JP2015181151A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域とを有する酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に位置し、前記第３の領域と重なるゲート電極と、を有するトランジスタを有し、
   前記酸化物半導体上及びゲート電極上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に位置し、前記第１の領域と接する領域を有する第１の電極と、
   前記第２の絶縁層上に位置し、前記第２の領域と接する領域を有する第２の電極と、を有し、
   前記第３の領域は、前記第１の絶縁層と接する部分を有し、
   前記第１の領域は、前記第２の絶縁層と接する部分を有し、
   前記第１の領域において前記第２の絶縁層と接する部分の炭素濃度は、前記第３の領域において前記第１の絶縁層と接する部分の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
2. 第１乃至第５の領域を有する酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に位置し、前記第３の領域と重なるゲート電極と、を有するトランジスタを有し、
   前記第１の領域上に接する第１の導電層と、
   前記第２の領域上に接する第２の導電層と、
   前記第１の導電層上、前記第２の導電層上及び前記ゲート電極上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記第４の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域の間に位置し、
   前記第５の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域の間に位置し、
   前記第１の絶縁層は、前記第３の領域と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第４の領域と接する領域と、前記第５の領域と接する領域とを有し、
   前記第４の領域の炭素濃度は、前記第３の領域の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。