JP2014075580A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に接するソース電極層及びドレイン電極層と、
   前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の第２の酸化物層と、
   前記第２の酸化物層上の絶縁層と、
   前記絶縁層上のゲート電極層と、を有し、
   前記第１の酸化物層は、インジウム、亜鉛及びガリウムを有し、
   前記酸化物半導体層は、インジウム、亜鉛及びガリウムを有し、
   前記第２の酸化物層は、インジウム、亜鉛及びガリウムを有する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層よりも電子親和力が０．２ｅＶ以上大きい半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体層のインジウム、亜鉛、及びガリウムの原子数比は、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層の原子数比とは異なり、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層よりも高い原子数比でインジウムを有する半導体装置。