JP2014183101A - スクライブ方法及びスクライブ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】SiCウエハをスクライブしブレイクする際に製造時のオフ角に基づく水平クラックの発生を防止すること。
【解決手段】オフ角を有するSiC基板に対してオリフラに垂直にスクライブする際には、SiC基板の結晶軸に対して垂直な方向にスクライブする際に刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせ、結晶軸から見て高い位置にある刃先角度を大きく、他方を小さくしたスクライビングホイール21を用いてスクライブする。これによって水平クラックの発生を少なくすることができる。
【選択図】図3B
【解決手段】オフ角を有するSiC基板に対してオリフラに垂直にスクライブする際には、SiC基板の結晶軸に対して垂直な方向にスクライブする際に刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせ、結晶軸から見て高い位置にある刃先角度を大きく、他方を小さくしたスクライビングホイール21を用いてスクライブする。これによって水平クラックの発生を少なくすることができる。
【選択図】図3B
Description
本発明は炭化珪素基板(SiC基板)を分断するためにスクライブするスクライブ方法及びスクライブ装置に関するものである。
ガラス基板をスクライブし分断する場合にはスクライビングホイールに荷重を加えて転動してスクライブすることが行われる。このときスクライビングホイールの刃先の角度を左右で異ならせることによってスクライブ溝をガラス面からわずかに傾けてスクライブすることが特許文献1,2に示されている。
SiC基板は化学的安定性に優れた半導体であるため、電子素子の素材として、例えば発光ダイオード、ショットキーバリアダイオード、MOSFET等に用いられ、又半導体の基板としても用いられている。半導体として用いる場合には、通常のシリコン素子と同様に円柱状のインゴットを生成し、円板形のウエハにスライスする。そしてウエハ上に多数の機能領域を形成した後、格子状にスクライブし分断して半導体基板として用いる。
さてSiC基板は積層様式が多様に変化し易い結晶多形半導体結晶であり、半導体に適した4H−SiCのエピタキシャル膜を生成するために、Si原子が最表面にあるSiC(0001)面を結晶軸に対して数度傾けた基板上にエピタキシャル膜を生成する手法が開発されている。この数度の傾きをオフ角と言い、オフ角を付けることによってミクロ的には高位の結晶面にステップ状の結晶面が形成される。このオフ角に対応した段差の方向を示すためにウエハの結晶方向が認識できるように目印として傾きの方向とは直角に円板の一端を直線状に切欠いた、いわゆるオリエンテーションフラット(以下、単にオリフラという)という切欠きが形成されている。この切欠きに代えて、円板にノッチが形成される場合もある。
さてSiC基板のウエハを格子状に分断する場合に、ガラス板のスクライブと同様に左右の刃先角度が同一のスクライビングホイールを用いてスクライブし分断すると、結晶品質が良好でない場合がある。発明者は結晶軸方向に対して平行方向にスクライブし、このスクライブラインに沿ってブレイクすると、水平クラックは生じず、端面品質も良好であるが、結晶方向に対して垂直にスクライブした場合には、水平クラックがスクライブラインの一方の側に生じる傾向があることを見出した。そして一方の側にのみ水平クラックが生じた基板をブレイクしても、良好な端面品質は得られない。
このように従来の刃先角度が対称のスクライビングホイールを用いてスクライブした場合に、刃先が接触するSiC基板の表面の垂直方向全体に負荷がかかるため、片方に水平クラックが発生し易い傾向があるという問題点があった。
本発明はこのような従来の問題点を解消するためになされたものであって、SiC基板をスクライブする際に水平クラックが発生し難い刃先を用いてスクライブできるようにすることを目的とする。
この課題を解決するために、本発明のスクライブ方法は、SiC基板をスクライブするスクライブ方法であって、SiC基板の結晶軸に対して垂直な方向にスクライブする際に刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせ、結晶軸から見て高い位置にある刃先角度を大きく、他方を小さくしたスクライビングホイールを用いてスクライブし、結晶軸に沿ってスクライブする際に左右の刃先角度が同一のスクライビングホイールを用いてSiC基板をスクライブするものである。
ここで前記スクライビングホイールは、所定の間隔で円周上に切欠きが形成された高浸透刃先としてもよい。
ここで前記スクライビングホイールの円周状の切欠きは、刃先の鋭角側の切欠き角度を大きくするようにしてもよい。
本発明のスクライブ装置は、オフ角が形成されたSiC基板をクロススクライブするためのスクライブ装置であって、刃先の稜線に対する左右の刃先角度が同一のスクライビングホイールを取付けられたスクライブヘッドと、刃先の左右の刃先角度を異ならせたスクライビングホイールを取付けられたスクライブヘッドとを備えるものである。本発明のスクライブ装置は、前記本発明のスクライブ方法に使用することができる。
なお、同一基板の同一表面上で相互に(通常は垂直方向に)交差するようにスクライブ(スクライブラインを形成)することをクロススクライブという。一般に、スクライブ装置は、先端にスクライビングホイールを取付けられたスクライブヘッドと、基板を載置又は保持する基板保持手段と、スクライブヘッドと基板保持手段に載置又は保持された基板とを基板表面に対して平行方向に相対移動させる相対移動手段とを備え、スクライブヘッドはその先端に取付けられたスクライビングホイールを基板保持手段に載置又は保持された基板表面に押圧する機能を有し、スクライビングホイールが基板表面に押圧された状態でスクライブヘッドと基板とを相対移動させることによって基板をスクライブすることができる。
このような特徴を有する本発明によれば、オフ角が形成されたSiC基板に対して結晶方向に対して垂直にスクライブした場合であっても、水平クラックの発生を回避することができ、ブレイクしたときの端面精度を向上させることができるという効果が得られる。
図1はSiCウエハの製造時に(0001)面に対してわずかに傾けて形成されたウエハの法線と結晶軸の関係を示す図である。図1において(0001)面10の面内に結晶軸であるx軸とこれに垂直なy軸を定義し、その法線を10aとする。そしてウエハ11の法線を11aとすると、法線10a,11aのなす角度、即ちウエハの傾き角がオフ角θであり、例えば4°とする。図2はウエハ11の正面図である。ウエハ11についてこの角度に平行な方向に円周の一角が切欠かれたオリエンテーションフラット(以下、オリフラという)12があらかじめ形成されている。
さて図3Aに示すように刃先角度が左右対称であるノーマルのスクライビングホイール20を用いてオリフラ12に対して平行なライン13a又はこれに平行な方向にスクライブしたときには、前述したように水平クラックはほとんど発生しない。
一方図3Aに示すように刃先角度が左右対称であるノーマルのスクライビングホイール20を用いてオリフラ12に直角のライン13bの方向にスクライブラインを形成した場合には、水平クラックが発生する。この図ではSiCウエハ11の左側が図1に示すウエハの高い方向に対応している。
次にスクライブした具体例について説明する。以下に図3Aに示すノーマルスクライビングホイール20を用いてスクライブ速度100mm/s、オリフラ12に対して垂直方向に内−内切りでスクライブした例を示す。図4Aはこのスクライビングホイールを用いてスクライブ荷重を0.06MPaとした場合、図4Bはこのスクライビングホイールを用いてスクライブ荷重を0.08MPaとした場合、図4Cはこのスクライビングホイールを用いてスクライブ荷重を0.1MPaとした場合、図4Dはこのスクライビングホイールを用いてスクライブ荷重を0.12MPaとしてスクライブしたときの上面からの図である。図4A〜図4Cに示すように、スクライブラインの左側に多くの水平クラックが発生し、図4Dでは両側に水平クラックが発生している。
そこでこの実施の形態では、オリフラ12に対して垂直にスクライブする際には、図3Bに側面図を示すように、SiC基板に対して左側の刃先角度αと右側の刃先角度βが異なる刃先を有するスクライビングホイール21を用いてスクライブを行っている。このスクライビングホイール21の左側の刃先角度αは例えば75°、右側の刃先角度βが例えば70°であり、左右の刃先角度が異なるスクライビングホイールを用いる。刃先角度はこれらの値に限定されるものではなく、鈍角側の刃先角度αは例えば70〜85°の範囲、鋭角側の刃先角度βは例えば65〜80°とする。又刃先全体の角度は150°以下であり、角度差は例えば5°としたものである。そして図3Bに示すようにスクライビングホイールの頂点が接する点より左側、即ちx軸から見て高い位置にある左側の刃先角度αを大きく、x軸から見て低い位置にある右側の刃先角度βを小さくしたスクライビングホイールを用いてスクライブを行えば、鈍角側の刃先側で負荷が低減するため、水平クラックの発生を回避することができる。そしてクラックの進展方向は基板に対して垂直からわずかに傾けた方向にクラックが生じ、このラインに伴ってブレイクできることとなる。
図5Aは図3Bに示すスクライビングホイール21を用いてスクライブ荷重を0.06MPaとした場合、図5Bはこのスクライビングホイール21を用いてスクライブ荷重を0.08MPaとした場合、図5Cはこの刃先を用いてスクライブ荷重を0.1MPaとした場合、図5Dはこのスクライビングホイール21を用いてスクライブ荷重を0.12MPaとしてスクライブしたときの上面からの図である。図5A,図5Bと図4A,図4Bとを比較すると、図3Bに示すスクライビングホイール21を用いてスクライブしたときには、スクライブラインの左側の水平クラックは小さく、図5C,図5Dでも発生する水平クラックは小さくなっている。このように傾きの低い方向に刃先角度を小さくするように選定したスクライビングホイールを用いてスクライブすることで水平クラックの発生を少なくすることができることとなる。
通常ウエハ11は格子状にスクライブを行い、そのスクライブラインに沿って分断して多数のチップを製造する。従って実際にスクライブする場合には、図2Aに示すようにウエハ11のオリフラ12に対して平行なライン13a、又はこれに平行なラインをスクライブする場合には、図3Aに示すように左右の刃先角度が等しいノーマルのスクライビングホイール20を用い、ライン13bに平行なスクライブラインを形成する場合には、図3Bに示すスクライビングホイール21を用い、これらのスクライビングホイールを切換えてスクライブする。こうすればいずれの方向でも水平クラックの発生を少なくすることができる。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。前述した第1の実施の形態では、左右の刃先角度が異なるスクライビングホイールを用いているが、日本特許第3074143号に示されているように、円周上の刃先に打点衝撃を与える突起を形成したスクライビングホイールに対して用いることもできる。図6はこの実施の形態のスクライビングホイール22の一部を拡大して示す拡大図である。本図に示すように左右の刃先角度αとβを異ならせると共に、スクライビングホイール22の稜線の左右に均等に切欠き23を形成して高浸透型としたものである。こうすれば高浸透のスクライブを形成することができ、更に側方の水平クラックの発生を少なくすることができるという効果が得られる。
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。図7はこの実施の形態のスクライビングホイール24の一部を拡大して示す拡大図である。この図に示すように左右の刃先角度αとβを異ならせると共に、スクライビングホイール24の稜線の右側の鋭角側については切欠き角度を大きく、上部まで切り込みを形成して高浸透型としたものである。この場合にも、高浸透のスクライブを形成することができ、更に側方の水平クラックの発生を少なくすることができるという効果が得られる。
本発明はSiC基板を分断する際に水平クラックを発生することを少なくすることができ、SiC基板をスクライブしブレイクすることによって分断する半導体の製造に寄与することができる。
10 (0001)面
11 ウエハ
12 オリフラ
20,21,22,24 スクライビングホイール
11 ウエハ
12 オリフラ
20,21,22,24 スクライビングホイール
Claims (5)
- SiC基板をスクライブするスクライブ方法であって、
SiC基板の結晶軸に対して垂直な方向にスクライブする際に刃先の稜線に対する左右の刃先角度を異ならせ、結晶軸から見て高い位置にある刃先角度を大きく、他方を小さくしたスクライビングホイールを用いてスクライブし、
結晶軸に沿ってスクライブする際に左右の刃先角度が同一のスクライビングホイールを用いてSiC基板をスクライブするスクライブ方法。 - 前記スクライビングホイールは、所定の間隔で円周上に切欠きが形成された高浸透刃先である請求項1記載のスクライブ方法。
- 前記スクライビングホイールの円周上の切欠きは、刃先の鋭角側の切欠き角度を大きくするようにした請求項2記載のスクライブ方法。
- オフ角が形成されたSiC基板をクロススクライブするためのスクライブ装置であって、刃先の稜線に対する左右の刃先角度が同一のスクライビングホイールを取付けられたスクライブヘッドと、刃先の左右の刃先角度を異ならせたスクライビングホイールを取付けられたスクライブヘッドとを備えたスクライブ装置。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載のスクライブ方法に使用される請求項4記載のスクライブ装置。
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