JP2014016358A - ウェーハを検査するためのシステム及び方法 - Google Patents
ウェーハを検査するためのシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014016358A JP2014016358A JP2013192270A JP2013192270A JP2014016358A JP 2014016358 A JP2014016358 A JP 2014016358A JP 2013192270 A JP2013192270 A JP 2013192270A JP 2013192270 A JP2013192270 A JP 2013192270A JP 2014016358 A JP2014016358 A JP 2014016358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- image
- illumination
- semiconductor wafer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0008—Industrial image inspection checking presence/absence
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/74—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the scene brightness using illuminating means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8822—Dark field detection
- G01N2021/8825—Separate detection of dark field and bright field
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/063—Illuminating optical parts
- G01N2201/0636—Reflectors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10141—Special mode during image acquisition
- G06T2207/10152—Varying illumination
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20212—Image combination
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】この検査システムは、広帯域照明を供給するための照明設定を備える。広帯域照明は、異なるコントラスト、例えば明視野および暗視野広帯域照明であることができる。検査システムは、第1の画像収集装置および第2の画像収集装置を更に備え、半導体ウェーハが動く間、各々が半導体ウェーハの画像を収集するために広帯域照明を受け取るために構成される。システムは、広帯域照明の平行を可能にするための複数のチューブレンズを備える。システムはさらに、安定化メカニズムおよび対物レンズ組立体を備える。システムは、細線照明エミッタ、および半導体ウェーハの3次元画像をそれによって収集するために細線照明を受け取るための第3の画像収集装置を更に備える。システムは、第3の画像収集装置が、複数の方向に半導体ウェーハから反射される照明を受け取ることを可能にするための反射器組立体を備える。
【選択図】図1
Description
MICDは、複数の画像収集装置および複数の照明を用いる。MICDは、波長スペクトラムを狭帯域にセグメント化してかつ各セグメント化された波長スペクトラムを個々の照明に割り当てる原理に基づく。MICD法を使用するシステムの設計中に、各画像収集装置が、空間フィルタまたは特別にコーティングされたビーム分割器のような対応する光学付属品と共に、対応する照明(すなわち照明光源)と対にされる。例えば、明視野の波長は水銀アークランプおよび空間フィルタを用いて400から600ナノメートルの間に限定され、および、暗視野はレーザーを用いて650から700ナノメートルの間に限定される。MICD法は、欠点、例えば劣った画質および設計非柔軟性を経験する。劣った画質は、狭い波長による照明の使用と組み合わせられた、検査されたウェーハの変化する表面反射率に起因する。単一照明の波長の変更が典型的にウェーハ検査システムの光学設定全体の再構成を必要とするので、設計非柔軟性が生じる。加えて、MICD法は典型的に収集画像の品質を備えることなく単一の画像収集装置による異なる波長の照明の収集を可能にしない。
SICD法は、セグメント化された波長または広帯域波長のどちらかの、複数照明を収集するための単一画像収集装置を用いる。しかしながら、ウェーハが動く間、同時に複数照明レスポンスを得ることは、可能でない。換言すれば、ウェーハが動いている時、SICD法は1つの照明レスポンスを可能にするだけである。複数照明レスポンスを達成するために、SICD法は、ウェーハが静止である間、画像収集を必要とし、それはウェーハ検査システムのスループットに影響を及ぼす。
基準画像作成プロセス900のステップ902において、半導体ウェーハ12上の所定の数の基準領域を含むレシピが、ロードされる。レシピは、好ましくはコンピューターソフトウェアプログラムによって作り出されるかまたは導き出される。代わりとしてレシピは手動で作り出される。レシピは、CPUのデータベース内に記憶されることができる。代わりとしてレシピは外部データベースまたはメモリ空間内に記憶される。
ここで、μgは一組の数{A1、A2、...、An}の幾何平均である。
(a)まとめられた画像の各々の各画素の強度の正規化加算平均
(b)まとめられた画像の各々の各画素の強度の標準偏差
(c)まとめられた画像の各々の各画素の最大および最小強度
(d)ステップ702で決定される所定の数の基準領域の各々の加算平均基準強度
2Dウェーハ走査プロセス500は、第1の画像収集装置32および第2の画像収集装置34による明視野画像および暗視野画像の収集を可能にする。
2D画像処理プロセス600は、2Dウェーハ走査プロセス500で収集される画像の処理を容易にする。加えて、2D画像処理プロセス600はウェーハ12上の欠陥を識別するかまたは検出して、分類して、まとめてかつ記憶することのうち少なくとも1つを容易にする。
3Dウェーハ走査プロセスのステップ702では、細線照明が細線照明器52によって供給されるかまたはそれから放射される。ステップ704において、細線照明はミラー設定54によって検査位置に向けられる。
前述のように、検査プロセス800は好ましくは3つの検査モード、すなわち、第1のモード800a、第2のモード800bおよび第3のモード800cを含む。ステップ802では、検査モード(すなわち第1のモード800a、第2のモード800bおよび第3のモード800cの1つ)が選ばれる。
検査プロセス800の第1のモード800aのステップ804では、方法400のステップ416で実行される2D画像処理プロセス600中に検出される全ての欠陥の第1の画像および第2の画像が、まとめられて保存される。
検査プロセス800の第2のモード800bのステップ820では、複数の検査画像が、ステップ420で算出される、欠陥画像収集位置の各々で収集される。より詳しくは、検査明視野画像および検査暗視野画像が、図14内に示される検査画像収集装置60を用いてステップ420で算出される、欠陥画像収集位置の各々で収集される。すなわち、明視野照明器62を用いて検査明視野画像および暗視野照明器64を用いて検査暗視野画像が、ステップ416の2D画像処理プロセス600によって検出される、各欠陥の中で収集される。複数の検査画像の各々が、検査画像収集装置60によって収集される。好ましくは、複数の検査画像の各々は、カラーの画像である。
検査プロセス800の第3のモード800cは好ましくは、手入力、より詳しくはユーザによる入力またはコマンドによって初期化される。ステップ840において、ユーザが第1の欠陥画像収集位置で第1の検査明視野画像および第1の検査暗視野画像を収集する。ステップ842では、ユーザは収集された第1の検査明視野画像および第1の検査暗視野画像を手動で検査するかまたはチェックする。好ましくは、第1の検査明視野画像および第1の検査暗視野画像はユーザによってそれの目視検査を容易にするためにスクリーンまたはモニタ上に表示される。ユーザは、明視野および暗視野照明器を用いて異なる照明組合せで欠陥を観察することが可能である。
12 半導体ウェーハ
14 光検査ヘッド
16 ウェーハ搬送テーブルまたはウェーハチャック
18 ロボットウェーハハンドラ
20 ウェーハスタックモジュール
22 X−Y変位テーブル
24 振動絶縁装置
26 明視野照明器
28 低角度暗視野照明器
30 高角度暗視野照明器
32 第1の画像収集装置
34 第2の画像収集装置
36 第1のチューブレンズ
38 第2のチューブレンズ
40 対物レンズ
42 回転可能なマウント
44 コンデンサ
46 第1の反射表面
47 ミラーまたはプリズム
48 第1のビーム分割器
50 第2のビーム分割器
52 細線照明器
54 ミラー設定
56 3D形状カメラ
58 3D形状対物レンズ
60 チューブレンズ 検査画像収集装置 検査カメラ
62 検査画像収集装置 検査明視野照明器
64 検査暗視野照明器
66 第1の反射面
68 ビーム分割器
70 検査対物レンズ
72 検査チューブレンズ
80 反射器組立体
82 第1の対のミラーまたはプリズム
84 第2の対のミラーまたはプリズム
100 第1のレイパス
200 第2のレイパス 第3のレイパス
250 第3のレイパス
300 第4のレイパス
350 第5のレイパス
400 検査方法
500 2Dウェーハ走査プロセス
600 2D画像処理プロセス
700 3Dウェーハ走査プロセス
750 第2の3Dウェーハ走査プロセス
800 検査プロセス
900 基準画像作成プロセス
Claims (26)
- 検査中の物質の表面上の検査位置に入射照明光を供給するように構成された照明器と、
前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した分散照明光を収集するように構成された第1の反射器組立体を備える複数の光学素子であって、前記第1の反射器組立体が、前記検査中の物質の表面の複数のビューを提供するために、収集された分散照明光を複数の光学経路に沿って向けるように更に構成されている、複数の光学素子と、
前記検査中の物質の表面の前記複数のビューを提供する前記収集された分散照明光を単一露光として受け付けるように構成された画像収集装置と
を備える検査システム。 - 前記検査中の物質の表面の照明光入射は、第2の反射器組立体によってそこへ差し向けられ、前記第2の反射器組立体が少なくとも1の反射器を備える請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の反射器組立体が、ビーム分割器、ミラー、プリズム、及び反射表面の少なくとも1つを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の反射器組立体は、前記検査中の物質の表面から反射した分散照明光を収集し、収集された分散照明光を、第1の光学経路及び第2の光学経路に沿ってそれぞれ向けるように配置された第1の反射構造及び第2の反射構造を備える請求項1に記載のシステム。
- 前記複数の光学素子は、前記複数の光学経路に沿って向けられた照明光を平行にするように構成された少なくとも1の対物レンズを更に含む請求項1に記載のシステム。
- 前記複数の光学素子は、前記複数の光学経路に沿って向けられた、収集された分散照明光の焦点を前記画像収集装置上に合わせるように構成された少なくとも1のチューブレンズを更に含む請求項1に記載のシステム。
- 前記チューブレンズが、前記システムへの追加的な光学部品の導入を容易にする請求項6に記載のシステム。
- 前記照明器が、細線照明器を備える請求項1に記載のシステム。
- 前記細線照明器が、レーザーを備える請求項8に記載のシステム。
- 前記検査中の物質の表面の前記複数のビューは、 前記検査位置での前記検査中の物質の表面の3D形状を提供することであるか、又は前記検査位置での前記検査中の物質の表面の3D形状に対応することである請求項1に記載のシステム。
- 前記画像収集装置は、前記検査中の物質の表面の前記複数のビューの単一露光を画像信号に変換するように構成され、前記システムが前記画像信号を受け取って処理するように構成された処理装置を更に備える請求項1に記載のシステム。
- 前記画像信号を処理することが、前記検査中の物質の表面上で行われる3D検査工程を容易にする請求項11に記載のシステム。
- 前記画像収集装置は、前記検査中の物質が動く間の前記検査中の物質の表面の前記複数のビューを単一露光として収集するように構成されている請求項1に記載のシステム。
- 前記画像収集装置が、3D形状カメラを備える請求項1に記載のシステム。
- 照明器によって、検査中の物質の表面の検査位置に入射照明光を供給することと、
前記検査中の物質の表面の複数のビューを提供するために、前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した分散照明光を複数の光学経路に沿って伝達させることであって、前記伝達は複数の光学素子によって容易にされることと、
画像収集装置によって、前記検査中の物質の表面の前記複数のビューを単一露光として収集することと
を含む検査方法。 - 前記検査中の物質の表面の複数のビューを提供するために、前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した分散照明光を複数の光学経路に沿って伝達させることは、
前記複数の光学素子によって、前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した分散照明光を収集することと、
前記複数の光学素子により、前記検査中の物質の表面の前記複数のビューを提供するために、収集された分散照明光を前記複数の光学経路に沿って向けること
を含む請求項15に記載の検査方法。 - 前記複数の光学素子は、第1の反射器組立体を備え、前記第1の反射器組立体は、ビーム分割器、ミラー、プリズム、及び反射表面の少なくとも1つを備える請求項15に記載の検査方法。
- 前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した前記分散照明光を複数の光学経路に沿って伝達させることは、
前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した前記分散照明光を、第1の光学経路及び第2の光学経路に沿って伝達させることを含む請求項15に記載の検査方法。 - 前記複数の光学素子は、対物レンズを備え、
前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した前記分散照明光を、前記第1の光学経路及び前記第2の光学経路に沿って伝達させることは、前記対物レンズにより、前記第1の光学経路及び前記第2の光学経路に沿って反射した前記分散照明光を平行にさせることを含む請求項18に記載の検査方法。 - 前記複数の光学素子は、チューブレンズを備え、
前記検査中の物質の表面から複数の方向に反射した前記分散照明光を、前記第1の光学経路及び前記第2の光学経路に沿って伝達させることは、
前記チューブレンズにより、前記第1の光学経路及び前記第2の光学経路に沿って反射した前記分散照明光の焦点を合わせることを含む請求項18に記載の検査方法。 - 前記照明器によって、前記検査中の物質の表面の前記検査位置に入射照明光を供給することは、細線照明器によって、前記検査中の物質の表面上の前記検査位置に入射照明光を提供することを含む請求項15に記載の検査方法。
- 細線照明器によって、前記検査中の物質の表面の前記検査位置に入射照明光を供給することは、レーザーによって、前記検査中の物質の表面上の前記検査位置に入射照明光を提供することを含む請求項21に記載の検査方法。
- 画像収集装置によって、前記検査中の物質の表面の前記複数のビューを単一露光として収集することとは、前記画像収集装置によって前記検査中の物質の表面の3D形状を単一露光として収集することを含む請求項15に記載の検査方法。
- 前記画像収集装置により前記複数のビューの単一露光を画像信号に変換することを更に含む請求項15に記載の検査方法。
- 処理装置によって前記画像信号を受け取って処理することを更に含む請求項24に記載の検査方法。
- 前記検査中の物質が動く際に、前記画像装置により、前記検査中の物質の表面の前記複数のビューを単一露光として収集することが行われる請求項15に記載の検査方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SG200900229-6 | 2009-01-13 | ||
SG200900229-6A SG163442A1 (en) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | System and method for inspecting a wafer |
SG200901109-9 | 2009-02-16 | ||
SG200901109-9A SG164292A1 (en) | 2009-01-13 | 2009-02-16 | System and method for inspecting a wafer |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011545326A Division JP6103171B2 (ja) | 2009-01-13 | 2010-01-13 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016140885A Division JP2016183978A (ja) | 2009-01-13 | 2016-07-15 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014016358A true JP2014016358A (ja) | 2014-01-30 |
JP2014016358A5 JP2014016358A5 (ja) | 2015-11-26 |
Family
ID=42340239
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011545326A Active JP6103171B2 (ja) | 2009-01-13 | 2010-01-13 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
JP2013192270A Pending JP2014016358A (ja) | 2009-01-13 | 2013-09-17 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
JP2016140885A Pending JP2016183978A (ja) | 2009-01-13 | 2016-07-15 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
JP2018179667A Active JP6820891B2 (ja) | 2009-01-13 | 2018-09-26 | ウェーハの検査システム及び方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011545326A Active JP6103171B2 (ja) | 2009-01-13 | 2010-01-13 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016140885A Pending JP2016183978A (ja) | 2009-01-13 | 2016-07-15 | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 |
JP2018179667A Active JP6820891B2 (ja) | 2009-01-13 | 2018-09-26 | ウェーハの検査システム及び方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10161881B2 (ja) |
EP (4) | EP3173773A1 (ja) |
JP (4) | JP6103171B2 (ja) |
KR (2) | KR101656045B1 (ja) |
CN (2) | CN101783306B (ja) |
IL (3) | IL213915B (ja) |
MY (1) | MY169618A (ja) |
PH (1) | PH12013000288B1 (ja) |
SG (1) | SG164292A1 (ja) |
TW (2) | TWI575626B (ja) |
WO (1) | WO2010082901A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020175596A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 立体形状検出装置、立体形状検出方法、及び立体形状検出プログラム |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG177786A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-28 | Semiconductor Tech & Instr Inc | System and method for capturing illumination reflected in multiple directions |
CN103210482B (zh) * | 2010-08-09 | 2016-06-22 | Bt成像股份有限公司 | 持久性特征检测 |
CN102375111A (zh) * | 2010-08-18 | 2012-03-14 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 太阳能晶圆检测机台的间距调整***及具有该***的机台 |
JP2012073040A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Nidec Sankyo Corp | パーティクル検出用光学装置およびパーティクル検出装置 |
JP5648185B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2015-01-07 | Ncc株式会社 | パーティクル検出用光学装置およびパーティクル検出装置 |
CN102455168A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-16 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 光棒检测机台及其检测方法 |
US8768040B2 (en) * | 2011-01-14 | 2014-07-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Substrate identification and tracking through surface reflectance |
JP5782782B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-09-24 | 株式会社Sumco | 特定欠陥の検出方法、特定欠陥の検出システムおよびプログラム |
US20120316855A1 (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-13 | Kla-Tencor Corporation | Using Three-Dimensional Representations for Defect-Related Applications |
KR101642897B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2016-07-26 | 주식회사 고영테크놀러지 | 검사방법 |
KR101877468B1 (ko) | 2011-12-29 | 2018-07-12 | 삼성전자주식회사 | 광원 장치 및 광 생성 방법 |
CN104246999B (zh) * | 2012-03-29 | 2018-05-08 | 富士机械制造株式会社 | 晶片图数据核对***以及晶片图数据核对方法 |
CN102636120B (zh) * | 2012-05-10 | 2014-07-16 | 莆田学院 | Led芯片视觉伺服二次定位***及其定位方法 |
WO2014209226A1 (en) | 2013-06-07 | 2014-12-31 | Asti Holdings Limited | Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames |
CN104237239B (zh) * | 2013-06-09 | 2017-02-08 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 半导体元件的瑕疵检测方法 |
JP6118699B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-04-19 | 株式会社Ihi | 画像解析装置及びプログラム |
KR101507950B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2015-04-07 | (주)넥스틴 | 웨이퍼 영상 검사 장치 |
CN103871921A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-06-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于服务器的晶圆缺陷监测分析方法 |
TWI489098B (zh) * | 2014-03-11 | 2015-06-21 | Utechzone Co Ltd | Defect detection method and defect detection device |
US10712289B2 (en) * | 2014-07-29 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Corp. | Inspection for multiple process steps in a single inspection process |
US9766186B2 (en) * | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Array mode repeater detection |
JP6370177B2 (ja) | 2014-09-05 | 2018-08-08 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
CN104362082B (zh) * | 2014-11-10 | 2017-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 根据特殊电路结构脱落缺陷确定可疑工艺步骤的方法 |
JP6192880B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2017-09-06 | 三菱電機株式会社 | 検出装置および検出方法 |
JP6883939B2 (ja) * | 2015-09-14 | 2021-06-09 | 株式会社ミツトヨ | 光電式エンコーダ |
KR102112940B1 (ko) | 2015-09-18 | 2020-05-19 | 애플 인크. | 기준 방식들에서의 측정 시간 분포 |
CN108351310B (zh) * | 2015-10-28 | 2021-05-18 | 日本碍子株式会社 | 蜂窝结构体的端面检查方法以及端面检查装置 |
WO2017107075A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | SZ DJI Technology Co., Ltd. | System, method, and mobile platform for supporting bracketing imaging |
CN108463928B (zh) * | 2016-01-30 | 2020-07-14 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | ***隔离和光学隔间密封 |
US10204416B2 (en) * | 2016-02-04 | 2019-02-12 | Kla-Tencor Corporation | Automatic deskew using design files or inspection images |
CN105910990B (zh) * | 2016-04-12 | 2018-10-16 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 图形测试方法 |
CN105928949B (zh) * | 2016-04-18 | 2019-05-10 | 中国科学院自动化研究所 | 光学元件表面颗粒物在线监测装置及其在线监测的方法 |
WO2017184423A1 (en) | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Bribbla Dynamics Llc | Multiplexing and encoding for reference switching |
DE102016107900B4 (de) * | 2016-04-28 | 2020-10-08 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Kantenermittlung eines Messobjekts in der optischen Messtechnik |
JP6744155B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-08-19 | 日本電産サンキョー株式会社 | 搬送システム |
KR102592917B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2023-10-23 | 삼성전자주식회사 | 표면 검사 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
US11047806B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures |
CN110998463B (zh) * | 2017-01-18 | 2023-08-25 | Asml荷兰有限公司 | 用于缺陷检查的知识推荐的服务器和方法 |
US10504761B2 (en) * | 2017-02-08 | 2019-12-10 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte. Ltd. | Method system for generating 3D composite images of objects and determining object properties based thereon |
JP6380582B1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-08-29 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
FR3065560B1 (fr) * | 2017-04-25 | 2019-04-19 | Continental Automotive France | Procede de traitement d'images pour la suppression de zones lumineuses |
CN108878307B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-12-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶片检测***和晶片检测方法 |
US11578967B2 (en) | 2017-06-08 | 2023-02-14 | Onto Innovation Inc. | Wafer inspection system including a laser triangulation sensor |
WO2018229709A1 (en) * | 2017-06-14 | 2018-12-20 | Camtek Ltd. | Automatic defect classification |
US20180374022A1 (en) * | 2017-06-26 | 2018-12-27 | Midea Group Co., Ltd. | Methods and systems for improved quality inspection |
KR102368435B1 (ko) | 2017-07-28 | 2022-03-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 검사 장치, 기판 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
CN109387518B (zh) * | 2017-08-02 | 2022-06-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 自动光学检测方法 |
TWI641806B (zh) * | 2017-11-29 | 2018-11-21 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構的檢測方法、與檢測設備及其對焦式擷取器 |
CN107945180A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-04-20 | 浙江大学台州研究院 | 源于抛光的石英晶片表面浅划痕的视觉检测方法 |
KR20210046043A (ko) * | 2018-08-24 | 2021-04-27 | 트리나미엑스 게엠베하 | 적어도 하나의 물체의 위치를 결정하기 위한 검출기 |
WO2020081418A1 (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | Northwestern University | Methods and systems for high-throughput multi-modal optical characterization of samples |
US10460473B1 (en) * | 2018-12-14 | 2019-10-29 | Zoox, Inc. | Camera calibration system |
CN109816654B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-12-17 | 哈尔滨工业大学 | 一种太阳能电池暗场锁相热成像分层微缺陷精准表征***与方法 |
TWI683172B (zh) * | 2019-02-18 | 2020-01-21 | 銓發科技股份有限公司 | 汽車內裝攝影系統 |
CN109894377B (zh) * | 2019-04-01 | 2023-05-23 | 山东九思新材料科技有限责任公司 | 一种皮带输送装置及硅料自动分拣*** |
CN110441310A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 电子元器件外壳外观缺陷测量装置和测量方法 |
CN110596114B (zh) * | 2019-07-24 | 2024-02-13 | 无锡奥特维科技股份有限公司 | 一种检测装置和硅片分选设备 |
US11880193B2 (en) * | 2019-07-26 | 2024-01-23 | Kla Corporation | System and method for rendering SEM images and predicting defect imaging conditions of substrates using 3D design |
JP7286464B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
US11688623B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer inspection apparatuses |
CN110739246A (zh) * | 2019-09-03 | 2020-01-31 | 福建晶安光电有限公司 | 一种晶片翘曲度的测量方法 |
US20220292665A1 (en) * | 2019-10-02 | 2022-09-15 | Konica Minolta, Inc. | Workpiece surface defect detection device and detection method, workpiece surface inspection system, and program |
CN110824917B (zh) * | 2019-10-29 | 2022-05-13 | 西北工业大学 | 基于注意力机制强化学习的半导体晶片测试路径规划方法 |
CN110749606A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-02-04 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于光学元件的激光损伤检测方法及*** |
CN111462113B (zh) * | 2020-04-24 | 2021-12-28 | 上海精测半导体技术有限公司 | 无图形晶圆的复检方法 |
TWI731671B (zh) * | 2020-05-07 | 2021-06-21 | 美商矽成積體電路股份有限公司 | 異常晶片檢測方法與異常晶片檢測系統 |
CN111562262B (zh) * | 2020-05-27 | 2020-10-13 | 江苏金恒信息科技股份有限公司 | 一种合金分析***及其复检方法 |
US11600504B2 (en) * | 2020-06-29 | 2023-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Detecting damaged semiconductor wafers utilizing a semiconductor wafer sorter tool of an automated materials handling system |
CN114279319B (zh) * | 2020-09-28 | 2024-04-12 | 深圳富联富桂精密工业有限公司 | 检测元件安装缺陷的设备及其方法 |
TWI776339B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-09-01 | 致茂電子股份有限公司 | 半導體製程中的光學檢測設備 |
EP4050560B1 (en) * | 2021-01-08 | 2023-07-12 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Wafer testing method and apparatus, and device and storage medium |
CN113031669B (zh) * | 2021-02-10 | 2022-04-22 | 国机集团科学技术研究院有限公司 | 一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法 |
CN113176278B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-07-22 | 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 | 一种面板缺陷检测设备及面板缺陷检测方法 |
CN113066736B (zh) * | 2021-03-25 | 2022-10-28 | 广东工业大学 | 一种高精度、大幅面和高通量六维度晶圆检测*** |
CN113884502A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-01-04 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | 基于线阵相机的载板检测及激光标记***和方法 |
CN115201212A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-10-18 | 江苏华彬新材料有限公司 | 一种基于机器视觉的塑料制品缺陷检测装置 |
CN115266758B (zh) * | 2022-09-27 | 2022-12-23 | 苏州高视半导体技术有限公司 | 晶圆检测***、晶圆检测方法、电子设备及存储介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4925223B1 (ja) * | 1969-02-08 | 1974-06-28 | ||
JPS62299706A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査装置 |
JPH05322526A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-07 | Koyo Seiko Co Ltd | 3次元形状測定装置 |
JPH07248212A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Fuji Electric Co Ltd | 三次元形状計測装置 |
JPH0989534A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 3次元形状測定装置 |
JP2000337823A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面検査装置及び表面検査方法 |
WO2006054775A1 (ja) * | 2004-11-22 | 2006-05-26 | Bridgestone Corporation | 外観検査装置 |
JP2008268387A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Nidec Tosok Corp | 共焦点顕微鏡 |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58204344A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
US4806774A (en) * | 1987-06-08 | 1989-02-21 | Insystems, Inc. | Inspection system for array of microcircuit dies having redundant circuit patterns |
JP2536127B2 (ja) * | 1989-02-17 | 1996-09-18 | オムロン株式会社 | 基板検査装置 |
JPH02170279A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 被検査対象パターンの欠陥検出方法及びその装置 |
US5087822A (en) * | 1990-06-22 | 1992-02-11 | Alcan International Limited | Illumination system with incident beams from near and far dark field for high speed surface inspection of rolled aluminum sheet |
US5193120A (en) * | 1991-02-27 | 1993-03-09 | Mechanical Technology Incorporated | Machine vision three dimensional profiling system |
JP2969011B2 (ja) * | 1991-05-23 | 1999-11-02 | 日立電子株式会社 | はんだ付け状態の外観検査装置 |
JPH07159339A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nireco Corp | 印刷物の欠点画像検出装置 |
JP3069764B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2000-07-24 | 日本軽金属株式会社 | 画像処理方法および画像処理装置 |
JP3143038B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2001-03-07 | 株式会社日立製作所 | 自動焦点合わせ方法及び装置並びに三次元形状検出方法及びその装置 |
WO1996039619A1 (en) | 1995-06-06 | 1996-12-12 | Kla Instruments Corporation | Optical inspection of a specimen using multi-channel responses from the specimen |
US5917588A (en) * | 1996-11-04 | 1999-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination |
US6324298B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-11-27 | August Technology Corp. | Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection |
JP2000249529A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Sony Corp | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US6407373B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
EP1076237A3 (en) * | 1999-08-10 | 2002-01-02 | FUJI MACHINE Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for obtaining three-dimensional data |
JP4414533B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2010-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
US7136159B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Excimer laser inspection system |
US6950196B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-09-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a thickness of a structure on a specimen and at least one additional property of the specimen |
JP2002107126A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板検査装置及び方法 |
US7009704B1 (en) * | 2000-10-26 | 2006-03-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay error detection |
JP3904419B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 検査装置および検査システム |
US6796697B1 (en) * | 2001-10-04 | 2004-09-28 | Kla-Tencor, Inc. | Illumination delivery system |
JP2003149169A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハ欠陥検査装置 |
US6809808B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner |
US6621060B1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-09-16 | Photonics Research Ontario | Autofocus feedback positioning system for laser processing |
DE10239548A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Objekts |
US20040207836A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
DE10257423A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Europäisches Laboratorium für Molekularbiologie (EMBL) | Mikroskop |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
US6952653B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-10-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Single tool defect classification solution |
DE10343148A1 (de) * | 2003-09-18 | 2005-04-21 | Leica Microsystems | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Wafers |
US7110106B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-09-19 | Coretech Optical, Inc. | Surface inspection system |
US7433031B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-10-07 | Core Tech Optical, Inc. | Defect review system with 2D scanning and a ring detector |
DE102004004761A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Wafers |
JP2005250151A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Olympus Corp | 顕微鏡装置、その調光方法、及びその調光プログラム |
JP2005337851A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
WO2005119227A1 (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | 半導体外観検査装置及び照明方法 |
US7791727B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2006162500A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
US7400415B2 (en) * | 2005-03-15 | 2008-07-15 | Mitutoyo Corporation | Operator interface apparatus and method for displacement transducer with selectable detector area |
US7554656B2 (en) * | 2005-10-06 | 2009-06-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer |
JP2009511908A (ja) * | 2005-10-12 | 2009-03-19 | デルタ デザイン インコーポレーティッド | ピンベースマスクおよび低角度照明を備えたカメラベースのピングリッドアレイ(pga)検査システム |
JP2007108037A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Omron Corp | 位置測定方法、距離測定方法及び位置測定装置 |
US7747062B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process |
JP2007149837A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 画像欠陥検査装置、画像欠陥検査システム及び画像欠陥検査方法 |
JP4908925B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
JP4988224B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
US7567344B2 (en) * | 2006-05-12 | 2009-07-28 | Corning Incorporated | Apparatus and method for characterizing defects in a transparent substrate |
US7659973B2 (en) * | 2006-05-26 | 2010-02-09 | Applied Materials Southeast Asia, Pte Ltd. | Wafer inspection using short-pulsed continuous broadband illumination |
US7659988B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization and device manufacturing method |
DE102006059190B4 (de) * | 2006-12-15 | 2009-09-10 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur Wafer-Inspektion |
US8073240B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-06 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer |
US8611639B2 (en) * | 2007-07-30 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Technologies Corp | Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods |
US7782452B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and method for simultaneously inspecting a specimen with two distinct channels |
US8094924B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-01-10 | Hermes-Microvision, Inc. | E-beam defect review system |
-
2009
- 2009-02-16 SG SG200901109-9A patent/SG164292A1/en unknown
-
2010
- 2010-01-13 WO PCT/SG2010/000005 patent/WO2010082901A2/en active Application Filing
- 2010-01-13 CN CN201010004722.6A patent/CN101783306B/zh active Active
- 2010-01-13 EP EP16207592.3A patent/EP3173773A1/en not_active Withdrawn
- 2010-01-13 US US12/657,068 patent/US10161881B2/en active Active
- 2010-01-13 CN CN201310283291.5A patent/CN103630549B/zh active Active
- 2010-01-13 EP EP10731445.2A patent/EP2387795A4/en active Pending
- 2010-01-13 TW TW102106188A patent/TWI575626B/zh active
- 2010-01-13 JP JP2011545326A patent/JP6103171B2/ja active Active
- 2010-01-13 EP EP14197439.4A patent/EP2848923A1/en not_active Withdrawn
- 2010-01-13 MY MYPI2010000166A patent/MY169618A/en unknown
- 2010-01-13 TW TW099100874A patent/TWI575625B/zh active
- 2010-01-13 KR KR1020100003272A patent/KR101656045B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-13 EP EP18189616.8A patent/EP3431968B1/en active Active
-
2011
- 2011-07-04 IL IL213915A patent/IL213915B/en active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-22 KR KR1020130019364A patent/KR101612535B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-24 IL IL225929A patent/IL225929A0/en unknown
- 2013-09-17 JP JP2013192270A patent/JP2014016358A/ja active Pending
- 2013-09-25 PH PH12013000288A patent/PH12013000288B1/en unknown
- 2013-09-25 US US13/998,046 patent/US20150233840A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-07-15 JP JP2016140885A patent/JP2016183978A/ja active Pending
-
2018
- 2018-05-23 IL IL259567A patent/IL259567B/en active IP Right Grant
- 2018-08-31 US US16/119,340 patent/US10876975B2/en active Active
- 2018-09-26 JP JP2018179667A patent/JP6820891B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4925223B1 (ja) * | 1969-02-08 | 1974-06-28 | ||
JPS62299706A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査装置 |
JPH05322526A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-07 | Koyo Seiko Co Ltd | 3次元形状測定装置 |
JPH07248212A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Fuji Electric Co Ltd | 三次元形状計測装置 |
JPH0989534A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 3次元形状測定装置 |
JP2000337823A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面検査装置及び表面検査方法 |
WO2006054775A1 (ja) * | 2004-11-22 | 2006-05-26 | Bridgestone Corporation | 外観検査装置 |
JP2008268387A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Nidec Tosok Corp | 共焦点顕微鏡 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020175596A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 立体形状検出装置、立体形状検出方法、及び立体形状検出プログラム |
JP2020139798A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノンマシナリー株式会社 | 立体形状検出装置、立体形状検出方法、及び立体形状検出プログラム |
US11930262B2 (en) | 2019-02-27 | 2024-03-12 | Canon Machinery Inc. | Three-dimensional shape detection device, three-dimensional shape detection method, and three-dimensional shape detection program |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6820891B2 (ja) | ウェーハの検査システム及び方法 | |
JP5934874B2 (ja) | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 | |
JP5672240B2 (ja) | ウェーハを検査するためのシステム及び方法 | |
JP5866704B2 (ja) | 複数の方向において反射された照明を捕らえるためのシステムおよび方法 | |
SG185301A1 (en) | System and method for inspecting a wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140902 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150512 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150810 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20151013 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160315 |