JP2014082390A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物半導体層の下側に設けられた下地絶縁層及び酸化物半導体層の上側に設けられたゲート絶縁層からチャネル形成領域へ酸素を供給することで、チャネル領域に形成されうる酸素欠損を補填する。また、酸化物半導体層で形成されるチャネル領域の近傍において、ソース電極層又はドレイン電極層による酸化物半導体層からの酸素の引き抜きを抑制することで、チャネル領域での酸素欠損を抑制する。さらに、ゲート電極層上に、水素の含有量が低く、酸素の透過性が低いバリア層として機能する保護絶縁層を形成することで、ゲート絶縁層及び/又は下地絶縁層からの酸素の脱離を抑制して、チャネル形成領域へ効果的に酸素を供給する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に含有される積層構造について、図10を用いて説明する。
図10に積層構造の一例の概念図を示す。
酸化物積層404のバンド構造を説明する。バンド構造の解析は、第1の酸化物層404a及び第2の酸化物層404cに相当する層としてエネルギーギャップが3.15eVであるIn−Ga−Zn酸化物、酸化物半導体層404bに相当する層としてエネルギーギャップが2.8eVであるIn−Ga−Zn酸化物を用い、酸化物積層404に相当する積層を作製して行っている。なお、便宜的に当該積層を酸化物積層、当該積層を構成するそれぞれの層を第1の酸化物層、酸化物半導体層、第2の酸化物層と称して説明する。
多層構造を構成する各酸化物層は、少なくともインジウム(In)を含み、スパッタリング法好ましくはDCスパッタリング法で成膜することのできるスパッタリングターゲットを用いて成膜する。スパッタリングターゲットにインジウムを含ませることで導電性が高まるため、DCスパッタリング法で成膜することを容易なものとする。
CAAC−OS膜は、例えば、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを用い、スパッタリング法によって成膜する。当該スパッタリング用ターゲットにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がa−b面から劈開し、a−b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、CAAC−OS膜を成膜することができる。
本実施の形態では、実施の形態1で示した積層構造を含む半導体装置、及び当該半導体装置の作製方法の一態様を図1乃至図5を用いて説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として、酸化物半導体層を有するトップゲート構造のトランジスタを示す。
図1にトランジスタ310の構成例を示す。図1(A)はトランジスタ310の平面図であり、図1(B)は図1(A)のX1−Y1における断面図であり、図1(C)は、図1(A)のV1−W1における断面図である。また、図1(D)は、図1(B)の領域200の部分拡大図である。なお、図1(A)では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ310の構成要素の一部(例えば、保護絶縁層414等)を省略して図示している。
基板400は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、トランジスタ310のゲート電極層412、第1のソース電極層406a、第1のドレイン電極層406b、第2のソース電極層408aまたは第2のドレイン電極層408bの少なくとも一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。
下地絶縁層402は、基板400からの不純物の拡散を防止する役割を有するほか、酸化物積層404に酸素を供給する役割を担うため、酸素を含む絶縁層を用いるものとする。また、上述のように基板400が他のデバイスが形成された基板である場合、下地絶縁層402は、層間絶縁膜としての機能も有する。その場合は、表面が平坦になるようにCMP(Chemical Mechanical Polishing)法等で平坦化処理を行うことが好ましい。
酸化物積層404の上方に接して設けられたゲート絶縁層410からも酸化物積層404へ酸素が供給される。ゲート絶縁層410は、島状の酸化物積層404の外周部において下地絶縁層402と接する領域を有している。従って、ゲート絶縁層410と下地絶縁層402とが接する領域から、ゲート絶縁層410を経路(パス)として、下地絶縁層402に含まれる酸素を酸化物積層404へと供給することができる。
トランジスタ310において、ゲート絶縁層410及びゲート電極層412上に設けられる保護絶縁層414として、ゲート絶縁層410よりも酸素に対する透過性が低い(酸素に対するバリア性を有する)絶縁層を設ける。ゲート絶縁層410及びゲート電極層412上に接して酸素に対するバリア性を有する保護絶縁層414を設けることで、ゲート絶縁層410からの酸素の脱離を抑制することができる。ゲート絶縁層410はチャネル形成領域へ酸素を供給する経路となる絶縁層であるため、該ゲート絶縁層410からの酸素の脱離を抑制することで、ゲート絶縁層410に含まれる酸素欠損に起因する酸化物積層404からの酸素の引き抜きを抑制することができ、結果としてチャネル形成領域の酸素欠損を抑制することができる。このような保護絶縁層として、例えば、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜を設けることができる。
酸化物積層404は、少なくともチャネルを形成する酸化物半導体層404bと、酸化物半導体層404bと下地絶縁層402との間に設けられた第1の酸化物層404aと、酸化物半導体層404bとゲート絶縁層410との間に設けられた第2の酸化物層404cとを含んで構成される。
トランジスタ310においてソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物積層404のチャネル長方向の側面と接する第1のソース電極層406a及び第1のドレイン電極層406bと、第1のソース電極層406a及び第1のドレイン電極層406b上に設けられ、第1のソース電極層406a及び第1のドレイン電極層406bよりもチャネル長方向に延在した領域を有する第2のソース電極層408a及び第2のドレイン電極層408bを有する。
ゲート電極層412は、Al、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ru、Ag、Ta及びWなどの導電膜を用いることができる。
図2にトランジスタ320の構成例を示す。図2(A)はトランジスタ320の平面図であり、図2(B)は図2(A)のX2−Y2における断面図であり、図2(C)は、図2(A)のV2−W2における断面図である。なお、図2(A)では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ320の構成要素の一部(例えば、保護絶縁層414等)を省略して図示している。
図3(A)及び図3(B)に、上述のトランジスタ310又はトランジスタ320の変形例を示す。図3(A)に示すトランジスタ330は、トランジスタ310の第1のソース電極層406a及び第1のドレイン電極層406bの端部が異なる構成であり、図3(B)に示すトランジスタ340は、トランジスタ320の第1のソース電極層406a及び第1のドレイン電極層406bの端部が異なる構成である。なお、第1のソース電極層406a及び第1のドレイン電極層406bの端部以外の構成は上述のトランジスタと同様であり、先の説明を参酌することができる。
図9にトランジスタ350の構成例を示す。トランジスタ350は、図2のトランジスタ320の変形例である。図9(A)はトランジスタ350の平面図であり、図9(B)は図9(A)のX3−Y3における断面図であり、図9(C)は、図9(A)のV3−W3における断面図である。なお、図9(A)では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ350の構成要素の一部(例えば、保護絶縁層414等)を省略して図示している。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したトランジスタの作製方法の一例を示す。本実施の形態では、図4及び図5を用いて図3(B)に示したトランジスタ340を作製する場合を例に説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置の一例として、論理回路であるNOR型回路の回路図の一例を図20(A)に示す。図20(B)はNAND型回路の回路図である。
本実施の形態では、実施の形態2に示すトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した半導体装置を携帯電話、スマートフォン、電子書籍などの電子機器に応用した場合の例を図22乃至図25を用いて説明する。
302 酸素
310 トランジスタ
320 トランジスタ
330 トランジスタ
340 トランジスタ
350 トランジスタ
400 基板
402 下地絶縁層
404 酸化物積層
404a 第1の酸化物層
404b 酸化物半導体層
404c 第2の酸化物層
405 領域
406a 第1のソース電極層
406b 第1のドレイン電極層
407 酸化物積層
407a 第1の酸化物層
407b 酸化物半導体層
407c 第2の酸化物層
408a 第2のソース電極層
408b 第2のドレイン電極層
410 ゲート絶縁層
412 ゲート電極層
412a 第1のゲート電極層
412b 第2のゲート電極層
414 保護絶縁層
422a 電極層
422b 電極層
424 層間絶縁層
Claims (6)
- 酸素を含有する下地絶縁層と、
前記下地絶縁層上に設けられた島状の酸化物積層と、
前記島状の酸化物積層の上面の一部及びチャネル形成方向の側面と接する第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、
前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層上にそれぞれ設けられ、前記酸化物積層の上面の一部に接する、窒化金属膜でなる第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、
前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層上に設けられ、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層との間で前記酸化物積層の上面と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物積層と重畳するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極層上に接して設けられた保護絶縁層と、を有し、
前記酸化物積層は、少なくともチャネルを形成する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と前記下地絶縁層との間に設けられた第1の酸化物層と、前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間に設けられた第2の酸化物層と、を含み、
前記下地絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、前記島状の酸化物積層の外周部において接する領域を有し、
前記保護絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。 - 酸素を含有する下地絶縁層と、
前記下地絶縁層上に設けられた島状の酸化物積層と、
前記島状の酸化物積層の上面の一部及びチャネル形成方向の側面と接する第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、
前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層上にそれぞれ設けられ、前記酸化物積層の上面の一部に接する、窒化金属膜でなる第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、
前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層上に設けられ、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層の間で前記酸化物積層の上面と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物積層、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層の一部と重畳するゲート電極層と、を有し、
前記酸化物積層は、少なくともチャネルを形成する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と前記下地絶縁層との間に設けられた第1の酸化物層と、前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間に設けられた第2の酸化物層と、を含み、
前記下地絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、前記島状の酸化物積層の外周部において接する領域を有し、
前記保護絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記酸化物半導体層、前記第1の酸化物層及び前記第2の酸化物層は、In−M−Zn酸化物(MはAl、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)であり、
前記第1の酸化物層及び前記第2の酸化物層は、Inに対するMの原子数比が前記酸化物半導体層よりも大きい半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶部を含み、
前記結晶部のc軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行である半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層には、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層よりも酸素と結合しやすい材料を用いる半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記保護絶縁層に含まれる水素濃度は、5×1019cm−3未満である半導体装置。
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