JP2013542602A - ウェハを処理するためのデバイスおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1’ デバイス
2 前処理チャンバ
2’ 前処理チャンバ
3 主要処理チャンバ
3’ 主要処理チャンバ
4 後処理チャンバ
4’ 後処理チャンバ
5 第1ロックドア
6 第1主要ロックドア
7 第2主要ロックドア
8 第2ロックドア
9 前処理モジュール
10 主要処理モジュール
11 後処理モジュール
12 前処理スペース
13 主要処理スペース
14 後処理スペース
15 ウェハ
16 第1ロボットアーム
17 第2ロボットアーム
18 第1面サイド
19 第2面サイド
Claims (9)
- 特にウェハ(15)またはウェハ対といったような基板または基板対を処理するためのデバイスであって、
−前処理チャンバ(2)と第1ロックドア(5)とを備えた少なくとも1つの前処理モジュール(9)であるとともに、前記前処理チャンバ(2)が、真空引きされ得るとともに前処理スペース(12)を囲んでいるような、少なくとも1つの前処理モジュール(9)と、
−主要処理チャンバ(3)を備えた少なくとも1つの主要処理モジュール(10)であるとともに、前記主要処理チャンバ(3)が、前記前処理チャンバ(2)とは個別的に真空引きされ得るとともに主要処理スペース(13)を囲んでいるような、少なくとも1つの主要処理モジュール(10)と、
−前記前処理チャンバ(2)と前記主要処理チャンバ(3)とを気密的に連結する第1主要ロックドア(6)であるとともに、前記前処理モジュール(9)が、前記主要処理チャンバ(3)内へと基板を搬入するためのロックとしてスイッチング可能なものとされているような、第1主要ロックドア(6)と、
−後処理チャンバ(4)と第2ロックドア(8)とを備えた少なくとも1つの後処理モジュール(11)であるとともに、前記主要処理チャンバ(3)とは個別的に真空引きされ得るとともに後処理スペース(14)を囲んでいるような、少なくとも1つの後処理モジュール(11)と、
−前記主要処理チャンバ(3)と前記後処理チャンバ(4)とを気密的に連結する第2主要ドアロック(7)であるとともに、前記後処理モジュール(11)が、前記主要処理チャンバ(3)から基板を搬出するためのロックとしてスイッチング可能なものとされているような、第2主要ドアロック(7)と、
を具備していることを特徴とするデバイス。 - 請求項1記載のデバイスにおいて、
前記主要処理チャンバ(3)が、基板を搬入および搬出する際に、ロックとしてスイッチング可能なものとされていることを特徴とするデバイス。 - 請求項1または2記載のデバイスにおいて、
前記前処理チャンバ(2)および/または前記主要処理チャンバ(3)および/または前記後処理チャンバ(4)が、温度調節装置を使用して、互いに個別的に加熱および/または冷却し得るものとされていることを特徴とするデバイス。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、
追加的な前処理モジュールが、ロックとして、前記前処理モジュール(9)の上流側に連結されている、および/または、追加的な後処理モジュールが、ロックとして、前記後処理モジュール(11)の下流側に連結されている、ことを特徴とするデバイス。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、
前記ロックが、圧力ロックとしておよび/または温度ロックとして形成されていることを特徴とするデバイス。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、
前記主要処理チャンバ(3)および/または前記前処理チャンバ(2)および/または前記後処理チャンバ(4)の内外にわたって基板を搬出入するための、とりわけ少なくとも1つのロボットアーム(16,17)といったような搬出入装置が設けられていることを特徴とするデバイス。 - 請求項1〜の6いずれか1項に記載のデバイスにおいて、
前記主要処理チャンバ(3)への前記前処理チャンバ(2)からの搬入と、前記主要処理チャンバ(3)から前記後処理チャンバ(4)への搬出と、を同時に行うことができ、
前記前処理チャンバ(2)への前記第1ロックドア(5)を通しての搬入と、前記後処理チャンバ(4)からの前記第2ロックドア(8)を通しての搬出と、を同時に行うことができることを特徴とするデバイス。 - 特にウェハまたはウェハ対といったような基板または基板対を処理するための方法であって、
−基板または基板対を、第1ロックドア(5)を通して前処理チャンバ(2)内へと搬入し、
−圧力および/または温度を調節することによって、前記基板を、前記前処理チャンバ(2)内において前処理し、
−前記基板を、前記前処理チャンバ(2)から、第1主要ロックドア(6)を通して、真空引きし得る主要処理チャンバ(3)内へと搬入し、
−圧力および/または温度を調節することによって、前記基板を、前記主要処理チャンバ(3)内において主要処理し、
−前記基板を、前記主要処理チャンバ(3)から、第2主要ロックドア(7)を通して、後処理チャンバ(4)内へと搬出し、
−前記基板を、前記後処理チャンバ(4)内において後処理し、
−前記基板を、前記後処理チャンバ(4)から、第2ロックドア(8)を通して搬出する、
ことを特徴とする方法。 - 請求項8記載の方法において、
前記第1主要ロックドア(6)の開放前に、前記前処理チャンバ(2)を、大気圧すなわち前記チャンバ(2,3,4)の外部の雰囲気圧力pATM よりも小さな圧力pV へと下げ、および/または、不活性ガスによって充填して汚染を防止し、
前記第2主要ロックドア(7)の開放前に、前記後処理チャンバ(4)を、大気圧すなわち前記チャンバ(2,3,4)の外部の雰囲気圧力pATM よりも小さな圧力pN へと下げる、および/または、不活性ガスによって充填して汚染を防止する、ことを特徴とする方法。
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