JP2014045173A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第１の酸化物半導体層の端部及び前記第２の酸化物半導体層の端部は、前記第３の酸化物半導体層に接し、
   前記第２の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記第１の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、
   前記第２の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位は、第３の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位よりも低く、
   前記第１の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、かつ、インジウム含有量はガリウム含有量以下であり、
   前記第３の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、かつ、インジウム含有量はガリウム含有量以下であり、
   前記第２の酸化物半導体層は、少なくともインジウム及びガリウムを含み、インジウム含有量はガリウム含有量よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位とフェルミ準位との差は、前記第１の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位とフェルミ準位との差よりも小さく、
   前記第２の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位とフェルミ準位との差は、前記第３の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位とフェルミ準位との差よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位と、前記第２の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位との差は、０．０５ｅＶ以上であり、
   前記第３の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位と、前記第２の酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギー準位との差は、０．０５ｅＶ以上であることを特徴とする半導体装置。