JP2014072429A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された歪超格子バッファ層と、前記歪超格子バッファ層の上に半導体材料により形成された電子走行層と、前記電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層と、を有し、前記歪超格子バッファ層は、AlNを含む第1の格子層とGaNを含む第2の格子層とを交互に積層することにより形成されており、前記歪超格子バッファ層には、Fe、Mg、Cのうちから選ばれる1または2以上の不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
(半導体装置)
次に、第1の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、AlGaN/GaNシングルへテロ構造のHEMTである。
次に、図4に基づき本実施の形態における半導体装置のリーク電流について説明する。図4には、本実施の形態における窒化物層が形成されたもののリーク電流特性4Aと、従来の窒化物層が形成されてもののリーク電流特性4Bとを示す。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図6に基づき説明する。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における半導体装置は、第1の実施の形態における半導体装置のSLSバッファ層30において、第1の格子層31または第2の格子層32のいずれか一方に不純物元素をドープしたものである。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された歪超格子バッファ層と、
前記歪超格子バッファ層の上に半導体材料により形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層と、
を有し、
前記歪超格子バッファ層は、AlNを含む第1の格子層とGaNを含む第2の格子層とを交互に積層することにより形成されており、
前記歪超格子バッファ層には、Fe、Mg、Cのうちから選ばれる1または2以上の不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された歪超格子バッファ層と、
前記歪超格子バッファ層の上に半導体材料により形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層と、
を有し、
前記歪超格子バッファ層は、AlNを含む第1の格子層とGaNを含む第2の格子層とを交互に積層することにより形成されており、
前記第1の格子層または前記第2の格子層のいずれか一方には、Fe、Mg、Cのうちから選ばれる1または2以上の不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置。
(付記3)
前記不純物元素は、前記第2の格子層にドープされていることを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記不純物元素の濃度は、1×1018cm−3以上、1×1020cm−3以下であることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置。
(付記5)
前記第1の格子層における組成をAlRGa1−RNとし、第2の格子層における組成をAlSGa1−SNとした場合、R>Sであることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記6)
前記第1の格子層はAlNにより形成されており、前記第2の格子層はGaNにより形成されていることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記第1の格子層の厚さは、0.5nm以上、10nm以下であって、
前記第2の格子層の厚さは、10nm以上、40nm以下であることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
前記第1の格子層の厚さに対する前記第2の格子層の厚さの比が、4以上、20以下であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9)
前記歪超格子バッファ層の厚さは、1000nm以上、3000nm以下であることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。
(付記10)
前記バッファ層は、AlGaNにより形成されていることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。
(付記11)
前記バッファ層におけるAlの組成比は、前記歪超格子バッファ層におけるAlの実効組成比以上であることを特徴とする付記10に記載の半導体装置。
(付記12)
前記基板と前記バッファ層の間には、核形成層が形成されており、
前記核形成層は、AlNにより形成されているものであることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする付記1から12のいずれかに記載の半導体装置。
(付記14)
前記バッファ層、前記歪超格子バッファ層、前記電子走行層及び前記電子供給層は、MOVPEにより形成されたものであることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の半導体装置。
(付記15)
前記電子走行層は、GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から14のいずれかに記載の半導体装置。
(付記16)
前記電子供給層は、AlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から15のいずれかに記載の半導体装置。
(付記17)
前記電子供給層の上には、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極が形成されているものであることを特徴とする付記1から16のいずれかに記載の半導体装置。
(付記18)
前記電子供給層の上には、キャップ層が形成されており、
前記キャップ層は、n−GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から17のいずれかに記載の半導体装置。
(付記19)
付記1から18のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記20)
付記1から18のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
11 核形成層
20 バッファ層
30 SLSバッファ層(歪超格子バッファ層)
31 第1の格子層
32 第2の格子層
41 電子走行層
41a 2DEG
42 電子供給層
43 キャップ層
51 ゲート電極
52 ソース電極
53 ドレイン電極
Claims (10)
- 基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された歪超格子バッファ層と、
前記歪超格子バッファ層の上に半導体材料により形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層と、
を有し、
前記歪超格子バッファ層は、AlNを含む第1の格子層とGaNを含む第2の格子層とを交互に積層することにより形成されており、
前記歪超格子バッファ層には、Fe、Mg、Cのうちから選ばれる1または2以上の不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置。 - 基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された歪超格子バッファ層と、
前記歪超格子バッファ層の上に半導体材料により形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層と、
を有し、
前記歪超格子バッファ層は、AlNを含む第1の格子層とGaNを含む第2の格子層とを交互に積層することにより形成されており、
前記第1の格子層または前記第2の格子層のいずれか一方には、Fe、Mg、Cのうちから選ばれる1または2以上の不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物元素は、前記第2の格子層にドープされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記不純物元素の濃度は、1×1018cm−3以上、1×1020cm−3以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の格子層における組成をAlRGa1−RNとし、第2の格子層における組成をAlSGa1−SNとした場合、R>Sであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の格子層の厚さは、0.5nm以上、10nm以下であって、
前記第2の格子層の厚さは、10nm以上、40nm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記歪超格子バッファ層の厚さは、1000nm以上、3000nm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記電子走行層は、GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記電子供給層の上には、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極が形成されているものであることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。
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