JP5119463B2 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
さらには、基板を揮散させず、基板の側面に凹部を形成しないことにより、凹部から排除された異物が素子分離した発光素子に付着するのを抑制することができ、発光効率の低下をさらに抑制することができる。
さらには、素子分離後の基板2の側面に凹部を形成しないことにより、凹部から排除された異物が素子分離した発光素子1に付着するのを抑制することができる。
したがって、発光素子1の発光効率の低下を抑制することができる。
仮に、基板2表面側の変質部11を形成後、基板2裏面側の変質部21の形成する際に基板2表面からレーザ光を照射した場合、基板2裏面側の変質部21を形成する際には、レーザ光は変質部11を通過する必要がある。そうすると、変質部11でレーザ光の減衰やレーザ光の屈折等によりレーザ光の焦点にずれが生じ、変質部21の形成位置の精度が悪くなる。これに対して、基板2裏面側の変質部21を先に形成することによって、変質部21を所定の位置に高精度に形成することができる。なお、基板2表面側の変質部11を形成し、その後、基板2裏面側の変質部21を形成する場合、変質部21は、基板2の裏面からレーザ光を照射して形成するのが好ましい。
特に従来は、変質部を形成する前に基板2の厚さを例えば100μm程度まで研削していたが、本発明によれば、例えば300μm以上の厚さでも基板2を研削することなく素子分離することができる。これにより、従来必要であった研削工程を省略することができ、発光素子1の製造時間を短縮することができる。
また、フリップチップ実装をする場合、基板から光が取り出される構造を有しており、厚い基板を用いて光取り出し効率の低下を抑制している。この場合、本発明の素子分離方法は、厚い基板でも研削せずに発光素子を製造することができ、効果を発揮する。
以下、本発明の発光素子について、従来技術の発光素子と比較をして説明する。本発明の発光素子として、先に図2で示した発光素子1を用いた。一方、従来技術の発光素子として、先に図12で示した発光素子100を用いた。
次に、基板が厚い場合の発光素子について、従来技術の発光素子と比較して説明する。本発明の発光素子として、先に図7で示した発光素子1を用いた。一方、従来技術の発光素子として、先に図12で示した発光素子100を用いた。なお、従来の発光素子100は基板表面側に変質部を有する。
2 基板
3、4 素子分離線
5 窒化物半導体
11 変質部
Claims (2)
- 基板上に発光層となる化合物半導体を積層した発光素子を製造する方法であって、
実質的に前記基板を揮散させない状態でレーザ照射することによって形成される変質部を、前記基板に不連続かつ直線状に設けることにより、前記変質部が不連続かつ直線状に配置された素子分離線を形成する工程と、
前記変質部を基点として、前記素子分離線に沿って基板を切断することにより、前記基板を前記化合物半導体ごとに素子分離する工程と、を有し、
前記変質部は、前記化合物半導体が積層されている基板表面側と、基板裏面側及び基板内部にそれぞれ形成され、
基板表面側の変質部、基板裏面側の変質部、及び基板内部の変質部は、基板の表面側から見て素子分離線に沿った方向に互いにずれた位置に形成され、
さらに前記変質部は、前記基板の厚み方向にも不連続に形成され、
前記基板は厚み方向に割れやすいM面を有し、
前記M面に沿って形成された前記素子分離線における前記変質部の間隔は、前記M面に沿わずに形成された前記素子分離線における前記変質部の間隔より大きいことを特徴とする、発光素子の製造方法。 - 基板上に発光層となる化合物半導体を有する発光素子であって、
変質部を前記基板の側面に有し、かつ前記変質部が不連続であり、
前記変質部は、前記化合物半導体が積層されている基板表面側と、基板裏面側及び基板内部にそれぞれ形成され、
基板表面側の変質部、基板裏面側の変質部、及び基板内部の変質部は、基板の表面側から見て素子分離線に沿った方向に互いにずれた位置に形成され、
さらに前記変質部は、前記基板の厚み方向にも不連続に形成され、
前記基板は厚み方向に割れやすいM面を有し、
前記M面に沿って形成された前記変質部の間隔は、前記M面に沿わずに形成された前記変質部の間隔より大きいことを特徴とする発光素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278145A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 発光素子及びその製造方法 |
EP2458654B1 (en) * | 2009-07-22 | 2018-10-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2011129765A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2012028445A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2013063455A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
US8697463B2 (en) * | 2012-01-26 | 2014-04-15 | Epistar Corporation | Manufacturing method of a light-emitting device |
JP6116420B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-04-19 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2015130470A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2015111134A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2015170712A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体素子、AlNxO1.5y(0<(x+y)<1、0<x<1、0≦y<1)の生成方法、窒化物半導体素子の製造方法、および窒化物半導体素子の駆動確認方法 |
JP2016054206A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016082159A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP6452490B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-01-16 | キヤノン株式会社 | 半導体チップの生成方法 |
JP6656597B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2020-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP2019197802A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 株式会社ディスコ | Daf |
WO2020032206A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP6664445B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-03-13 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP6563093B1 (ja) * | 2018-08-10 | 2019-08-21 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP2019012845A (ja) * | 2018-09-25 | 2019-01-24 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP6941777B2 (ja) * | 2019-03-08 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
EP3772748A1 (en) | 2019-08-07 | 2021-02-10 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element |
JP6819897B2 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP7129436B2 (ja) * | 2020-02-17 | 2022-09-01 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3626442B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2005-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2003338468A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
JP2004165227A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2005012203A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP4184937B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2008-11-19 | 矢崎総業株式会社 | レバー嵌合式コネクタ |
JP2006245043A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子 |
JP2006245062A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子 |
-
2006
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10644193B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-05-05 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting element |
US10804427B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-10-13 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting element |
US10516075B2 (en) | 2017-09-11 | 2019-12-24 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a light emitting element |
US10756233B2 (en) | 2017-09-11 | 2020-08-25 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a light emitting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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