JP4722416B2 - 半導体製造装置及び基板搬送方法並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 131
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 17
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 213
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 101150055094 PMC1 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100038208 RNA exonuclease 4 Human genes 0.000 description 2
- 101150073729 Rexo4 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100290680 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) med1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100400958 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) med14 gene Proteins 0.000 description 2
- 101000667987 Xenopus tropicalis Homeobox protein vent1 Proteins 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100026852 Anaphase-promoting complex subunit CDC26 Human genes 0.000 description 1
- 101000581507 Homo sapiens Methyl-CpG-binding domain protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 101001134861 Homo sapiens Pericentriolar material 1 protein Proteins 0.000 description 1
- 102100027383 Methyl-CpG-binding domain protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150033318 pcm2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
クラスタ型半導体製造装置は、真空側と大気側とに分れる。真空側には、中央の真空搬送室TMと、その外周に星型に配置された複数のチャンバ(バキュームロックチャンバ(ロードロックチャンバ)VL1,VL2、冷却チャンバCS1,CS2、プロセスチャンバPM1〜PM4)とが設けられる。真空搬送室TMには1台の真空ロボットVRが設けられ、各チャンバ間でウェハWの搬送を行なうことが可能になっている。大気側には、チャンバVL1,VL2に接続された大気搬送室(大気ローダ)LMと、この大気ローダLMに接続された複数台のロードポートLP1〜LP3とが設けられる。大気ローダLMには1台の大気ロボットARが設けられ、チャンバVL1,VL2とロードポートLP1〜LP3との間でウェハWの搬送を行うことが可能になっている。
そして、ロードポートLP1〜LP3のいずれかから、未処理のウェハWを大気ロボットARによりバキュームロックチャンバVL1又はVL2のいずれかに搬入して、上述した処理を繰り返す。
払出し後、ロードポートLP1又はLP2から、未処理のウェハWを大気ロボットARによりバキュームロックチャンバVL1又はVL2に搬入して、上述した処理を繰り返す。
複数のプロセスチャンバで同一プロセス処理を行なう場合、プロセス終了後ウェハを直ちに搬出するために、一定タクト時間で搬送タイミングが重ならないようにスケジュール通りに運用しなければならない。
この点で、従来のクラスタ型半導体製造装置では、真空搬送室内に設けられる真空ロボットが複数のプロセスチャンバに対して1台しかないため、プロセス完了直後、真空ロボットが他のプロセスチャンバや、バキュームロックチャンバへの搬送を行っていた場合や、搬送予約がされていた場合、ウェハをプロセスチャンバから搬出することができず、ウェハがチャンバ内に滞留することがある。ウェハがプロセスチャンバ内に滞留すると、CVDなどの成膜を行うプロセスの場合、残留ガスや温度の影響でウェハの膜質、膜厚に悪影響を及ぼすことがある。
しかし、プロセス搬送タイミングが互いに重ならないように処理プログラムを組むにはプログラムが煩雑となる。また、タクト時間が長くなるため、スループットが低下する。また、プロセス遅延により運用スケジュールが破綻する場合がある。例えば、プロセス終了時刻が設定温度待ちなどにより遅延した場合、タクト時間が守れなくなり、スケジュール運用が破綻する。スケジュール運用が破綻すると、運用を中止せざるを得ない状態となる。
従来のインライン型半導体製造装置は、各プロセスチャンバが真空ロボットを占有しているので、クラスタ型のようにプログラムの煩雑化、スループットの低下、運用スケジュールの破綻というような問題がない点で優れている。
しかし、大気搬送室では、大気ロボットを共有しているため、双方のライン(プロセスモジュールとバキュームロックチャンバからなる基板処理モジュール)を並行して使用する運用の場合、各処理時間の違いによっては大気ロボットが競合してしまい、片方のラインの処理が待たされることになる。これによりプロセス処理時間が短い運用の場合は、ラインの処理待ちが搬送律速となり、高スループット化が図れないという問題があった。
位置補正をしてから、基板処理モジュールに対して未処理基板を待機させるようしたので、スループットをより向上することができる。
処理済みの基板の前記前室への搬送を検知する手段は、第2の基板搬送装置に載置される基板の有無で検知するようにしても、又は前室に設けられた基板保持部に保持される基板の有無で検知するようにしてもよい。
大気ローダLMとバキュームロックチャンバVL1とはロードドアG3(ゲートバルブ)で接続されている。大気ローダLMとバキュームロックチャンバVL2とはロードドアG4(ゲートバルブ)で接続されている。大気ローダLMには、1台の大気ロボットARが設けられ、チャンバVL1,VL2とロードポートLP1,LP2との間でウェハWを搬送することが可能になっている。また、大気ローダLMには、基板位置補正装置としてのアライナユニットAUが設けられ、搬送時のウェハWのずれを補正やウェハWのノッチを一定方向に合せるノッチ合わせ(以下、アライメントという)を行なうことが可能になっている。
また、ロードポートLP1,LP2は、複数枚のウェハWが保持可能なキャリアCR1,CR2を、半導体製造装置外部と受渡し可能に構成されている。
ここで、制御用コントローラは図1の制御手段CNTに相当する。またプロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2は、図9のコントローラ121に相当する。
振分け運用は、同一プロセス(同一膜種)を行う場合に採用される。図3は振分け運用制御方式を示した説明図である。振分け運用では、同一条件でのプロセス(成膜など)を目的としており、ウェハ搬送ルートL1,L2で示すように、キャリアCR1内のウェハWはどちらのプロセスチャンバPM1,PM2で処理されても良い。
2つの基板処理モジュールMD1(PM1+VL1),MD2(PM2+VL2)を交互に使用する固定運用とした場合、2つのライン(MD1,MD2)の一方で温度設定値待ちなどプロセス条件が整うまで待つことにより遅延が発生すると、効率良くウェハ搬送できない。この場合、どちらか一方のバキュームロックチャンバVL1又はVL2のクーリングステージCS1又はCS2上に処理済みウェハが載った時点で、該当基板処理モジュールMD1又はMD2が空くと判断して、空きラインにウェハを搬送することで、大気ロボットAR及びラインを効率良く使用することができる。
並列運用は、異なるプロセス(不同膜種)を行う場合に採用される。図4は並列運用制御方式を示した説明図である。並列運用では、異なるプロセス条件で処理した場合、一方のロードポートLP1又はLP2内の1キャリアCR1又はCR2のウェハWは、すべて指定のプロセスチャンバPM1又はPM2に搬送され処理される。同時に他方のLP1又はLP2、PM1又はPM2も並行して処理可能である。ウェハ搬送ルートを矢印L1,L2で示す。
上述した振り分け運用にせよ、並列運用にせよ、ウェハを処理していくためには、未処理ウェハと処理済みウェハとを交換していく必要がある。そのウェハ交換手順を図5に示す。
まず、プロセスチャンバPM1,PM2からクーリングステージCS1,CS2に処理済みウェハW2を搬送した時点で、次の未処理ウェハW1がある場合、ロードポートLP1,LP2のキャリアCR1,CR2からアライナユニットAUへ未処理ウェハW1の搬送を開始する(e1)。次に、バキュームロックチャンバVL1,VL2のベント(大気圧状態にする)と、クーリングステージCS1,CS2でのウェハ冷却が完了した時点で、該当バキュームロックチャンバVL1,VL2のバッファステージLS1,LS2へアライナの終了した未処理ウェハW1を搬入する(e2)。最後に、クーリングステージCS1,CS2のウェハを取り出し、該当ロードポートLP1,LP2の該当キャリアCR1,CR2のスロットへ戻す(e3)。
(6)真空ロボットVR1によりバキュームロックチャンバVL1の上段のバッファステージLS1からプロセスチャンバPM1に未処理ウェハ#3を搬入する(d)。ゲートバルブG1を閉める。プロセスチャンバPM1で未処理ウェハ#3の成膜処理を開始する(#3:プロセス)。
(9)真空ロボットVR2によりバキュームロックチャンバVL2の上段のバッファステージLS2からプロセスチャンバPM2に未処理ウェハ#4を搬入する(f)。ゲートバルブG2を閉める。プロセスチャンバPM2で未処理ウェハ#4の成膜処理を開始する(#4:プロセス)。
(10)その後、大気ロボットARによりバキュームロックチャンバVL1のクーリングステージCS1上の冷却済みのウェハ#1を取り出し、ロードポートLP1へ搬出する(M1(#1払出し))。ロードドアG3を閉めてバキュームロックチャンバVL1を真空排気(Evac5)する。
また、センサS1により、処理済みのウェハ#2がバキュームロックチャンバVL2に搬送されたことを検知すると、ロードドアG4を開ける前に、不活性ガスN2を導入し、バキュームロックチャンバVL2内をVent4する。Vent4が完了したと同時に未処理ウェハ#6をバキュームロックチャンバVL2に入れる(矢印m6)。搬入した未処理ウェハ#6は上段のバッファステージLS2に載置する。この段階で、バキュームロックチャンバVL2の上段のバッファステージLS1に未処理ウェハ#6が、下段のクーリングステージCS1に処理済みウェハ#2が載置されている。
(13)プロセスチャンバPM1でのウェハ#3の成膜処理が終了したら、直ちにゲートバルブG1を開け、真空ロボットVR1によりプロセスチャンバPM1からバキュームロックチャンバVL1に処理済みウェハ#3を搬出する(g)。搬出した処理済みウェハ#3は、バキュームロックチャンバVL1の下段のクーリングステージCS1に載置して冷却する。このクーリングステージCS1への載置により、センサS1は、処理済みのウェハ#3がバキュームロックチャンバVL1に搬送されたことを検知する。
(17)その後、クーリングステージCS2上の冷却済みのウェハ#3を大気ロボットARのアームでロードポートLP1へ搬出する(M3(#3払出し))。
(19)真空ロボットVR2によりバキュームロックチャンバVL2の上段のバッファステージLS2からプロセスチャンバPM2に未処理ウェハ#6を搬入する(j)。ゲートバルブG2を閉める。プロセスチャンバPM2で未処理ウェハ#6の成膜処理を開始する(#6:プロセス)。
また、センサS1により、処理済みのウェハ#4がバキュームロックチャンバVL1に搬送されたことを検知すると、ロードドアG4を開ける前に、不活性ガスN2を導入し、バキュームロックチャンバVL2内をVent6する。Vent6が完了したと同時に未処理ウェハ#8をバキュームロックチャンバVL2に入れる(矢印m8)。搬入した未処理ウェハ#8は上段のバッファステージLS2に載置する。この段階で、バキュームロックチャンバVL2の上段のバッファステージLS1に未処理ウェハ#8が、下段のクーリングステージCS1に処理済みウェハ#4が載置されている。
(21)この間に、ロードドアG3を閉めてバキュームロックチャンバVL1を真空排気(Evac7)する。
(22)その後、クーリングステージCS2上の冷却済みのウェハ#4を大気ロボットARのアームでロードポートLP1へ搬出する(M4(#4払出し))。また、ロードドアG4を閉めてバキュームロックチャンバVL2を真空排気(Evac8)する。
また、本発明は、振分け運用に限定されず、並列運用制御方式においても先行動作制御の適用が可能である。すなわち、装置構成例のようなインライン型の装置において、振分け、並列運用制御方式と先行動作制御を実施することで、チャンバ内のウェハ滞留を防止し、高スループットの性能を確保できる。
MD1,MD2 基板処理モジュール
VL1,VL2 バキュームロックチャンバ(前室)
PM1,PM2 プロセスチャンバ(基板処理室)
LP1,LP2 ロードポート(基板収納部)
AR 大気ロボット(第1の基板搬送装置)
VR 真空ロボット(第2の基板搬送装置)
CNT 制御手段
Claims (7)
- 大気搬送室と、
前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、
前記大気搬送室の他側に接続され複数枚の基板を保持する基板収納部と、
前記大気搬送室に備えられ前記大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う1台の第1の基板搬送装置と、
前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前記前室と前記基板処理室との間で基板を搬送する第2の基板搬送装置と、
前記第1の基板搬送装置、第2の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置であって、
前記制御手段は、
前記複数の基板処理モジュールのうち、基板処理室で基板の処理が済んだ基板処理モジュールの中で、該基板処理室から前記前室に処理済みの基板を直ちに搬送させ、
前記処理済みの基板が搬送されたことが検知されると前記処理済みの基板が搬送された前記前室を真空圧から大気圧に復帰させるよう制御するとともに、
並行して前記基板収納部から前記大気搬送室へ次の未処理基板を搬送させ、前記処理済の基板が搬送された前記前室の圧力が真空圧から大気圧に復帰するまでに前記次の未処理基板を前記大気搬送室で待機させるように前記第1の基板搬送装置を制御する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記大気搬送室には基板位置補正装置が設けられており、
前記制御手段は、
前記基板収納部から前記大気搬送室へ前記次の未処理基板を搬送させた後、前記基板位置補正装置により前記次の未処理基板の位置を補正してから、前記前室の圧力が真空圧から大気圧に復帰するまで前記次の未処理基板を前記大気搬送室で待機させるよう前記第1の基板搬送装置を制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記制御手段は、
前記処理済みの基板が前記前室に搬送されたことを検知すると、
前記処理済みの基板が搬送された前記前室を真空圧から大気圧に復帰させるよう前記前室の圧力を制御するとともに、
並行して前記基板収納部から前記大気搬送室へ次の未処理基板を搬送させ、前記前室の圧力が真空圧から大気圧に復帰するまで前記次の未処理基板を前記大気搬送室で待機させるよう前記第1の基板搬送装置を制御する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体製造装置。 - 前記処理済みの基板が前記前室に搬送されたことを検知する手段は、
前記第2の基板搬送装置の基板載置部に前記処理済み基板が載置され、かつ前記第2の基板搬送装置の基板載置部が前記前室内にあることを検知するセンサを備える
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体製造装置。 - 前記処理済みの基板が前記前室に搬送されたことを検知する手段は、
前記前室に設けられた基板保持部に前記処理済み基板が載置されたことを検知するセンサを備える
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体製造装置。 - 大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う1台の第1の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第2の基板搬送装置と、前記第1の基板搬送装置、第2の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置により実施される基板搬送方法であって、
複数の基板処理モジュールのうち、基板処理室で基板の処理が済んだ基板処理モジュールの中で、該基板処理室から前記前室に処理済みの基板を直ちに搬送するように、前記制御手段が前記第2の基板搬送装置を制御する工程と、
前記処理済みの基板が搬送されたことが検知されると前記処理済みの基板が搬送された前記前室を真空圧から大気圧に復帰させるように、前記制御手段が前記前室の圧力を制御する工程と、
並行して前記基板収納部から前記大気搬送室へ次の未処理基板を搬送させ、前記処理済の基板が搬送された前記前室の圧力が真空圧から大気圧に復帰するまでに前記次の未処理基板を前記大気搬送室で待機させるように、前記制御手段が前記第1の基板搬送装置を制御する工程と、を有する
ことを特徴とする基板搬送方法。 - 大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う1台の第1の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第2の基板搬送装置と、前記第1の基板搬送装置、第2の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
複数の基板処理モジュールのうち、基板処理室で基板の処理が済んだ基板処理モジュールの中で、該基板処理室から前記前室に処理済みの基板を直ちに搬送するように、前記制
御手段が前記第2の基板搬送装置を制御する工程と、
前記処理済みの基板が搬送されたことが検知されると前記処理済みの基板が搬送された前記前室を真空圧から大気圧に復帰させるように、前記制御手段が前記前室の圧力を制御する工程と、
並行して前記基板収納部から前記大気搬送室へ次の未処理基板を搬送させ、前記処理済の基板が搬送された前記前室の圧力が真空圧から大気圧に復帰するまでに前記次の未処理基板を前記大気搬送室で待機させるように、前記制御手段が前記第1の基板搬送装置を制御する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004178471A JP4722416B2 (ja) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | 半導体製造装置及び基板搬送方法並びに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004178471A JP4722416B2 (ja) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | 半導体製造装置及び基板搬送方法並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006005086A JP2006005086A (ja) | 2006-01-05 |
JP2006005086A5 JP2006005086A5 (ja) | 2007-07-26 |
JP4722416B2 true JP4722416B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=35773211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004178471A Expired - Lifetime JP4722416B2 (ja) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | 半導体製造装置及び基板搬送方法並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4722416B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5369233B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2013-12-18 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5550600B2 (ja) * | 2011-04-13 | 2014-07-16 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN105742201B (zh) * | 2011-08-16 | 2018-07-27 | 应用材料公司 | 用于在腔室内感测基板的方法及设备 |
US9478452B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-10-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Small production device and production system using the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2641922B2 (ja) * | 1988-10-26 | 1997-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH0427140A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の検知装置 |
JPH05294405A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-09 | Tel Varian Ltd | 基板検出装置 |
JPH1145929A (ja) * | 1997-05-30 | 1999-02-16 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
JP3468056B2 (ja) * | 1997-09-23 | 2003-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検出装置 |
JPH11195695A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Advanced Display Inc | 電子デバイス製造装置 |
JP4256551B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理システム |
JP2002237507A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム及び処理システムの被処理体の搬送方法 |
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- 2004-06-16 JP JP2004178471A patent/JP4722416B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006005086A (ja) | 2006-01-05 |
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A521 | Written amendment |
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