され、周波数が変調されたスイッチング制御信号を発生していた。本開示では、制御回路2がデューティを50%以下の可変値として、周波数を変調するようになされる。デューティを50%以下とすることは、ハイサイド側のFET3のオン時間をローサイド側のFET4のオン時間より短くすることである。
「デューティの決定方法」
図7は、スイッチング電源装置が動作時のスイッチング制御信号のデューティ(Duty)と周波数Fswとの関係を示すグラフである。デューティが小となると、2次側に伝送されるエネルギーが減少するので、周波数が低いものとされ、デューティが大となると、2次側に伝送されるエネルギーが増大するので、周波数が高いものとされて、出力電圧が安定化される。
本開示の第1の実施の形態では、図7のグラフにおいて、常に周波数が極大値をとるように、制御回路2がデューティを追従させる。すなわち、周波数とデューティとの関係を示すグラフにおいて、周波数が極大値となるデューティを見つけるアルゴリズムによってデューティを調整する。デューティを変化させる時間は、出力電圧のフィードバックの帯域から決まる応答時間よりも十分大きな時間とする。すなわち、出力電圧のフィードバックが速いのに対して、デューティの変化が遅くされる。この理由は、異なるデューティに対しては、出力電圧を一定に保つための周波数も異なるので、デューティの変化が速すぎると、出力電圧を安定に保つことができなくなるからである。
「周波数と効率との関係」
上述したように、周波数が極大値となるようなデューティを設定することが効率の向上をもたらす理由を説明する。
図8Aは、軽負荷の場合の周波数とデューティとの関係を示すグラフであり、図8Bは、効率とデューティとの関係を示すグラフである。ここで、デューティを微小に変化させたとき、周波数が大きくなる場合には、トランスの損失は低減する。この理由を下記に示す。
すなわち、トランスの損失のうち大部分を占める鉄損は、印加磁束密度に強い正の相関を有し、トランスの印加磁束密度は周波数に逆比例する。一般的には、フェライトコアの場合、磁束密度の2.6〜2.8乗に比例する。このため、デューティを微小に変化させた結果、周波数が大きくなる場合には、トランスの損失は低減し、スイッチング電源の効率を向上させることができる。ここで、周波数が大きくなると、FET3および4のスイッチング損失が増加する。周波数が100kHz程度であれば、このスイッチング損失の増加分は、上述したトランスの損失の低減分に比べて小さいという条件が成立するので、効率を向上できる。なお、軽負荷以外の場合では、デューティがほぼ50%の時に効率が最良となる。
「周波数の極大点と、効率の極大点のずれについて」
周波数が極大値となるデューティ(図8A)と、効率が極大値となるデューティ(図8B)との間には、ずれが生じる場合がある。すなわち、周波数が極大値となるデューティよりも低いデューティの領域に、効率が極大値になるデューティがある。この理由は、以下のような、スイッチング損失の影響による。
一般的に、スイッチング損失は、周波数の増加とともに、増加する。図8Aにおいて、周波数が極大値となるデューティよりも低いデューティに変化すると、周波数が低下するため、トランスの損失は増加し、一方、スイッチング損失は低減する。この時、トランス損失の増加分よりも、スイッチング損失の低減分の方が大きい場合には、スイッチング電源装置の合計の損失は小さくなる。したがって、周波数が極大値となるデューティと、効率が極大値となるデューティとの間にずれが生じる。
すなわち、ある程度、周波数が高い領域においては、周波数の変化によるスイッチング損失の変化分がトランスの損失の変化分に対して小さいという条件が成り立たなくなるため、周波数が極大値となるデューティと、効率が極大値となるデューティが一致しなくなる。しかしながら、このずれによる損失への影響は極めて小さいので、周波数が極大値をとるように、デューティを見つけるのが実用的である。他の方法として、周波数の極大点と、効率の極大点のずれを考慮して、周波数が極大となるデューティよりも低いデューティを見つけるようにしてもよい。
「制御回路の一例」
図9は、本開示の第1の実施の形態における制御回路200のブロック図を示す。従来の制御回路2と区別するために、制御回路200と称する。制御回路200は、電流制御発振器21、パルス幅変調回路23、ドライブ出力分配回路22、周波数検出回路24および最大周波数追従ロジック回路25から構成される。電流制御発振器21の制御入力端子に対してフォトカプラPHを介してフィードバック電流FBが供給される。フィードバック電流FBに応じた周波数の周波数信号26を電流制御発振器21が発生する。ドライブ出力分配回路22によって、FET3およびFET4のそれぞれに対するスイッチング制御信号Sg3、Sg4が形成される。
電流制御発振器21からの周波数信号26がパルス幅変調回路23および周波数検出回路24に供給される。周波数検出回路24は、周波数を測定しその情報を最大周波数追従ロジック回路25に供給する。最大周波数追従ロジック回路25は、信号処理の結果、デューティ信号27をパルス幅変調回路23に供給する。
パルス幅変調回路23は、電流制御発振器21からの周波数信号26とデューティ信号27とに基づいて、変調された矩形波をドライブ出力分配回路22に供給する。ドライブ出力分配回路22は、あるデューティを持ち、位相が相互に反転した異なる2つの矩形波の交流信号、すなわちスイッチング制御信号Sg3、Sg4を発生し、FET3、4のそれぞれのゲートに供給する。
スイッチング制御信号Sg3は、図10に示すように、スイッチング・デューティが50%より小のパルス信号である。他方のスイッチング制御信号Sg4は、スイッチング制御信号Sg3を反転したパルス信号である。スイッチング制御信号Sg3がハイレベルの期間で、FET3がオンし、そのローレベルの期間でFET3がオフする。FET4のオン/オフは、FET3と反対となる。
制御回路200は、出力電圧を一定に保つために周波数を制御するためのフィードバック電流FBを制御信号として受け取る。電流制御発振器21は与えられたフィードバック電流FBに応じて周波数を調整し、出力信号として周波数信号26をパルス幅変調回路23および周波数検出回路24に供給する。周波数検出回路24は、周波数を測定しその情報を最大周波数追従ロジック回路25に供給する。最大周波数追従ロジック回路25は、信号処理の結果、デューティ信号27をパルス幅変調回路23に供給する。
パルス幅変調回路23は、周波数信号26とデューティ信号27に基づいて、変調された矩形波をドライブ出力分配回路22に供給する。ドライブ出力分配回路22は図10に示したような、あるデューティを持つ、位相が相互に反転した異なる2つの矩形波の交流信号、すなわちスイッチング制御信号Sg3、Sg4を発生し、FET3、4のゲートにそれぞれ供給する。
「最大周波数追従ロジック回路の処理」
最大周波数追従ロジック回路25は、全負荷の範囲で常に周波数が極大値となるデューティを探し、パルス信号のデューティが探されたデューティとされる。したがって、負荷の程度を検出することが不要である。最大周波数追従ロジック回路25の動作を図11のフローチャートを参照して説明する。なお、このフローチャートに示すような制御処理は、マイクロコントローラやFPGA等のデジタル信号処理によって実現可能である。
ステップS1:スイッチング動作を開始する瞬間のデューティは、従来と同様に50%に設定される。
ステップS2:その状態で、デューティを変化させる直前の周波数を測定する。
ステップS3:変数であるFsw1に測定された周波数値を代入する。
ステップS4:次にデューティを、あらかじめ設定された変化量だけ小さくする。変化量をDLSBと表記する。
ステップS5:その後、デューティを変化させた後の周波数を測定する。
ステップS6:変数であるFsw2に測定された周波数値を代入する。
ステップS7:Fsw2がFsw1以上であるか否かを判定する。
ステップS8:ステップS7の判定結果が肯定の場合は、デューティを小さくしたことによって周波数が高くなったか、または変化しなかったということであり、この場合にはFsw1にFsw2を代入する。そして、制御処理が上述したステップS4に進む。
(ステップS4→ステップS5→ステップS6→ステップS7→ステップS8→ステップS4)のループにより、周波数が低くならない限り、デューティを小さくしていく制御がなされる。
ステップS9:ステップS7の判定結果が否定の場合は、デューティを小さくしたことによって周波数が低くなったということであり、この場合にはFsw1にFsw2を代入してステップS10に制御処理が進む。
ステップS10:デューティを、あらかじめ設定された変化量DLSBだけ大きくする。
ステップS11:ここで、デューディの設定値が50%であるか否かを判断する。ステップS11の判定結果が肯定の場合は、デューティが50%以上にならないように、ステップS4に制御処理が進む。
ステップS12:ステップS11の判定結果が否定の場合は、デューティを変化させた後の周波数を測定しする。
ステップS13:測定された周波数をFsw2に代入する。
ステップS14:Fsw2がFsw1より大きいか否かが判定される。
ステップS14の判定結果が肯定の場合は、デューティを大きくしたことによって周波数が高くなったということであり、この場合には、ステップS9に制御処理が戻り、Fsw1にFsw2を代入し、さらに、制御処理がステップS10に進む。
(ステップS10→ステップS11→ステップS12→ステップS13→ステップS14→ステップS9→ステップS10)のループにより、周波数が高くなる限り、デューティを大きくしていく動作となる。
ステップS14の判定結果が否定の場合は、デューティを大きくしたことによって周波数が低くなった、または変化しなかったということであり、この場合にはFsw1にFsw2を代入し(ステップS8)に制御処理が戻り、さらに、制御処理がステップS4に進む。
上述した制御処理によって、最大周波数追従ロジック回路25は、常に周波数が極大値となるデューティを見つけることができる。
第1の実施の形態によれば、下記のような作用効果が生じる。
1.トランスのトータル損失が最小となるようにスイッチング素子のオン期間を制御できる。すなわち、周波数や第2のトランジスタのオン期間などを固定する必要がない。本開示により周波数とオン期間の比(デューティ)の両方が自動的に調整される。
2.全負荷領域でトランスの損失を最小化することができる。負荷が変動したとしても自動的に損失が最小の、周波数およびデューティに調整が行われるので、全負荷範囲において効率改善効果が期待できる。
3.従来の構成を変えることなく、制御の変更のみで対応することができる。
4.自動的に効率のよい条件を探すので、通常負荷モードと軽負荷モードの切替えが不要である。従来は、負荷をモニタしてモードの切り替えを行う必要があったが、本開示は不要である。したがって、従来必要であった負荷モニタ回路、切替え回路などが不要になる。
5.軽負荷モード専用の固定値の設定が不要である。従来は軽負荷モードにおいて、周波数の固定値、または第2のトランジスタのオン期間の固定値を設定する回路が必要であったが、それが不要になる。
6.マイクロコントローラやFPGAなどによるデジタル制御に適した構成である。最大周波数追従ロジックは、デジタル制御で実現することが容易な構成であり、コストアップなしで本開示を実現するための構成を実現することができる。
<4.本開示の第2の実施の形態>
上述した第1の実施の形態は、周波数が高くなる限り、デューティを大きくすることによって、周波数が極大となるデューティを設定するものである。第2の実施の形態は、周波数をモニタしながらデューティを変化させる点では、第1の実施の形態と同様である。第2の実施の形態では、周波数の傾きが正になるような領域でデューティで動作させるように制御するものである。制御回路の構成は、第1の実施の形態における制御回路200と同様であるが、最大周波数追従ロジック回路25による制御処理が相違している。
第2の実施の形態の最大周波数追従ロジック回路の制御処理を図12のフローチャートを参照して説明する。
ステップS21:スイッチング動作を開始する瞬間のデューティは、従来と同様に50%に設定される。
ステップS22:その状態で、デューティを変化させる直前の周波数を測定する。
ステップS23:変数であるFsw1に測定された周波数値を代入する。
ステップS24:次にデューティを、あらかじめ設定された変化量だけ小さくする。変化量をDLSBと表記する。
ステップS25:その後、デューティを変化させた後の周波数を測定する。
ステップS26:変数であるFsw2に測定された周波数値を代入する。
ステップS27:Fsw2がFsw1以上であるか否かを判定する。
ステップS28:ステップS27の判定結果が肯定の場合は、デューティを小さくしたことによって周波数が高くなったか、または変化しなかったということであり、この場合にはFsw1にFsw2を代入する。そして、制御処理が上述したステップS24に進む。
(ステップS24→ステップS25→ステップS26→ステップS27→ステップS28→ステップS24)のループにより、周波数が低くならない限り、デューティを小さくしていく制御がなされる。ここまでの制御処理は、第1の実施の形態と同様である。
ステップS29:ステップS27の判定結果が否定の場合は、デューティを小さくしたことによって周波数が低くなったということであり、この場合には、ステップS29に制御処理が進む。デューティを、あらかじめ設定された変化量DLSBのN倍だけ小さくする。ここで、Nは、あらかじめ設定される数値であり、周波数が最大となるデューティから低くする量を決めるパラメータである。
ステップS30:デューティを変化させた後の周波数を測定する。
ステップS31:その後、変数であるFsw1に測定された周波数値を代入する。
ステップS32:一定時間経過するのを待つ。
ステップS33:周波数測定を再度行う。
ステップS34:変数であるFsw2に測定された周波数値を代入する。
ステップS35:Fsw2がFsw1からあらかじめ設定された周波数幅である±ΔFsw以上変化しているか否かを判定する。
ステップS36:ステップS35の判定結果の否定は、一定時間経過する期間で周波数がほぼ変化していないことを意味する。この場合には、Fsw1にFsw2を代入してステップS32に進む。
(ステップS32→ステップS33→ステップS34→ステップS35→ステップS36→ステップS32)のループにより、周波数が変化しない限り、デューティを変化させない制御がなされる。
ステップS37:ステップS35の判定結果の肯定は、一定時間経過する前から周波数が変化したことを意味する。周波数が変化したということは、負荷条件などの動作状態が変化したことを意味する。この場合では、新たに最適なデューティを探す必要がある。そのため、Fsw1にFsw2を代入してステップS38に進む。
ステップS38:デューティがあらかじめ設定される変化量DLSB大きくされる。
ステップS39:デューティの設定値が50%か否かが判定される。ステップS39の判定結果が肯定の場合は、デューティが50%以上にならないように、ステップS24に制御処理が進む。
ステップS40:ステップS39の判定結果が否定の場合は、デューティを変化させた後の周波数を測定する。
ステップS41:変数であるFsw2に測定結果の周波数を代入する。
ステップS42:Fsw2がFsw1より高いかどうかが判定される。ステップS42の判定結果が肯定の場合は、デューティを大きくしたことによって、周波数が高くなったことを意味する。この場合は、制御処理がステップS37に進み、Fsw1にFsw2を代入し、ステップS38に進む。
(ステップS38→ステップS39→ステップS40→ステップS41→ステップS42→ステップS37→ステップS38)のループにより、周波数が高くなる限り、デューティを大きくしていく制御がなされる。
ステップS42の判定結果が否定の場合は、デューティを大きくしたことによって、周波数が低くなったか、または周波数が変化しなかったことを意味する。この場合では、ステップS28に制御処理が進み、Fsw1にFsw2を代入し、さらに、制御処理がステップS24に進む。
上述した本開示の第2の実施の形態は、デューティの変化に対する周波数の変化の傾きが正になるような領域を見つけることができ、上述した第1の実施の形態と同様の作用効果を奏するものである。
<5.応用例>
上述した本開示は、ACアダプタ、テレビジョン受像機、ビデオゲーム装置等の電子機器のスイッチング電源装置等に適用することができる。
<6.変形例>
以上、本開示の実施の形態について具体的に説明したが、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いても良い。
上述した第1の実施の形態では、周波数の極大値を探すように制御しているが、例えば極大値付近(極大値±10%)の周波数を探すようにしても良い。
なお、本開示は、以下のような構成も取ることができる。
(1)
直流入力が供給されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
前記周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備え、
前記デューティ制御回路は、前記スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、前記スイッチングデューティを制御するスイッチング電源装置。
(2)
前記デューティ制御回路は、前記スイッチングデューティの変化に対する前記スイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるようにする(1)に記載のスイッチング電源装置。
(3)
前記スイッチング素子は、直列接続され、前記スイッチング周波数で交互にオンされる第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子からなり、
前記第1および第2のスイッチング素子の出力電流が供給されるトランスが設けられ、
前記トランスの1次側に共振回路が接続され、前記トランスの2次側に整流回路が接続され、
前記スイッチング信号の周波数がフィードバック信号によって制御されることによって出力電圧が安定化される(1)および(2)の何れかに記載のスイッチング電源装置。
(4)
前記フィードバック信号の帯域から定まる応答時間に比して、前記スイッチングデューティを変化させる時間が長いものに設定される(1)乃至(3)の何れかに記載のスイッチング電源装置。
(5)
前記デューティ制御回路が常にデューティ制御動作を行う(1)乃至(4)の何れかに記載のスイッチング電源装置。
(6)
直流入力が供給されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
前記周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備えるスイッチング電源装置の制御方法であって、
前記デューティ制御回路は、前記スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、前記スイッチングデューティを制御するスイッチング電源制御方法。
(7)
前記デューティ制御回路は、前記スイッチングデューティの変化に対する前記スイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるようにする(6)に記載のスイッチング電源制御方法。
(8)
スイッチング電源装置を備える電子機器であって、
前記スイッチング電源装置は、
直流入力が供給されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
前記周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備え、
前記デューティ制御回路は、前記スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、前記スイッチングデューティを制御する電子機器。
(9)
前記デューティ制御回路は、前記スイッチングデューティの変化に対する前記スイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるものである(8)に記載の電子機器。
1a,1b・・・入力端子
2,200・・・制御回路
3,4・・・FET
6・・・トランス
7・・・整流回路
11・・・誤差信号生成回路
FB・・・フィードバック電流

Claims (9)

  1. 直流入力が供給されるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
    前記スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
    前記周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備え、
    前記デューティ制御回路は、前記スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、前記スイッチングデューティを制御するスイッチング電源装置。
  2. 前記デューティ制御回路は、前記スイッチングデューティの変化に対する前記スイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるようにする請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記スイッチング素子は、直列接続され、前記スイッチング周波数で交互にオンされる第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子からなり、
    前記第1および第2のスイッチング素子の出力電流が供給されるトランスが設けられ、
    前記トランスの1次側に共振回路が接続され、前記トランスの2次側に整流回路が接続され、
    前記スイッチング信号の周波数がフィードバック信号によって制御されることによって出力電圧が安定化される請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  4. 前記フィードバック信号の帯域から定まる応答時間に比して、前記スイッチングデューティを変化させる時間が長いものに設定される請求項3に記載のスイッチング電源装置。
  5. 前記デューティ制御回路が常にデューティ制御動作を行う請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  6. 直流入力が供給されるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
    前記スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
    前記周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備えるスイッチング電源装置の制御方法であって、
    前記デューティ制御回路は、前記スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、前記スイッチングデューティを制御するスイッチング電源制御方法。
  7. 前記デューティ制御回路は、前記スイッチングデューティの変化に対する前記スイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるようにする請求項6に記載のスイッチング電源制御方法。
  8. スイッチング電源装置を備える電子機器であって、
    前記スイッチング電源装置は、
    直流入力が供給されるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子のスイッチング周波数を制御する周波数制御回路と、
    前記スイッチング素子のスイッチング周波数を検出する周波数検出回路と、
    前記周波数検出回路によって検出される周波数を基にスイッチングデューティを制御するデューティ制御回路とを備え、
    前記デューティ制御回路は、前記スイッチング周波数が略極大の周波数となるように、前記スイッチングデューティを制御する電子機器。
  9. 前記デューティ制御回路は、前記スイッチングデューティの変化に対する前記スイッチング周波数の変化の傾きが正になるような領域のスイッチングデューティで動作させるものである請求項8に記載の電子機器。
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