JP2014069981A - 基板加工装置及び基板加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加工歩留りの低下を抑止しつつ、加工時間を短縮することができる基板加工装置及び基板加工方法を提供する。
【解決手段】基板加工装置１は、基板の第１の表面に第１の保護膜を形成する膜形成部２と、第１の表面上の第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を第１の表面に形成するように第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する膜除去部３と、それらの基板露出部が形成された基板をエッチング液により処理し、隣接する二本の線状の凹部を第１の表面に形成する予備エッチング部４と、それらの凹部の間であって第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、基板の内部にクラック部又は変質部を形成する内部加工部５と、クラック部又は変質部が内部に形成された基板をエッチング液により処理して切断する本エッチング部６とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、基板加工装置及び基板加工方法に関する。

基板加工装置は、脆性材料の基板（例えば、ガラス基板やシリコン基板、セラミック基板など）を所望の形状に切断する加工を行う装置である。この基板加工装置は、半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程において広く用いられている。なお、ガラス基板の一例としては、強化ガラス基板（例えば、化学強化ガラス基板など）が挙げられる。化学強化ガラス基板とは、化学処理によってガラス基板の表面から深さ数十μｍに応力発生層（強化層）を形成したガラス基板である。

通常、強化ガラス基板を切断する方法としては、そのガラス基板に耐エッチング液性を有するレジスト材（保護膜）を塗布し、露光及び現像工程を経て所望の形状のガラス基板露出部を形成し、その後、エッチング液によりガラス基板をエッチングして切断する方法が提案されている。また、露光及び現像工程を経ずに直接レジスト材をレーザ光により部分的に除去し、所望の形状のガラス基板露出部を形成する方法も提案されている。さらに、エッチング前に、レジスト材を用いずにレーザ光の照射によりガラス基板内部にマイクロクラックあるいは変質部を形成する方法も提案されている。

特開２００５−２１９９６０号公報

本発明が解決しようとする課題は、加工歩留りの低下を抑止しつつ、加工時間を短縮することができる基板加工装置及び基板加工方法を提供することである。

実施形態に係る基板加工装置は、基板の第１の表面にレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する膜形成部と、第１の表面に形成された第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を第１の表面に形成するように第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する膜除去部と、第１の保護膜の部分除去により第１の表面に二本の線状の基板露出部が形成された基板をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の線状の凹部を第１の表面に形成する予備エッチング部と、第１の表面上の二本の線状の凹部の間であって第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、基板の内部にクラック部又は変質部を形成する内部加工部と、クラック部又は変質部が内部に形成された基板をエッチング液により処理して切断する本エッチング部とを備える。

実施形態に係る基板加工装置は、基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を第１の表面に形成するように第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する膜除去部と、第１の保護膜の部分除去により第１の表面に二本の線状の基板露出部が形成された基板がエッチング液により処理され、第１の表面に形成された隣接する少なくとも二本の線状の凹部の間であって第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、基板の内部にクラック部又は変質部を形成する内部加工部とを備える。

実施形態に係る基板加工方法は、基板の第１の表面にレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する工程と、第１の表面に形成された第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を第１の表面に形成するように第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する工程と、第１の保護膜の部分除去により第１の表面に二本の線状の基板露出部が形成された基板をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の線状の凹部を第１の表面に形成する工程と、第１の表面上の二本の線状の凹部の間であって第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、基板の内部にクラック部又は変質部を形成する工程と、クラック部又は変質部が内部に形成された基板をエッチング液により処理して切断する工程とを有する。

実施形態に係る基板加工方法は、基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を第１の表面に形成するように第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する工程と、第１の保護膜の部分除去により第１の表面に二本の線状の基板露出部が形成された基板がエッチング液により処理され、第１の表面に形成された隣接する少なくとも二本の線状の凹部の間であって第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、基板の内部にクラック部又は変質部を形成する工程とを有する。

本発明によれば、加工歩留りの低下を抑止しつつ、加工時間を短縮することができる。

実施形態に係る基板加工装置の概略構成を示すブロック図である。 実施形態に係る基板加工工程の流れを説明するための第１の工程断面図である。 実施形態に係る基板加工工程の流れを説明するための第２の工程断面図である。 実施形態に係る基板加工工程の流れを説明するための第３の工程断面図である。 実施形態に係る基板加工工程の流れを説明するための第４の工程断面図である。 実施形態に係る基板加工工程の流れを説明するための第５の工程断面図である。 実施形態に係る他の基板加工工程の流れの一部を説明するための工程断面図である。 実施形態に係る他の基板加工工程の流れの一部を説明するための工程断面図である。

実施の一形態について図面を参照して説明する。

図１に示すように、実施形態に係る基板加工装置１は、膜形成部２、膜除去部３、予備エッチング部４、内部加工部５及び本エッチング部６を備えている。これらの各部２〜６の間の搬送はロボットハンドリングやベルトコンベアなどの搬送部（図示せず）により行われる。以下、各部２〜６について図２乃至図６を参照しながら説明する（なお、加工対象物の一例として、ガラス基板を用いて説明する）。

膜形成部２は、図２に示すように、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜１２をスピンコートやインクジェット塗布などの膜形成方法により形成し、さらに、第１の表面Ｍ１の反対面である第２の表面Ｍ２にも、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜１３をスピンコートやインクジェット塗布などの膜形成方法により形成する（膜形成工程）。前述のようにガラス基板１１は、互いに向かい合う第１の表面Ｍ１及び第２の表面Ｍ２を有している。このガラス基板１１としては、例えば、強化層（応力発生層）を両面に有する強化ガラス基板（一例として、化学強化ガラス基板）などを用いることが可能である。また、第１の保護膜１２や第２の保護膜１３としては、例えば、レジスト材などを用いることが可能である。なお、高価なレジスト材を用いる必要はなく、耐エッチング液性の保護塗料にレーザ吸収剤を含有させたレジスト材を用いても良い。

膜除去部３は、図３に示すように、レーザ照射部３ａを用いて、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上に形成された第１の保護膜１２にレーザ光を照射し、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２を所望の形状に部分的に除去する（膜除去工程）。このとき、膜除去部３は、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂを第１の表面Ｍ１に形成するように（すなわち、それらの基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂが第１の表面Ｍ１に生じるように）ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２を部分除去する。この工程では、除去対象となるものは第１の保護膜１２であり、ガラス基板１１は加工されない。このため、使用するレーザ光としては、第１の保護膜１２により吸収され、ガラスに吸収されにくい波長のレーザ光を用いることが望ましい。

この膜除去工程により、第１の保護膜１２は、少なくとも二本のスクライブ線（二本の線状の基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂ）を所望の位置に有する形状にレーザスクライブされる。各スクライブ線は互いに沿って形成されており、それらのスクライブ線の間には保護膜が残留する。すなわち、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２には二本の掘り込み部（溝）１２ａ及び１２ｂが形成され、これによって第１の表面Ｍ１が露出する二本の基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂが形成されることになる。このとき、二本の掘り込み部１２ａ及び１２ｂの間に残留保護膜１２ｃが存在することになる。なお、前述の各スクライブ線は互いに平行であることが望ましいが、これに限るものではない。一本のスクライブ線の幅は例えば１ｍｍより細く、二本のスクライブ線と残った保護膜の部分を合わせた幅は例えば１０ｍｍよりも細い。

予備エッチング部４は、第１の保護膜１２が所望の形状に加工されたガラス基板１１にエッチング液（ガラスを腐食するための液体）を供給し、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の各基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂに対してガラス基板１１の基板厚みよりも浅いエッチング処理を施し、図４に示すように、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上に二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂを形成する（予備エッチング工程）。なお、エッチング液の供給としては、ガラス基板１１をエッチング液に浸しても、ガラス基板１１にエッチング液をかけるようにしても良く、また、バッチ処理でも枚葉処理でもどちらの処理を用いても良い。ガラス基板１１にエッチング液をかけて供給する場合には、ガラス基板１１を回転させながらエッチング液を供給したり、あるいは、ガラス基板１１をローラ搬送しながらエッチング液を供給したりするが、その供給方法は特に限定されるものではない。

この予備エッチング工程では、予備エッチングが等方性エッチングであるため、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２の下に回り込む（あるいは広がる）ようにエッチングが進み、各凹部１１ａ及び１１ｂは断面半円形状となる。このとき、第１の表面Ｍ１上の残留保護膜１２ｃもエッチングされて除去される。このようにして、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の切断予定箇所には、隣接する二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂが形成される。

ここで、隣り合う二本のスクライブ線は近接しており、また、耐エッチング液性を有する第１の保護膜１２は完全なエッチング耐性を有しているわけではないため、残留保護膜１２ｃの幅を適切に設定すれば、前述の予備エッチング工程により残留保護膜１２ｃは完全に除去される。ただし、残留保護膜１２ｃが消失しない場合には、その残留保護膜１２ｃに対しレーザ光を照射してレーザスクライブを行う除去工程を追加しても良く、あるいは、次の内部加工工程でのレーザ照射により残留保護膜１２ｃを除去するようにしても良い。

内部加工部５は、図５に示すように、レーザ照射部５ａ及び集光レンズ５ｂを用いて、二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間であって第１の表面Ｍ１から所定の深さ（例えば、数十μｍ）に位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、ガラス基板１１の内部にクラック部Ａ１を形成する（内部加工工程）。このため、使用するレーザ光としては、ガラスに吸収されやすい波長のレーザ光を用いることが望ましい。なお、クラック部Ａ１以外にも、エッチング液が浸透あるいは侵入するような変質部を形成するようにしても良い。

ここで、ガラス基板１１の内部のみにクラック部Ａ１を生じさせる場合には、ガラス基板１１の厚さが薄くなると、レーザの集光部を極めて狭い焦点深度で極微小スポットに集光する必要がある。すなわち、集光角度が強い鈍角であることが必要となる（大きなＮＡ：開口数を持つ必要がある）。ところが、ガラス基板１１の内部に焦点を置く場合、集光角が鈍角であると、ガラス基板１１の表面での反射率が上がり、レーザ光が内部に到達する率が下がることで加工が不可となる。すなわち、ガラス基板１１の内部に狭い焦点深度で光軸方向のクラックを生じさせることは原理的に限界があり（入射角が臨界角を超えると全反射する）、加工が可能であってもガラス基板１１の表面反射により相当のパワーロスが生じ、加工効率が極めて悪くなる。

しかしながら、前述のように並行する二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間に向けてレーザ光が照射されると、それぞれの凹部１１ａ及び１１ｂに対するレーザ光の入射角は相対的に垂直入射に近くなり（図５参照）、表面反射によるパワーロスを大幅に減らすことが可能となり、これは加工時間の短縮につながる。また、光学的にも二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間の部分にレーザ光が選択的に集光されることになる。これにより、レーザ加工は二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間が積極的に加工されることとなり、内部クラック（クラック部Ａ１）もこの部分に選択的かつ効率的に形成される。

なお、ガラス基板１１を水の中に漬けて、レーザ加工することも可能である。これは、水中の方が、空気中よりも反射率が少ないからパワーロスが少ないので、効率よくレーザ光がガラス基板１１に照射されるためである。これにより、内部クラックを深堀することができることから、エッチング液が積極的に浸入し、エッチング効率が向上して切断時間が短時間になる。

本エッチング部６は、二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂが形成されたガラス基板１１にエッチング液（ガラスを腐食するための液体）を供給し、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂに対してエッチング処理を施し、図６に示すように、第１の表面Ｍ１に一本の線状の凹部１１ｃを形成しつつ、さらに、エッチングを進めてガラス基板１１を切断する（本エッチング工程）。なお、エッチング液の供給としては、ガラス基板１１をエッチング液に浸しても、ガラス基板１１にエッチング液をかけるようにしても良く、また、バッチ処理でも枚葉処理でもどちらの処理を用いても良い。ガラス基板１１にエッチング液をかけて供給する場合には、前述と同様に、ガラス基板１１を回転させながらエッチング液を供給したり、あるいは、ガラス基板１１をローラ搬送しながらエッチング液を供給したりするが、その供給方法は特に限定されるものではない。このエッチング工程後には、第１の保護膜１２及び第２の保護膜１３はガラス基板１１から除去される。

この本エッチング工程では、エッチングがガラス基板１１の内部のクラック部Ａ１に到達すると、エッチング液がクラック部Ａ１に侵入していき、このクラック部Ａ１のエッチング速度が他の非クラック部分に比べ早くなる。さらに、エッチングはクラック部Ａ１の深さ方向に進行していく。このようにエッチングの進行に伴い、ガラス基板１１の内部のクラック部Ａ１が選択的にエッチングされることになる。なお、クラック部Ａ１自体はエッチングにより消失するため、クラック部Ａ１の残留により品質が低下することはない。

このような基板加工工程によれば、ガラス基板１１の内部のクラック部Ａ１により、エッチング時間を短縮することが可能となり、加えて、内部クラック無しでエッチングを行ったときに生じるエッジ細りを回避することが可能となる。このため、分離時にエッジ細り部分から生じやすいチッピング（小さな欠け）、クラックによる基板強度低下及び整形研磨工程などを回避することが可能となるので、加工時間の短縮と同時に製品の品質や歩留りを改善することができる。また、通常では不可能であった集光状態を実現することによってガラス基板１１の内部加工を行うことが可能となり、同時に、内部クラックが生じる方向及び部位を予備エッチングで形成した二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間に限定する制御を行うことができる。これらの凹部１１ａ及び１１ｂの間の部位は、最終的にエッチングにより除去される部分であるため、最終製品の品質や歩留りの向上につながるとともに、エッチング時間の短縮や工程の省略が可能となる。

以上説明したように、実施形態によれば、第１の保護膜１２の部分除去により二本の線状の基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂが形成されたガラス基板１１をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂをガラス基板１１の第１の表面Ｍ１に形成し、その後、第１の表面Ｍ１上の二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間であって第１の表面Ｍ１から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、ガラス基板１１の内部にクラック部（あるいは変質部）Ａ１を形成する。これにより、ガラス基板１１の内部でクラックが生じる方向及び部位が二本の線状の凹部１１ａ及び１１ｂの間に限定されるので、加工中のガラス基板１１の破損（クラックや破砕など）を防止することができる。さらに、エッチングがガラス基板１１の内部のクラック部Ａ１に到達すると、エッチング液がクラック部Ａ１に侵入していき、このクラック部Ａ１のエッチング速度が他の非クラック部分に比べ早くなるので、エッチング時間を短縮することが可能となる。このようにして、加工歩留りの低下を抑止しつつ、エッチング時間、すなわち加工時間を短縮することができる。

なお、前述の実施形態においては、膜除去工程でガラス基板１１の片面、すなわち第１の保護膜１２に対してのみ二本のスクライブ線（二本の線状の基板露出部Ｍ１ａ及びＭ１ｂ）を形成しているが、これに限るものではなく、例えば、第１の保護膜１２及び第２の保護膜１３の両方に二本のスクライブ線を形成するようにしても良い。なお、この場合、強化ガラスの応力不均衡を是正する意味では、両面を同時に同様の形状で加工することが望ましい。

ここで、このガラス基板１１の両面に対する膜除去工程後には、前述と同様の処理がガラス基板１１の両面に対して実行され、図７に示すように、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１及び第２の表面Ｍ２に凹部１１ｃが本エッチングにより形成され、それらがつながってガラス基板１１が切断される。このようにガラス基板１１の表裏面の両方からエッチング処理が行われるので、ガラス基板１１を切断する切断時間を短縮することができる。なお、切断したガラス基板１１の外周側面の凹凸が問題となる場合には、切断したガラス基板１１の外周側面である切断面をエッチング液によりさらに処理し、図８に示すように、ガラス基板１１の切断面を平坦に加工する。これにより、ガラス基板１１の品質を向上させることができる。

また、前述の実施形態においては、並行する二本のスクライブ線を形成する説明を行っているが、これに限るものではなく、加工要求によってはさらに複数本のスクライブ線を形成しても良く、スクライブ線の本数は特に限定されるものではない。また、全ての部位で同じスクライブ線、同じ本数とする必要はなく、例えば、各スクライブ線の幅は適宜選択しても良いし、各スクライブ線の間隔も適宜選択しても良い。

また、前述の実施形態においては、脆性材料の基板である加工対象物として、ガラス基板１１を用いて説明を行っているが、これに限るものではなく、例えば、シリコン基板やセラミック基板を用いる場合にも前述と同様の加工を行うことが可能である。なお、シリコン基板の切断時の破損の可能性は強化ガラス基板に比べると小さいが、最近のシリコン基板などでは、極めて薄厚の基板を切断する用途もあり、前述のような加工を適用することが可能である。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ 基板加工装置
２ 膜形成部
３ 膜除去部
４ 予備エッチング部
５ 内部加工部
６ 本エッチング部
１１ ガラス基板
１１ａ 凹部
１１ｂ 凹部
１２ 第１の保護膜
１３ 第２の保護膜
Ａ１ クラック部（あるいは変質部）
Ｍ１ 第１の表面
Ｍ１ａ 基板露出部
Ｍ１ｂ 基板露出部
Ｍ２ 第２の表面

Claims (12)

1. 基板の第１の表面にレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する膜形成部と、
   前記第１の表面に形成された第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を前記第１の表面に形成するように前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する膜除去部と、
   前記第１の保護膜の部分除去により前記第１の表面に前記二本の線状の基板露出部が形成された前記基板をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の線状の凹部を前記第１の表面に形成する予備エッチング部と、
   前記第１の表面上の前記二本の線状の凹部の間であって前記第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成する内部加工部と、
   前記クラック部又は前記変質部が内部に形成された前記基板をエッチング液により処理して切断する本エッチング部と、
   を備えることを特徴とする基板加工装置。
2. 前記膜形成部は、前記第１の表面に前記第１の保護膜を形成することに加え、前記第１の表面の反対面である第２の表面にレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜を形成し、
   前記膜除去部は、前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去することに加え、前記第２の表面に形成された第２の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を前記第２の表面に形成するように前記第２の表面上の第２の保護膜を部分除去し、
   前記予備エッチング部は、前記第１の保護膜の部分除去及び前記第２の保護膜の部分除去により前記第１の表面及び前記第２の表面の両方にそれぞれ前記二本の線状の基板露出部が形成された前記基板をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の凹部を前記第１の表面及び前記第２の表面にそれぞれ形成し、
   前記内部加工部は、前記第１の表面上の前記二本の線状の凹部の間であって前記第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射することに加え、前記第２の表面上の前記二本の線状の凹部の間であって前記第２の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成することを特徴とする請求項１に記載の基板加工装置。
3. 前記予備エッチング部は、前記エッチング液により、前記二本の線状の基板露出部の間に存在する残留保護膜を除去することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板加工装置。
4. 前記内部加工部は、前記レーザ光の照射により、前記二本の線状の基板露出部の間に存在する残留保護膜を除去することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板加工装置。
5. 前記本エッチング部は、切断した前記基板の外周側面である切断面をエッチング液によりさらに処理することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の基板加工装置。
6. 基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を前記第１の表面に形成するように前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する膜除去部と、
   前記第１の保護膜の部分除去により前記第１の表面に前記二本の線状の基板露出部が形成された前記基板がエッチング液により処理され、前記第１の表面に形成された隣接する少なくとも二本の線状の凹部の間であって前記第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成する内部加工部と、
   を備えることを特徴とする基板加工装置。
7. 基板の第１の表面にレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する工程と、
   前記第１の表面に形成された第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を前記第１の表面に形成するように前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する工程と、
   前記第１の保護膜の部分除去により前記第１の表面に前記二本の線状の基板露出部が形成された前記基板をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の線状の凹部を前記第１の表面に形成する工程と、
   前記第１の表面上の前記二本の線状の凹部の間であって前記第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成する工程と、
   前記クラック部又は前記変質部が内部に形成された前記基板をエッチング液により処理して切断する工程と、
   を有することを特徴とする基板加工方法。
8. 前記第１の保護膜を形成する工程では、前記第１の表面に前記第１の保護膜を形成することに加え、前記第１の表面の反対面である第２の表面にレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜を形成し、
   前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する工程では、前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去することに加え、前記第２の表面に形成された第２の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を前記第２の表面に形成するように前記第２の表面上の第２の保護膜を部分除去し、
   前記二本の線状の凹部を前記第１の表面に形成する工程では、前記第１の保護膜の部分除去及び前記第２の保護膜の部分除去により前記第１の表面及び前記第２の表面の両方にそれぞれ前記二本の線状の基板露出部が形成された前記基板をエッチング液により処理し、隣接する少なくとも二本の凹部を前記第１の表面及び前記第２の表面にそれぞれ形成し、
   前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成する工程では、前記第１の表面上の前記二本の線状の凹部の間であって前記第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射することに加え、前記第２の表面上の前記二本の線状の凹部の間であって前記第２の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成することを特徴とする請求項７に記載の基板加工方法。
9. 前記二本の線状の凹部を前記第１の表面に形成する工程では、前記エッチング液により、前記二本の線状の基板露出部の間に存在する残留保護膜を除去することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板加工方法。
10. 前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成する工程では、前記レーザ光の照射により、前記二本の線状の基板露出部の間に存在する残留保護膜を除去することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板加工方法。
11. 切断した前記基板の外周側面である切断面をエッチング液により処理する工程をさらに有することを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか一項に記載の基板加工方法。
12. 基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜にレーザ光を照射し、隣接する少なくとも二本の線状の基板露出部を前記第１の表面に形成するように前記第１の表面上の第１の保護膜を部分除去する工程と、
    前記第１の保護膜の部分除去により前記第１の表面に前記二本の線状の基板露出部が形成された前記基板がエッチング液により処理され、前記第１の表面に形成された隣接する少なくとも二本の線状の凹部の間であって前記第１の表面から所定の深さに位置する基板内部箇所にレーザ光を集光して照射し、前記基板の内部にクラック部又は変質部を形成する工程と、
    を有することを特徴とする基板加工方法。

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