JP2014086120A - 半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を用いたメモリシステム - Google Patents
半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を用いたメモリシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014086120A JP2014086120A JP2012236669A JP2012236669A JP2014086120A JP 2014086120 A JP2014086120 A JP 2014086120A JP 2012236669 A JP2012236669 A JP 2012236669A JP 2012236669 A JP2012236669 A JP 2012236669A JP 2014086120 A JP2014086120 A JP 2014086120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- memory
- area
- address
- area address
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】複数のメモリセルをそれぞれ有するメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルから読み出したデータを保持する複数の第1バッファと、外部に出力するデータを記憶する複数のデータキャッシュと、制御回路と、を具備し、前記制御回路は、複数のメモリセルからデータを読み出して前記複数の第1バッファに保持し、外部から入力されたコマンドに応じて前記複数の第1バッファに保持されたデータのうち一部のデータを前記複数のデータキャッシュに移動させる。
【選択図】図8
Description
特に、半導体記憶装置のデータ読み出しコマンドに関する。
メモリを制御するメモリコントローラを有するメモリシステムが販売されている。ここで
NAND型フラッシュメモリは「ページ」という単位で記憶されたデータを読み出す。例
えば、1ページは16kbit、8kbitなど任意に決めることができる。
。この場合であってもNAND型フラッシュメモリは1ページのデータをデータキャッシ
ュに保持する。すなわち、NAND型フラッシュメモリは不要なデータもデータキャッシ
ュに保持している。このため、NAND型フラッシュメモリに不要な消費電流が流れてし
まう。
を低減しようとするものである。
ルアレイと、前記複数のメモリセルから読み出したデータを保持する複数の第1バッファ
と、外部に出力するデータを記憶する複数のデータキャッシュと、制御回路と、を具備し
、前記制御回路は、複数のメモリセルからデータを読み出して前記複数の第1バッファに
保持し、外部から入力されたコマンドに応じて前記複数の第1バッファに保持されたデー
タのうち一部のデータを前記複数のデータキャッシュに移動させることを特徴とする。
モリセルアレイと、前記複数のメモリセルから読み出したデータを保持する複数の第1バ
ッファと、外部に出力するデータを記憶する複数のデータキャッシュと、制御回路とを有
する半導体メモリと、前記半導体メモリを制御するメモリコントローラと、を具備し、前
記メモリコントローラは、前記半導体メモリに読み出しコマンドを送付し、前記半導体メ
モリは、前記読み出しコマンドを受け取ると、前記制御回路は複数のメモリセルからデー
タを読み出して前記前記複数の第1バッファに保持し、前記複数の第1バッファに保持さ
れた前記データのうち一部のデータを前記複数のデータキャッシュに移動させ、前記一部
のデータを前記複数のデータキャッシュから前記メモリコントローラにデータを送付する
ことを特徴とする。
ラッシュメモリ100の構成を例に挙げて説明する。また、本実施形態に適用されるメモ
リシステム1000をホストまたはメモリコントローラHMとNAND型フラッシュメモ
リ100の組み合わせを例に挙げて説明する。
状に配置してなるメモリセルアレイ1を備えている。このメモリセルアレイ1は、複数の
ビット線BL、複数のワード線WL、共通ソース線CELSRC、及び複数のメモリセル
MCを含む。メモリセルMCは、1つのメモリセルにnビット(nは1以上の自然数)の
データを記憶することができる。
及びワード線WLの電圧を制御するためのワード線制御回路3が接続されている。
NAND型フラッシュメモリ100の動作を制御する各種コマンドCMD、アドレスAD
D、及びデータDTは、バッファ4に入力される。バッファ4に入力された書き込みデー
タは、データ入出力線を介して、ビット線制御回路2によって選択されたビット線BLに
供給される。また、各種コマンドCMDはコマンドレジスタなどを介して制御回路5に入
力される。また、アドレスADDはアドレスレジスタなどを介して、ビット線制御回路2
、ワード線制御回路3に入力される。制御回路5、ビット線制御回路2、及びワード線制
御回路3は、コマンドCMD及びアドレスADDに基づいて昇圧回路6を制御し、メモリ
セルMCに対して各種動作を実行する。
し、これらの電圧をビット線制御回路2、ワード線制御回路3などに供給する。ビット線
制御回路2、ワード線制御回路3はこれらの電圧によりメモリセルMCからデータを読み
出し、メモリセルMCへデータを書き込み、メモリセルMCのデータの消去を行う。
」と称する場合もある。
レイ1には複数のメモリセルが配置されている。1つのNANDストリングNSは、ビッ
ト線方向(図2のY方向)に直列接続された例えば86個のメモリセルMCからなるメモ
リストリングと、選択トランジスタSD、SSとにより構成されている。なお、メモリス
トリングと選択トランジスタSDの間、メモリストリングと選択トランジスタSSの間に
ダミーメモリセルDMCが配置されていても良い。
、m+1個)され、NANDストリングNSの一端に複数のビット線BLのうち1つが接
続され、他端には共通ソース線CELSRCが接続されている。なお、NANDストリン
グNSはワード線方向に複数個配置され、NANDストリングNSの一端に複数のビット
線BLのうち1つが接続され、他端には共通ソース線CELSRCが接続されているとも
言える。選択トランジスタSD、SSの制御線(ゲート電極)はそれぞれ選択ゲートSG
D、SGSに接続されている。
ている。ワード線方向に接続されたメモリセルMCで1ページを構成する。すなわち、簡
易的にビット線BLの本数が1ページを構成するビット数になる。ここで、1ページは、
例えば、16kbit、8kbitなど任意に決めることができる。また、ワード線方向
に並んだメモリセルストリングNSでブロックを構成する。メモリセルMCの消去はブロ
ック単位で行われる。
ト線制御回路2はセンスアンプ回路群SAU、ページバッファ群P−BUFU、及び、デ
ータキャッシュ群D−CASHUを有している。センスアンプ回路群SAUには複数のセ
ンスアンプ回路が配置されている。複数のビット線BLはセンスアンプ回路SAにそれぞ
れ接続されている。なお、複数のビット線で1つのセンスアンプ回路SAを共有していて
も良い。センスアンプ回路はメモリセルに記憶されたデータを検知、保持する機能を有す
る。
F(m)が配置されている。制御回路5は、センスアンプ回路で検知、保持されたデータ
をページバッファP−BUFに一時的に保持させることができる。ここで、ページバッフ
ァP−BUFの数は1ページを構成するビット数と同じ数だけ配置されている。なお、E
CC(Error Correction Code)を保持するページバッファが配置されている場合など、
ページバッファの数は1ページを構成するビット数以上になることもある。
D−CASH(m)が配置されている。制御回路5は、ページバッファP−BUFに保持
されたデータをデータキャッシュD−CASHに移動、または、コピーすることができる
。制御回路5は、ホストまたはメモリコントローラHMからリードイネーブル信号を受け
るとデータキャッシュD−CASHに保持されたデータをホストまたはメモリコントロー
ラHMに出力する。
御回路5はメモリセルMCからデータを読み出している間に、データキャッシュD−CA
SHからデータを外部に出力する。すなわち、メモリセルMCから読み出したデータを一
時的に保持するページバッファP−BUFと外部に出力するデータを保持するデータキャ
ッシュD−CASHを分けることにより、高速にデータを読み出すことができる。
UF(m)に対応して配置されている。同様に、複数のデータキャッシュD−CASH(
0)〜D−CASH(m)はページバッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)に対応
して配置されている。ここで、カラムとはビット線BLを意味し、カラムアドレスはビッ
ト線BLの位置を示すアドレスである。また、カラムアドレスは、複数のデータキャッシ
ュD−CASH(0)〜D−CASH(m)のアドレスであるとも言える。
)はメモリセルを示している。基板51(後述するセルウェル55)にはメモリセルのソ
ース、ドレインとしてのn型拡散層42が形成されている。P型ウェル領域(セルウェル
)55の上にはゲート絶縁膜43を介して電荷蓄積層(FG)44が形成され、この電荷
蓄積層44の上には絶縁膜45を介して制御ゲート(CG)46が形成されている。図4
(b)は選択ゲートを示している。セルウェル55にはソース、ドレインとしてのn型拡
散層47が形成されている。セルウェル55の上にはゲート絶縁膜48を介して制御ゲー
ト49が形成されている。
化させることができる。このしきい値電圧に応じてデータを割り付けることにより、デー
タを記憶することができる。通常、大きなデータを記憶するために複数のメモリセルが用
いられる。その結果、メモリセルのしきい値はそれぞれのデータに応じたしきい値分布を
形成する。
半導体基板51内には、N型ウェル領域52、53、54、P型ウェル領域56が形成さ
れている。N型ウェル領域52内にはセルウェル55が形成され、このセルウェル55内
にメモリセルアレイ1を構成するメモリセルTrが形成されている。さらに、前記N型ウ
ェル領域53、P型ウェル領域56内に、例えば、制御回路5を構成する低電圧Pチャネ
ルトランジスタLVPTr、低電圧NチャネルトランジスタLVNTrが形成されている
。前記基板51内には、例えば、ワード線とワード線制御回路3を接続する高電圧Nチャ
ネルトランジスタHVNTrが形成されている。また、前記N型ウェル領域54内には例
えばワード線制御回路3等を構成する高電圧PチャネルトランジスタHVPTrが形成さ
れている。図5に示すように、高電圧トランジスタHVNTr、HVPTrは、低電圧ト
ランジスタLVNTr、LVPTrに比べて例えば厚いゲート絶縁膜を有している。
動作、読み出し動作において、各領域に図6に示すような電圧が供給される。ここで、V
eraは、データの消去時に基板に印加される電圧、Vssは接地電圧、Vddは電源電
圧、書き込み電圧Vpgmはデータの書き込み時に選択ワード線に供給される電圧、読み
出し電圧Vcgrvはデータの読み出し時に選択ワード線に供給される可変の電圧、読み
出しパス電圧Vreadはデータの読み出し時に非選択ワード線に供給される電圧、書き
込みパス電圧Vpassはデータの読み出し時に非選択ワード線に供給される電圧である
。
メモリセルMCのしきい値分布とデータの記憶に関して図7を用いて説明する。図7は
NAND型フラッシュメモリ100が、例えば、4値のデータを記憶する場合のメモリセ
ルMCのしきい値分布の一例を示す図である。
モリセルMCのしきい値は8つのしきい値分布を有する。ここで、しきい値電圧が低い方
から“E”分布(消去状態)、“A”分布、“B”、分布“C”分布とする。ここで、左
から順に、上位データ、下位データとすると、2ビットのデータを次のようにしきい値分
布に割り当てることができる。例えば、“E”分布”に“11”データ、“A”分布”に
“010”データ、“B”分布”に“00”データ、“C”分布”に“10”データを割
り当てることができる。
NAND型フラッシュメモリ100のデータの書き込み動作を説明する。書き込み動作
は、書き込み電圧を印加するプログラム動作とプログラム動作後にメモリセルのしきい値
電圧を確認するベリファイ動作を有する。なお、ベリファイ動作はプログラム動作後に必
ず行われる必要が無く、複数回のプログラム動作後に1回行うなど、種々の変更が可能で
ある。
ワード線WLs」と称する場合がある)に書き込み電圧VPGMを印加し、選択ワード線
WLs以外の選択されないワード線(以降「非選択ワード線WLns」と称する場合があ
る)にパス電圧VPASSなどを印加する。なお、パス電圧VPASSは全ての非選択ワ
ード線WLnsにおいて同じ電圧である場合に限られず、非選択ワード線WLns間で異
なっていても良い。
ELSRC側から書き込まれていく場合が多い。
、ビット線制御回路2がビット線BLの電圧を、例えば、0Vに設定する。その結果、ビ
ット線WLsとメモリセルMCのチャネルとの間の電位差が大きくなり、電荷蓄積層FG
に電荷が注入される。選択ワード線WLsに接続されるメモリセルMCのしきい値電圧を
上昇させたくない場合は、ビット線制御回路2がビット線BLの電圧を、例えば、2.5
Vに設定する。その結果、メモリセルMCのチャネルがいわゆるセルフブーストにより上
昇する。ビット線WLsとメモリセルMCのチャネルとの間の電位差は小さくなり、電荷
蓄積層FGに電荷は殆ど注入さない。
にベリファイ電圧VCGRVを印加することにより行われる。言い換えると、1つのペー
ジが選択されると言える。選択ワード線WLs以外の非選択ワード線WLnsには、メモ
リセルMCのしきい値電圧によらず、メモリセルMCをオンにするパス電圧VREADが
印加される。このパス電圧VREADは全ての非選択ワード線WLnsに同じ電圧が印加
される場合に限られず、非選択ワード線WLns間で異なっていても良い。
した後、選択トランジスタSD、SSをオンにする。ここで、メモリセルMCのしきい値
電圧がベリファイ電圧よりも高ければ、ビット線BLに充電された電圧が放電しない。こ
の結果が、センスアンプでセンス、ラッチされ、メモリセルMCのデータは“0”データ
と判断される。一方、メモリセルMCのしきい値電圧がベリファイ電圧よりも低ければ、
ビット線BLに充電された電圧が放電する。この結果が、センスアンプでセンス、ラッチ
され、メモリセルMCのデータは“1”データと判断される。
_CVと変化させる事により、選択メモリセルMCが設定されたしきい値電圧に書き込ま
れたかどうか判断する。
とができる。メモリセルMCが設定されたしきい値電圧に書き込まれていない場合には、
書き込み電圧VPGMをステップアップさせて、再度書き込み動作が行われる。
NAND型フラッシュメモリ100のデータの読み出し動作を説明する。制御回路5が
、複数のワード線WLから1つの選択ワード線WLsを選択し、選択ワード線WLsに読
み出し電圧Vcgrvを印加することにより行われる。言い換えると、1つのページが選
択されると言える。選択ワード線WLs以外の非選択ワード線WLnsには、メモリセル
MCのしきい値電圧によらず、メモリセルMCをオンにする読み出しパス電圧Vread
が印加される。この読み出しパス電圧Vreadは全ての非選択ワード線WLnsに同じ
電圧が印加される場合に限られず、非選択ワード線WLns間で異なっていても良い。こ
こで、共通ソース線に0Vを、ビット線BLにプリチャージ電圧を印加した後、選択トラ
ンジスタSD、SSをオンにする。ここで、メモリセルMCのしきい値電圧がベリファイ
電圧よりも高ければ、ビット線BLに充電された電圧は放電しない。このビット線BLの
電位が、センスアンプ回路SAで検知され、メモリセルMCのデータは“0”データと判
断される。一方、メモリセルMCのしきい値電圧がベリファイ電圧よりも低ければ、ビッ
ト線BLに充電された電圧が放電する。このビット線BLの電位が、センスアンプ回路S
Aで検知されメモリセルMCのデータは“1”データと判断される。なお、メモリセルの
セルウェル55には0V(場合によっては正の電圧)を印加することができる。
cgrvは異なる。図7に示す例では、読み出し電圧Vcgrvはそれぞれのしきい値分
布間に設定される。例えば、“E”分布と“A”分布の間には読み出し電圧VCG_AR
が、“A”分布と“B”分布の間には読み出し電圧VCG_BRが、“B”分布と“C”
分布の間には読み出し電圧VCG_CRが設定される。
消去動作は、例えば、ブロック単位で行われる。制御回路5は図6の「消去」に示した
電圧を印加する。その結果、ワード線WLsとメモリセルMCのチャネルとの間の電位差
が大きくなり、電荷蓄積層FGに蓄積された電荷がp型ウェル領域に引き抜かれる。メモ
リセルMCのデータを消去したく無い場合は、ワード線を非選とし、非選択ワード線WL
nsをフローティング状態とする。その結果、非選択ワード線WLnsはブースト効果に
より上昇し、非選択ワード線WLnsとメモリセルMCのチャネルとの間の電位差は小さ
くなる。よって、電荷蓄積層FGに蓄積された電荷は殆どp型ウェル領域に引き抜かれな
い。消去動作後、ブロック内の全てのメモリセルMCのしきい値電圧は、図7の“E”分
布になる。
ここで、ホストまたはメモリコントローラHMが読み出したい読み出しデータは1ペー
ジよりも小さい場合がある。この場合であっても、ホストまたはメモリコントローラHM
からNAND型フラッシュメモリ100に読み出しコマンドが送付された場合、NAND
型フラッシュメモリ100は、メモリセルMCから1ページ分のデータを読み出し、1ペ
ージのデータをページバッファP−BUFに保持する。その後、ページバッファP−BU
Fに保持した1ページ分のデータをデータキャッシュD−CASHに移動する。その後、
ページバッファP−BUFからホストまたはメモリコントローラHMに1ページよりも小
さい読み出しデータを送付する。
CASHに保持している。このため、NAND型フラッシュメモリ100に不要な消費電
流が流れてしまう。そこで、第1の実施形態では、ページバッファP−BUFに保持した
1ページ分のデータのうち読み出しデータを含む一部のデータのみをデータキャッシュD
−CASHに移動させる。
ーラHMとNAND型フラッシュメモリ100)の読み出し動作のフローチャートの一例
を示す。また、図9に第1の実施形態に係るNAND型不揮発性メモリ100のデータ読
み出し動作の概略図の一例を示す。
出しコマンドを送付する(H11)。ここで、第1読み出しコマンドは、例えば、“0F
h“コマンドと”30h“コマンド、およびこれらのコマンドに挟まれたアドレスADD
を有している。ここで、アドレスADDは図2のビット線方向(図9のX方向)における
アドレスADDを示すカラムアドレスaddress(col)と図2のワード線方向(図9のY方向
)におけるアドレスADDを示すおけるロウアドレスaddress(row)を有している。ここで
、NAND型フラッシュメモリ100はデータ入力ピンの数が少ないため、アドレスAD
Dは複数回に分けて入力される場合がある(図中の”דという表現で示している)。
称する)を指定している。すなわち、ロウアドレスaddress(row)は選択する選択ページP
Gsを指定している。また、カラムアドレスaddress(col)はホストまたはメモリコントロ
ーラHMに送付するデータが記憶されたメモリセルMCに接続される最初のデータキャッ
シュD−CASHを指定している。
外部に出力されるカラムからの本数で規定することができる。例えば、図9において、デ
ータキャッシュD−CASH(0)に対応するカラムである。また、それぞれのカラムに
アドレスを割り付けて、アドレスレジスタなどを用いてデコードすることも可能である。
路5はデータキャッシュD−CASHに保持されたデータを複数回に分けて出力する。例
えば、図9に示す例では、X軸方向において左側のデータキャッシュD−CASHから順
に外部にデータが出力される。すなわち、「最初のデータキャッシュD−CASH」とは
、データキャッシュD−CASHに保持されたデータがホストまたはメモリコントローラ
HMに出力される順序において、最初にデータが出力されるデータキャッシュD−CAS
を意味する。
、選択ページPGsのうち、指定領域PGsoの部分に属するメモリセルMCに記憶され
ている。この指定領域PGsoに属するメモリセルMCはビット線BLk〜ビット線BL
pに接続されている。なお、kは2以上かつmより小さい自然数であり、pはkより大き
くmより小さい自然数である。
5がアドレスADDに基づいて、選択ページPGsを決定し、選択ページPGsに対応す
る選択ワード線WLsに接続されるメモリセルMCからデータを読み出す(N11)。こ
こで、メモリセルMCから1ページ分のデータが同時に読み出される。なお、データはセ
ンスアンプ回路SAにて検知され、センスアンプ回路SAに一時的に保存することができ
る。ここで、図9においてデータを検知したセンスアンプ回路SAを斜線で示す。
バッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)に保持する(N12)。ここで、図9にお
いてデータが保持されたページバッファP−BUFを斜線で示す。
れたデータのうち、カラムアドレスaddress(col)以降のカラムアドレスに対応するデータ
キャッシュD−CASH(k)〜データキャッシュD−CASH(m)のみに、ページバ
ッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)からデータを移動、または、コピーする(N
13)。ここで、図9においてデータが保持されたデータキャッシュD−CASHを斜線
で示す。すなわち、制御回路5は、複数のページバッファP−BUF(0)〜P−BUF
(m)に保持されたデータのうち一部のデータを複数のデータキャッシュD−CASH(
k)〜データキャッシュD−CASH(m)に移動すると言える。
ャッシュD−CASH(0)〜D−CASH(k−1)にダミーデータを保持することが
できる。ここで、ダミーデータは“0”データ、“1”データのうち、データキャッシュ
D−CASHが保持したときに消費電流が小さいデータにすることができる。また、制御
回路5は、消費電流を小さくするため、データキャッシュD−CASH(0)〜D−CA
SH(k−1)をオフ状態することもできる。
期間(メモリセルMCから読み出したデータがデータキャッシュに保持されている状態に
なるまでの期間)の経過後にリードイネーブル信号/REを送付する(H12)。
ラムアドレスaddress(col)に対応するデータキャッシュD−CAS(k)から出力ピンの
数(例えば8個)のデータをバッファ4から読み出しデータとして出力する(N14)。
された読み出しデータを受け取る(H13)。ここで、ホストまたはメモリコントローラ
HMは、データキャッシュD−CAS(p)のデータを受け取るまで、NAND型フラッ
シュメモリ100に対してリードイネーブル信号/REを送付する(H12)。すなわち
、メモリシステムは、NAND型フラッシュメモリ100に対して要求したデータが揃う
までH12、N14、H13の動作を繰り返すといえる。
第1の実施形態に係るメモリシステム1000の効果を図10、11に示す比較例との
比較において説明する。
例を示す。また、図11に比較例に係るNAND型不揮発性メモリ10Hのデータ読み出
し動作の概略図の一例を示す。なお、第1の実施形態と同様の動作はその説明を省略する
。
コマンドを送付する(H1)。ここで、読み出しコマンドは、例えば、“00h“コマン
ドと”30h“コマンド、およびこれらのコマンドに挟まれたアドレスADDを有してい
る。その後、N2の動作までは、第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。
データを全て、対応するデータキャッシュD−CASH(0)〜データキャッシュD−C
ASH(m)にデータを移動、または、コピーする(N3)。ここで、図11においてデ
ータが保持されたデータキャッシュD−CASHを斜線で示す。すなわち、制御回路5は
、複数のページバッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)に保持されたデータのうち
全てのデータ(1ページ分のデータ)を複数のデータキャッシュD−CASH(0)〜デ
ータキャッシュD−CASH(m)に移動すると言える。その後の動作は、第1の実施形
態と同様であるため説明を省略する。
データが保持されているデータキャッシD−CASH(0)〜(k−1)にもページバッ
ファP−BUF(0)〜P−BUF(k−1)からデータが移動等されている。その結果
、データキャッシD−CASH(0)〜(k−1)へのデータ移動及びデータ保持により
不要な消費電流が流れてしまう。
ないデータが保持されているデータキャッシD−CASH(0)〜(k−1)には、ペー
ジバッファP−BUF(0)〜P−BUF(k−1)からデータが移動等されない。その
結果、データキャッシD−CASH(0)〜(k−1)へのデータ移動及びデータ保持に
よる不要な消費電流を削減することが可能である。
流を低減することができる。
第2の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ200、及び、メモリシステム20
00を、図12、13を用いて説明する。
ローラHMとNAND型フラッシュメモリ200)の読み出し動作のフローチャートの一
例を示す。また、図13に第1の実施形態に係るNAND型不揮発性メモリ200のデー
タ読み出し動作の概略図の一例を示す。なお、第1の実施形態と同様の動作はその説明を
省略する。
キャッシュD−CASに領域アドレスを割り当てるものである。すなわち、図13に示す
ように、データキャッシュD−CAS(0)〜D−CAS(m)は16個の領域ARに分
割され、それぞれの領域“0”〜“16”に対して領域アドレス“0h“、”1h“、・
・・”Fh“が割り付けられている。1つの領域に属するデータキャッシュD−CASの
数は、例えば、1ページを16kbitとした場合、それぞれ1k個である。なお、領域
の分割数は16個に限られない。
D型フラッシュメモリ200の選択ページPGsの領域AR“1”〜AR“3”に属する
メモリセルMCに記憶されたデータを要求している。データ出力順において、領域AR“
1”の最初のデータキャッシュをデータキャッシュD−CASH(k)とし、領域AR“
3”の最後のデータキャッシュをデータキャッシュD−CASH(p)とする。ここで、
k、m及びpは自然数であり、1<k<p<mの関係を有する。
モリ200に第2読み出しコマンドを送付する(H21)。ここで、第2読み出しコマン
ドは、例えば、“0Fh“コマンドと”30h“コマンド、およびこれらのコマンドに挟
まれた領域指定アドレスを有している。
バッファP−BUFからデータキャッシュD−CASHにデータを移動する領域指定アド
レスに相当する。ここで、領域指定アドレスの前半の“address(xxxx 0000〜1111)”は1
ページを16分割して、領域アドレス“0h“、”1h“、・・・”Fh“に対して、ア
ドレス”0000“、”0001“・・・”1110“、”1111“を割り付けること
を意味している。次に、領域指定アドレス後半の”- address(xxx1 xxx2)“は第1領域ア
ドレス数及び第1スタート領域アドレスを有している。xxx1に第1領域アドレス数を指定
し、xxx2に第1スタート領域アドレスを指定する。例えば、ホストまたはメモリコントロ
ーラHMが選択ページPGsの領域アドレス“1h”〜“3h”に属するメモリセルMC
のデータを要求している場合、カラムアドレスaddress (xxxx 0000〜1111) -address(001
0 0001)と指定する。なお、このカラムアドレスの指定方法は一例であり、異なる指定方
法も可能である。
れたデータが最初にホストまたはメモリコントローラHMに出力されるデータキャッシュ
D−CAS(k)が属する領域AR“1”である。また、第1領域アドレス数は、第1ス
タート領域アドレス“1h”から連続してデータキャッシュに保持されたデータを出力さ
せる領域の数「2」である。その後、N22の動作までは、第1の実施形態と同様である
ため説明を省略する。
たデータのうち、領域アドレス“1”〜“3”に対応するデータキャッシュD−CASH
(k)〜データキャッシュD−CASH(p)のみに、ページバッファP−BUF(0)
〜P−BUF(m)からデータを移動、または、コピーする(N23)。ここで、図13
においてデータが保持されたデータキャッシュD−CASHを斜線で示す。すなわち、制
御回路5は、複数のページバッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)に保持されたデ
ータのうち一部のデータを複数のデータキャッシュD−CASH(k)〜データキャッシ
ュD−CASH(m)に移動すると言える。
ャッシュD−CASH(0)〜D−CASH(k−1)、D−CAS(p+1)〜D−C
AS(m)にダミーデータを保持することができる。ここで、ダミーデータは“0”デー
タ、“1”データのうち、データキャッシュD−CASHが保持したときに消費電流が小
さいデータにすることができる。また、制御回路5は、消費電流を小さくするため、デー
タキャッシュD−CASH(0)〜D−CASH(k−1)をオフ状態することもできる
。
第2の実施形態も第1の実施形態と同様に、NAND型フラッシュメモリ200、及び
、メモリシステム2000の消費電流を低減することができる。
求した読み出しデータのみデータキャッシュに保持している。すなわち、最後にホストま
たはメモリコントローラHMに出力されるデータキャッシュD−CASH(p)以降のペ
ージバッファD−CASH(p+1)〜(m)にはページバッファP−BUFからデータ
が移動されない。その結果、さらに消費電流を低減することができる。
を行うことができる。
第3の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ300、及び、メモリシステム30
00を、図14、15を用いて説明する。
ローラHMとNAND型フラッシュメモリ300)の読み出し動作のフローチャートの一
例を示す。また、図15に第1の実施形態に係るNAND型不揮発性メモリ300のデー
タ読み出し動作の概略図の一例を示す。なお、第1及び第2の実施形態と同様の動作はそ
の説明を省略する。
キャッシュD−CASに領域アドレスを割り当てるものである。また、図15に示すよう
に、例えば、ホストまたはメモリコントローラHMはNAND型フラッシュメモリ300
の選択ページPGsの領域AR“1”〜AR“3”及び領域AR“8”〜AR“11”に
属するメモリセルMCに記憶されたデータを要求している。すなわち、第3の実施形態は
、1ページにおいて連続する領域が2つ以上存在する場合の例である。
ャッシュD−CASH(k)とし、領域AR“3”の最後のデータキャッシュをデータキ
ャッシュD−CASH(p)とする。領域AR“8”の最初のデータキャッシュをデータ
キャッシュD−CASH(q)とし、領域AR“11”の最後のデータキャッシュをデー
タキャッシュD−CASH(r)とする。ここで、k、m、p、q及びrは自然数であり
、1<k<p<q<r<mの関係を有する。
モリ300に第3読み出しコマンドを送付する(H31)。ここで、第3読み出しコマン
ドは、例えば、“0Fh“コマンドと”30h“コマンド、およびこれらのコマンドに挟
まれた領域指定アドレスを有している。
ァP−BUFからデータキャッシュD−CASHにデータを移動する領域のアドレスに相
当する。ここで、領域指定アドレスの前半“address(xxx1 xxx2)”は第1領域アドレス数
及び第1スタート領域アドレスを有している。xxx1に第1領域アドレス数を指定し、xxx2
に第1スタート領域アドレスを指定する。領域指定アドレスの後半“address(xxx3 xxx4)
”は第2領域アドレス数及び第2スタート領域アドレスを有している。xxx3に第2領域ア
ドレス数を指定し、xxx4に第2スタート領域アドレスを指定する。
h”〜“3h”及び、選択ページPGsの領域アドレス“8h”〜“Bh”に属するメモ
リセルMCのデータを要求している場合、領域アドレスaddress(0010 0001)- address(00
11 1000)と指定する。なお、このカラムアドレスの指定方法は一例であり、異なる指定方
法も可能である。
れたデータが最初にホストまたはメモリコントローラHMに出力されるデータキャッシュ
D−CAS(k)が属する領域AR“1”である。また、第1領域アドレス数は、第1ス
タート領域アドレス“1h”から連続してデータキャッシュに保持されたデータを出力さ
せる領域の数「2」である。この第1スタート領域アドレス及び第1領域アドレス数で指
定される領域を第1連続指定領域PGso1とする。
れたデータが第1連続指定領域PGso1の次にホストまたはメモリコントローラHMに
出力されるデータキャッシュD−CAS(q)が属する領域AR“8”である。また、第
2領域アドレス数は、第1スタート領域アドレス“8h”から連続してデータキャッシュ
に保持されたデータを出力させる領域の数「3」である。なお、第2スタート領域アドレ
ス及び第2領域アドレス数で指定される領域を第2連続指定領域PGso2とする。その
後、N32の動作までは、第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。
たデータのうち、領域アドレス“1h”〜“3h”に対応するデータキャッシュD−CA
SH(k)〜データキャッシュD−CASH(p)、及び、領域アドレス“8h”〜“B
h”に対応するデータキャッシュD−CASH(q)〜データキャッシュD−CASH(
r)のみに、ページバッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)からデータを移動、ま
たは、コピーする(N33)。ここで、図15においてデータが保持されたデータキャッ
シュD−CASHを斜線で示す。すなわち、制御回路5は、複数のページバッファP−B
UF(0)〜P−BUF(m)に保持されたデータのうち一部のデータを複数のデータキ
ャッシュD−CASH(k)〜データキャッシュD−CASH(p)、データキャッシュ
D−CASH(q)〜データキャッシュD−CASH(r)に移動すると言える。
ャッシュD−CASH(0)〜D−CASH(k−1)、D−CAS(p+1)〜D−C
AS(q−1)、D−CAS(r+1)〜D−CAS(m)にダミーデータを保持するこ
とができる。ここで、ダミーデータは“0”データ、“1”データのうち、データキャッ
シュD−CASHが保持したときに消費電流が小さいデータにすることができる。また、
制御回路5は、消費電流を小さくするため、データキャッシュD−CASH(0)〜D−
CASH(k−1)をオフ状態することもできる。
第3の実施形態も第1及び第2の実施形態と同様に、NAND型フラッシュメモリ30
0、及び、メモリシステム3000の消費電流を低減することができる。
おいて複数の連続する領域のデータの読み出しを要求しても、NAND型フラッシュメモ
リ300からこのデータを読み出すことができる。
では、連続する領域が2つの場合を例に挙げて説明したが、連続する領域が3以上であっ
ても対応することができる。
第4の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ400、及び、メモリシステム40
00を、図16、17を用いて説明する。
ローラHMとNAND型フラッシュメモリ400)の読み出し動作のフローチャートの一
例を示す。また、図17に第1の実施形態に係るNAND型不揮発性メモリ400のデー
タ読み出し動作の概略図の一例を示す。なお、第1、第2及び第3の実施形態と同様の動
作はその説明を省略する。
キャッシュD−CASを1つの領域とするものである。また、ホストまたはメモリコント
ローラHMは、読み出しコマンドにスタート領域アドレス及び領域アドレス数ではなく、
領域の位置を直接指定する。また、図17に示すように、例えば、ホストまたはメモリコ
ントローラHMはNAND型フラッシュメモリ400の選択ページPGsの領域AR“1
”、AR“3”及び領域AR“8”〜AR“10”に属するメモリセルMCに記憶された
データを要求している。
ャッシュD−CASH(k)とし最後のデータキャッシュをデータキャッシュD−CAS
H(p)とする。領域AR“3”の最初のデータキャッシュをデータキャッシュD−CA
SH(q)とし最後のデータキャッシュをデータキャッシュD−CASH(r)とする。
領域AR“8”の最初のデータキャッシュをデータキャッシュD−CASH(s)とし、
領域AR“10”の最後のデータキャッシュをデータキャッシュD−CASH(t)とす
る。ここで、k、m、p、q、r、s及びtは自然数であり、1<k<p<q<r<s<
t<mの関係を有する。
モリ400に第4読み出しコマンドを送付する(H41)。ここで、第4読み出しコマン
ドは、例えば、“0Fh“コマンドと”30h“コマンド、およびこれらのコマンドに挟
まれた領域指定アドレスを有している。
ァP−BUFからデータキャッシュD−CASHにデータを移動する領域の場所を“0“
と”1“で示したものである。ここで、領域指定アドレスの前半”address(xxx1 xxx2)“
は領域”7“〜領域“0”の位置を示している。xxx1で領域”7“〜領域“4”の指定を
行い、xxx2で領域”3“〜領域“0”の指定を行う。また、領域指定アドレスの後半“ad
dress(xxx3 xxx4)”は領域”16“〜領域“8”の位置を示している。xxx1で領域”16
“〜領域“13”の指定を行い、xxx2で領域”12“〜領域“8”の指定を行う。
”及び、選択ページPGsの領域“8”〜“10”に属するメモリセルMCのデータを要
求している場合、領域指定アドレスaddress(0000 1010)- address(0000 0111)と指定する
。なお、このカラムアドレスの指定方法は一例であり、異なる指定方法も可能である。
たデータのうち、領域“1”、“3”、“8”〜“10”に対応するデータキャッシュD
−CASH(k)〜データキャッシュD−CASH(p)、データキャッシュD−CAS
H(q)〜データキャッシュD−CASH(r)、及び、データキャッシュD−CASH
(s)〜データキャッシュD−CASH(t)のみに、ページバッファP−BUF(0)
〜P−BUF(m)からデータを移動、または、コピーする(N43)。ここで、図17
においてデータが保持されたデータキャッシュD−CASHを斜線で示す。すなわち、制
御回路5は、複数のページバッファP−BUF(0)〜P−BUF(m)に保持されたデ
ータのうち一部のデータを複数のデータキャッシュD−CASH(k)〜データキャッシ
ュD−CASH(p)、データキャッシュD−CASH(q)〜データキャッシュD−C
ASH(r)、及び、データキャッシュD−CASH(s)〜データキャッシュD−CA
SH(t)に移動すると言える。
ャッシュD−CASH(0)〜D−CASH(k−1)、D−CAS(p+1)〜D−C
AS(q−1)、D−CAS(r+1)〜D−CAS(s−1)、D−CAS(t+1)
〜D−CAS(m)にダミーデータを保持することができる。ここで、ダミーデータは“
0”データ、“1”データのうち、データキャッシュD−CASHが保持したときに消費
電流が小さいデータにすることができる。また、制御回路5は、消費電流を小さくするた
め、データキャッシュD−CASH(0)〜D−CASH(k−1)、D−CAS(p+
1)〜D−CAS(q−1)、D−CAS(r+1)〜D−CAS(s−1)、D−CA
S(t+1)〜D−CAS(m)をオフ状態することもできる。
第4の実施形態も第1〜第3の実施形態と同様に、NAND型フラッシュメモリ400
、及び、メモリシステム4000の消費電流を低減することができる。
ータ読み出しの自由度を向上させることができる。
したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は
、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の
範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲
に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
るメモリシステムも実現することができる。また、通常の1ページの全てのデータを読み
出しデータとして出力する読み出しコマンドに加え、第1〜第3読み出しコマンドに対応
するNAND型フラッシュメモリを具備するメモリシステムも実現することができる。
dress(col)から指定本数のみページバッファP−BUFからデータキャッシュD−CAS
Hにデータを移動等させてもよい。その結果、ホストまたはメモリコントローラHMから
要求されたデータのみがデータキャッシュD−CASHに移動する。よって、メモリシス
テム1000の消費電流をさらに削減することができる。
、400…NAND型フラッシュメモリ、HM…ホストまたはメモリコントローラ、1…
メモリセルアレイ、2…ビット線制御回路、5…制御回路、6…昇圧回路、MC…メモリ
セル、WL…ワード線、BL…ビット線、P−BUF…ページバッファ、D−CASH…
データキャッシュ。
Claims (8)
- 複数のメモリセルをそれぞれ有するメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルから読み出したデータを保持する複数の第1バッファと、
外部に出力するデータを記憶する複数のデータキャッシュと、
制御回路と、を具備し、
前記制御回路は、複数のメモリセルからデータを読み出して前記複数の第1バッファに
保持し、外部から入力されたコマンドに応じて前記複数の第1バッファに保持されたデー
タのうち一部のデータを前記複数のデータキャッシュに移動させることを特徴とする半導
体記憶装置。 - 前記複数のデータキャッシュはn個(nは2以上の自然数)の領域に分割され、分割さ
れた前記複数の第データキャッシュのそれぞれに領域アドレスが割り付けられており、
前記コマンドに、前記複数の第1バッファから前記複数のデータキャッシュにデータを
移動する前記領域アドレスが指定されていることを特徴とする請求項1に記載の不半導体
記憶装置。 - 前記コマンドに指定された前記領域アドレスは、第1スタート領域アドレスと、第1領
域アドレス数を有し、
前記第1スタート領域は、前記領域のうち、前記複数のデータキャッシュのうち保持さ
れたデータが最初に前記外部に出力されるデータキャッシュが属する領域であり、
前記第1領域アドレス数は、前記第1スタート領域アドレスから連続して前記複数のデ
ータキャッシュに保持されたデータを出力させる領域の数であることを特徴とする請求項
2に記載の不半導体記憶装置。 - 前記コマンドに、に指定された前記領域アドレスは、第2スタート領域アドレスと、第
2領域アドレス数を有し、
前記第2スタート領域アドレスは、前記領域のうち、前記複数のデータキャッシュのう
ち保持されたデータが、前記第1スタート領域アドレス及び前記第1領域アドレス数によ
り指定される領域の次に前記外部に出力されるデータキャッシュが属する領域であり、
前記第2領域アドレス数は、前記第2スタート領域アドレスから連続して前記複数のデ
ータキャッシュに保持されたデータを出力させる領域の数であることを特徴とする請求項
3に記載の不半導体記憶装置。 - 複数のメモリセルをそれぞれ有するメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルから読
み出したデータを保持する複数の第1バッファと、外部に出力するデータを記憶する複数
のデータキャッシュと、制御回路とを有する半導体メモリと、
前記半導体メモリを制御するメモリコントローラと、
を具備し、
前記メモリコントローラは、前記半導体メモリに読み出しコマンドを送付し、
前記半導体メモリは、前記読み出しコマンドを受け取ると、前記制御回路は複数のメモ
リセルからデータを読み出して前記前記複数の第1バッファに保持し、前記複数の第1バ
ッファに保持された前記データのうち一部のデータを前記複数のデータキャッシュに移動
させ、前記一部のデータを前記複数のデータキャッシュから前記メモリコントローラにデ
ータを送付することを特徴とするメモリシステム。 - 前記複数の第1バッファはn個(nは2以上の自然数)の領域に分割され、分割された
前記複数の第1バッファのそれぞれに領域アドレスが割り付けられており、
前記コマンドに、前記複数の第1バッファから前記複数のデータキャッシュにデータを
移動する前記領域アドレスが指定されていることを特徴とする請求項5に記載のメモリシ
ステム。 - 前記コマンドに指定された前記領域アドレスは、第1スタート領域アドレスと、第1領
域アドレス数を有し、
前記第1スタート領域は、前記領域のうち、前記複数のデータキャッシュのうち保持さ
れたデータが最初に前記メモリコントローラに出力されるデータキャッシュが属する領域
であり、
前記第1領域アドレス数は、前記第1スタート領域アドレスから連続して前記複数のデ
ータキャッシュに保持されたデータを出力させる領域の数であることを特徴とする請求項
6に記載のメモリシステム。 - 前記コマンドに、に指定された前記領域アドレスは、第2スタート領域アドレスと、第
2領域アドレス数を有し、
前記第2スタート領域アドレスは、前記領域のうち、前記複数のデータキャッシュのう
ち保持されたデータが、前記第1スタート領域アドレス及び前記第1領域アドレス数によ
り指定される領域の次に前記メモリコントローラに出力されるデータキャッシュが属する
領域であり、
前記第2領域アドレス数は、前記第2スタート領域アドレスから連続して前記複数のデ
ータキャッシュに保持されたデータを出力させる領域の数であることを特徴とする請求項
7に記載のメモリシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012236669A JP2014086120A (ja) | 2012-10-26 | 2012-10-26 | 半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を用いたメモリシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012236669A JP2014086120A (ja) | 2012-10-26 | 2012-10-26 | 半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を用いたメモリシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014086120A true JP2014086120A (ja) | 2014-05-12 |
Family
ID=50789034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012236669A Pending JP2014086120A (ja) | 2012-10-26 | 2012-10-26 | 半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を用いたメモリシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014086120A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07146820A (ja) * | 1993-04-08 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリの制御方法及び、それを用いた情報処理装置 |
JPH1185609A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置及びそのデータ管理方法 |
JP2010092528A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012128815A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
-
2012
- 2012-10-26 JP JP2012236669A patent/JP2014086120A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07146820A (ja) * | 1993-04-08 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリの制御方法及び、それを用いた情報処理装置 |
JPH1185609A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置及びそのデータ管理方法 |
JP2010092528A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012128815A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10614900B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US8233328B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
US10276243B2 (en) | Semiconductor memory device and writing operation method thereof in which first memory cells of a page that are in a first group of contiguous columns are programmed and verified separately from second memory cells of the same page that are in a second group of contiguous columns that does not overlap with the first group | |
US8194465B2 (en) | Non-volatile semiconductor storage device | |
US9613703B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US10026484B2 (en) | High-speed readable semiconductor storage device | |
JP2010211883A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
CN111354400B (zh) | 半导体存储装置 | |
US9514826B2 (en) | Programming method for NAND-type flash memory | |
US20190355421A1 (en) | Semiconductor storage device | |
US10796732B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JP2014197442A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法 | |
US20170076790A1 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2013045478A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR20090072164A (ko) | 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 | |
US9361983B2 (en) | Semiconductor device and method of refresh thereof | |
JP2014059930A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20110038206A1 (en) | Semiconductor storage device to correct threshold distribution of memory cells by rewriting and method of controlling the same | |
KR20090049373A (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법 | |
JP2013161512A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2010218623A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20170186492A1 (en) | Non-volatile semiconductor storage device | |
JP5814961B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2014086120A (ja) | 半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を用いたメモリシステム | |
US20220270691A1 (en) | Semiconductor storage device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140902 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150205 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150216 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160401 |