JP2012079484A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、第一電極と、前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極上に形成される少なくとも発光層を含む発光媒体層と、前記発光媒体層上の第二電極と、からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記発光媒体層を形成する工程は、ウェットコーティング法により塗膜を形成する工程と、前記塗膜に光エネルギーを印加して塗膜の一部を選択的に硬化する工程と、前記塗膜の未硬化部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたもの。
【選択図】図1
Description
ウェットコーティング法用いて成膜した場合は、塗布した溶液が隔壁表面に濡れあがり、画素中央部に対して隔壁近傍の膜厚が極端に厚くなったり(図5(A))、塗布した溶液が隔壁表面からはじかれ画素中央部が隔壁近傍の膜厚に対して極端に厚くなったり(図6(A))して画素内の平坦性を悪化させてしまう。本発明では、少なくとも発光媒体層のうち一層をウェットコーティング法を用いて形成し、光エネルギーにより選択的に発光媒体層を硬化させる工程と、未硬化箇所を除去する工程を実施することにより、均一な膜を形成することが可能となる。前記発光媒体層を硬化するための加熱方法としては、熱伝導や熱対流等があるが、いずれも膜の全面に熱が伝わり、選択的に硬化することが難しい(図7)。本発明では成膜された膜形状にかかわらず目的の箇所のみを選択的に硬化するため、未硬化部分を除去することにより均一な膜を得ることができる(図5、図6)。
また、請求項2に記載の発明は、前記ウェットコーティング法が凸版印刷法、グラビア印刷法、インクジェット法のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項3に記載の発明は、前記発光媒体層がインターレイヤ層又は発光層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項4に記載の発明は、前記光エネルギーが有機材料および無機材料の蛍光および燐光であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項5に記載の発明は、前記光エネルギーがレーザーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項6に記載の発明は、前記光エネルギーがレンズによって集光され、前記発光媒体層に印加されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項7に記載の発明は、前記塗膜の未硬化部分を除去する工程は、前記塗膜の未硬化部分を有機溶剤又は無機溶剤、あるいはこれらの混合溶液により洗い流すことにより除去する工程であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項8に記載の発明は、前記塗膜の未硬化部分を除去する工程は、前記塗膜の未硬化部分を有機溶剤又は無機溶剤、あるいはこれらの混合溶液の蒸気にさらすことにより除去することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、請求項9に記載の発明は、請求項1乃至8のいずれかに記載の製造方法により製造される有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板上に、第一電極と、前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極上に形成される少なくとも発光層を含む発光媒体層と、前記発光媒体層上の第二電極と、からなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光媒体層は前記光エネルギーにより硬化する材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
集光した照射光303は、インターレイヤ層が照射光を吸収して光エネルギーを熱に変換し、照射部でのみ架橋温度以上となるようにレンズと光エネルギー強度を調整する。硬化したインターレイヤ層を105aとする。光エネルギーの強度や集光させる位置、範囲、照射時間により架橋反応の進行速度は変化するため、照射箇所は任意に選択することが可能である。温度が低かったり照射時間が短いと架橋反応が充分に進まず硬化が不充分となり、逆に温度が高すぎたり照射時間が長いと望まない箇所の架橋反応が起こり、インターレイヤ層の平坦性が損なわれる。
ガラス基板を透光性基板として対角5.0インチサイズのガラス基板の上にスパッタ法を用いてITO(インジウム−錫酸化物)薄膜を形成し、フォトリソ法と酸溶液によるエッチングでITO膜をパターニングして、画素電極を形成した。画素電極のラインパターンは、線幅136μm、スペース30μmでラインが約32mm角の中に192ライン形成されるパターンとした。
実施例2においては、照射する光エネルギーにエキシマレーザーを用い、光学顕微鏡によって集光し、インターレイヤ層に照射した。画素電極から垂直方向にインターレイヤ層の膜厚が10nm付近の箇所に焦点を合わせるようレンズを調整し、エネルギー密度の一番高い部分が180℃となるようレーザー強度を調整し、インターレイヤ層のラインパターンに合わせて20μm/sの速度で走査し架橋させた。その他の条件は実施例1と同様である。未架橋部分の除去、溶剤乾燥後のパターン状態を観察したところ、各画素のインターレイヤ層は均一な膜形状となり画素の中央部の膜厚は20nm、隔壁近傍の膜厚は33nmとなり、平坦率は93%となった。
実施例3においては、画素電極から垂直方向にインターレイヤ層の膜厚が20nm付近に光が集光するようにレンズを調整し、ラインパターンに合わせて10μm/sの速度で走査した。その他の条件は実施例1と同様である。未架橋部分の除去、溶剤乾燥後のパターン状態を観察したところ、各画素のインターレイヤ層は均一な膜形状となり画素の中央部の膜厚は40nm、隔壁近傍の膜厚は55nmとなり、平坦率は90%となった。
比較例1においては、インターレイヤ層を成膜後、未架橋部分の除去を行わなかった。その他の条件は実施例1と同様である。パターン状態を観察したところ、各画素のインターレイヤ層は御椀形状となっており、画素の中央部の膜厚は20nm、隔壁近傍の膜厚は150nmとなり、平坦率は55%であった。得られた有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、画素内は中央部のみ発光し、隔壁近傍は非発光となった。7Vの駆動電圧で100cd/cm2の輝度、初期輝度1000cd/m2での寿命は100hと低下してしまった。
比較例2においては、集光した光エネルギーをインターレイヤ層を印刷したラインパターンに合わせて照射し、画素電極から垂直方向にインターレイヤ層の膜厚が10nm付近の箇所に光が集光するようにレンズを調整し、エネルギー密度の一番高い部分が180℃となるようレーザー強度を調整し、ラインパターンに合わせて80μm/sの速度で走査し架橋させた。その他の条件は実施例1と同様である。パターン状態を観察したところ、架橋反応が不充分で、膜が溶解し目的の膜厚が得られなかった。各画素のインターレイヤ層は御椀形状となっており、画素の中央部の膜厚は13nm、隔壁近傍の膜厚は100nmとなり、平坦率は60%であった。得られた有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、画素内は中央部のみ発光し、隔壁近傍は非発光となった。7Vの駆動電圧で120cd/cm2の輝度、初期輝度1000cd/m2での寿命は80hと低下してしまった。
比較例3においては、集光した光エネルギーをインターレイヤ層を印刷したラインパターンに合わせて照射し、画素電極から垂直方向にインターレイヤ層の膜厚が10nm付近の箇所に光が集光するようにレンズを調整し、エネルギー密度の一番高い部分が150℃となるようレーザー強度を調整し、ラインパターンに合わせて10μm/sの速度で走査し架橋させた。その他の条件は実施例1と同様である。パターン状態を観察したところ、架橋反応が不充分で、膜が溶解し目的の膜厚が得られなかった。各画素のインターレイヤ層は御椀形状となっており、画素の中央部の膜厚は15nm、隔壁近傍の膜厚は120nmとなり、平坦率は60%であった。得られた有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、画素内は中央部のみ発光し、隔壁近傍は非発光となった。7Vの駆動電圧で110cd/cm2の輝度、初期輝度1000cd/m2での寿命は90hと低下してしまった。
101・・・基材
102・・・第一電極
104・・・正孔輸送層/正孔注入層
105・・・インターレイヤ層
105a・・インターレイヤ層の架橋箇所
105b・・インターレイヤ層の非架橋箇所/除去箇所
106・・・発光層
107・・・第二電極
107a・・光不透過性第二電極
107b・・光透過性第二電極
109・・・発光媒体層
109a・・隔壁上に形成された発光媒体層
109b・・パターニングされた発光媒体層
110・・・樹脂層
200・・・有機エレクトロルミネッセンス表示装置
203・・・隔壁
205・・・陰極取り出し電極
206・・・陰極取り出し電極
209・・・封止材
210・・・樹脂層
301・・・反射層
302・・・レンズ
303・・・集光した光エネルギー
Claims (9)
- 基板上に、第一電極と、前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極上に形成される少なくとも発光層を含む発光媒体層と、前記発光媒体層上の第二電極と、からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光媒体層を形成する工程は、ウェットコーティング法により塗膜を形成する工程と、前記塗膜に光エネルギーを印加して塗膜の一部を選択的に硬化する工程と、前記塗膜の未硬化部分を除去する工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記ウェットコーティング法が凸版印刷法、グラビア印刷法、インクジェット法のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記発光媒体層がインターレイヤ層又は発光層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記光エネルギーが有機材料および無機材料の蛍光および燐光であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記光エネルギーがレーザーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記光エネルギーがレンズによって集光され、前記発光媒体層に印加されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記塗膜の未硬化部分を除去する工程は、前記塗膜の未硬化部分を有機溶剤又は無機溶剤、あるいはこれらの混合溶液により洗い流すことにより除去する工程であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記塗膜の未硬化部分を除去する工程は、前記塗膜の未硬化部分を有機溶剤又は無機溶剤、あるいはこれらの混合溶液の蒸気にさらすことにより除去することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の製造方法により製造される有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板上に、第一電極と、前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極上に形成される少なくとも発光層を含む発光媒体層と、前記発光媒体層上の第二電極と、からなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光媒体層は前記光エネルギーにより硬化する材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015105022A1 (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002511637A (ja) * | 1998-04-13 | 2002-04-16 | トラスティーズ・オヴ・プリンストン・ユニヴァーシティ | フィルム組成に不純物を添加又はフィルム組成から不純物を除去することによってポリマーの光電子特性を変更する方法 |
JP2004009573A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Jsr Corp | 光硬化造形方法及び造形装置 |
JP2004102194A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光重合性組成物 |
JP2005197155A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006015673A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
WO2006035739A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Nabtesco Corporation | 光造形装置及び光造形方法 |
WO2006064792A1 (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Ulvac, Inc. | 塗布装置、有機材料薄膜の形成方法、有機elパネル製造装置 |
JP2008010251A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Seiko Epson Corp | 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置 |
-
2010
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002511637A (ja) * | 1998-04-13 | 2002-04-16 | トラスティーズ・オヴ・プリンストン・ユニヴァーシティ | フィルム組成に不純物を添加又はフィルム組成から不純物を除去することによってポリマーの光電子特性を変更する方法 |
JP2004009573A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Jsr Corp | 光硬化造形方法及び造形装置 |
JP2004102194A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光重合性組成物 |
JP2005197155A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006015673A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
WO2006035739A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Nabtesco Corporation | 光造形装置及び光造形方法 |
WO2006064792A1 (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Ulvac, Inc. | 塗布装置、有機材料薄膜の形成方法、有機elパネル製造装置 |
JP2008010251A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Seiko Epson Corp | 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015105022A1 (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
JPWO2015105022A1 (ja) * | 2014-01-07 | 2017-03-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
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