JP3200282B2 - 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP3200282B2 JP3200282B2 JP10100694A JP10100694A JP3200282B2 JP 3200282 B2 JP3200282 B2 JP 3200282B2 JP 10100694 A JP10100694 A JP 10100694A JP 10100694 A JP10100694 A JP 10100694A JP 3200282 B2 JP3200282 B2 JP 3200282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- processing system
- sample
- processing
- gate valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は減圧雰囲気の中において
処理を行なう処理システム、例えば露光装置や薄膜形成
装置などのシステムに関するものである。
処理を行なう処理システム、例えば露光装置や薄膜形成
装置などのシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＳＲ光（シンクロトロン放射
光）を利用したＸ線露光装置が知られている。ＳＲ光は
空気中における減衰が大きいため、これを防ぐためにＳ
Ｒを発するシンクロトロンリング及びビームポート内は
超高真空に保たれ、遮断窓（ベリリウム窓、以下Ｂｅ窓
と略す）を通してマスク・ウエハが内蔵される露光装置
へと導かれる。又、マスク・ウエハが置かれる露光雰囲
気も、同様の理由から真空あるいは減圧ヘリウム中であ
ることが望ましく、したがって露光装置は減圧容器内に
置かれることになる。
光）を利用したＸ線露光装置が知られている。ＳＲ光は
空気中における減衰が大きいため、これを防ぐためにＳ
Ｒを発するシンクロトロンリング及びビームポート内は
超高真空に保たれ、遮断窓（ベリリウム窓、以下Ｂｅ窓
と略す）を通してマスク・ウエハが内蔵される露光装置
へと導かれる。又、マスク・ウエハが置かれる露光雰囲
気も、同様の理由から真空あるいは減圧ヘリウム中であ
ることが望ましく、したがって露光装置は減圧容器内に
置かれることになる。
【０００３】図１２は従来の処理システムの一例の構成
図を示している。同図において、１は減圧雰囲気下で露
光や薄膜形成等のプロセス処理を行うプロセスチャン
バ、２は試料の交換を行なうロードロックチャンバであ
る。図示はしていないが、これら２つのチャンバの給排
気を行なうためのポンプやバルブなどが設けられてい
る。２つのチャンバ間には、試料交換用の搬送経路とな
る仕切り弁９とベローズ１１が設けられ、仕切り弁９を
閉じることによって２つのチャンバのそれぞれの圧力が
維持される。
図を示している。同図において、１は減圧雰囲気下で露
光や薄膜形成等のプロセス処理を行うプロセスチャン
バ、２は試料の交換を行なうロードロックチャンバであ
る。図示はしていないが、これら２つのチャンバの給排
気を行なうためのポンプやバルブなどが設けられてい
る。２つのチャンバ間には、試料交換用の搬送経路とな
る仕切り弁９とベローズ１１が設けられ、仕切り弁９を
閉じることによって２つのチャンバのそれぞれの圧力が
維持される。
【０００４】プロセスチャンバ１は支持部材８ａ、８ｂ
によって、又、ロードロックチャンバ２は支持部材８
ｃ、８ｄによって第１の架台３の上にそれぞれ支持され
ている。この第１の架台３は空気バネであるエアマウン
ト１６を備え、床からの振動を遮断するようになってい
る。プロセスチャンバ１の内部には支持部材８ｅ、８ｆ
によって第２の架台４が支持され、第２の架台４上には
処理ステージ１２と搬送ロボット１３が搭載されてい
る。又、ロードロックチャンバ２の内部には支持部材８
ｇ、８ｈによって第３の架台５が支持され、第３の架台
５の上には基板等の試料１５を保持する試料保持台１４
が搭載されている。
によって、又、ロードロックチャンバ２は支持部材８
ｃ、８ｄによって第１の架台３の上にそれぞれ支持され
ている。この第１の架台３は空気バネであるエアマウン
ト１６を備え、床からの振動を遮断するようになってい
る。プロセスチャンバ１の内部には支持部材８ｅ、８ｆ
によって第２の架台４が支持され、第２の架台４上には
処理ステージ１２と搬送ロボット１３が搭載されてい
る。又、ロードロックチャンバ２の内部には支持部材８
ｇ、８ｈによって第３の架台５が支持され、第３の架台
５の上には基板等の試料１５を保持する試料保持台１４
が搭載されている。
【０００５】図１３は別の従来例の構成図を示してい
る。ＳＲ光は、内部が超高真空に保たれたビームポート
５１からＢｅ窓５２を通って内部が減圧ヘリウム雰囲気
のステージ収納チャンバ６０内に導かれる。ステージ収
納チャンバ６０内には架台５８が設置され、架台５８に
はマスク５４を吸着保持するマスクチャック５３及びウ
エハチャック５６に吸着保持されたウエハ５５をマスク
５４に対して位置決めするためのステージ５７を支持し
ている。架台５８はビームポート５１の振動や床振動の
影響を抑えるために、空気バネであるエアマウント６１
により支持されている。
る。ＳＲ光は、内部が超高真空に保たれたビームポート
５１からＢｅ窓５２を通って内部が減圧ヘリウム雰囲気
のステージ収納チャンバ６０内に導かれる。ステージ収
納チャンバ６０内には架台５８が設置され、架台５８に
はマスク５４を吸着保持するマスクチャック５３及びウ
エハチャック５６に吸着保持されたウエハ５５をマスク
５４に対して位置決めするためのステージ５７を支持し
ている。架台５８はビームポート５１の振動や床振動の
影響を抑えるために、空気バネであるエアマウント６１
により支持されている。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上記
第１の従来例の装置では、プロセスチャンバ１及びロー
ドロックチャンバ２内を排気して減圧すると、各チャン
バはそれぞれ減圧による弾性変形が起こり得る。すると
この変形がチャンバ内に内蔵される装置に伝わり、場合
によっては各装置同士の相対位置関係がずれてしまい、
試料の受け渡し精度が劣化してしまう。
第１の従来例の装置では、プロセスチャンバ１及びロー
ドロックチャンバ２内を排気して減圧すると、各チャン
バはそれぞれ減圧による弾性変形が起こり得る。すると
この変形がチャンバ内に内蔵される装置に伝わり、場合
によっては各装置同士の相対位置関係がずれてしまい、
試料の受け渡し精度が劣化してしまう。
【０００７】そこで本発明の第１の目的は、上記第１の
従来例の有する課題を解決し、より改良されたシステム
を提供することである。より具体的には、複数のチャン
バの少なくともいずれかが変形しても、それぞれのチャ
ンバに内蔵する装置同士の相対位置関係への悪影響を防
ぐことができる処理システムやこれを用いたデバイス製
造方法を提供することを目的とする。
従来例の有する課題を解決し、より改良されたシステム
を提供することである。より具体的には、複数のチャン
バの少なくともいずれかが変形しても、それぞれのチャ
ンバに内蔵する装置同士の相対位置関係への悪影響を防
ぐことができる処理システムやこれを用いたデバイス製
造方法を提供することを目的とする。
【０００８】ところで、上記第２の従来例の装置では、
エアマウント６１をチャンバ６０内部の減圧雰囲気内に
持ち込むため以下の問題点がある。ひとつは、エアマウ
ントからのエア漏れなどによって減圧雰囲気を劣化させ
てしまう畏れがある。また、チャンバ６０内の気圧とエ
アマウント６１圧力の相対差の変化に応じてエアマウン
トの高さが変化し、搭載する装置の位置が変化してしま
う。さらには、チャンバ６０の内部に露光装置が支持さ
れているため、減圧によって生じるチャンバの変形がエ
アマウントを介して内部の露光装置に伝わり、処理装置
の位置や姿勢が変わってしまうという問題点もある。
エアマウント６１をチャンバ６０内部の減圧雰囲気内に
持ち込むため以下の問題点がある。ひとつは、エアマウ
ントからのエア漏れなどによって減圧雰囲気を劣化させ
てしまう畏れがある。また、チャンバ６０内の気圧とエ
アマウント６１圧力の相対差の変化に応じてエアマウン
トの高さが変化し、搭載する装置の位置が変化してしま
う。さらには、チャンバ６０の内部に露光装置が支持さ
れているため、減圧によって生じるチャンバの変形がエ
アマウントを介して内部の露光装置に伝わり、処理装置
の位置や姿勢が変わってしまうという問題点もある。
【０００９】そこで本発明の第２の目的は、上記第２の
従来例の有する課題を解決し、より改良されたシステム
を提供することである。より具体的には、チャンバ内の
雰囲気の劣化を抑えると共に、チャンバに内蔵される処
理装置の位置や姿勢の変化を抑えた処理システムやこれ
を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
従来例の有する課題を解決し、より改良されたシステム
を提供することである。より具体的には、チャンバ内の
雰囲気の劣化を抑えると共に、チャンバに内蔵される処
理装置の位置や姿勢の変化を抑えた処理システムやこれ
を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】本発明のより大きな第３の目的は、複数の
チャンバを備えた処理システムにおいて、高精度な露光
処理や薄膜形成処理などの処理を可能とする処理システ
ムを提供することである。
チャンバを備えた処理システムにおいて、高精度な露光
処理や薄膜形成処理などの処理を可能とする処理システ
ムを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的及び第３
の目的を達成する本発明の処理システムは、それぞれ処
理装置を内蔵し内部を気密に保ち得る第１及び第２チャ
ンバと、各チャンバに内蔵されるそれぞれの処理装置同
士を一つの構造体として結合する結合部材とを有し 結
合部材と第１及び第２チャンバとの間が弾性気密保持手
段によって気密に封止されていることを特徴とする。
の目的を達成する本発明の処理システムは、それぞれ処
理装置を内蔵し内部を気密に保ち得る第１及び第２チャ
ンバと、各チャンバに内蔵されるそれぞれの処理装置同
士を一つの構造体として結合する結合部材とを有し 結
合部材と第１及び第２チャンバとの間が弾性気密保持手
段によって気密に封止されていることを特徴とする。
【００１２】
【００１３】本発明の処理システムの更に別の形態は、
第１チャンバと、該１チャンバに接続された第２チャン
バと、該第２チャンバに接続された第３チャンバと、第
１チャンバと第２チャンバに内蔵する装置同士を結合す
る結合部材と、第２チャンバと第３チャンバとを接続す
るベローズとを有することを特徴とする。
第１チャンバと、該１チャンバに接続された第２チャン
バと、該第２チャンバに接続された第３チャンバと、第
１チャンバと第２チャンバに内蔵する装置同士を結合す
る結合部材と、第２チャンバと第３チャンバとを接続す
るベローズとを有することを特徴とする。
【００１４】ここで、上記各発明において、第１チャン
バにおいて内蔵する試料に露光処理を行うことが好まし
く、この処理システムを用いてデバイスを製造すれば高
精度なデバイスが製造できる。
バにおいて内蔵する試料に露光処理を行うことが好まし
く、この処理システムを用いてデバイスを製造すれば高
精度なデバイスが製造できる。
【００１５】
＜実施例１＞図１は本発明の実施例の処理システムの構
成図である。同図において、先の図５と同一の符号は同
一の部材を表わす。
成図である。同図において、先の図５と同一の符号は同
一の部材を表わす。
【００１６】プロセスチャンバ１とロードロックチャン
バ２は支柱２０によって床に固定されている。第１の架
台３と第２の架台４とは支持部材６ａ、６ｂによって結
合され、又、第２の架台４と第３の架台５とは支持部材
６ｃによって結合されている。これらの結合は高い剛性
を持ってなされ、第１の架台から第３の架台までは実質
的に一つの構造体とみなすことができるようになってい
る。ここで支持部材６ａ、６ｂとプロセスチャンバ１と
は弾性のベローズ１０ａ，１０ｂにより気密に接続さ
れ、支持部材６ｃとプロセスチャンバ１及びロードロッ
クチャンバ２とはそれぞれ弾性のベローズ１０ｃによっ
て気密に接続されている。これにより各チャンバ１、２
内の気密が保たれるようになっている。なお、支持部材
とチャンバとを気密に接続する弾性気密保持手段として
は、ベローズ以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリン
グや板バネなどを用いた機構が挙げられる。
バ２は支柱２０によって床に固定されている。第１の架
台３と第２の架台４とは支持部材６ａ、６ｂによって結
合され、又、第２の架台４と第３の架台５とは支持部材
６ｃによって結合されている。これらの結合は高い剛性
を持ってなされ、第１の架台から第３の架台までは実質
的に一つの構造体とみなすことができるようになってい
る。ここで支持部材６ａ、６ｂとプロセスチャンバ１と
は弾性のベローズ１０ａ，１０ｂにより気密に接続さ
れ、支持部材６ｃとプロセスチャンバ１及びロードロッ
クチャンバ２とはそれぞれ弾性のベローズ１０ｃによっ
て気密に接続されている。これにより各チャンバ１、２
内の気密が保たれるようになっている。なお、支持部材
とチャンバとを気密に接続する弾性気密保持手段として
は、ベローズ以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリン
グや板バネなどを用いた機構が挙げられる。
【００１７】この構成にて、ロードロックチャンバ２か
らプロセスチャンバ１への試料の受け渡しのシーケンス
は以下の通りである。まず、仕切り弁９を閉じた状態に
てプロセスチャンバ１内を真空に排気する。一方、大気
状態にあるロードロックチャンバ２内に外部から試料を
導入して、試料保持台１４に試料１５をセットした後、
プロセスチャンバ１の圧力と同程度の真空状態にする。
次いで、仕切り弁９を開状態にして、搬送ロボット１３
によりロードロックチャンバ２から試料１５をベローズ
１１を通して取り出して、プロセスチャンバ１内の処理
ステージ１２へと搬送する。そして必要に応じて再度仕
切り弁９を閉じて、プロセスチャンバ１内で試料に対し
て露光や薄膜形成などの処理を施こす。処理の終わった
試料１５は、搬入経路と同じ経路でロードロックチャン
バ２へ搬出する。所定枚数の試料の処理が終わった所
で、仕切り弁９を閉状態にしてロードロックチャンバ２
を大気状態に戻して試料を外に取り出す。
らプロセスチャンバ１への試料の受け渡しのシーケンス
は以下の通りである。まず、仕切り弁９を閉じた状態に
てプロセスチャンバ１内を真空に排気する。一方、大気
状態にあるロードロックチャンバ２内に外部から試料を
導入して、試料保持台１４に試料１５をセットした後、
プロセスチャンバ１の圧力と同程度の真空状態にする。
次いで、仕切り弁９を開状態にして、搬送ロボット１３
によりロードロックチャンバ２から試料１５をベローズ
１１を通して取り出して、プロセスチャンバ１内の処理
ステージ１２へと搬送する。そして必要に応じて再度仕
切り弁９を閉じて、プロセスチャンバ１内で試料に対し
て露光や薄膜形成などの処理を施こす。処理の終わった
試料１５は、搬入経路と同じ経路でロードロックチャン
バ２へ搬出する。所定枚数の試料の処理が終わった所
で、仕切り弁９を閉状態にしてロードロックチャンバ２
を大気状態に戻して試料を外に取り出す。
【００１８】プロセスチャンバ１は減圧により変形が生
じ得るが、第２の架台４は第１の架台３に結合され、チ
ャンバ１には直接は結合されていないため、ベローズ１
０ａ、１０ｂの弾性によってチャンバ変形が吸収され
る。よって第２の架台４の位置は、プロセスチャンバ１
内の圧力状態に影響を受けず大気圧状態で調整された位
置関係が維持される。同様に、ロードロックチャンバ２
の減圧により生じ得る変形も、ベローズ１０ｃの働きに
よって第３の架台５には直接伝わらない。以上のことよ
り、プロセスチャンバ１とロードロックチャンバ２の圧
力がお互いどのような状態であっても、内蔵される構造
体は影響を受けないことになる。従って構造体上にある
処理ステージ１２と試料載置台１４との間での試料１５
の受け渡しは、搬送ロボット１３により高精度に行なう
ことができる。
じ得るが、第２の架台４は第１の架台３に結合され、チ
ャンバ１には直接は結合されていないため、ベローズ１
０ａ、１０ｂの弾性によってチャンバ変形が吸収され
る。よって第２の架台４の位置は、プロセスチャンバ１
内の圧力状態に影響を受けず大気圧状態で調整された位
置関係が維持される。同様に、ロードロックチャンバ２
の減圧により生じ得る変形も、ベローズ１０ｃの働きに
よって第３の架台５には直接伝わらない。以上のことよ
り、プロセスチャンバ１とロードロックチャンバ２の圧
力がお互いどのような状態であっても、内蔵される構造
体は影響を受けないことになる。従って構造体上にある
処理ステージ１２と試料載置台１４との間での試料１５
の受け渡しは、搬送ロボット１３により高精度に行なう
ことができる。
【００１９】＜実施例２＞図２は本発明の第２実施例の
装置の構成図であり、先の図１と同一の符号は同一の部
材を表わす。プロセスチャンバ１とロードロックチャン
バ２は仕切り弁９及びベローズ１１を介して結合されて
いて、両チャンバは支柱２０によって床に固定されてい
る。一方、第１の架台３と第２の架台４とは支持部材７
ａ、７ｂによって結合され、又、第３の架台５は支持部
材７ｃ、７ｄによって第１の架台３に結合されている。
先の実施例と同様、これらの結合は高い剛性を持ってな
され、第１の架台から第３の架台５までは一つの構造体
とみなすことができる。ここで支持部材７ａ、７ｂとプ
ロセスチャンバ１とは弾性のベローズ１２ａ、１２ｂに
より気密に接続され、支持部材７ｃ、７ｄとロードロッ
クチャンバ２とは弾性のベローズ１２ｃ、１２ｄにより
気密に接続されている。これにより各チャンバ１、２内
の気密が保たれるようになっている。
装置の構成図であり、先の図１と同一の符号は同一の部
材を表わす。プロセスチャンバ１とロードロックチャン
バ２は仕切り弁９及びベローズ１１を介して結合されて
いて、両チャンバは支柱２０によって床に固定されてい
る。一方、第１の架台３と第２の架台４とは支持部材７
ａ、７ｂによって結合され、又、第３の架台５は支持部
材７ｃ、７ｄによって第１の架台３に結合されている。
先の実施例と同様、これらの結合は高い剛性を持ってな
され、第１の架台から第３の架台５までは一つの構造体
とみなすことができる。ここで支持部材７ａ、７ｂとプ
ロセスチャンバ１とは弾性のベローズ１２ａ、１２ｂに
より気密に接続され、支持部材７ｃ、７ｄとロードロッ
クチャンバ２とは弾性のベローズ１２ｃ、１２ｄにより
気密に接続されている。これにより各チャンバ１、２内
の気密が保たれるようになっている。
【００２０】この構成において、プロセスチャンバ１と
ロードロックチャンバ２は実施例１と同様、減圧に伴う
変形をベローズ１２ａ〜１２ｄが吸収するため、チャン
バの変形が内部の構造体に悪影響を与えない。従って２
つのチャンバ間において試料１５の受け渡しを先の実施
例と同様に高精度に行なうことができる。又、本実施例
では、第１の架台３の上に第２の架台４と第３の架台５
の両方を結合した構造であるため、第１の架台３を基準
面として組立・調整を行えば良く、作業性が向上する。
ロードロックチャンバ２は実施例１と同様、減圧に伴う
変形をベローズ１２ａ〜１２ｄが吸収するため、チャン
バの変形が内部の構造体に悪影響を与えない。従って２
つのチャンバ間において試料１５の受け渡しを先の実施
例と同様に高精度に行なうことができる。又、本実施例
では、第１の架台３の上に第２の架台４と第３の架台５
の両方を結合した構造であるため、第１の架台３を基準
面として組立・調整を行えば良く、作業性が向上する。
【００２１】＜実施例３＞将来の半導体製造工程におい
ては、ますます人が関わる作業が減ることが予想され
る。従来のバッチ処理から枚葉処理に移行するのに伴
い、搬送ロボットなどによる試料の受け渡しは製造ライ
ンにおいては重要な課題となる。また、６４ＭＤＲＡＭ
以降の半導体製造技術の中で、化学増幅型レジストはそ
の特性上、レジスト塗布から露光、現像、リンスに至る
まで、一枚毎にきめ細かな時間管理が要求されているの
で、枚葉処理を行う製造ラインが必要となる。本実施例
では、減圧雰囲気の中で試料の受け渡しを行う場合と、
大気圧中で試料の受け渡しを行う場合が混在する製造ラ
インにおいて、試料の高精度搬送を実現するものであ
る。
ては、ますます人が関わる作業が減ることが予想され
る。従来のバッチ処理から枚葉処理に移行するのに伴
い、搬送ロボットなどによる試料の受け渡しは製造ライ
ンにおいては重要な課題となる。また、６４ＭＤＲＡＭ
以降の半導体製造技術の中で、化学増幅型レジストはそ
の特性上、レジスト塗布から露光、現像、リンスに至る
まで、一枚毎にきめ細かな時間管理が要求されているの
で、枚葉処理を行う製造ラインが必要となる。本実施例
では、減圧雰囲気の中で試料の受け渡しを行う場合と、
大気圧中で試料の受け渡しを行う場合が混在する製造ラ
インにおいて、試料の高精度搬送を実現するものであ
る。
【００２２】図３は本実施例の処理システムを含む製造
ラインを模式的に示した図、図４は各チャンバ間の結合
状態を示す断面図である。図３において、１０１はプロ
セスチャンバ、１０２ａはロードチャンバ、１０２ｂは
アンロードチャンバ、１２１は搬送モジュールチャンバ
を示す。ロードチャンバ１０２ａとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ａが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とロードチャンバ１０２ａとの間には仕切弁
１２２ａ及びベローズ１２３ａが設けられている。ま
た、アンロードチャンバ１０２ｂとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ｂが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とアンロードチャンバ１０２ｂとの間には仕
切弁１２２ｂ及びベローズ１２３ｂが設けられている。
１１３ａ，１１３ｂは各チャンバ間で試料を搬送するた
めの搬送ロボット、１２４ａ，１２４ｂは試料を搬送す
る経路となるクリーントンネル、１３１はレジスト塗布
ステーション、１３２はレジスト現像ステーション、１
３３はリンスステーションである。
ラインを模式的に示した図、図４は各チャンバ間の結合
状態を示す断面図である。図３において、１０１はプロ
セスチャンバ、１０２ａはロードチャンバ、１０２ｂは
アンロードチャンバ、１２１は搬送モジュールチャンバ
を示す。ロードチャンバ１０２ａとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ａが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とロードチャンバ１０２ａとの間には仕切弁
１２２ａ及びベローズ１２３ａが設けられている。ま
た、アンロードチャンバ１０２ｂとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ｂが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とアンロードチャンバ１０２ｂとの間には仕
切弁１２２ｂ及びベローズ１２３ｂが設けられている。
１１３ａ，１１３ｂは各チャンバ間で試料を搬送するた
めの搬送ロボット、１２４ａ，１２４ｂは試料を搬送す
る経路となるクリーントンネル、１３１はレジスト塗布
ステーション、１３２はレジスト現像ステーション、１
３３はリンスステーションである。
【００２３】図４は、プロセスチャンバ１０１、ロード
チャンバ１０２ａ、搬送モジュール１２１のそれぞれの
結合関係を示す。プロセスチャンバ１０１とロードチャ
ンバ１０２ａとは、内部の機器同士を結合する支持部材
１０６ｃ，１０６ｄ、およびベローズ１１０ｃ〜１１０
ｆによって先に説明した実施例と同様の結合状態となっ
ている。搬送モジュールチャンバ１２１は、プロセスチ
ャンバ１０１やロードチャンバ１０２ａの支持手段とは
別の支持手段である支柱１２０によって支持されてい
る。また、プロセスチャンバ１０１とロードチャンバ１
０２ａは、ポンプやレギュレータなどからなる給排系に
よってそれぞれ独立に減圧状態と大気圧状態を取り得る
ようになっている。また、上記給排系、搬送ロボット、
仕切弁などの全ての動作を制御するため、コンピュータ
を有するコントローラ１５０が設けられ、システム全体
の動作をコントロールしている。
チャンバ１０２ａ、搬送モジュール１２１のそれぞれの
結合関係を示す。プロセスチャンバ１０１とロードチャ
ンバ１０２ａとは、内部の機器同士を結合する支持部材
１０６ｃ，１０６ｄ、およびベローズ１１０ｃ〜１１０
ｆによって先に説明した実施例と同様の結合状態となっ
ている。搬送モジュールチャンバ１２１は、プロセスチ
ャンバ１０１やロードチャンバ１０２ａの支持手段とは
別の支持手段である支柱１２０によって支持されてい
る。また、プロセスチャンバ１０１とロードチャンバ１
０２ａは、ポンプやレギュレータなどからなる給排系に
よってそれぞれ独立に減圧状態と大気圧状態を取り得る
ようになっている。また、上記給排系、搬送ロボット、
仕切弁などの全ての動作を制御するため、コンピュータ
を有するコントローラ１５０が設けられ、システム全体
の動作をコントロールしている。
【００２４】次に、製造工程での試料の流れに沿って装
置動作を説明する。試料に対して露光処理を行うまでの
手順は以下の通りである。なお、図５は各ステップにお
ける、チャンバの圧力状態と仕切弁の開閉状態を示す。
置動作を説明する。試料に対して露光処理を行うまでの
手順は以下の通りである。なお、図５は各ステップにお
ける、チャンバの圧力状態と仕切弁の開閉状態を示す。
【００２５】(1)レジスト塗布ステーション１３１にお
いて、試料に化学増幅型レジストを塗布する。
いて、試料に化学増幅型レジストを塗布する。
【００２６】(2)搬送ロボット１１３ｂによってクリー
ントンネル１２４ａを通して、レジスト塗布ステーショ
ン１３１から搬送モジュールチャンバ１２１に試料を搬
送する。
ントンネル１２４ａを通して、レジスト塗布ステーショ
ン１３１から搬送モジュールチャンバ１２１に試料を搬
送する。
【００２７】(3)仕切弁１２２ａを開け、搬送ロボット
１１３ｂによって搬送モジュールチャンバ１２１からか
らロードチャンバ１０２ａに試料を導入する。このとき
ロードロックチャンバ１０２ａは大気圧、プロセスチャ
ンバ１０１は減圧状態となっている。プロセスチャンバ
１が減圧するとチャンバ変形が起こるが、ベローズ１２
３ａにより変形を吸収する。仮に吸収できない場合があ
っても、大気圧下における試料の受け渡しとなるため、
変形量を搬送ロボットがセンサにより検知して補正でき
るため、減圧下で行うより構成が簡単でコスト安で高精
度搬送が可能となる。〔図５(a)〕
１１３ｂによって搬送モジュールチャンバ１２１からか
らロードチャンバ１０２ａに試料を導入する。このとき
ロードロックチャンバ１０２ａは大気圧、プロセスチャ
ンバ１０１は減圧状態となっている。プロセスチャンバ
１が減圧するとチャンバ変形が起こるが、ベローズ１２
３ａにより変形を吸収する。仮に吸収できない場合があ
っても、大気圧下における試料の受け渡しとなるため、
変形量を搬送ロボットがセンサにより検知して補正でき
るため、減圧下で行うより構成が簡単でコスト安で高精
度搬送が可能となる。〔図５(a)〕
【００２８】(4)仕切弁１２２ａを閉じ、ロードロック
チャンバ１０２ａを減圧状態して、プロセスチャンバ１
の圧力と同じにする。この時、プロセスチャンバ１への
影響は何もない。〔図５(b)〕
チャンバ１０２ａを減圧状態して、プロセスチャンバ１
の圧力と同じにする。この時、プロセスチャンバ１への
影響は何もない。〔図５(b)〕
【００２９】(5)仕切弁１０９ａを開けて、搬送ロボッ
ト１１３ａによって、ロードチャンバ１０２ａからプロ
セスチャンバ１０１に試料を導入する。この２つのチャ
ンバ間での試料の受け渡しは先の実施例で説明した通り
である。〔図５(c)〕
ト１１３ａによって、ロードチャンバ１０２ａからプロ
セスチャンバ１０１に試料を導入する。この２つのチャ
ンバ間での試料の受け渡しは先の実施例で説明した通り
である。〔図５(c)〕
【００３０】(6)仕切弁１０９ａを閉じ、減圧されたプ
ロセスチャンバ１０１において、試料に対してＸ線によ
る露光処理を行う。〔図５(d)〕
ロセスチャンバ１０１において、試料に対してＸ線によ
る露光処理を行う。〔図５(d)〕
【００３１】(7)プロセスチャンバ１０１へ搬入後、ロ
ードチャンバ１０２ａをパージして大気圧へ戻す。そし
て、露光処理中に次の試料をロードチャンバ１０２ａに
導入して待機させる。
ードチャンバ１０２ａをパージして大気圧へ戻す。そし
て、露光処理中に次の試料をロードチャンバ１０２ａに
導入して待機させる。
【００３２】また、露光処理の済んだ試料を搬送する手
順は以下の通りである。
順は以下の通りである。
【００３３】(8)仕切弁１０９ｂを開け、搬送ロボット
１１３ａによって、露光処理の済んだ試料をプロセスチ
ャンバ１０１からアンロードチャンバに搬送する。アン
ロードチャンバ１０２ｂは減圧されている。
１１３ａによって、露光処理の済んだ試料をプロセスチ
ャンバ１０１からアンロードチャンバに搬送する。アン
ロードチャンバ１０２ｂは減圧されている。
【００３４】(9)仕切弁１０９ｂを閉じ、仕切弁１２２
ｂを開けて、アンロードチャンバ１０２ｂを大気圧に開
放する。
ｂを開けて、アンロードチャンバ１０２ｂを大気圧に開
放する。
【００３５】(10)搬送ロボット１１３ｂによってアンロ
ードチャンバ１０２ｂから搬送モジュールチャンバ１２
１へ搬送する。次いで搬送ロボット１１３ｂによって、
クリーントンネル１２４ｂを通して、試料をレジスト現
像ステーション１３２に搬送する。
ードチャンバ１０２ｂから搬送モジュールチャンバ１２
１へ搬送する。次いで搬送ロボット１１３ｂによって、
クリーントンネル１２４ｂを通して、試料をレジスト現
像ステーション１３２に搬送する。
【００３６】(11)レジスト現像ステーション１３２にお
いて試料の現像処理を行い、現像された試料はリンスス
テーション１３３に移行してリンス処理を行う。
いて試料の現像処理を行い、現像された試料はリンスス
テーション１３３に移行してリンス処理を行う。
【００３７】以上のように本実施例によれば、試料への
露光処理と別の試料の搬送動作を並列的に行うにあたっ
て、搬送動作による振動などが露光プロセスに悪影響を
与えないようなシステムになっている。
露光処理と別の試料の搬送動作を並列的に行うにあたっ
て、搬送動作による振動などが露光プロセスに悪影響を
与えないようなシステムになっている。
【００３８】＜実施例４＞図６は上記図４の構成の支持
部材１０６ｃ，１０６ｄについての変形例である別の実
施例の構成を示す。同図において、支持部材１０６ｃ−
１と１０６ｃ−２とに二分され、両者はチャンバの外の
大気圧下において連結される構成となっている。連結部
材１０６ｄ−１と１０６ｄ−２についても同様である。
部材１０６ｃ，１０６ｄについての変形例である別の実
施例の構成を示す。同図において、支持部材１０６ｃ−
１と１０６ｃ−２とに二分され、両者はチャンバの外の
大気圧下において連結される構成となっている。連結部
材１０６ｄ−１と１０６ｄ−２についても同様である。
【００３９】この構成によれば、枚葉処理を行う製造ラ
インにおいて、組立およびメンテナンスの向上を図るた
め、FRU(Field Replaceable Unit)の考え方に基づき、
ユニットの交換の容易性が達成される。すなわち、ロー
ドチャンバ１０２ａを交換する際に、最低限の組立工数
で作業が終了することができる。
インにおいて、組立およびメンテナンスの向上を図るた
め、FRU(Field Replaceable Unit)の考え方に基づき、
ユニットの交換の容易性が達成される。すなわち、ロー
ドチャンバ１０２ａを交換する際に、最低限の組立工数
で作業が終了することができる。
【００４０】＜実施例５＞次に本発明の第５の実施例の
Ｘ線露光システムについて図７を用いて説明する。同図
において、ＳＲ光源（不図示）で発生したＳＲ光は、ビ
ームポート２０１によって導かれ、Ｂｅ（ベリリウム）
窓２０２を通してチャンバ３０１内へ導入される。チャ
ンバ３０１とビームポート２０１とは弾性のベローズ２
１４によって気密に接続されている。ここでチャンバ３
０１内は１５０Ｔｏｒｒ程度の減圧ヘリウム雰囲気とな
っている。
Ｘ線露光システムについて図７を用いて説明する。同図
において、ＳＲ光源（不図示）で発生したＳＲ光は、ビ
ームポート２０１によって導かれ、Ｂｅ（ベリリウム）
窓２０２を通してチャンバ３０１内へ導入される。チャ
ンバ３０１とビームポート２０１とは弾性のベローズ２
１４によって気密に接続されている。ここでチャンバ３
０１内は１５０Ｔｏｒｒ程度の減圧ヘリウム雰囲気とな
っている。
【００４１】次にチャンバ３０１内に配置された露光装
置について説明する。マスク２０４はマスクチャック２
０３に吸着保持され、又、ウエハ２０５はウエハチャッ
ク２０６に吸着保持されている。ウエハ２０５は位置合
わせステージ２０７によりマスク２０４に対して移動可
能な構成となっている。マスクチャック２０３と位置合
わせステージ２０７は架台２０８上に支持されて、架台
２０８の一部である架台支柱３０３は、床上に置かれた
空気バネであるエアマウント２１１にて支持されてい
る。そして架台支柱３０３はベローズ３０４によってチ
ャンバ３０１と気密に接続されている。架台支柱３０３
は支柱の長さを変えるための油圧シリンダ２１３を内蔵
しており、架台支柱３０３に取付けられた床との距離を
測定するための測距センサ２１２の測定値が一定になる
ように、制御装置２１５により油圧シリンダ２１３が制
御されている。又、チャンバ３０１はチャンバ支柱３０
５により床上に支持されており、チャンバ３０１と架台
２０８とは床に対して個別に支持された構成となってい
る。
置について説明する。マスク２０４はマスクチャック２
０３に吸着保持され、又、ウエハ２０５はウエハチャッ
ク２０６に吸着保持されている。ウエハ２０５は位置合
わせステージ２０７によりマスク２０４に対して移動可
能な構成となっている。マスクチャック２０３と位置合
わせステージ２０７は架台２０８上に支持されて、架台
２０８の一部である架台支柱３０３は、床上に置かれた
空気バネであるエアマウント２１１にて支持されてい
る。そして架台支柱３０３はベローズ３０４によってチ
ャンバ３０１と気密に接続されている。架台支柱３０３
は支柱の長さを変えるための油圧シリンダ２１３を内蔵
しており、架台支柱３０３に取付けられた床との距離を
測定するための測距センサ２１２の測定値が一定になる
ように、制御装置２１５により油圧シリンダ２１３が制
御されている。又、チャンバ３０１はチャンバ支柱３０
５により床上に支持されており、チャンバ３０１と架台
２０８とは床に対して個別に支持された構成となってい
る。
【００４２】ここでベローズ３０４の垂直方向の剛性
は、チャンバ３０１の壁及びエアマウント２１１に比べ
て十分に小さなものである。これにより減圧によって生
じるチャンバ３０１の変形をベローズ３０４にて吸収さ
せることができ、露光装置を搭載する架台２０８への悪
影響を排除することができる。又、床振動によって、チ
ャンバ３０１が振動してもベローズ３０４によって吸収
されるため、エアマウント２１１の性能を害することは
ない。更に高い精度が必要であれば、支柱３０５を架台
２０８を支持するエアマウント２１１とは別のエアマウ
ント上に設ければよい。この場合、ビームポート開口の
差圧によりチャンバ３０１の位置は変化するが、これは
チャンバと架台との間のベローズ３０４により吸収され
るため問題とはならない。
は、チャンバ３０１の壁及びエアマウント２１１に比べ
て十分に小さなものである。これにより減圧によって生
じるチャンバ３０１の変形をベローズ３０４にて吸収さ
せることができ、露光装置を搭載する架台２０８への悪
影響を排除することができる。又、床振動によって、チ
ャンバ３０１が振動してもベローズ３０４によって吸収
されるため、エアマウント２１１の性能を害することは
ない。更に高い精度が必要であれば、支柱３０５を架台
２０８を支持するエアマウント２１１とは別のエアマウ
ント上に設ければよい。この場合、ビームポート開口の
差圧によりチャンバ３０１の位置は変化するが、これは
チャンバと架台との間のベローズ３０４により吸収され
るため問題とはならない。
【００４３】又、エアマウント２１１がチャンバ３０１
の減圧ヘリウム雰囲気の外部に配置されているため、エ
アマウント２１１からの空気漏れによるチャンバ３０１
内の雰囲気の劣化を引き起こすことはなく、且つ減圧に
関係なくエアマウント２１１の高さすなわち架台２０８
上の露光装置の位置は一定に保たれる。
の減圧ヘリウム雰囲気の外部に配置されているため、エ
アマウント２１１からの空気漏れによるチャンバ３０１
内の雰囲気の劣化を引き起こすことはなく、且つ減圧に
関係なくエアマウント２１１の高さすなわち架台２０８
上の露光装置の位置は一定に保たれる。
【００４４】又、測距センサ２１２の測定値が一定にな
るように油圧シリンダ２１３を制御しているので、仮に
大気圧変動などがあっても架台２０８上の露光装置の姿
勢は高精度に保たれる。
るように油圧シリンダ２１３を制御しているので、仮に
大気圧変動などがあっても架台２０８上の露光装置の姿
勢は高精度に保たれる。
【００４５】なお、架台支柱３０３とチャンバ３０１と
を気密に接続する弾性気密保持手段としては、ベローズ
以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリングや板バネな
どを用いた機構が挙げられる。この一例を図８に示す。
同図において先の図７と同一の符号は同一の部材を表わ
す。本実施例では板ばね３０６と磁性流体シール３０７
とからなる弾性気密保持手段によって、架台支柱３０３
とチャンバ３０１とを気密に接続している。これは先の
ベローズよりも更に剛性を低くすることができ、チャン
バの変形や姿勢の変化をより効果的に吸収することがで
きる。
を気密に接続する弾性気密保持手段としては、ベローズ
以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリングや板バネな
どを用いた機構が挙げられる。この一例を図８に示す。
同図において先の図７と同一の符号は同一の部材を表わ
す。本実施例では板ばね３０６と磁性流体シール３０７
とからなる弾性気密保持手段によって、架台支柱３０３
とチャンバ３０１とを気密に接続している。これは先の
ベローズよりも更に剛性を低くすることができ、チャン
バの変形や姿勢の変化をより効果的に吸収することがで
きる。
【００４６】＜実施例６＞図９は本発明の更なる実施例
の構成を示す図であり、先の図７と同一の符号は同一の
部材を表わす。３１１はチャンバ３０１に接続された第
２チャンバであり、チャンバ３０１との間には開閉自在
な仕切り弁３００が設けられている。第２チャンバ３１
１内では、ウエハ交換装置３１０が第２の架台３０９上
に搭載されている。又、第２の架台３０９と架台２０８
とは高い剛性を有する架台支柱３０８によって剛接続さ
れている。ここで弾性のベローズ３２０によって、架台
支柱３０８とチャンバ３０１、チャンバ３１１がそれぞ
れ接続され、気密が封止されている。
の構成を示す図であり、先の図７と同一の符号は同一の
部材を表わす。３１１はチャンバ３０１に接続された第
２チャンバであり、チャンバ３０１との間には開閉自在
な仕切り弁３００が設けられている。第２チャンバ３１
１内では、ウエハ交換装置３１０が第２の架台３０９上
に搭載されている。又、第２の架台３０９と架台２０８
とは高い剛性を有する架台支柱３０８によって剛接続さ
れている。ここで弾性のベローズ３２０によって、架台
支柱３０８とチャンバ３０１、チャンバ３１１がそれぞ
れ接続され、気密が封止されている。
【００４７】この構成によれば、先の図７で説明した作
用効果に加えて、減圧によって生じるそれぞれのチャン
バ３０１及び３１１の変形や両チャンバ間の相対位置変
動はベローズ３２０にて吸収されるので、架台２０８に
搭載される露光装置と第２の架台３０９に搭載される装
置との間の位置ずれは起こらず、両者の間での受け渡し
精度に悪影響を与えることはない。
用効果に加えて、減圧によって生じるそれぞれのチャン
バ３０１及び３１１の変形や両チャンバ間の相対位置変
動はベローズ３２０にて吸収されるので、架台２０８に
搭載される露光装置と第２の架台３０９に搭載される装
置との間の位置ずれは起こらず、両者の間での受け渡し
精度に悪影響を与えることはない。
【００４８】＜実施例７＞次に上記説明した露光装置の
いずれかを利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図１０は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイク
ロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路
設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステッ
プ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
いずれかを利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図１０は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイク
ロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路
設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステッ
プ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００４９】図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、複数のチャンバを備え
た処理システムにおいて、高精度な露光処理などの処理
が可能となる。
た処理システムにおいて、高精度な露光処理などの処理
が可能となる。
【００５１】特に、請求項１記載の発明によれば、複数
のチャンバのいずれかが変形しても、それぞれのチャン
バに内蔵する装置同士の相対関係への悪影響を防ぐこと
ができる。
のチャンバのいずれかが変形しても、それぞれのチャン
バに内蔵する装置同士の相対関係への悪影響を防ぐこと
ができる。
【００５２】
【図１】本発明の第１実施例の装置構成図である。
【図２】第２実施例の装置構成図である。
【図３】第３実施例の装置構成図である。
【図４】第３実施例の装置の断面図である。
【図５】各ステップにおけるチャンバと仕切弁の状態を
示す図である。
示す図である。
【図６】第４実施例の装置構成図である。
【図７】第５実施例の実施例の装置構成図である。
【図８】図７の実施例の変形例の装置構成図である。
【図９】更なる実施例の装置構成図である。
【図１０】半導体デバイスの製造フローを示す図であ
る。
る。
【図１１】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
【図１２】従来例の処理システムの構成図である。
【図１３】別の従来例の処理システムの構成図である。
１ プロセスチャンバ ２ ロードロックチャンバ ３、４、５ 第１、２、３の架台 ６ 支持部材 ７ 支持部材 ８ 支持部材 ９ 仕切り弁 １０、１１ ベローズ １２ 処理ステージ １３ 搬送ロボット １４ 試料載置台 １５ 試料 １０１ プロセスチャンバ １０２ａ ロードチャンバ １０２ｂ アンロードチャンバ １０６ 支持部材 １０９、１２２ 仕切弁 １２１ 搬送モジュールチャンバ １２３ ベローズ １２４ クリーントンネル １３１ レジスト塗布ステーション １３２ レジスト現像ステーション １３３ リンスステーション １５０ コントローラ ２０１ ビームポート ２０２ Ｂｅ窓 ２０３ マスクチャック ２０４ マスク ２０５ ウエハ ２０６ ウエハチャック ２０７ 位置合わせステージ ２０８ 架台 ２１１ エアマウント ３０１ チャンバ ３０３ 架台支柱 ３０４ ベローズ ３０５ チャンバ支柱 ３０６ 板ばね ３０７ 磁性流体シール ３０８ 架台支柱 ３０９ 第２の架台 ３１０ ウエハ交換装置 ３１１ 第２チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−164243（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−93139（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90134（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 C23C 14/56 H01L 21/205
Claims (16)
- 【請求項１】 それぞれ処理装置を内蔵し内部を気密に
保ち得る第１及び第２チャンバと、各チャンバに内蔵さ
れるそれぞれの処理装置同士を一つの構造体として結合
する結合部材とを有し結合部材と第１及び第２チャンバ
との間が弾性気密保持手段によって気密に封止されてい
ることを特徴とする処理システム。 - 【請求項２】 第１チャンバと第２チャンバとの間に開
閉可能な仕切弁が設けられていることを特徴とする請求
項１記載の処理システム。 - 【請求項３】 第１及び第２チャンバに内蔵される処理
装置は、各チャンバの外に配置された支持手段で支持さ
れていることを特徴とする請求項１記載の処理システ
ム。 - 【請求項４】 支持手段はエアマウントを有することを
特徴とする請求項３記載の処理システム。 - 【請求項５】 第２のチャンバに接続された第３チャン
バを有することを特徴とする請求項１記載の処理システ
ム。 - 【請求項６】 第３チャンバは第１チャンバとは別の支
持手段によって支持されていることを特徴とする請求項
５記載の処理システム。 - 【請求項７】 第２のチャンバと第３のチャンバとの間
に開閉可能な仕切弁が設けられていることを特徴とする
請求項５記載の処理システム。 - 【請求項８】 第２のチャンバと第３のチャンバとの間
がベローズによって接続されていることを特徴とする請
求項５記載の処理システム。 - 【請求項９】 第１チャンバと、該１チャンバに接続さ
れた第２チャンバと、該第２チャンバに接続された第３
チャンバと、第１チャンバと第２チャンバに内蔵する装
置同士を結合する結合部材と、第２チャンバと第３チャ
ンバとを接続するベローズとを有することを特徴とする
処理システム。 - 【請求項１０】 第１チャンバと第３チャンバとが異な
る支持手段で支持されていることを特徴とする請求項９
記載の処理システム。 - 【請求項１１】 第１チャンバと第２チャンバとの間で
試料を搬送する手段と、第２チャンバと第３チャンバと
の間で試料を搬送する手段を有することを特徴とする請
求項９記載の処理システム。 - 【請求項１２】 第１チャンバと第２チャンバとの間に
設けられた開閉可能な仕切弁と、第２チャンバと第３チ
ャンバとの間に設けられた開閉可能な仕切弁とを有する
ことを特徴とする請求項９記載の処理システム。 - 【請求項１３】 各チャンバの雰囲気を独立して管理す
る給排系が設けられていることを特徴とする請求項９記
載の処理システム。 - 【請求項１４】 第１チャンバにおいて内蔵する試料に
露光処理を行うことを特徴とする請求項１乃至１３のい
ずれか記載の処理システム。 - 【請求項１５】 露光処理は、ウエハに対するパターン
露光であることを特徴とする請求項１４記載の処理シス
テム。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の処理システムを用い
てウエハに露光を行なう工程を有することを特徴とする
デバイス製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100694A JP3200282B2 (ja) | 1993-07-21 | 1994-05-16 | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| EP94305332A EP0635873B1 (en) | 1993-07-21 | 1994-07-20 | Processing system and device manufacturing method using the same |
| DE69401689T DE69401689T2 (de) | 1993-07-21 | 1994-07-20 | Behandlungsvorrichtung und deren Verwendung im Herstellungsverfahren von Bauelementen |
| US08/898,568 US5746562A (en) | 1993-07-21 | 1997-07-25 | Processing system and device manufacturing method using the same |
| US09/042,691 US6406245B2 (en) | 1993-07-21 | 1998-03-17 | Processing system and device manufacturing method using the same |
| US10/046,317 US6809799B2 (en) | 1993-07-21 | 2002-01-16 | Processing system and device manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-180356 | 1993-07-21 | ||
| JP5-180353 | 1993-07-21 | ||
| JP18035393 | 1993-07-21 | ||
| JP18035693 | 1993-07-21 | ||
| JP10100694A JP3200282B2 (ja) | 1993-07-21 | 1994-05-16 | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000185819A Division JP3308967B2 (ja) | 1993-07-21 | 2000-06-21 | 処理システム及びデバイス製造方法 |
| JP2001112742A Division JP3445257B2 (ja) | 1993-07-21 | 2001-04-11 | 処理システム及びこれを用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786156A JPH0786156A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3200282B2 true JP3200282B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=27309366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10100694A Expired - Fee Related JP3200282B2 (ja) | 1993-07-21 | 1994-05-16 | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5746562A (ja) |
| EP (1) | EP0635873B1 (ja) |
| JP (1) | JP3200282B2 (ja) |
| DE (1) | DE69401689T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006261212A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3200282B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2001-08-20 | キヤノン株式会社 | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| US5904611A (en) * | 1996-05-10 | 1999-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Precision polishing apparatus |
| US5931626A (en) * | 1998-01-16 | 1999-08-03 | Brooks Automation Inc. | Robot mounting de-coupling technique |
| TW559688B (en) | 1999-04-19 | 2003-11-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, vacuum apparatus, low-stiffness seal for sealing between vacuum chamber wall and elongate rod, device manufacturing method and integrated circuit manufactured thereof |
| US6961113B1 (en) * | 1999-05-28 | 2005-11-01 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US8348583B2 (en) * | 1999-10-19 | 2013-01-08 | Rorze Corporation | Container and loader for substrate |
| JP2002057100A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Canon Inc | 露光装置、コートデベロップ装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| US6496248B2 (en) * | 2000-12-15 | 2002-12-17 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus and method |
| US6793766B2 (en) * | 2001-01-04 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Apparatus having platforms positioned for precise centering of semiconductor wafers during processing |
| US6570644B2 (en) * | 2001-06-05 | 2003-05-27 | Nikon Corporation | Connection assembly of wafer stage chamber |
| US20040096300A1 (en) * | 2001-06-30 | 2004-05-20 | Ilya Perlov | Loadlock chamber |
| JP3926255B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2007-06-06 | 藤倉ゴム工業株式会社 | 除振台 |
| JP4156938B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2008-09-24 | 京セラ株式会社 | 真空チャンバ装置と真空ステージ装置 |
| JP2004282002A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2005114083A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Ebara Corp | 真空チャンバの除振システム |
| JP2005142372A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4564742B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7078708B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-07-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of manufacturing a device and method of performing maintenance |
| US7384228B2 (en) * | 2004-05-24 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Insertion device, lithographic apparatus with said insertion device and device manufacturing method |
| JP2007230739A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Asyst Shinko Inc | ストッカ |
| US20090206229A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Ivan Nesch | Dual vibration isolation apparatus |
| JP5315100B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-10-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置 |
| JP5783811B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2015-09-24 | キヤノン株式会社 | 成膜装置 |
| US20120069317A1 (en) * | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Jerry Peijster | Lithography system arranged on a foundation, and method for arranging a lithography system on said foundation |
| DE102010048043A1 (de) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Ev Group Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern |
| US9939728B2 (en) | 2011-09-12 | 2018-04-10 | Mapper Lithography Ip B.V. | Vacuum chamber with a thick aluminum base plate |
| US9164399B2 (en) * | 2012-01-10 | 2015-10-20 | Hermes-Microvision, Inc. | Reticle operation system |
| JP6087573B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2017-03-01 | キヤノン株式会社 | 処理装置、それを用いた物品の製造方法 |
| KR101962472B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2019-03-26 | 주식회사 삼화테크 | 공정챔버의 연결구조 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549584A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-24 | Nec Corp | X-ray exposure device |
| US4363217A (en) * | 1981-01-29 | 1982-12-14 | Venuti Guy S | Vibration damping apparatus |
| US4394819A (en) * | 1982-08-16 | 1983-07-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Vibration isolation and pressure compensation apparatus for sensitive instrumentation |
| US4764076A (en) * | 1986-04-17 | 1988-08-16 | Varian Associates, Inc. | Valve incorporating wafer handling arm |
| EP0246453A3 (en) * | 1986-04-18 | 1989-09-06 | General Signal Corporation | Novel multiple-processing and contamination-free plasma etching system |
| JPS6380531A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線リソグラフイ装置 |
| JP2523558B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1996-08-14 | 株式会社日立製作所 | 処理方法 |
| US4827736A (en) * | 1988-07-06 | 1989-05-09 | Daikin Industries, Ltd. | Cryogenic refrigeration system for cooling a specimen |
| DE3921824A1 (de) * | 1988-07-11 | 1990-04-19 | Takenaka Corp | Daempfungssockel |
| EP0353980B1 (en) * | 1988-08-02 | 1995-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | A mounting method |
| JP2774527B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-07-09 | キヤノン株式会社 | 減圧装置 |
| US4959964A (en) * | 1988-09-16 | 1990-10-02 | Hitachi, Ltd. | Cryostat with refrigerator containing superconductive magnet |
| JP2728898B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1998-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JPH02301126A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPH0739028B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 雰囲気炉 |
| DE69128207T2 (de) * | 1990-03-13 | 1998-04-16 | Canon Kk | Belichtungsanordnung mittels Synchrotronstrahlung |
| US5195113A (en) * | 1990-09-28 | 1993-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray exposure apparatus and method of positioning the same |
| JPH04136944A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Toshiba Corp | Ｘ線露光装置 |
| US5187519A (en) * | 1990-10-05 | 1993-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus having mount means to suppress vibrations |
| JP3182158B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2001-07-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置用のステージ支持装置 |
| US5105557A (en) * | 1991-03-11 | 1992-04-21 | Vadasz Jozsef T | System for rapidly drying parts |
| US5154730A (en) * | 1991-05-17 | 1992-10-13 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module |
| JP3135315B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2001-02-13 | キヤノン株式会社 | Ｓｒ−ｘ線ミラーの位置決め装置 |
| EP0540178B1 (en) * | 1991-09-30 | 1998-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus and method for using it |
| JP2646414B2 (ja) * | 1992-02-21 | 1997-08-27 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPH0694900A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Olympus Optical Co Ltd | 真空光学系 |
| JP3200282B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2001-08-20 | キヤノン株式会社 | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| US5643366A (en) * | 1994-01-31 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum |
| US5895549A (en) * | 1994-07-11 | 1999-04-20 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for etching film layers on large substrates |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP10100694A patent/JP3200282B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-20 EP EP94305332A patent/EP0635873B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-20 DE DE69401689T patent/DE69401689T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-25 US US08/898,568 patent/US5746562A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-17 US US09/042,691 patent/US6406245B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-16 US US10/046,317 patent/US6809799B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006261212A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0635873A1 (en) | 1995-01-25 |
| DE69401689T2 (de) | 1997-06-19 |
| US20020061245A1 (en) | 2002-05-23 |
| EP0635873B1 (en) | 1997-02-05 |
| JPH0786156A (ja) | 1995-03-31 |
| DE69401689D1 (de) | 1997-03-20 |
| US6406245B2 (en) | 2002-06-18 |
| US6809799B2 (en) | 2004-10-26 |
| US5746562A (en) | 1998-05-05 |
| US20010041119A1 (en) | 2001-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3200282B2 (ja) | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP4667140B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4478440B2 (ja) | ロードロック装置および方法 | |
| US6842221B1 (en) | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
| US6801301B2 (en) | Exposure apparatus | |
| US7130016B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP3173928B2 (ja) | 基板保持装置、基板保持方法および露光装置 | |
| US6750946B2 (en) | Processing apparatus for processing sample in predetermined atmosphere | |
| JP2005268268A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP3323797B2 (ja) | 疎水化処理装置 | |
| JP3445257B2 (ja) | 処理システム及びこれを用いた露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001102281A (ja) | ロードロック室、チャンバ、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3308967B2 (ja) | 処理システム及びデバイス製造方法 | |
| US7705964B2 (en) | Exposure system and exposure method | |
| US9312159B2 (en) | Transport apparatus and exposure apparatus | |
| JP2001118904A (ja) | ロードロック室を備えた基板処理装置および被処理基板の搬送方法 | |
| JP2004221296A (ja) | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| US6990173B1 (en) | Positioning apparatus, atmosphere substituting method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2003332214A (ja) | 減圧装置、基板の制御方法、露光装置、半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010515 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |