JP2014017456A - 表示装置及び画素欠陥修正方法 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 25
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/136259—Repairing; Defects
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
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Abstract
【解決手段】複数のゲート線と複数のデータ線によりマトリクス状に区画されるとともに、前記複数のゲート線及び複数のデータ線に接続された複数の画素を含む表示装置であって、前記複数の画素のうち一部または全部の画素は、トランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と、該画素電極に対向して配置された共通電極と、前記共通電極の一部で形成されるとともに可視光に対して透過であるゲート電極部と、可視光に対して透過である半導体活性部と、ドレイン電極を形成するドレイン電極部、及び、ソース電極を形成するソース電極部と、を含む修正用トランジスタ部と、を含む。
【選択図】図3
Description
次に、本発明の第1の変形例について説明する。本変形例においては、主に、修正用トランジスタ部304が形成される方向が、第1の実施形態と異なる。その他の点は、上記実施の形態と同様であり、同様である点については説明を省略する。
次に、本発明の第2の変形例について説明する。本変形例においては、主に、修正用トランジスタ部304のゲート電極部601とゲート線105、ソース電極部604とソース線107との接続につき、修正用配線121、124を用いる点が上記第1の変形例と異なる。その他の点は、上記第1の変形例や上記第1の実施形態と同様であり、同様である点については説明を省略する。
Claims (11)
- 複数のゲート線と複数のデータ線によりマトリクス状に区画されるとともに、前記複数のゲート線及び複数のデータ線に接続された複数の画素を含む表示装置であって、
前記複数の画素のうち一部または全部の画素は、
トランジスタと、
前記トランジスタに接続された画素電極と、
該画素電極に対向して配置された共通電極と、
前記共通電極の一部で形成されるとともに可視光に対して透過であるゲート電極部と、可視光に対して透過である半導体活性部と、ドレイン電極を形成するドレイン電極部、及び、ソース電極を形成するソース電極部と、を含む修正用トランジスタ部と、
を含むことを特徴とする表示装置。 - 対応する前記データ線を前記画素電極から切り離し、
前記各修正用トランジスタ部は、前記ゲート電極部を前記共通電極から切り離すとともに、対応する前記ゲート線と接続し、かつ、前記ソース電極部及びドレイン電極部をそれぞれ対応する前記複数のデータ線及び画素電極と接続することにより、前記画素を駆動する修正用トランジスタを形成することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記修正用トランジスタ部は、更に、
前記ソース電極部を対応する前記データ線に接続するソース接続パッドと、
前記ゲート電極部を対応する前記ゲート線に接続するゲート接続パッドと、
を含むことを特徴とする請求項2記載の表示装置。 - 前記ソース接続パッドは、前記ゲート線と同一の層で形成されるとともに、前記ゲート接続パッドは、前記ドレイン電極部及び前記ソース電極部と同一の層で形成されることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
- 前記修正用トランジスタは、
前記ゲート電極部を対応する前記ゲート線と接続するゲート配線部と、
前記ソース電極部を対応する前記データ線に接続するデータ配線部と、
を含むことを特徴とする請求項2記載の表示装置。 - 前記画素電極は、複数の開口部を有し、
前記修正用トランジスタ部の電極部は、前記開口部に沿って配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の表示装置。 - 前記各トランジスタは、対応する前記各ゲート配線に重ねて設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の表示装置。
- 前記半導体活性部は、アモルファス酸化物半導体で形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の表示装置。
- 複数のゲート線と複数のデータ線によりマトリクス状に区画されるとともに、前記複数のゲート線及び複数のデータ線に接続された複数の画素を含む表示装置であって、前記複数の画素のうち一部又は全部の画素が、トランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と、該画素電極に対向して配置された共通電極と、前記共通電極の一部で形成されるとともに可視光に対して透過であるゲート電極部と、可視光に対して透過である半導体活性部と、ドレイン電極を形成するドレイン電極部、及び、ソース電極を形成するソース電極部と、を含む修正用トランジスタ部と、を含む表示装置の画素欠陥修正方法において、
対応する前記データ線を前記画素電極から切り離すステップと、
前記ゲート電極部を前記共通電極から切り離すステップと、
前記ゲート電極部を前記ゲート線と接続するステップと、
前記ソース電極部をそれぞれ対応する前記複数のデータ線と接続するステップと、
前記ドレイン電極部をそれぞれ対応する前記画素電極と接続するステップと、
を含むことを特徴とする画素欠陥修正方法。 - 複数のゲート線と複数のデータ線によりマトリクス状に区画されるとともに、前記複数のゲート線及び複数のデータ線に接続された複数の画素を含む表示装置であって、
前記複数の画素のうち一部または全部の画素は、
トランジスタと、
前記トランジスタに接続された画素電極と、
該画素電極に対向して配置された共通電極と、
前記共通電極と前記画素電極の間の一部に形成された可視光に対して透過である半導体層と、
前記半導体層上に形成された2の導電層と、
を含むことを特徴とする表示装置。 - 複数のゲート線と複数のデータ線によりマトリクス状に区画されるとともに、前記複数のゲート線及び複数のデータ線に接続された複数の画素を含む表示装置であって、
前記複数の画素のうち一部の画素は、
画素電極と、
前記画素電極に対向して配置された共通電極と、
前記画素電極に接続された修正用トランジスタと、を含み、
前記修正用トランジスタは、
前記共通電極と同一層および同一材料で形成されたゲート電極と、
可視光に対して透過である半導体活性部と、
ドレイン電極と、
ソース電極と、
を含むことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012155954A JP5971849B2 (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
US13/938,893 US20140014962A1 (en) | 2012-07-11 | 2013-07-10 | Display device and pixel defect correcting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012155954A JP5971849B2 (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014017456A true JP2014017456A (ja) | 2014-01-30 |
JP5971849B2 JP5971849B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=49913213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012155954A Active JP5971849B2 (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 表示装置及び画素欠陥修正方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140014962A1 (ja) |
JP (1) | JP5971849B2 (ja) |
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- 2012-07-11 JP JP2012155954A patent/JP5971849B2/ja active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160411 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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