JP2014082520A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1n型半導体層11と、第2n型半導体層12と、p型半導体層13と、p型半導体層13を貫通して第2n型半導体層12に達するトレンチ3と、トレンチ3の表面に沿って、トレンチ3の底部3aおよび側部3bに形成された絶縁層5と、この絶縁層5により第2n型半導体層12およびp型半導体層13と絶縁されており、少なくとも一部がトレンチ3内部に形成されたゲート電極と、p型半導体層13上に、かつ、トレンチ3の周囲に形成されたn型半導体領域14と、を備えた半導体装置の製造方法であって、トレンチ3に、スパッタリングにより、絶縁層5の少なくとも一部を形成する工程を有する。
【選択図】 図4
Description
第1半導体層と、この第1半導体層上に設けられ、上記第1の導電型と反対の第2の導電型を持つ第2半導体層と、この第2半導体層を貫通して上記第1半導体層に達するトレンチと、上記トレンチの表面に沿って、上記トレンチの底部および側部に形成された絶縁層と、この絶縁層により上記第1半導体層および上記第2半導体層と絶縁されており、少なくとも一部が上記トレンチ内部に形成されたゲート電極と、上記第2半導体層上に、かつ、上記トレンチの周囲に形成された上記第1の導電型をもつ半導体領域と、を備えた半導体装置の製造方法であって、上記トレンチに、スパッタリングにより、上記絶縁層の少なくとも一部を形成する工程を有することを特徴としている。
あり、半導体装置Aの土台となっている。第2n型半導体層12は、第1n型半導体層11の上に形成されている。第2n型半導体層12は、炭化珪素に低濃度の不純物が添加された材質からなる。第2n型半導体層12の深さ方向xにおける大きさは、約10μmである。p型半導体層13は、第2n型半導体層12の上に形成されている。p型半導体層13の深さ方向xの大きさは、約0.7μmである。n型半導体領域14は、p型半導体層13の上に形成されている。n型半導体領域14の深さ方向xの大きさは、約0.3μmである。高濃度p型半導体領域13aは、p型半導体層13の上に形成されている。
よびn型半導体領域14の内部に、酸化膜が成長してゆく。そして、図3に示すように、トレンチ3および第1の絶縁部51が形成される。第1の絶縁部51は、トレンチ3の底部3aおよび側部3bに形成されている。
11 第1n型半導体層
12 第2n型半導体層
13 p型半導体層
13a 高濃度p型半導体領域
14 n型半導体領域
3 トレンチ
3’ 予備トレンチ
3a、3’a 底部
3b、3’b 側部
41 ゲート電極
42 ソース電極
43 ドレイン電極
5 ゲート絶縁層
51 第1の絶縁部
52 第2の絶縁部
6 層間絶縁膜
x 深さ方向
y 幅方向
Claims (3)
- 第1の導電型をもつ第1半導体層と、
この第1半導体層上に設けられ、上記第1の導電型と反対の第2の導電型を持つ第2半導体層と、
この第2半導体層を貫通して上記第1半導体層に達するトレンチと、
上記トレンチの表面に沿って、上記トレンチの底部および側部に形成された絶縁層と、
この絶縁層により上記第1半導体層および上記第2半導体層と絶縁されており、少なくとも一部が上記トレンチ内部に形成されたゲート電極と、
上記第2半導体層上に、かつ、上記トレンチの周囲に形成された上記第1の導電型をもつ半導体領域と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
上記トレンチに、スパッタリングにより、上記絶縁層の少なくとも一部を形成する工程を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 上記絶縁層を形成する工程の前に、底部が上記第1半導体層に達する予備トレンチを、形成する工程を有し、
上記絶縁層を形成する工程は、この予備トレンチの底部および側部を熱酸化することで、上記トレンチと、上記トレンチの表面に沿った第1の絶縁部と、を形成する工程と、
上記第1の絶縁部の底部を覆うように、スパッタリングにより第2の絶縁部を形成する工程と、を備え、
上記絶縁層を形成する工程の後に、上記第1の絶縁部および上記第2の絶縁部により形成された凹部に、上記ゲート電極の少なくとも一部を形成する工程をさらに有する、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 第1の導電型をもつ第1半導体層と、
この第1半導体層上に設けられ、上記第1の導電型と反対の第2の導電型を持つ第2半導体層と、
この第2半導体層を貫通して上記第1半導体層に達するトレンチと、
上記トレンチの表面に沿って、上記トレンチの底部および側部に形成された絶縁層と、
この絶縁層により上記第1半導体層および上記第2半導体層と絶縁されており、少なくとも一部が上記トレンチ内部に形成されたゲート電極と、
上記第2半導体層上に、かつ、上記トレンチの周囲に形成された上記第1の導電型をもつ半導体領域と、
を備えた半導体装置であって、
上記トレンチの底部における上記絶縁層の厚さが、上記トレンチの側部における絶縁層の厚さよりも大きいものであり、
上記絶縁層は、上記トレンチの内表面に沿って形成された第1の絶縁部と、この第1の絶縁部および上記ゲート電極に囲まれた第2の絶縁部と、からなることを特徴とする半導体装置。
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