JP2013211287A - ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及びパワーモジュール用基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属層14と11ヒートシンク11が対向する面のうち、少なくともいずれか一方の面に、この面から突出するフィン状突起部が複数設けられ、前記金属層14と前記ヒートシンク11との接合部16において、前記フィン状突起部がたわみ変形して金属層14とヒートシンク11とが接続されていることを特徴とする
【選択図】図1
Description
さらには、熱サイクル及びパワーサイクル負荷時において、グリースが劣化したり、グリースの内部に空隙が生じたりする場合がある。すると、接合部においてさらに熱抵抗が大きくなる問題が生じる。
なお、ヒートシンクとしては、板状の放熱板、内部に冷媒が流通する冷却器、フィンが形成された液冷、空冷放熱器、ヒートパイプなど、熱の放散によって温度を下げることを目的とした金属部品が含まれる。
複数のフィン状突起部を介して接続された金属層とヒートシンクの接合部において、フィン状突起部とフィン状突起部の間にグリースを設けることによって、熱抵抗をさらに低減することが可能となる。また、フィン状突起部によりグリースが移動することが防止されるため、グリースが接合部から抜け難くすることができる。
このような構成にすることによって、金属層とヒートシンクを対向配置し押圧する際に、フィン状突起部が金属層とヒートシンクの間の隙間に応じて、フィン状突起部とフィン状突起部が接触する面との接触面積が大きくなるようにたわみ変形し、金属層とヒートシンクとの間をフィン状突起部で埋めることができ、金属層とヒートシンクとの接合部における熱抵抗を小さくすることが可能となる。
このような構成にすることによって、パワーモジュール用基板の金属層とヒートシンクを対向配置し押圧する場合に、フィン状突起部が金属層とヒートシンクの間の隙間に応じて、フィン状突起部とフィン状突起部が接触する面との接触面積が大きくなるようにたわみ変形させ、金属層とヒートシンクとの間をフィン状突起部で埋めることができ、金属層とヒートシンクとの接合部における熱抵抗を小さくすることができる。
まず、本発明の第一の実施形態に係るパワーモジュール1について説明する。このパワーモジュール1は、図1で示すように、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2と、ヒートシンク付パワーモジュール用基板2に接合された半導体素子10(電子部品)と、を備えている。
そして、パワーモジュール用基板3は、絶縁層12と、絶縁層12の一方の面(図1において上面)に配設された回路層13と、絶縁層12の他方の面(図1において下面)に配設された金属層14と、を備えている。
なお、本実施形態では、パワーモジュール用基板3とヒートシンク11は、板バネなどによって押圧固定されている。
本実施形態においては、半導体素子10とヒートシンク付パワーモジュール用基板2は、はんだ19を介して接合されている。
パワーモジュール用基板3は、図3で示すように、絶縁層12と、絶縁層12の一方の面(図3において上面)に配設された回路層13と、絶縁層12の他方の面(図3において下面)に配設された金属層14と、を備えている。
フィン状突起部15は、金属層14の積層方向(図3の上下方向)に押圧されることによって、たわみ変形可能となっている。また、このフィン状突起部15は複数設けられており、それぞれが同一の方向に向いている。
まず、回路層13、金属層14となるアルミニウム板を絶縁層12の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材を介して積層し、加圧・加熱後冷却することによって、アルミニウム板と絶縁層12とを接合する(回路層及びアルミニウム板接合工程S11)。なお、このろう付けの温度は、640℃〜650℃に設定されている。
そして、金属層14となるアルミニウム板20の表面には、切り出し加工やロール加工等の機械加工を用いて、図4で示したフィン状突起部15を形成する(金属層のフィン状突起部形成工程S12)。本実施形態では、図6で示すように、アルミニウム板20の面に対して斜め方向(図6の矢印方向)に刃21を侵入させ、切り出した面をアルミニウム板20の面に対して垂直方向に起こすことによって、板形状のフィン状突起部15を形成した。
このようにして、本実施形態である絶縁層12の一方の面に回路層13が形成され、他方の面に金属層14が形成されたパワーモジュール用基板3が製造される。
こうして、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板2が製造される。
次に、本発明に係る第二の実施形態について説明する。
第二の実施形態は、金属層114及びヒートシンク111の構成が異なること以外は第一の実施形態と同様の構成であるので、同一の構成のものについては同一の符号で記載し、詳細な説明を省略する。
パワーモジュール101は、図7で示すように、ヒートシンク付パワーモジュール用基板102と、ヒートシンク付パワーモジュール用基板102に接合された半導体素子10(電子部品)と、を備えている。このヒートシンク付パワーモジュール用基板102は、パワーモジュール用基板103と、パワーモジュール用基板103に接合されたヒートシンク111と、を備えている。
なお、第二の実施形態では、パワーモジュール用基板103とヒートシンク111は、板バネなどによって押圧固定されている。
金属層114と接合される前のヒートシンク111は、図9及び図10で示すように、ヒートシンク111の一方の面に複数のフィン状突起部115が設けられ、他方の面から下方に向けて垂設された放熱フィン117が設けられている。このヒートシンク111は、放熱の用途として、パワーモジュール用基板103の金属層114に接合されて用いられるものである。このヒートシンク111は、熱伝導性が良好な銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されることが望ましく、本実施形態においては、A6063(アルミニウム合金)で構成されている。
まず、回路層13となるアルミニウム板及び金属層114となるアルミニウム板と、ヒートシンク111となるアルミニウム合金板を準備する。そして、ヒートシンク111となるアルミニウム合金板の表面に、切り出し加工、ロール加工等の機械加工により、図10で示したフィン状突起部115を形成する(ヒートシンクのフィン状突起部形成工程S21)。本実施形態では、第一の実施形態のフィン状突起部15の作製方法と同様の手法によりフィン状突起部115を作製した。
このようにして、本実施形態である絶縁層12の一方の面に回路層13が形成され、他方の面に金属層114が形成されたパワーモジュール用基板103が製造される。
こうして、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板102が製造される。
このようにして、本実施形態であるパワーモジュール101が製造される。
次に、このパワーモジュール101の熱の流れを説明する。半導体素子10から発生した熱は、パワーモジュール用基板103に伝熱され、ヒートシンク111のフィン状突起部115を介してヒートシンク111の放熱フィン117側へと熱が伝達されることとなる。そして、放熱フィン117を通じて放熱される。
次に、本発明に係る第三の実施形態について説明する。
第三の実施形態は、第一の実施形態で用いるパワーモジュール用基板3と、第二の実施形態で用いるフィン状突起部115が設けられたヒートシンク111を用いること以外は上述した構成と同様であり、同一の構成のものについては同一の符号で記載し、詳細な説明を省略する。
さらに、回路層を銅又は銅合金で構成した場合には、銅又は銅合金からなる金属板を絶縁層に接合する際に、直接接合法(DBC法)、活性金属法、鋳造法等を適用することができる。
3、103、403 パワーモジュール用基板
11、111、411 ヒートシンク
12 絶縁層
13 回路層
14、114 金属層
15、115、315 フィン状突起部
16、116、216 接合部
Claims (6)
- 絶縁層の一方の面に回路層が配設され、他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記金属層と接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、
前記金属層と前記ヒートシンクが対向する面のうち、少なくともいずれか一方の面に、この面から突出するフィン状突起部が複数設けられ、
前記金属層と前記ヒートシンクとの接合部において、前記フィン状突起部がたわみ変形して金属層とヒートシンクとが接続されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。 - 前記金属層と前記ヒートシンクとの接合部において、グリースが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板。
- 絶縁層の一方の面に回路層が配設され、他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記金属層と接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記金属層と前記ヒートシンクが対向する面のうち、少なくともいずれか一方の面に、たわみ変形可能なフィン状突起部を複数設け、
前記金属層と前記ヒートシンクを対向配置し、押圧することによってフィン状突起部をたわみ変形させて、前記金属層と前記ヒートシンクを接合することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記面に対して、少なくとも先端側を傾斜させて前記フィン状突起部を設けることを特徴とする請求項3に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- ヒートシンクと対向配置され、押圧されることによりヒートシンクと接合されるパワーモジュール用基板であって、
絶縁層の一方の面に回路層が配設され、他方の面に金属層が配設されており、
前記ヒートシンクと対向配置される前記金属層の面に、この面から突出するフィン状突起部が複数設けられ、
前記フィン状突起部は、押圧されることによってたわみ変形可能とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 前記フィン状突起部は、前記面に対して少なくとも先端側が傾斜していることを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュール用基板。
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