JP6038573B2 - ガラス基板加工装置及びガラス基板加工方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、ガラス基板加工装置及びガラス基板加工方法に関する。

ガラス基板加工装置は、強化ガラス基板（例えば、化学強化ガラス基板など）を所望の形状に切断する加工を行う装置である。このガラス基板加工装置は、半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程において広く用いられている。なお、化学強化ガラス基板とは、化学処理によってガラス基板の表面から深さ数十μｍに応力発生層（強化層）を形成したガラス基板である。

通常、化学強化ガラスを切断する方法としては、強化したガラス基板に耐エッチング液性を有するレジスト材（保護膜）を塗布し、露光及び現像工程を経て所望の形状のガラス基板露出部を形成し、その後、エッチング液によりガラス基板をエッチングして切断する方法が提案されている。また、露光及び現像工程を経ずに直接レジスト材（保護膜）をレーザ光により部分的に除去し、所望の形状のガラス基板露出部を形成し、その後、エッチング液によりガラス基板をエッチングして切断する方法も提案されている。

特開２００９−２９２６９９号公報

本発明が解決しようとする課題は、加工歩留りを改善することができるガラス基板加工装置及びガラス基板加工方法を提供することである。

実施形態に係るガラス基板加工装置は、互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する第１の膜形成部と、ガラス基板の第１の表面に形成された第１の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第１の表面に形成された第１の保護膜を部分除去する第１の膜除去部と、第１の保護膜が第１の表面から部分除去されたガラス基板の第２の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜を形成する第２の膜形成部と、ガラス基板の第２の表面に形成された第２の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第１の表面における第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第２の表面に形成された第２の保護膜を部分除去する第２の膜除去部と、第２の保護膜が第２の表面から部分除去されたガラス基板をエッチング液により処理するエッチング部とを備える。

実施形態に係るガラス基板加工装置は、互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第１の表面に形成された第１の保護膜を部分除去する第１の膜除去部と、ガラス基板の第２の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第１の表面における第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第２の表面に形成された第２の保護膜を部分除去する第２の膜除去部とを備える。

実施形態に係るガラス基板加工方法は、互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する工程と、ガラス基板の第１の表面に形成された第１の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第１の表面に形成された第１の保護膜を部分除去する工程と、第１の保護膜が第１の表面から部分除去されたガラス基板の第２の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜を形成する工程と、ガラス基板の第２の表面に形成された第２の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第１の表面における第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第２の表面に形成された第２の保護膜を部分除去する工程と、第２の保護膜が第２の表面から部分除去されたガラス基板をエッチング液により処理する工程とを有する。

実施形態に係るガラス基板加工方法は、互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第１の表面に形成された第１の保護膜を部分除去する工程と、ガラス基板の第２の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第１の表面における第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第２の表面に形成された第２の保護膜を部分除去する工程とを有する。

本発明によれば、加工歩留りを改善することができる。

第１の実施形態に係るガラス基板加工装置の概略構成を示すブロック図である。 第１の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第１の工程断面図である。 第１の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第２の工程断面図である。 第１の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第３の工程断面図である。 図４に対する比較例を示す断面図である。 第１の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第４の工程断面図である。 第１の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第５の工程断面図である。 第１の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第６の工程断面図である。 第２の実施形態に係るガラス基板加工装置の概略構成を示すブロック図である。

（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１乃至図８を参照して説明する。

図１に示すように、第１の実施形態に係るガラス基板加工装置１は、第１の膜形成部２、第１の膜除去部３、第２の膜形成部４、第２の膜除去部５及びエッチング部６を備えている。これらの各部２〜６の間の搬送はロボットハンドリングやベルトコンベアなどの搬送部（図示せず）により行われる。以下、各部２〜６について図２乃至図８を参照しながら説明する。

第１の膜形成部２は、図２に示すように、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜１２をスピンコートやインクジェット塗布などの膜形成方法により形成する（第１の膜形成工程）。ガラス基板１１は、互いに向かい合う第１の表面Ｍ１及び第２の表面Ｍ２を有している。このガラス基板１１としては、例えば、強化層（応力発生層）を両面に有する強化ガラス基板（一例として、化学強化ガラス基板）などを用いることが可能であり、また、第１の保護膜１２としては、例えば、レジスト材などを用いることが可能である。なお、高価なレジスト材を用いる必要はなく、耐エッチング液性の保護塗料にレーザ吸収剤を含有させたレジスト材を用いても良い。

第１の膜除去部３は、図３に示すように、レーザ照射部３ａを用いて、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上に形成された第１の保護膜１２におけるガラス基板１１側と反対側の面（露出面）にレーザ光を照射し、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２を所望の形状に部分的に除去する（第１の膜除去工程）。

この第１の膜除去工程により、第１の保護膜１２は、後の工程であるエッチング工程においてガラス基板１１、例えば強化層を選択的にエッチングするように所望の位置及び形状にレーザスクライブされる。これにより、図４に示すように、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２に掘り込み部（溝）１２ａが形成され、第１の表面Ｍ１の露出部（ガラス基板露出部）Ｍ１ａが形成される。なお、第１の保護膜１２は、使用するレーザ光の波長を吸収する性質を持っている。また、その使用するレーザ光はガラスに吸収されにくい波長のレーザ光であることが望ましい。

ここで、第１の膜除去工程では、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２は、図３に示すように、レーザ光の照射により照射側表面より徐々に加工されていく。このとき、レーザ光は第１の保護膜１２の加工に消費されるため、ガラス基板１１への影響はほとんど無い。その後、レーザ照射による加工が進み、図４に示すように、第１の保護膜１２がほとんど無くなった時点でレーザ光がガラス基板１１に届き、そのガラス基板１１を加熱することになる。ただし、使用するレーザ光として、ガラスに吸収されにくい波長を有するレーザ光を選択すれば、加熱は小さくなる。

このとき、図５に示すように、裏側の第２の表面Ｍ２に保護膜２１が形成されていると（比較例）、ガラス基板１１を透過したレーザ光は第２の表面Ｍ２上の保護膜２１も加工することになる。このとき、レーザ光はガラス基板１１から保護膜２１に入射し、その保護膜２１におけるガラス基板１１に直接接触している部分を加工するため、この加工で生じる熱は表側（レーザ照射側）の第１の保護膜１２の加工時と異なって高温となる。このため、ガラス基板１１への熱影響は極めて大きなものとなり、基板強度の低下やクラック２２が発生してしまう（最悪の場合には破砕が発生してしまう）。これを避けるため、前述のレーザスクライブでは、図３及び図４に示すように、ガラス基板１１の表側の第１の表面Ｍ１のみに第１の保護膜１２が形成され、裏側の第２の表面Ｍ２には保護膜が無く、レーザ光は表側の第１の表面Ｍ１から照射されることになる。

第２の膜形成部４は、図６に示すように、第１の保護膜１２が部分除去されたガラス基板１１の第２の表面Ｍ２上に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜１３をスピンコートやインクジェット塗布などの膜形成方法により形成する（第２の膜形成工程）。第２の保護膜１３としては、前述の第１の保護膜１２と同様に、例えば、レジスト材などを用いることが可能である。

第２の膜除去部５は、図７に示すように、レーザ照射部５ａを用いて、ガラス基板１１の第２の表面Ｍ２上に形成された第２の保護膜１３におけるガラス基板１１側と反対側の面（露出面）であってガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上における第１の保護膜１２が除去された箇所（露出部Ｍ１ａ）に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板１１の第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３を所望の形状に部分的に除去する（第２の膜除去工程）。

このとき、第２の膜除去部５は、位置合わせ部５ｂを用いて、レーザ照射部５ａにより出射されたレーザ光がガラス基板１１の第１の表面Ｍ１における第１の保護膜１２が除去された箇所に対向する箇所に入射するようにレーザ照射位置を調整する。位置合わせ部５ｂは、カメラなどの撮像部により第１の保護膜１２の加工箇所を確認し、その加工箇所の位置を基準にしてレーザ照射位置を調整する。なお、第１の保護膜１２の加工箇所を確認する以外にも、位置決めを可能とする基準となる目印をガラス基板１１上に形成する機構及び工程を設け、その目印を撮像部により確認して基準とするようにしても良い。

この第２の膜除去工程により、第２の保護膜１３は、後の工程であるエッチング工程においてガラス基板１１、例えば強化層を選択的にエッチングするように所望の位置及び形状にレーザスクライブされる。これにより、図８に示すように、ガラス基板１１の第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３に掘り込み部（溝）１３ａが形成され、第２の表面Ｍ２の露出部（ガラス基板露出部）Ｍ２ａが形成される。なお、第２の保護膜１３は、第１の保護膜１２と同様、使用するレーザ光の波長を吸収する性質を持っている。また、その使用するレーザ光はガラスに吸収されにくい波長のレーザ光であることが望ましい。

ここで、第２の膜除去工程では、ガラス基板１１の第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３は、図７に示すように、レーザ光の照射により照射側表面より徐々に加工されていく。このとき、レーザ光は第２の保護膜１３の加工に消費されるため、ガラス基板１１への影響はほとんど無い。その後、レーザ照射による加工が進み、図８に示すように、第２の保護膜１３がほとんど無くなった時点でレーザ光がガラス基板１１に届き、そのガラス基板１１を加熱することになる。ただし、使用するレーザ光として、ガラスに吸収されにくい波長を有するレーザ光を選択すれば、加熱は小さくなる。

このとき、表側の第１の表面Ｍ１の露出部Ｍ１ａに保護膜が存在していると、ガラス基板１１を透過したレーザ光は第１の表面Ｍ１上の保護膜を加工することなる。このとき、レーザ光はガラス基板１１から保護膜に入射し、その保護膜におけるガラス基板１１に直接接触している部分を加工するため、この加工で生じる熱は裏側（レーザ照射側）の第２の保護膜１３と異なって高温となる。このため、ガラス基板１１への熱影響は極めて大きなものとなり、基板強度の低下やクラックが発生してしまう（最悪の場合には破砕が発生してしまう）。これを避けるため、前述のレーザスクライブでは、図６及び図７に示すように、ガラス基板１１の裏側の第２の表面Ｍ２に第２の保護膜１３が形成され、レーザ光はガラス基板１１の第１の表面Ｍ１上における第１の保護膜１２が除去された箇所（露出部Ｍ１ａ）に対向する箇所に照射されることになる。

すなわち、第２の膜除去工程時に、第１の膜除去工程により第１の保護膜１２が除去されていない部分を裏面側からレーザスクライブすると、レーザの照射部分のみを見れば、両面に保護膜が形成されている状態となり、ガラス基板１１への熱影響が避けられない。したがって、第２の膜除去工程を実施する際には、第１の膜除去工程により第１の保護膜１２が除去された部分に加工部を一致させて行う必要がある。このため、レーザ照射位置は、位置合わせ部５ｂにより、レーザ照射部５ａからのレーザ光がガラス基板１１の第１の表面Ｍ１における第１の保護膜１２が除去された箇所にガラス基板１１を間にして対向する箇所に入射するように調整される。

エッチング部６は、第１の保護膜１２及び第２の保護膜１３が所望の形状に加工されたガラス基板１１にエッチング液（ガラスを腐食するための液体）を供給して、ガラス基板１１の両面の強化層（所定深さの強化層）をエッチング処理し、ガラス基板１１の両面の強化層を部分的に除去する（エッチング工程）。これにより、第１の保護膜１２及び第２の保護膜１３により保護されていない強化層（強化層露出部分）が除去され、ガラス基板１１のガラス材（通常の切断可能なガラス材）が部分的に露出する。その後、ガラス基板１１はガラス材露出部分からカッターやブレードなどを用いた切断部によって切断される。これにより、ガラス基板１１は所望の形状に切断されることになる。なお、カッターやブレードなどの切断部を用いず、エッチングを継続してガラス基板１１を切断することも可能である。このようなエッチング工程後には、第１の保護膜１２及び第２の保護膜１３はガラス基板１１から除去される。

ここで、前述のエッチング液の供給としては、ガラス基板１１をエッチング液に浸しても、ガラス基板１１にエッチング液をかけるようにしても良く、また、バッチ処理でも枚葉処理でもどちらの処理を用いても良い。ガラス基板１１にエッチング液をかけて供給する場合には、ガラス基板１１を回転させながらエッチング液を供給したり、あるいは、ガラス基板１１をローラ搬送しながらエッチング液を供給したりするが、その供給方法は特に限定されるものではない。

このようなガラス基板加工工程において、レーザ照射の際、保護膜（第１の保護膜１２又は第２の保護膜１３）はガラス基板１１の両面（第１の表面Ｍ１及び第２の表面Ｍ２）の両方に存在しておらず、どちらか一方の片面のみに存在することになる。また、レーザ照射方向は保護膜の露出面側から内部へ向かう方向である。第１の膜除去工程では、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１のみに第１の保護膜１２を形成し、その反対側の第２の表面Ｍ２には保護膜が無く、第１の表面Ｍ１側からレーザ光を照射する。第２の膜除去工程では、第２の表面Ｍ２の全面に第２の保護膜１３を形成し、第２の表面Ｍ２側からレーザ光を照射する。このとき、所望の加工箇所の反対側すなわち第１の表面Ｍ１側は、第１の膜除去工程によって第１の保護膜１２が除去済みであるので、レーザ光の照射箇所に限定して見ると、裏側には第２の保護膜１３が形成されているが、表側には保護膜が無いことになる。このように、表側の第１の膜除去工程と裏側の第２の膜除去工程を分けることによって、片面ごとに膜除去工程（レーザスクライブ）が行われるので、ガラス基板１１への熱影響を減らすことが可能となり、レーザスクライブによって生じるクラックなどの発生が激減するので、クラックなどの発生を防止しながらの膜除去を行うことができ、結果として、加工歩留りを改善することができる。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、ガラス基板１１の第１の表面Ｍ１に第１の保護膜１２を形成し、その第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２におけるガラス基板１１側と反対側の面にレーザ光を照射して第１の保護膜１２を部分除去し、その後、第１の保護膜１２を部分除去したガラス基板１１の第２の表面Ｍ２に第２の保護膜１３を形成し、その第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３におけるガラス基板１１側と反対側の面であってガラス基板１１の第１の表面Ｍ１における第１の保護膜１２が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射して第２の保護膜１２を部分除去し、最後に、第２の保護膜１２を部分除去したガラス基板１１をエッチング液により処理する。したがって、レーザ光によりガラス基板１１上の第１の保護膜１２又は第２の保護膜１３を除去する場合、レーザ光は第１の保護膜１２又は第２の保護膜１３を除去してガラス基板１１に入射するが、そのガラス基板１１におけるレーザ入射側と反対側の面には保護膜が存在していないため、そのままガラス基板１１を透過することになる。このため、反対面の保護膜の存在に起因してレーザ光により熱が発生することが無くなり、そのガラス基板１１への熱影響が軽減されるので、基板強度の低下やクラックの発生などを防止することが可能となり、ガラス基板１１の加工歩留りを改善することができる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図９を参照して説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。

図９に示すように、第２の実施形態に係るガラス基板加工装置１は、第１の膜形成部２、第１の膜除去部３、第２の膜形成部４、第２の膜除去部５及びエッチング部６に加え、第１の洗浄部７及び第２の洗浄部８を備えている。これらの各部２〜８の間の搬送はロボットハンドリングやベルトコンベアなどの搬送部（図示せず）により行われる。なお、第１の洗浄部７及び第２の洗浄部８は両方ではなく片方だけ設けられても良い。

第１の洗浄部７は、第１の保護膜１２が第１の表面Ｍ１上に形成されたガラス基板１１の第２の表面Ｍ２を洗浄する。これにより、第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２を部分除去する工程の前に、第１の保護膜１２が第１の表面Ｍ１上に形成されたガラス基板１１の第２の表面Ｍ２を洗浄する工程が存在することになる。この洗浄工程後に第１の保護膜１２が第１の表面Ｍ１から部分除去される。

第２の洗浄部８は、第１の保護膜１２が第１の表面Ｍ１から部分除去されたガラス基板１１の第１の表面Ｍ１を洗浄する。これにより、第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３を部分除去する工程の前に、第１の保護膜１２が第１の表面Ｍ１から部分除去されたガラス基板１１の第１の表面Ｍ１を洗浄する工程が存在することになる。この洗浄工程後に第２の保護膜１３が第２の表面Ｍ２から部分除去される。

ここで、第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２を除去する場合、その裏面の第２の表面Ｍ２上に保護膜が存在しない状態であっても、加工飛散物や残留物などの付着物が存在していると、やはり第２の表面Ｍ２上に保護膜がある状態と同じとなり、レーザ光による熱がガラス基板１１に直接接触している付着物の部分で発生するため、ガラス基板１１への熱影響は極めて大きなものとなる。これは、ガラス基板１１へのダメージの原因となるため、ガラス基板１１におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第２の表面Ｍ２をきれいに保つことが望ましい。また、第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３を除去する際も同様の理由からガラス基板１１におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第１の表面Ｍ１（特に、露出部Ｍ１ａ）をきれいに保つことが望ましい。

したがって、第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２を除去する前に、前述の第１の洗浄部７により、その裏面の第２の表面Ｍ２を洗浄することによって、ガラス基板１１におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第２の表面Ｍ２をきれいに保つことが可能となる。同じように、第２の表面Ｍ２上の第２の保護膜１３を除去する前に、前述の第２の洗浄部８により、その反対面の第１の表面Ｍ１を洗浄することによって、ガラス基板１１におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第１の表面Ｍ１（特に、露出部Ｍ１ａ）をきれいに保つことが可能となる。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第１の洗浄部７及び第２の洗浄部８を設けることによって、ガラス基板１１におけるレーザ照射側と反対側の面がきれいに維持されるので、反対面の付着物の存在に起因してレーザ光により熱が発生することが無くなり、そのガラス基板１１への熱影響が軽減されることになる。これにより、基板強度の低下やクラックの発生などを確実に防止することが可能となり、ガラス基板１１の加工歩留りをより確実に改善することができる。

ここで、前述の第２の膜形成工程において、第２の保護膜１３を裏側の第２の表面Ｍ２に形成する際に、回り込みなどにより表側の第１の表面Ｍ１（特に、露出部Ｍ１ａ）に保護膜が形成されると、前述と同様の理由によってガラス基板１１へのダメージの原因となるため、避けなければならない。このため、第２の膜形成工程では、第２の保護膜１３がガラス基板１１の第２の表面Ｍ２から第１の表面Ｍ１に回り込むことを抑え、特に第１の表面Ｍ１上の第１の保護膜１２に存在する掘り込み部１２ａに入り込むことを防いで第２の表面Ｍ２に第２の保護膜１３を形成する。なお、第２の保護膜１３がガラス基板１１の第２の表面Ｍ２から第１の表面Ｍ１に回り込んでしまった場合には、その回り込んだ部分の第２の保護膜１３を除去する。ここで、第２の保護膜１３がガラス基板１１の第２の表面Ｍ２から第１の表面Ｍ１に回り込むことを抑えるための具体例としては、スピンコータに回り込み防止カバーをつけて、そのスピンコータにより第２の表面Ｍ２に第２の保護膜１３を形成する。

なお、前述の第１又は第２の実施形態においては、第１の膜形成部２及び第２の膜形成部４を設け、また、第１の膜除去部３及び第２の膜除去部５を設けているが、これに限るものではなく、例えば、第１の膜形成部２及び第２の膜形成部４として一台の膜形成部を共用するようにしても良く、また、第１の膜除去部３及び第２の膜除去部５として一台の膜除去部を共用するようにしても良い。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ ガラス基板加工装置
２ 第１の膜形成部
３ 第１の膜除去部
４ 第２の膜形成部
５ 第２の膜除去部
５ｂ 位置合わせ部
６ エッチング部
７ 第１の洗浄部
８ 第１の洗浄部
１１ ガラス基板
１２ 第１の保護膜
１３ 第２の保護膜
Ｍ１ 第１の表面
Ｍ２ 第２の表面

Claims (12)

1. 互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する第１の膜形成部と、
   前記ガラス基板の第１の表面に形成された前記第１の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第１の表面に形成された前記第１の保護膜を部分除去する第１の膜除去部と、
   前記第１の保護膜が前記第１の表面から部分除去された前記ガラス基板の第２の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜を形成する第２の膜形成部と、
   前記ガラス基板の第２の表面に形成された前記第２の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第１の表面における前記第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第２の表面に形成された前記第２の保護膜を部分除去する第２の膜除去部と、
   前記第２の保護膜が前記第２の表面から部分除去された前記ガラス基板をエッチング液により処理するエッチング部と、
   を備えることを特徴とするガラス基板加工装置。
2. 前記第１の保護膜が前記第１の表面に形成された前記ガラス基板の第２の表面を洗浄する洗浄部をさらに備え、
   前記第１の膜除去部は、前記第２の表面が洗浄された前記ガラス基板に対してレーザ光を照射することを特徴とする請求項１に記載のガラス基板加工装置。
3. 前記第１の保護膜が前記第１の表面から部分除去された前記ガラス基板の第１の表面を
   洗浄する洗浄部をさらに備え、
   前記第２の膜除去部は、前記第１の表面が洗浄された前記ガラス基板に対してレーザ光を照射することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガラス基板加工装置。
4. 前記第２の膜形成部は、前記第２の保護膜が前記第２の表面から前記第１の表面に回り込むことを抑えて前記第２の表面に前記第２の保護膜を形成することを特徴とする請求項
   １乃至請求項３のいずれか一項に記載のガラス基板加工装置。
5. 前記第２の膜除去部は、前記ガラス基板の第１の表面における前記第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光の照射位置を合わせる位置合わせ部を具備することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のガラス基板加工装置。
6. 互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第１の表面に形成された前記第１の保護膜を部分除去する第１の膜除去部と、
   前記ガラス基板の第２の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第１の表面における前記第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第２の表面に形成された前記第２の保護膜を部分除去する第２の膜除去部と、
   を備えることを特徴とするガラス基板加工装置。
7. 互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜を形成する工程と、
   前記ガラス基板の第１の表面に形成された前記第１の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第１の表面に形成された前記第１の保護膜を部分除去する工程と、
   前記第１の保護膜が前記第１の表面から部分除去された前記ガラス基板の第２の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜を形成する工程と、
   前記ガラス基板の第２の表面に形成された前記第２の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第１の表面における前記第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第２の表面に形成された前記第２の保護膜を部分除去する工程と、
   前記第２の保護膜が前記第２の表面から部分除去された前記ガラス基板をエッチング液により処理する工程と、
   を有することを特徴とするガラス基板加工方法。
8. 前記第１の保護膜を部分除去する工程の前に、前記第１の保護膜が前記第１の表面に形成された前記ガラス基板の第２の表面を洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項７に記載のガラス基板加工方法。
9. 前記第２の保護膜を部分除去する工程の前に、前記第１の保護膜が前記第１の表面から部分除去された前記ガラス基板の第１の表面を洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のガラス基板加工方法。
10. 前記第２の保護膜を形成する工程では、前記第２の保護膜が前記第２の表面から前記第１の表面に回り込むことを抑えて前記第２の表面に前記第２の保護膜を形成することを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載のガラス基板加工方法。
11. 前記第２の保護膜を部分除去する工程では、前記ガラス基板の第１の表面における前記第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光の照射位置を合わせることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載のガラス基板加工方法。
12. 互いに向かい合う第１の表面及び第２の表面を有するガラス基板の第１の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第１の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第１の表面に形成された前記第１の保護膜を部分除去する工程と、
    前記ガラス基板の第２の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第２の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第１の表面における前記第１の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第２の表面に形成された前記第２の保護膜を部分除去する工程と、
    を有することを特徴とするガラス基板加工方法。

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