JP2014064040A - 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面が研削された基板Wを研磨する方法であって、基板Wに形成されているオリエンテーションフラットを、オリエンテーションフラットに対応する形状を有する切り欠きカバー90に対向させ、基板Wおよび切り欠きカバー90を基板Wの中心周りに一体に回転させながら、裏面と基板Wの外周面とによって形成された角部に研磨テープ23を押し当てて角部を研磨する。
【選択図】図18
Description
本発明の好ましい態様は、前記角部の研磨中、前記研磨テープを前記角部および前記切り欠きカバーに接触させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記角部の研磨中、前記研磨テープは前記切り欠きカバーおよび前記角部を研磨することを特徴とする。
本発明の参考例は、前記基板の表面および前記外周面には保護フィルムが貼り付けられており、前記研磨テープを前記基板に対して押し付ける研磨ヘッドの角度を連続的に変えることで前記保護フィルムを前記基板から剥がしながら、前記角部に前記研磨テープを押し当てて該角部を研磨する。
本発明の研磨方法によって研磨される対象物は、SOI(Silicon on Insulator)基板、貫通電極(Through Silicon Via,TSV)、パワーデバイス(電力用半導体素子)の製造工程で使用される、裏面がバックグラインダーなどの研削具で研削された薄肉の基板である。ここで、SOI基板とは、SiO2からなる絶縁層の上にシリコン単結晶層が形成された基板である。貫通電極(TSV)とは、半導体チップの内部を垂直に貫通する電極のことである。また、パワーデバイスとは、電力を他の形態の電力に変換する素子や、電力を制御する素子である。パワーデバイスの代表的な例としては、パワートランジスタ、サイリスタ、整流ダイオードなどが挙げられる。
2 テープ供給機構
3 回転保持機構(基板保持部)
4 保持ステージ
5 中空シャフト
15 エアシリンダ
20 隔壁
21 研磨室
23 研磨テープ
30 研磨ヘッド
41 押圧機構
50 押圧パッド
67 リニアアクチュエータ
70 揺動機構
80 センタリングチャック
90 切り欠きカバー
91 回転体
Claims (8)
- 裏面が研削された基板を研磨する方法であって、
前記基板に形成されているオリエンテーションフラットを、該オリエンテーションフラットに対応する形状を有する切り欠きカバーに対向させ、
前記基板および前記切り欠きカバーを該基板の中心周りに一体に回転させながら、前記裏面と前記基板の外周面とによって形成された角部に研磨テープを押し当てて該角部を研磨することを特徴とする方法。 - 前記角部の研磨中、前記研磨テープを前記角部および前記切り欠きカバーに接触させることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記切り欠きカバーは、研磨されにくい構造を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記角部の研磨中、前記研磨テープは前記切り欠きカバーおよび前記角部を研磨することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 裏面が研削された基板を研磨する装置であって、
前記基板に形成されているオリエンテーションフラットに対応する形状の切り欠きカバーを有し、前記基板をその中心周りに回転させる回転保持部と、
前記裏面と前記基板の外周面とによって形成された角部に研磨テープを押し当てて該角部を研磨する研磨ヘッドとを有することを特徴とする装置。 - 前記角部の研磨中、前記研磨ヘッドは前記研磨テープを前記角部および前記切り欠きカバーに接触させることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記切り欠きカバーは、研磨されにくい構造を有することを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記角部の研磨中、前記研磨テープは前記切り欠きカバーおよび前記角部を研磨することを特徴とする請求項5に記載の装置。
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