JP4808676B2 - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4808676B2
JP4808676B2 JP2007142799A JP2007142799A JP4808676B2 JP 4808676 B2 JP4808676 B2 JP 4808676B2 JP 2007142799 A JP2007142799 A JP 2007142799A JP 2007142799 A JP2007142799 A JP 2007142799A JP 4808676 B2 JP4808676 B2 JP 4808676B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
stage
substrate
exposure
rotation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007142799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008298906A (ja
Inventor
保彦 原
博志 樋川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2007142799A priority Critical patent/JP4808676B2/ja
Publication of JP2008298906A publication Critical patent/JP2008298906A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4808676B2 publication Critical patent/JP4808676B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に基板を保持するチャックを移動ステージによりXY方向へ移動及びθ方向へ回転して露光時の基板の位置決めを行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてフォトマスク(以下、「マスク」と称す)のパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。
近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、1枚の基板から1枚又は複数枚の表示用パネル基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、移動ステージにより基板をXY方向にステップ移動しながら、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。以下、この方式を、プロキシミティXYステップ方式と呼ぶ。
特許文献1には、プロキシミティXYステップ方式の露光において、レーザー測長系を用いて露光時の基板の位置決めを精度良く行い、焼き付け精度を向上する技術が開示されている。基板の位置決めを行う移動ステージは、X方向へ移動するXステージと、Y方向へ移動するYステージと、θ方向へ回転するθステージとを備え、基板を保持するチャックを搭載して、XY方向へ移動及びθ方向へ回転する。
特開2005−331542号公報
特許文献1に記載の様なレーザー測長系を用いて露光時の基板の位置決めを行う場合、チャックのθ方向への回転により、レーザー測長系で測定するチャックのXY方向の位置が変化する。従来は、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を計算し、チャックのXY方向の位置を補正していた。この計算のためには、移動ステージの回転中心がどこにあるかを知る必要があり、従来は、設計時の移動ステージの回転軸を用いるか、または予め何らかの手段で移動ステージの回転中心を測定していた。
一般に、移動ステージは、その回転軸がチャックの中心と一致する様に設計される。しかしながら、大型化した複雑な機構を持つ移動ステージが、設計通りの回転軸で回転するとは限らない。また、予め移動ステージの回転中心を測定しても、移動ステージの回転中心が常に一定であるとは限らない。従って、従来の方法では、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を精度良く補正することができなかった。
本発明の課題は、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を精度良く補正して、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことである。また、本発明の課題は、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することである。
本発明の露光装置は、基板を保持するチャックと、チャックを搭載し、チャックをXY方向へ移動及びθ方向へ回転して、露光時の基板の位置決めを行う移動ステージと、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を検出する検出手段と、移動ステージを駆動するステージ駆動回路と、ステージ駆動回路を制御してチャックをXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ、移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を計算し、計算結果と検出手段の検出結果とから、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量を求め、求めたずれ量に基づいて、チャックのXY方向の位置を補正する制御装置とを備えたものである。
また、本発明の露光方法は、基板を移動ステージに搭載されたチャックで保持し、チャックを移動ステージによりXY方向へ移動及びθ方向へ回転して、露光時の基板の位置決めを行う露光方法であって、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を検出し、移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を計算し、計算結果と検出結果とから、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量を求め、求めたずれ量に基づいて、チャックのXY方向の位置を補正するものである。
回転によるチャックのXY方向の位置の変化を検出し、移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を計算し、計算結果と検出結果とから、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量を求めるので、移動ステージの回転中心が変動しても、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量に基づいて、回転によるチャックのXY方向の位置の変化が精度良く補正される。
さらに、本発明の露光装置は、制御装置が、チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定するものである。また、本発明の露光方法は、チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定するものである。チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定するという簡単な処理で、チャックのXY方向の位置の補正が行われる。
さらに、本発明の露光装置は、検出手段が、チャックのY方向(又はX方向)に取り付けられた第1の反射手段と、チャックのX方向(又はY方向)に取り付けられた第2の反射手段と、第1の反射手段の変位を測定する複数の第1のレーザー変位計と、第2の反射手段の変位を測定する第2のレーザー変位計とを有するものである。また、本発明の露光方法は、チャックのY方向(又はX方向)に第1の反射手段を取り付け、チャックのX方向(又はY方向)に第2の反射手段を取り付け、第1の反射手段の変位を複数の第1のレーザー変位計で測定し、第2の反射手段の変位を第2のレーザー変位計で測定して、チャックのXY方向の位置の変化を検出するものである。複数の第1のレーザー変位計の測定結果から、チャックのθ方向の傾きが検出される。
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。露光時の基板の位置決めが精度良く行われるので、パターンの焼付けが精度良く行われ、高品質な基板が製造される。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、移動ステージの回転中心が変動しても、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量に基づいて、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を精度良く補正することができる。従って、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定するという簡単な処理で、チャックのXY方向の位置の補正を行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、チャックのY方向(又はX方向)に第1の反射手段を取り付け、チャックのX方向(又はY方向)に第2の反射手段を取り付け、第1の反射手段の変位を複数の第1のレーザー変位計で測定し、第2の反射手段の変位を第2のレーザー変位計で測定して、チャックのXY方向の位置の変化を検出することにより、複数の第1のレーザー変位計の測定結果から、チャックのθ方向の傾きを検出することができる。
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことができるので、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することができる。
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、複数の移動ステージを用いてプロキシミティ方式の露光を行う露光装置の例を示している。露光装置は、複数のチャック10a,10b、主ステージベース11、複数の副ステージベース11a,11b、台12、Xガイド13、複数の移動ステージ、マスクホルダ20、レーザー測長系制御装置30、複数の第1のレーザー測長系、第2のレーザー測長系、レーザー変位計制御装置40、レーザー変位計42,43、バーミラー44,45、主制御装置70、入出力インタフェース回路71,72、及びステージ駆動回路80a,80bを含んで構成されている。なお、露光装置は、これらの他に、露光光を照射する照射光学系、基板1を搬入する搬入ユニット、基板1を搬出する搬出ユニット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、本実施の形態では、チャック、副ステージベース、移動ステージ、第1のレーザー測長系及びステージ駆動回路がそれぞれ2つ設けられているが、これらをそれぞれ1つ又は3つ以上設けてもよい。また、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。
図1において、基板1の露光を行う露光位置の上空に、マスク2を保持するマスクホルダ20が設置されている。マスクホルダ20は、マスク2の周辺部を真空吸着して保持する。マスクホルダ20に保持されたマスク2の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク2を透過して基板1へ照射されることにより、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。
マスクホルダ20の下方には、主ステージベース11が配置されている。主ステージベース11の左右には、主ステージベース11のX方向に隣接して副ステージベース11a,11bが配置されている。主ステージベース11のY方向には、台12が取り付けられている。チャック10aは、後述する移動ステージによって、副ステージベース11a上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動される。また、チャック10bは、後述する移動ステージによって、副ステージベース11b上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動される。基板1は、副ステージベース11a,11b上のロード/アンロード位置において、図示しない搬入ユニットによりチャック10a,10bへ搭載され、また図示しない搬出ユニットによりチャック10a,10bから回収される。チャック10a,10bは、基板1を真空吸着して保持する。
図2は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図3は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。図2において、主ステージベース11上及び副ステージベース11a,11b上には、主ステージベース11上から副ステージベース11a,11b上へX方向に伸びるXガイド13が設けられている。
図3において、チャック10a,10bは、それぞれ移動ステージに搭載されている。各移動ステージは、Xステージ14、Yガイド15、Yステージ16、θステージ17、及びチャック支持台19を含んで構成されている。Xステージ14は、Xガイド13に搭載され、Xガイド13に沿ってX方向へ移動する。Yステージ16は、Xステージ14上に設けられたYガイド15に搭載され、Yガイド15に沿ってY方向(図面奥行き方向)へ移動する。θステージ17は、Yステージ16に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台19は、θステージ17に搭載され、チャック10a,10bを支持する。
各移動ステージのXステージ14のX方向への移動により、チャック10aは、副ステージベース11a上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動され、チャック10bは、副ステージベース11b上のロード/アンロード位置と主ステージベース11上の露光位置との間を移動される。図4は、チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図5は、チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。
主ステージベース11上の露光位置において、各移動ステージのXステージ14のX方向への移動及びYステージ16のY方向への移動により、チャック10a,10bに保持された基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、各移動ステージのXステージ14のX方向への移動、Yステージ16のY方向への移動、及びθステージ17のθ方向への回転により、露光時の基板1の位置決めが行われる。また、図示しないZ−チルト機構によりマスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。図1において、ステージ駆動回路80aは、主制御装置70の制御により、チャック10aを搭載する移動ステージのXステージ14、Yステージ16、及びθステージ17を駆動する。また、ステージ駆動回路80bは、主制御装置70の制御により、チャック10bを搭載する移動ステージのXステージ14、Yステージ16、及びθステージ17を駆動する。
なお、本実施の形態では、マスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行っているが、各移動ステージにZ−チルト機構を設けて、チャック10a,10bをZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行ってもよい。
以下、本実施の形態の露光装置の基板の位置決め動作について説明する。本実施の形態では、2つの第1のレーザー測長系の一方により、チャック10aを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出し、他方により、チャック10bを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出する。また、第2のレーザー測長系により、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置を検出する。さらに、レーザー変位計42,43を用いて、チャック10a,10bのθ方向の傾きを検出し、また回転によるチャック10a,10bのXY方向の位置の変化を検出する。
図1において、第1のレーザー測長系の一方は、レーザー光源31a、2つのレーザー干渉計32a、及び後述するバーミラー34aを含んで構成されている。第1のレーザー測長系の他方は、レーザー光源31b、2つのレーザー干渉計32b、及び後述するバーミラー34bを含んで構成されている。また、第2のレーザー測長系は、レーザー光源31b、レーザー干渉計33、及びバーミラー35を含んで構成されている。
図6は、主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。図7は、主ステージベース上にある移動ステージのX方向の一部断面側面図である。図8は、主ステージベース上にある移動ステージのY方向の側面図である。図6〜図8は、チャック10aを搭載する移動ステージを示しており、チャック10bを搭載する移動ステージは、チャック10aを搭載する移動ステージとX方向において左右対称な構成となっている。なお、図7ではXガイド13が省略され、図8ではレーザー干渉計32a,32bが省略されている。
図8において、移動ステージのXステージ14がXガイド13に搭載されているので、主ステージベース11及び副ステージベース11a,11bとXステージ14との間に、Xガイド13の高さに応じた空間が発生している。第1のレーザー測長系のバーミラー34aは、この空間を利用して、Xステージ14の下に取り付けられている。バーミラー34bも同様である。第1のレーザー測長系の2つのレーザー干渉計32aは、図1に示す様に、主ステージベース11のXガイド13から外れた位置に設置されている。レーザー干渉計32bも同様である。
図6〜図8において、第2のレーザー測長系のバーミラー35は、アーム36により、ほぼチャック10aの高さでYステージ16に取り付けられている。チャック10bを搭載する移動ステージについても、同様に、バーミラー35は、ほぼチャック10bの高さでYステージ16に取り付けられている。第2のレーザー測長系のレーザー干渉計33は、図6及び図8に示す様に、主ステージベース11のY方向に取り付けられた台12に設置されている。
図9及び図10は、レーザー干渉計の動作を説明する図である。なお、図9は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示し、図10は、チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す。
図9及び図10において、各レーザー干渉計32aは、レーザー光源31aからのレーザー光をバーミラー34aへ照射し、バーミラー34aにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31aからのレーザー光とバーミラー34aにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図1において、レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、2つのレーザー干渉計32aの測定結果から、チャック10aを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出し、またXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングを検出する。
図9及び図10において、各レーザー干渉計32bは、レーザー光源31bからのレーザー光をバーミラー34bへ照射し、バーミラー34bにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31bからのレーザー光とバーミラー34bにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図1において、レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、2つのレーザー干渉計32bの測定結果から、チャック10bを搭載する移動ステージのX方向の位置を検出し、またXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングを検出する。
第1のレーザー測長系のバーミラー34a,34bを各移動ステージのXステージ14の下に取り付け、レーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11のXガイド13から外れた位置に設置するので、各移動ステージは副ステージベース11a,11bと主ステージベース11とを移動する際にレーザー干渉計32a,32bと衝突することがない。そして、レーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11に設置するので、レーザー干渉計32a,32bが副ステージベース11a,11bの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計32a,32bから主ステージベース11上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、各第1のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのX方向の位置が精度良く検出される。そして、各第1のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計32a,32bを主ステージベース11に設置するので、複数のレーザー干渉計32a,32bの測定結果から、各移動ステージのXステージ14がX方向へ移動する際のヨーイングが検出される。
図9及び図10において、レーザー干渉計33は、レーザー光源31bからのレーザー光をバーミラー35へ照射し、バーミラー35により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31bからのレーザー光とバーミラー35により反射されたレーザー光との干渉を測定する。図1において、レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計33の測定結果から、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置を検出する。
第2のレーザー測長系のレーザー干渉計33を主ステージベース11のY方向に取り付けられた台12に設置するので、レーザー干渉計33が副ステージベース11a,11bの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計33から主ステージベース11上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、第2のレーザー測長系を用いて、主ステージベース11上での各移動ステージのY方向の位置が精度良く検出される。そして、第2のレーザー測長系の各バーミラー35を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャック10a,10bの高さに取り付けるので、各移動ステージのY方向の位置が基板1の近傍で検出される。
図11は、X方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図11は、チャック10aを搭載する移動ステージに取り付けられたレーザー変位計を示しており、チャック10bを搭載する移動ステージに取り付けられたレーザー変位計は、図11とX方向において左右対称な構成となっている。バーミラー44は、チャック10a,10bのY方向の一側面に取り付けられている。2つのレーザー変位計42は、それぞれ、アーム46により、バーミラー44の高さでブロック48に取り付けられている。ブロック48は、Xステージ14に取り付けられている。
図12は、Y方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図12において、バーミラー45は、取り付け具49により、チャック10a,10bの裏面に取り付けられている。レーザー変位計43は、図7及び図12に示す様に、アーム47により、バーミラー45の高さでYステージ16に取り付けられている。なお、図12は、バーミラー45及び取り付け具49が見える様にするため、チャック10a,10bの一部を切り欠いた状態を示している。
図11において、各レーザー変位計42は、レーザー光をバーミラー44へ照射し、バーミラー44により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー44のX方向の変位を測定する。また、図12において、レーザー変位計43は、レーザー光をバーミラー45へ照射し、バーミラー45により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー45のY方向の変位を測定する。図1において、レーザー変位計制御装置40は、主制御装置70の制御により、2つのレーザー変位計42及びレーザー変位計43の測定結果から、チャック10a,10bのθ方向の傾きを検出し、またYステージ16がYX方向へ移動する際のヨーイングを検出し、また回転によるチャック10a,10bのXY方向の位置の変化を検出する。
チャック10a,10bにバーミラー44を取り付け、各バーミラー44の変位をそれぞれ複数のレーザー変位計42で測定するので、チャック10a,10bのθ方向の傾きが精度良く検出される。そして、複数のレーザー変位計42を各移動ステージのXステージ14に設置するので、複数のレーザー変位計42の測定結果から、Xステージ14に搭載されたYステージ16がY方向へ移動する際のヨーイングが検出される。
図1において、主制御装置70は、レーザー測長系制御装置30の検出結果を、入出力インタフェース回路71を介して入力する。また、主制御装置70は、レーザー変位計制御装置40の検出結果を、入出力インタフェース回路72を介して入力する。そして、主制御装置70は、レーザー測長系制御装置30の検出結果及びレーザー変位計制御装置40の検出結果に基づき、ステージ駆動回路80a,80bを制御して各移動ステージを駆動させ、露光時の基板1の位置決めを行う。
図13は、基板の位置決め動作を示すフローチャートである。以下、チャック10aに保持された基板1の位置決め動作について説明するが、チャック10bに保持された基板1の場合も同様である。まず、主制御装置70は、チャック10aのXY方向の位置及びθ方向の傾きの目標値を決定する(ステップ301)。次に、レーザー測長系制御装置30は、チャック10aを搭載する移動ステージのXY方向の位置を検出し、レーザー変位計制御装置40は、チャック10aのθ方向の傾きを検出する(ステップ302)。
続いて、主制御装置70は、目標値とレーザー測長系制御装置30及びレーザー変位計制御装置40の検出結果とから、チャック10aの移動量及び回転量を決定する(ステップ303)。そして、主制御装置70は、ステージ駆動回路80aを制御して、決定した移動量及び回転量だけ、チャック10aをXY方向へ移動及びθ方向へ回転させる(ステップ304)。
チャック10aをXY方向へ移動及びθ方向へ回転させた後、レーザー測長系制御装置30は、チャック10aを搭載する移動ステージのXY方向の位置を検出し、レーザー変位計制御装置40は、チャック10aのθ方向の傾きを検出する(ステップ305)。このとき、レーザー変位計制御装置40は、レーザー変位計42及びレーザー変位計43の回転前の測定結果と回転後の測定結果とから、回転によるチャック10aのXY方向の位置の変化を検出する(ステップ305)。
続いて、主制御装置70は、移動ステージの回転中心がチャック10aの中心と一致する場合の回転によるチャック10aのXY方向の位置の変化を計算する。図14は、移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を説明する図である。図14では、回転前のチャック10aを破線で示し、回転後のチャック10aを実線で示している。また、図14では、バーミラー44の反射面をチャック10aのY方向の側面と同じ位置とし、バーミラー45の反射面をチャック10aのX方向の側面と同じ位置として、バーミラー44,45を省略している。
移動ステージの回転中心がチャック10aの中心と一致する場合、図14において、チャック10aが角度φだけ回転されたとき、回転中心から回転前のバーミラー44の反射面までの距離をXO、回転中心から回転後のバーミラー44の反射面までの距離をXO’とすると、回転によるチャック10aのX方向の位置の変化ΔXは、ΔX=XO’−XOとなる。ここで、回転中心からレーザー変位計42までのY方向の距離をY1とすると、XO/A=cosφ、B/Y1=tanφであるので、XO’ =A−B=XO/cosφ−Y1・tanφとなる 。従って、チャック10aが角度φだけ回転されたとき、回転によるチャック10aのX方向の位置の変化ΔXは、次の式で計算することができる。
ΔX=XO’−XO=(XO/cosφ−Y1・tanφ)−XO
同様に、移動ステージの回転中心がチャック10aの中心と一致する場合、図14において、チャック10aが角度φだけ回転されたとき、回転中心から回転前のバーミラー45の反射面までの距離をYO、回転中心から回転後のバーミラー45の反射面までの距離をYO’とすると、回転によるチャック10aのY方向の位置の変化ΔYは、ΔY=YO’−YOとなる。ここで、回転中心からレーザー変位計43までのX方向の距離をX1とすると、YO/C=cosφ、D/X1=tanφであるので、YO’ =C+D=YO/cosφ+X1・tan φとなる。従って、チャック10aが角度φだけ回転されたとき、回転によるチャック10aのY方向の位置の変化ΔYは、次の式で計算することができる。
ΔY=YO’−YO=(YO/cosφ+X1・tanφ)−YO
回転前のレーザー変位計42の測定値をoXとすると、移動ステージの回転中心がチャック10aの中心と一致する場合、図14において、回転後に予想されるレーザー変位計42の測定値nX’は、nX’=oX+ΔXである。しかしながら、移動ステージの回転中心がチャック10aの中心からずれている場合、回転後の実際のレーザー変位計42の測定値nXは、nX’と同じにならない。このとき、レーザー変位計制御装置40が実際に検出する、回転によるチャック10aのX方向の位置の変化は、nX−oXである。
同様に、回転前のレーザー変位計42の測定値をoYとすると、移動ステージの回転中心がチャック10aの中心と一致する場合、図14において、回転後に予想されるレーザー変位計43の測定値nY’は、nY’=oY+ΔYである。しかしながら、移動ステージの回転中心がチャック10aの中心からずれている場合、回転後の実際のレーザー変位計43の測定値nYは、nY’と同じにならない。このとき、レーザー変位計制御装置40が実際に検出する、回転によるチャック10aのY方向の位置の変化は、nY−oYである。
図13において、主制御装置70は、計算結果ΔX,ΔYとレーザー変位計制御装置40の実際の検出結果nX−oX,nY−oYとから、移動ステージの回転中心のチャック10aの中心からのX方向のずれ量dX及びY方向のずれ量dYを、次の式により算出する(ステップ306)。
dX=ΔX−(nX−oX)=(nX’−oX)−(nX−oX)=nX’−nX
dY=ΔY−(nY−oY)=(nY’−oY)−(nY−oY)=nY’−nY
続いて、主制御装置70は、算出したずれ量dX,dYに基づいて、チャック10aのXY方向の位置の目標値を更新する(ステップ307)。そして、主制御装置70は、更新した目標値とステップ305でのレーザー測長系制御装置30及びレーザー変位計制御装置40の検出結果とから、チャック10aのXY方向の位置及びθ方向の傾きの補正量を決定する(ステップ308)。
続いて、主制御装置70は、決定した補正量が所定値より大きいか判断する(ステップ309)。決定した補正量が所定値より大きい場合、主制御装置70は、ステージ駆動回路80aを制御して、決定した補正量だけ、チャック10aをXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ(ステップ310)、ステップ305へ戻る。決定した補正量が所定値以下の場合、基板1の位置決め動作を終了する。
回転によるチャックのXY方向の位置の変化を検出し(ステップ305)、移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を計算し、計算結果と検出結果とから、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量を算出するので(ステップ306)、移動ステージの回転中心が変動しても、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量に基づいて、回転によるチャックのXY方向の位置の変化が精度良く補正される。そして、チャックのXY方向の位置の目標値を決定し(ステップ301)、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し(ステップ307)、更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定する(ステップ308)という簡単な処理で、チャックのXY方向の位置の補正が行われる。
以上説明した本実施の形態によれば、移動ステージの回転中心が変動しても、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量に基づいて、回転によるチャックのXY方向の位置の変化を精度良く補正することができる。従って、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定するという簡単な処理で、チャックのXY方向の位置の補正を行うことができる。
さらに、以上説明した本実施の形態によれば、チャックのY方向(又はX方向)にバーミラー44を取り付け、チャックのX方向(又はY方向)にバーミラー45を取り付け、バーミラー44の変位を複数のレーザー変位計42で測定し、バーミラー45の変位をレーザー変位計43で測定して、チャックのXY方向の位置の変化を検出することにより、複数のレーザー変位計42の測定結果から、チャックのθ方向の傾きを検出することができる。
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、露光時の基板の位置決めを精度良く行うことができるので、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することができる。
例えば、図15は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
また、図16は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図15に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図16に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック10bが露光位置にあり、チャック10aがロード/アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのX方向の一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのY方向の側面図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 X方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 Y方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 基板の位置決め動作を示すフローチャートである。 移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を説明する図である。 液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
1 基板
2 マスク
10a,10b チャック
11 主ステージベース
11a,11b 副ステージベース
12 台
13 Xガイド
14 Xステージ
15 Yガイド
16 Yステージ
17 θステージ
19 チャック支持台
20 マスクホルダ
30 レーザー測長系制御装置
31a,31b レーザー光源
32a,32b,33 レーザー干渉計
34a,34b,35 バーミラー
36 アーム
40 レーザー変位計制御装置
42,43 レーザー変位計
44,45 バーミラー
46,47 アーム
48 ブロック
49 取り付け具
70 主制御装置
71,72 入出力インタフェース回路
80a,80b ステージ駆動回路

Claims (8)

  1. 基板を保持するチャックと、
    前記チャックを搭載し、前記チャックをXY方向へ移動及びθ方向へ回転して、露光時の基板の位置決めを行う移動ステージと、
    回転による前記チャックのXY方向の位置の変化を検出する検出手段と、
    前記移動ステージを駆動するステージ駆動回路と、
    前記ステージ駆動回路を制御して前記チャックをXY方向へ移動及びθ方向へ回転させ、前記移動ステージの回転中心が前記チャックの中心と一致する場合の回転による前記チャックのXY方向の位置の変化を計算し、計算結果と前記検出手段の検出結果とから、前記移動ステージの回転中心の前記チャックの中心からのずれ量を求め、求めたずれ量に基づいて、前記チャックのXY方向の位置を補正する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
  2. 前記制御装置は、前記チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、更新した目標値を用いて前記チャックのXY方向の位置の補正量を決定することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記検出手段は、
    前記チャックのY方向(又はX方向)に取り付けられた第1の反射手段と、
    前記チャックのX方向(又はY方向)に取り付けられた第2の反射手段と、
    前記第1の反射手段の変位を測定する複数の第1のレーザー変位計と、
    前記第2の反射手段の変位を測定する第2のレーザー変位計とを有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
  4. 基板を移動ステージに搭載されたチャックで保持し、チャックを移動ステージによりXY方向へ移動及びθ方向へ回転して、露光時の基板の位置決めを行う露光方法であって、
    回転によるチャックのXY方向の位置の変化を検出し、
    移動ステージの回転中心がチャックの中心と一致する場合の回転によるチャックのXY方向の位置の変化を計算し、計算結果と検出結果とから、移動ステージの回転中心のチャックの中心からのずれ量を求め、
    求めたずれ量に基づいて、チャックのXY方向の位置を補正することを特徴とする露光方法。
  5. チャックのXY方向の位置の目標値を決定し、
    求めたずれ量に基づいて目標値を更新し、
    更新した目標値を用いてチャックのXY方向の位置の補正量を決定することを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
  6. チャックのY方向(又はX方向)に第1の反射手段を取り付け、
    チャックのX方向(又はY方向)に第2の反射手段を取り付け、
    第1の反射手段の変位を複数の第1のレーザー変位計で測定し、
    第2の反射手段の変位を第2のレーザー変位計で測定して、チャックのXY方向の位置の変化を検出することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の露光方法。
  7. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
  8. 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
JP2007142799A 2007-05-30 2007-05-30 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 Expired - Fee Related JP4808676B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007142799A JP4808676B2 (ja) 2007-05-30 2007-05-30 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007142799A JP4808676B2 (ja) 2007-05-30 2007-05-30 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008298906A JP2008298906A (ja) 2008-12-11
JP4808676B2 true JP4808676B2 (ja) 2011-11-02

Family

ID=40172507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007142799A Expired - Fee Related JP4808676B2 (ja) 2007-05-30 2007-05-30 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4808676B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5349093B2 (ja) * 2009-03-16 2013-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5441800B2 (ja) * 2010-04-08 2014-03-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに光学式変位計を用いた微小角度検出方法
JP2012032666A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012103584A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5687165B2 (ja) * 2011-09-19 2015-03-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP7170449B2 (ja) * 2018-07-30 2022-11-14 東京エレクトロン株式会社 載置台機構、処理装置及び載置台機構の動作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031482A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Canon Inc 描画装置及び露光装置
JP4522142B2 (ja) * 2004-05-18 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JP2005340315A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Nikon Corp 位置合わせ装置、露光装置、位置合わせ方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法及び較正用(工具)レチクル
JP2006023356A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Sony Corp 位置合わせ装置および位置合わせ方法
JP2008051988A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008298906A (ja) 2008-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4863948B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP4808676B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US9829794B2 (en) Exposure apparatus, and method of manufacturing device
JP6978284B2 (ja) 露光システム、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5349093B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010060990A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP4522142B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JP2011158718A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5687165B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2008009012A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013195778A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011123383A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012032666A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5305967B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5355245B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010276901A (ja) 露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5441800B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに光学式変位計を用いた微小角度検出方法
JP5537063B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013205678A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5349163B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5467975B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013064896A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5501273B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013054270A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012103584A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090930

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110802

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110817

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140826

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees