JP2014120592A - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014120592A JP2014120592A JP2012274211A JP2012274211A JP2014120592A JP 2014120592 A JP2014120592 A JP 2014120592A JP 2012274211 A JP2012274211 A JP 2012274211A JP 2012274211 A JP2012274211 A JP 2012274211A JP 2014120592 A JP2014120592 A JP 2014120592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fixing member
- power module
- insulating substrate
- control board
- lead wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】リード線(12)の一端部は、絶縁基板(11)の回路パターン(101)に接合されている。樹脂ケース(13)は、リード線(12)の他端部が制御基板(20)に接合可能となるようにリード線(12)の他端部を突出させるとともに絶縁基板(11)の他方面がヒートシンク(30)に熱的に接触可能となるように絶縁基板(11)の他方面を露出させた状態で、絶縁基板(11)を内部に収容している。固定部材(14)は、制御基板(20)に固定される一端部(401)およびヒートシンク(30)に固定される他端部(402)が樹脂ケース(13)から突出するように、樹脂ケース(13)に埋め込まれている。
【選択図】図1
Description
図1,図2,図3は、実施形態1によるパワーモジュール(10)の構成を示している。図1は、図2のA-A線における断面図に相当する。パワーモジュール(10)は、制御基板(20)およびヒートシンク(30)に取り付けられる。
制御基板(20)には、例えば、電力変換装置(図示を省略)の動作を制御する制御装置(図示を省略)を構成するための電気部品が搭載されている。制御基板(20)の一方面には、接地パターン(GP)(接地電圧が印加されるパターン)を含む金属パターン(201)が形成され、制御基板(20)の他方面(以下、取付面と表記)には、パワーモジュール(10)が取り付けられる。金属パターン(201)には、制御装置を構成するための電気部品(図示を省略)が接合されている。
ヒートシンク(30)は、伝熱性材料(例えば、銅やアルミニウムなど)によって構成された部品であり、パワーモジュール(10)を冷却するために用いられる。ヒートシンク(30)には、パワーモジュール(10)を取り付けるための取付面が形成されている。
パワーモジュール(10)には、例えば、電力変換装置を構成するための電気部品(絶縁ゲートバイポーラトランジスタやダイオードなど)が収容されている。この電力変換装置は、例えば、空気調和機の圧縮機を駆動するモータ(図示を省略)に交流電力を供給するために用いられる。
絶縁基板(11)は、絶縁材料(例えば、セラミックス)によって構成され、矩形板状に形成されている。絶縁基板(11)の一方面には、回路パターン(101)が形成され、絶縁基板(11)の他方面には、放熱パターン(102)が形成されている。回路パターン(101)および放熱パターン(102)は、導電性材料(例えば、銅やアルミニウムなど)によって構成された金属層である。回路パターン(101)には、1つまたは複数(この例では、3つ)のパワー半導体素子(111,…,111)が半田(100)で接合されている。パワー半導体素子(111)は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やダイオードなどである。また、パワー半導体素子(111,…,111)は、ボンディングワイヤ(112,…,112)で回路パターン(101)に接続されている。ボンディングワイヤ(112)は、2つのパワー半導体素子(111,111)の間を接続するように配置されていて良いし、回路パターン(101)間を接続するように配置されていても良い。
リード線(12)は、導電性材料によって構成されている。リード線(12)の一端部は、絶縁基板(11)の回路パターン(101)に半田(100)で接合されている。また、リード線(12)の他端部は、制御基板(20)に接合可能に構成されている。
樹脂ケース(13)は、絶縁樹脂によって構成されている。また、樹脂ケース(13)は、リード線(12,…,12)の他端部が制御基板(20)に接合可能となるように、リード線(12,…,12)の他端部を樹脂ケース(13)から突出させるとともに、絶縁基板(11)の他方面(放熱パターン(102)が形成された面)がヒートシンク(30)に熱的に接触可能となるように、絶縁基板(11)の他方面を樹脂ケース(13)から露出させた状態で、絶縁基板(11)を内部に収容している。
固定部材(14)は、金属(例えば、銅やアルミニウムなど)によって構成されている。また、固定部材(14)は、一端部(401)および他端部(402)が樹脂ケース(13)から突出するように、樹脂ケース(13)に埋め込まれている。この例では、固定部材(14)は、縦長の矩形板状に形成され、L字状に湾曲している。具体的に説明すると、固定部材(14)の本体部(400)は、樹脂ケース(13)に埋め込まれて樹脂ケース(13)の高さ方向(絶縁基板(11)に対して垂直な方向)に延びている。固定部材(14)の一端部(401)は、樹脂ケース(13)の一端部(制御基板(20)の取付面に対向する端部)から樹脂ケース(13)の高さ方向に延出している。固定部材(14)の他端部(402)は、樹脂ケース(13)の他端部(ヒートシンク(30)の取付面に対向する端部)から樹脂ケース(13)の高さ方向に対して垂直な方向(例えば、絶縁基板(11)の幅方向)に延出している。
また、固定部材(14)の一端部(401)は、リード線(12)よりも太くなっている。この例では、固定部材(14)の断面積(矩形)は、リード線(12)の断面積(円形)よりも広くなっている。すなわち、固定部材(14)の一端部(401)が挿通されるスルーホール(200b)の断面積(矩形穴)は、リード線(12)の他端部が挿通されるスルーホール(200a)の断面積(円形穴)よりも広くなっている。
また、2つの固定部材(14,14)は、矩形筒状に形成された樹脂ケース(13)を構成する4つの壁部のうち絶縁基板(11)を挟んで互いに対向する2つの壁部(この例では、絶縁基板(11)の幅方向において互いに対向する2つの壁部)にそれぞれ埋め込まれている。この例では、2つの固定部材(14,14)は、絶縁基板(11)を挟んで線対称に配置されている。
次に、パワーモジュール(10)を制御基板(20)に取り付ける手順について説明する。まず、リード線(12,…,12)の他端部および固定部材(14,14)の一端部(401,401)が制御基板(20)の取付面に対向するように、パワーモジュール(10)を配置する。次に、リード線(12,…,12)の他端部および固定部材(14,14)の一端部(401,401)が制御基板(20)に設けられたスルーホール(200a,…,200a)およびスルーホール(200b,200b)にそれぞれ挿通されるように、パワーモジュール(10)と制御基板(20)とを組み合わせる。そして、スルーホール(200a,…,200a)およびスルーホール(200b,200b)に溶融半田を流し込む。これにより、リード線(12,…,12)の他端部および固定部材(14,14)の一端部(401,401)が制御基板(20)のスルーホール(200a,…,200a)およびスルーホール(200b,200b)にそれぞれ半田接合される。
以上のように、固定部材(14,14)の一端部(401,401)および他端部(402,402)が制御基板(20)およびヒートシンク(30)にそれぞれ固定されているので、パワーモジュール(10)に伝達された振動は、リード線(12,…,12)だけでなく固定部材(14,14)にも分散されることになる。したがって、パワーモジュール(10)に伝達された振動によってリード線(12,…,12)の接合部に加えられる応力を軽減することができるので、リード線(12,…,12)に伝達された振動によってリード線(12,…,12)の接合部(特に、回路パターン(101)との半田(100)による接合部)が劣化してしまうことを抑制することができる。さらに、固定部材(14,14)が樹脂ケース(13)に埋め込まれているので、固定部材(14,14)が樹脂ケース(13)の外側に設けられている場合よりも、パワーモジュール(10)を小型化することができる。
図4のように、固定部材(14)は、一端部(401)が他端部(402)よりも細くなるように形成されていても良い。この例では、固定部材(14)の一端部(401)の幅は、その固定部材(14)の本体部(400)および他端部(402)の幅よりも狭くなっている。なお、固定部材(14)の一端部(401)は、リード線(12)よりも太くなっている。また、パワーモジュール(10)は、6つの固定部材(14,…,14)を備え、6つの固定部材(14,…,14)は、絶縁基板(11)を挟んで線対称に配置されている。すなわち、樹脂ケース(13)の4つの壁部のうち絶縁基板(11)の幅方向において互いに対向する2つの壁部に、固定部材(14)が3つずつ埋め込まれている。
図5のように、固定部材(14)の一端部(401)は、複数(この例では、2つ)の枝部(411,411)によって構成されていても良い。枝部(411,411)は、制御基板(20)の複数(この例では、2つ)のスルーホール(200b,200b)にそれぞれ挿通されて半田接合される。また、固定部材(14)の枝部(411,411)の各々は、固定部材(14)の他端部(402)よりも細くなっている。この例では、固定部材(14)の枝部(411,411)の各々の幅は、固定部材(14)の本体部(400)および他端部(402)の幅よりも狭くなっている。なお、固定部材(14)の枝部(411,411)の各々は、リード線(12)よりも太くなっている。また、パワーモジュール(10)は、6つの固定部材(14,…,14)を備え、6つの固定部材(14,…,14)は、絶縁基板(11)を挟んで線対称に配置されている。
図6のように、固定部材(14)の一端部(401)は、制御基板(20)にネジ止め可能に構成されていても良い。詳しく説明すると、制御基板(20)には、スルーホール(200b,200b)の代わりに、ネジ(404,400)を挿通可能な挿通穴が設けられ、固定部材(14,14)の一端部(401,401)には、ネジ(404,404)を締結するためのネジ穴がそれぞれ設けられていても良い。
図7のように、パワーモジュール(10)が4つの固定部材(14,…,14)を備えている場合、それらの4つの固定部材(14,…,14)は、矩形筒状に形成された樹脂ケース(13)を構成する4つの壁部にそれぞれ埋め込まれていても良い。
図8は、実施形態2によるパワーモジュール(10)の構成例を示している。このパワーモジュール(10)は、図1〜図3に示したパワーモジュール(10)の構成に加えて、放熱板(16)を備えている。
放熱板(16)は、伝熱性材料によって構成されて、矩形板状に形成されている。また、放熱板(16)は、絶縁基板(11)の他方面(放熱パターン(102)が形成された面)とヒートシンク(30)との間に介設されている。詳しく説明すると、絶縁基板(11)の放熱パターン(102)は、放熱板(16)の一方面に半田(600)で接合されている。放熱板(16)の他方面は、グリス(110)を介してヒートシンク(30)の取付面に接触している。
以上のように、絶縁基板(11)の他方面とヒートシンク(30)との間に放熱板(16)を介設することにより、絶縁基板(11)からヒートシンク(30)への熱伝達を促進することができる。これにより、パワーモジュール(10)の放熱性を向上させることができる。
以上の説明において、固定部材(14)の他端部(402)や放熱板(15)の外縁部にネジ(403)を挿通させる挿通穴が設けられている場合を例に挙げて説明したが、挿通穴の代わりに切り欠きが設けられていても良い。これと同様に、図6の固定部材(14)の一端部(401)には、ネジ(403)を挿通させる挿通穴の代わりに切り欠きが設けられていても良い。
20 制御基板
200a,200b スルーホール
201 金属パターン
GP 接地パターン
30 ヒートシンク
11 絶縁基板
100,110 半田
101 回路パターン
102 放熱パターン
111 パワー半導体素子
112 ボンディングワイヤ
110 半田
12 リード線
13 樹脂ケース
14 固定部材
400 本体部
401 一端部
402 他端部
403,404 ネジ
411 枝部
15 封止材
16 放熱板
600 半田
Claims (10)
- 制御基板(20)およびヒートシンク(30)に取り付けられるパワーモジュール(10)であって、
回路パターン(101)が一方面に形成された絶縁基板(11)と、
上記絶縁基板(11)の回路パターン(101)に一端部が接合されたリード線(12)と、
上記リード線(12)の他端部が上記制御基板(20)に接合可能となるように該リード線(12)の他端部を突出させるとともに上記絶縁基板(11)の他方面が上記ヒートシンク(30)に熱的に接触可能となるように該絶縁基板(11)の他方面を露出させた状態で、該絶縁基板(11)を内部に収容する樹脂ケース(13)と、
上記制御基板(20)に固定可能な一端部(401)および上記ヒートシンク(30)に固定可能な他端部(402)が上記樹脂ケース(13)から突出するように、該樹脂ケース(13)に埋め込まれた1つまたは複数の固定部材(14)とを備えている
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1において、
上記リード線(12)の他端部および上記固定部材(14)の一端部(401)は、上記制御基板(20)に設けられたスルーホール(200a,200b)にそれぞれ挿通されて半田接合される
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項2において、
上記固定部材(14)の一端部(401)は、上記リード線(12)よりも太くなっている
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項2または3において、
上記制御基板(20)には、接地パターン(GP)を含む金属パターン(201)が形成され、
上記固定部材(14)の一端部(401)は、上記制御基板(20)のうち上記接地パターン(GP)が形成された領域または上記金属パターン(201)が形成されていない領域に設けられたスルーホール(200b)に挿通されて半田接合される
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項2〜4のいずれか1項において、
上記固定部材(14)の一端部(401)は、該固定部材(14)の他端部(402)よりも細くなっている
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項2〜4のいずれか1項において、
上記固定部材(14)の一端部(401)は、複数の枝部(411)によって構成され、
上記複数の枝部(411)は、上記制御基板(20)に設けられた複数のスルーホール(200b)にそれぞれ挿通されて半田接合される
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1において、
上記固定部材(14)の一端部(401)は、上記制御基板(20)にネジ止めされ、該固定部材(14)の他端部(402)は、上記ヒートシンク(30)にネジ止めされる
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1〜7のいずれか1項において、
上記樹脂ケース(13)は、上記絶縁基板(11)の外縁を囲む矩形筒状に形成され、
上記複数の固定部材(14)のうち少なくとも2つの固定部材(14)は、上記樹脂ケース(13)の4つの壁部のうち上記絶縁基板(11)を挟んで互いに対向する2つの壁部にそれぞれ埋め込まれている
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1〜7のいずれか1項において、
上記樹脂ケース(13)は、上記絶縁基板(11)の外縁を囲む矩形筒状に形成され、
上記複数の固定部材(14)のうち少なくとも4つの固定部材(14)は、上記樹脂ケース(13)の4つの壁部にそれぞれ埋め込まれている
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 請求項1〜9のいずれか1項において、
上記絶縁基板(11)の他方面と上記ヒートシンク(30)との間に介設された放熱板(16)をさらに備えている
ことを特徴とするパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012274211A JP6094197B2 (ja) | 2012-12-17 | 2012-12-17 | パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012274211A JP6094197B2 (ja) | 2012-12-17 | 2012-12-17 | パワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014120592A true JP2014120592A (ja) | 2014-06-30 |
JP6094197B2 JP6094197B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=51175191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012274211A Expired - Fee Related JP6094197B2 (ja) | 2012-12-17 | 2012-12-17 | パワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6094197B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160047959A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 주식회사 솔루엠 | 전력모듈 |
CN111199960A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 |
CN111373527A (zh) * | 2017-11-22 | 2020-07-03 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
EP4123696A3 (en) * | 2021-07-22 | 2023-07-19 | Semiconductor Components Industries, LLC | Power module |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006287101A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Toyota Motor Corp | パワーモジュール、及び、その製造方法 |
JP2007123644A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
JP2008166358A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Aisin Aw Co Ltd | 電子回路装置とその製造方法 |
US20090140399A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor Module with Switching Components and Driver Electronics |
JP2010086977A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | パワーモジュール |
WO2010101068A1 (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 三菱重工業株式会社 | インバータモジュールおよびインバータ一体型電動圧縮機 |
-
2012
- 2012-12-17 JP JP2012274211A patent/JP6094197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006287101A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Toyota Motor Corp | パワーモジュール、及び、その製造方法 |
JP2007123644A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
JP2008166358A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Aisin Aw Co Ltd | 電子回路装置とその製造方法 |
US20090140399A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor Module with Switching Components and Driver Electronics |
JP2010086977A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | パワーモジュール |
WO2010101068A1 (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 三菱重工業株式会社 | インバータモジュールおよびインバータ一体型電動圧縮機 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160047959A (ko) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 주식회사 솔루엠 | 전력모듈 |
KR102333657B1 (ko) | 2014-10-23 | 2021-12-02 | 주식회사 솔루엠 | 전력모듈 |
CN111373527A (zh) * | 2017-11-22 | 2020-07-03 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
CN111373527B (zh) * | 2017-11-22 | 2024-04-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
CN111199960A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 |
JP2020088053A (ja) * | 2018-11-20 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
JP7045975B2 (ja) | 2018-11-20 | 2022-04-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
US11587797B2 (en) | 2018-11-20 | 2023-02-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and power converter |
CN111199960B (zh) * | 2018-11-20 | 2024-05-31 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置 |
EP4123696A3 (en) * | 2021-07-22 | 2023-07-19 | Semiconductor Components Industries, LLC | Power module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6094197B2 (ja) | 2017-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2585887C1 (ru) | Компоновка электронного блока питания | |
JP6218898B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2008124468A (ja) | 電力モジュール | |
JP2003243607A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
JP2009231473A (ja) | 照明モジュール、およびこの照明モジュールを用いた電子機器 | |
KR20190135514A (ko) | 회로 구성체 및 전기 접속 박스 | |
JP2011108924A (ja) | 熱伝導基板及びその電子部品実装方法 | |
KR20110088404A (ko) | 반도체장치 모듈 | |
JP5218442B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6094197B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP5446302B2 (ja) | 放熱板とモジュール | |
JP6201532B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5836298B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110933900B (zh) | 电气设备和散热器 | |
JPWO2015025447A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012064855A (ja) | 半導体装置 | |
WO2012026058A1 (ja) | 発光装置 | |
WO2019038876A1 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2013047231A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015026820A (ja) | 電子装置 | |
JP2007096004A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019013079A (ja) | パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP4715283B2 (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
JP2015119121A (ja) | パワー半導体装置 | |
JP2015015385A (ja) | 電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170130 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6094197 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |