JP2013205588A - 発光装置及びその駆動方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】寄生容量に蓄積された電荷によるELの発光を防止する。
【解決手段】発光素子と、駆動トランジスタと、駆動トランジスタと発光素子の間に配置され、駆動トランジスタと発光素子の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、一端が駆動トランジスタの発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置において、駆動トランジスタのゲートに発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が発光素子の対向電極の電位側に変化する制御信号を供給する。前記容量は、制御信号を供給する導電層と、駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】発光素子と、駆動トランジスタと、駆動トランジスタと発光素子の間に配置され、駆動トランジスタと発光素子の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、一端が駆動トランジスタの発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置において、駆動トランジスタのゲートに発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が発光素子の対向電極の電位側に変化する制御信号を供給する。前記容量は、制御信号を供給する導電層と、駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子を備えた発光装置及びその駆動方法に関し、特に電流制御素子である有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子の発光を制御する発光装置及びその駆動方法に関する。
有機EL(以下、単に「EL」と称する。)を駆動する駆動回路として、階調データに応じたデータ電圧を駆動トランジスタのゲートに供給し、このデータ電圧に応じた電流を駆動トランジスタのソース又はドレインに接続されたELに供給する構成のものがある。このような駆動回路の発光素子としてELを用いた発光装置では、原理的には黒輝度をゼロにすることができ、コントラスト無限大を実現できる。しかし、駆動トランジスタのソース又はドレインが寄生容量を有する場合には、この寄生容量に充電された電荷がELに流入することで、階調データに関わらない電流がELに流れて発光し、コントラストを悪化させてしまう。寄生容量は、例えば駆動トランジスタのドレインにトランジスタが接続されている場合に、このトランジスタのゲート−ドレイン(又はソース)間容量や配線のクロスにより発生する。
上記のようなコントラスト悪化の対策として、特許文献1には、駆動トランジスタのドレインにつながる寄生容量の電荷を基準電位に流すトランジスタを設けて、寄生容量に蓄積された不要な電荷がELに流れるのを防止する駆動回路が開示されている。
しかしながら、特許文献1では不要な電荷を引き抜くために、専用の基準電位線と駆動回路を接続するトランジスタ、及びそのトランジスタの制御配線が必要になり、構成部品の増加によって発光装置の微細化が困難であった。このため、特許文献1に記載の技術は発光装置の微細化が求められる場合には適していなかった。
そこで、本発明は、寄生容量に蓄積された不要な電荷によるELの発光を防止でき、かつ微細化された発光装置及びその駆動方法の提供を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、第1電極と第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第1電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第1電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有し、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、前記発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が前記第2電極の電位側に変化する制御信号が供給される発光装置であって、
前記容量は、前記制御信号を供給する導電層と、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されていることを特徴とする発光装置を提供するものである。
前記第1電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第1電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有し、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、前記発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が前記第2電極の電位側に変化する制御信号が供給される発光装置であって、
前記容量は、前記制御信号を供給する導電層と、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されていることを特徴とする発光装置を提供するものである。
また、本発明は、第1電極と第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第1電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第1電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置の駆動方法であって、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定する第1工程と、
前記発光制御トランジスタを導通状態にする第2工程と、を有し
前記第1工程の後であってかつ前記第2工程の開始の前に、前記容量の他端に、電位が前記第2電極の電位側に変化する制御信号を供給することを特徴とする発光装置の駆動方法を提供するものである。
前記第1電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第1電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置の駆動方法であって、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定する第1工程と、
前記発光制御トランジスタを導通状態にする第2工程と、を有し
前記第1工程の後であってかつ前記第2工程の開始の前に、前記容量の他端に、電位が前記第2電極の電位側に変化する制御信号を供給することを特徴とする発光装置の駆動方法を提供するものである。
本発明によれば、駆動トランジスタと制御信号線の間の容量を介し、制御信号を変化させることにより駆動トランジスタの発光素子側のノード(端子)の寄生容量に充電された電荷を、前記容量に移動させることができる。このため、前記ノードの電位が発光素子の発光開始閾値電圧よりも低い電位になり、寄生容量の電荷が発光素子に流入するのを防止することができる。これにより、黒浮きのない高コントラストを実現できる。また、前記容量を用いると、トランジスタを用いて寄生容量の電荷の流入を防ぐ構成と比べて制御配線の数を少なくすることができる。このため、発光装置を微細化することができる。
以下、本発明の発光装置を実施するための最良の形態について、図面を参照して具体的に説明する。本発明はELの点灯を制御する発光装置に好適に用いられるものであるが、EL以外にも、無機EL、LED等の他の発光素子の点灯を制御する発光装置にも適用することができる。
図1は本発明に用いる駆動回路の例を示す図である。
M1は駆動トランジスタ(以下、「駆動Tr」ということもある。)であり、第1電極(不図示)と第2電極(不図示)を有する発光素子の第1電極に電流を供給し、第1電極と第2電極の間に流れる電流の大きさに応じた輝度で発光素子を発光させる。M6は駆動Trと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタであり、駆動Trと前記第1電極の間に配置されている。M2−M5はスイッチトランジスタである。図1では、M1及びM6をP型、M2−M5をN型としているが、M1及びM6はN型でも良いし、M2−M5はP型でも良い。
C1は駆動Trのゲート電位を保持するための容量である。C2は、駆動Trの発光素子側のノード(端子)が有する寄生容量Cpの電位を押し下げるための容量である。C2は、一端が駆動Trの発光素子側のノードに接続され、他端は制御信号線Vcに接続されている。
図2は図1の駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
時刻t1から時刻t2の間、走査信号PRE=H(Highレベル)、RES=L(Lowレベル)、ILM=Hであり、M4、M5がオン、M2、M3、M6がオフする。この期間、駆動Trのゲート即ち容量C1の一端電位(v1)及び容量C1の他端電位(v2)は、基準電位Vrefとなる。駆動Trの発光素子側のノード電位(v3)は、Voled電位になる。第1電極の電位(va)は第2電極とほぼ同電位となり、発光素子には電流が流れない。
時刻t2で、走査信号PRE=L、RES=Hになり、M2、M3がオン、M4、M5がオフする。ILM=Hなので、M6はオフのままである。
この期間、容量C1の他端とデータ線が接続されるため、駆動Trのゲートに発光素子の発光輝度に応じた電圧が設定され、v2電位はデータ線電位Vdataとなる。v1電位は時刻t2において基準電位Vrefとデータ線電位Vdataの差分だけ変化する。
駆動Trのゲートとドレインが接続されるため、時刻t2からt3の間、駆動Trのゲート−ソース間電位(Vgs)に応じた駆動Trのドレイン電流(駆動電流)で容量C1が充電され、v1電位は上昇する。v1電位の上昇に伴い駆動Trのドレイン電流も減少し、駆動Trのドレイン電流がゼロ即ちv1=駆動Trの閾値電圧(Vth)で上昇が停止する。このとき、容量C1の両端電位差ΔVc=(Voled−Vth)−Vdataである。
時刻t3において、走査信号PRE=L、RES=Lとなり、M4がオン、M2、M3、M5がオフする。ILM=Hなので、M6はオフのままである。
このとき、v1電位は、
v1=Vref+ΔVc
となり、駆動TrのVgsは、
Vgs=Vdata−Vref+Vth
となる。これで、駆動Trのゲートに発光輝度を決定する電圧が設定された。
v1=Vref+ΔVc
となり、駆動TrのVgsは、
Vgs=Vdata−Vref+Vth
となる。これで、駆動Trのゲートに発光輝度を決定する電圧が設定された。
駆動Trのドレイン電流Idは、
Id=β(Vgs−Vth)2
であるため、
Id=β(Vdata−Vref)2
となり、上記式の右辺から駆動Trの閾値電圧の項がなくなるため、Vthばらつきの影響を受けない駆動電流をELに供給できる。
Id=β(Vgs−Vth)2
であるため、
Id=β(Vdata−Vref)2
となり、上記式の右辺から駆動Trの閾値電圧の項がなくなるため、Vthばらつきの影響を受けない駆動電流をELに供給できる。
また、時刻t1から制御信号Vcの電位はHにしておく。時刻t3からt4の間に、容量C2の他端にHからL,即ち、前記第2電極の電位に向かう方向に変化するように制御信号Vcが供給される。
時刻t4において、走査信号PRE=L、RES=L、ILM=Lとなり、M4、M6がオン、M2、M3、M5がオフする。
時刻t4でM6がオンすると、ドレイン電流Idが駆動Trより供給される。
寄生容量Cpは、トランジスタや配線を形成したときに必然的に形成される。例えば駆動Trのドレインに接続されている寄生容量であり、図1において駆動Tr、M2、M6のゲート−ソース(又はドレイン)間容量、及びその接続配線とクロスする配線があればその配線層間の容量Cwの和となる。ゲート−ソース(又はドレイン)間容量は、使用するトランジスタプロセスにおいて、半導体パラメータアナライザ等でゲート−ソース(又はドレイン)間のC−V特性測定により求めることができる。また、配線間容量Cwは、配線のクロスする面積をS、配線間の距離をd、配線間の絶縁層の誘電率をεとすると、
Cw=ε・(S/d)
となる。
Cw=ε・(S/d)
となる。
階調データ=0即ち黒表示時は、時刻t3で駆動Trのドレイン電圧はVoled−Vthに設定され、寄生容量CpとC2には、
Q(Cp+C2)=(Cp+C2)×(Voled−Vth)
の電荷が蓄積される。このままでは、時刻t4でこの電荷がELに流入し、本来黒表示であるべきELが瞬間的に発光してしまう。
Q(Cp+C2)=(Cp+C2)×(Voled−Vth)
の電荷が蓄積される。このままでは、時刻t4でこの電荷がELに流入し、本来黒表示であるべきELが瞬間的に発光してしまう。
しかし、時刻t4の発光開始前までに、容量C2の他端に、上述したHからLに変化する制御信号Vcを供給すると、v3電位が低くなり、M6を導通状態にしたときにQ(Cp+C2)がELに流入しないようにすることができる。
Q(Cp+C2)がELに流入するのを確実に防ぐためには、v3電位をELの発光開始閾値電圧以下の電位にする必要がある。その状態を実現するためには、容量C2で押し下げる電荷Q(C2)をある一定量以上にする必要があり、その量は計算することができる。その関係は、
Q(C2)=C2×ΔVc≧(Cp+C2)×(Voled−Vth)
となる。ここで、ΔVcは制御信号Vcの振幅である。従って、設定すべき容量C2の容量値は、
C2/(Cp+C2)≧(Voled−Vth)/ΔVc
C2≧Cp/[{ΔVc/(Voled−Vth)}−1]
を満たしていれば、書込み動作中に充電された寄生容量CpとC2の電荷がELに流入するのを確実に防止できる。
Q(C2)=C2×ΔVc≧(Cp+C2)×(Voled−Vth)
となる。ここで、ΔVcは制御信号Vcの振幅である。従って、設定すべき容量C2の容量値は、
C2/(Cp+C2)≧(Voled−Vth)/ΔVc
C2≧Cp/[{ΔVc/(Voled−Vth)}−1]
を満たしていれば、書込み動作中に充電された寄生容量CpとC2の電荷がELに流入するのを確実に防止できる。
また、ELの発光開始閾値電圧(ELVth)がゼロでない場合には、
C2≧Cp/[{ΔVc/(Voled−Vth−ELVth)}−1]
を満たしていれば良い。ここで、ELの発光開始閾値電圧は、表示装置のコントラスト仕様により決まる黒の輝度になる発光素子の第1電極と第2電極間に印加されている電圧である。黒の輝度は例えば、全白表示時に500cd/m2で発光する表示装置のコントラスト仕様が5万対1ならば、100%の発光デューティー時に0.01cd/m2である。
C2≧Cp/[{ΔVc/(Voled−Vth−ELVth)}−1]
を満たしていれば良い。ここで、ELの発光開始閾値電圧は、表示装置のコントラスト仕様により決まる黒の輝度になる発光素子の第1電極と第2電極間に印加されている電圧である。黒の輝度は例えば、全白表示時に500cd/m2で発光する表示装置のコントラスト仕様が5万対1ならば、100%の発光デューティー時に0.01cd/m2である。
容量C2は、制御信号線Vcを構成する導電層と、駆動Trのドレイン、またはそれに接続される他のトランジスタの端子を構成する半導体層とを、絶縁層を挟んで対向させて形成することができる。また、制御信号線Vcを構成する導電層と、駆動Trのドレインに接続されている導電層とが絶縁層を挟んだ構成としても良い。
図3(a)は、制御信号線Vcと半導体層が形成する容量C2の形状を示した図である。半導体層4は、コンタクトパッド1,2で絶縁層に開けられたコンタクトホール11,12を通して別の導電層に接続されている。また、コンタクトパッド1と2の間で、ゲート配線13,14と重なって、それぞれトランジスタM1とM6を形成している。
半導体層4は、トランジスタM1とM6の間で、制御信号線3と重なっており、容量C2が形成される。容量C2が設計値になるように、半導体層4と重なる部分で制御信号線3の幅が広くなっている。
図3(b)のように、交差部分で、制御信号線3の幅を変えずに、半導体層4の幅を広げてもよい。
容量C2を形成する半導体層は、チャネルを形成する部分よりもイオンドープ量を高くして、導電率を上げてもよい。
図3(c)と(d)は、容量C2を、制御信号線3と、別のレイヤーに形成された導電層10との重なり部分に形成したものである。導電層10は、トランジスタM1の一方のコンタクトパッド15とトランジスタM6の一方のコンタクトパッド16の間をつなぐ配線である。図3(c)は、図3(a)と同様に、交差部で制御信号線3の幅を広げて所定の値の容量C2が得られるようにしたものである。図3(d)は、図3(b)と同様に、交差部で導電層10の幅を広げて所定の値の容量C2が得られるようにしたものである。
容量C2は上記関係式を満たすために、図3(a),(b)のように、半導体層と交差していない走査線の導電層の幅よりも、交差している部分の導電層の幅を広くしてもよい。或いは、導電層と交差していない半導体層の配線部分の幅よりも、導電層と交差している半導体層の幅を広くしてもよい。また、図3(c),(d)のように、容量C2を形成する半導体層は第2の導電層であってもよい。
[実施例1]
本実施例では図4の駆動回路を用い、図5のタイミングチャートで駆動した。
本実施例では図4の駆動回路を用い、図5のタイミングチャートで駆動した。
図4の駆動回路は、容量C2の他端に、制御信号Vcを供給する代わりに、走査信号ILMを供給する点が図1の駆動回路と異なる。制御信号Vcを供給する制御信号線の配線を設ける必要がないため、発光素子を微細化できる点で好ましい。
時刻t4において、走査信号ILMはHからLに変化する。駆動トランジスタのドレイン電位(v3)をELの発光開始閾値電圧以下に設定するために、容量C2の容量値は、走査信号ILMの振幅をΔVilmとすると以下の条件を満たす値とした。
C2≧Cp/[{ΔVilm/(Voled−Vth−ELVth)}−1]
本実施例における容量C2の形成方法を図6に示す。
図6(a)は通常のトランジスタM1またはM6の構成である。1はドレイン端子となるコンタクトパッド、2はソース端子となるコンタクトパッド、3はゲートを形成する導電層、4は半導体層である。
図6(b)は、トランジスタのゲート幅をソース側とドレイン側で異ならせることで容量C2を形成したものである。トランジスタのチャネル幅を、ドレイン側で通常より広くしてゲート−ドレイン間容量値を大きくすると、図6(a)からの増加分が容量C2となる。
図6(c)は、M1のドレイン端子のコンタクトパッド15とトランジスタM6のソース端子のコンタクトパッド16とが共通になっており、そこから延長した半導体層9をILM信号線8(ゲートを形成する導電層)と交差させて、容量C2を形成したものである。
図7は、図6(c)のA−Bに沿った断面を示す図である。共通のコンタクトパッド15から延びた半導体層9がILM信号線8と重なって容量C2を形成している。半導体層9は、その上のゲート絶縁層17を挟んでILM信号線8と対向している。共通のコンタクトパッド15では、ゲート絶縁層17とその上の層間絶縁膜18に開けられたコンタクトホールを通じて、導電層10と接続される。
上述のように、容量C2は、M6のゲート−ドレイン間容量で構成することができる。図6(a)のような構成では、M6のゲート−ドレイン間容量だけでなく、M6のゲート−ソース間容量も大きくなる。ELが発光から非発光に代わるタイミングで走査信号ILMがLからHへと遷移する。その際にEL電圧(va)が上昇しELが発光してしまう。従って、M6のゲート−ドレイン間容量で容量C2を形成する場合、ゲート−ドレイン間容量に比べてゲート−ソース間容量は小さくする必要がある。
走査信号ILMがLからHへと遷移する時、容量C2やM6のゲート−ドレイン間容量により、駆動Trのドレイン電位(v3)が上昇してしまう。しかし、ILMスイッチがLからHへと遷移する途中でオフになるため、駆動Trのドレイン電位(v3)が上昇してもELの発光を防ぐことができる。
以上、本実施例によれば、上記容量C2を設けているため、駆動Trのドレインが有する寄生容量Cpと容量C2に蓄積された電荷Q(Cp+C2)がELに流入するのを防ぐことができる。
尚、本実施例では、駆動Trの閾値電圧を補償する駆動回路を例示したが、駆動TrとM6が直列接続され、M6によって電流が遮断され、駆動Trのドレイン電位が上昇する回路構成であれば、本実施例以外の駆動回路構成においても、本発明の効果が得られる。
[実施例2]
本実施例では図8の駆動回路を用い、図9のタイミングチャートで駆動した。
本実施例では図8の駆動回路を用い、図9のタイミングチャートで駆動した。
図8の駆動回路は、容量C2の他端に、制御信号Vcを供給する代わりに、走査信号RESを供給する点が図1の駆動回路と異なる。制御信号Vcを供給する制御信号線の配線を設ける必要がないため、発光素子を微細化できる点で好ましい。
時刻t3において、走査信号RESはHからLに変化する。駆動トランジスタのドレイン電位(v3)をELの発光開始閾値電圧以下に設定するために、容量C2の容量値は、走査信号RESの振幅をΔVresとすると以下の条件を満たす値とした。
C2≧Cp/[{ΔVres/(Voled−Vth−ELVth)}−1]
本実施例における容量C2の形成方法としては、駆動Trのドレインに接続された配線と走査信号RESを供給する走査線の配線との交差部で容量を形成することにより容量C2とすることができる。
時刻t3から時刻t4において、駆動Trのドレイン電位(v3)はフローティングとなる。黒表示において、駆動Trは電流を流さない状態にVgsが書き込まれている。従って、時刻t3の電位が保持される。
容量C2の接続されている走査線は、書込みが終了してから発光開始までに駆動Trのドレインの寄生容量Cpに充電された電荷を放電し、駆動Trのドレイン電位(v3)をELの発光開始閾値電圧以下にすれば良い。従って、図8以外の回路構成においても、容量C2の接続されている走査線の立下りタイミングは、図9に示すような書込み終了タイミングである時刻t3から、発光開始タイミング時刻t4の間の期間であれば良い。
以上、本実施例によれば、上記容量C2を設けているため、実施例1と同様に、駆動Trのドレインが有する寄生容量Cpと容量C2に蓄積された電荷Q(Cp+C2)がELに流入するのを防ぐことができる。
容量C2の形成方法を図10に示す。
ここで、トランジスタM1とトランジスタM2の極性が異なるため、異なる半導体層の領域に形成されている。この2つの半導体層はコンタクトホールを経由し、第2の導電層10により電気的に同電位に接続される。図10(a)のようにトランジスタM1の半導体層9を拡大し、ゲートを形成する導電層8との交差部(図10(a)の斜線部)で容量を形成することにより容量C2とすることができる。同様に、図10(c)のようにトランジスタM2の半導体層9’を拡大し、ゲートを形成する導電層8との交差部(図10(c)の斜線部)で容量を形成することにより容量C2とすることができる。また、図10(b)のように第2の導電層10を拡大し、ゲートを形成する導電層8との交差部(図10(b)の斜線部)で容量を形成することにより容量C2とすることができる。この第2の導電層10とゲートを形成する導電層8との間には絶縁層が形成されている。
上記構成の駆動回路を備えた発光素子を用いて情報表示装置を構成することができる。この情報表示装置は携帯電話、携帯コンピュータ、デジタルスチルカメラもしくはビデオカメラのいずれかの形態をとる。もしくはそれらの各機能の複数を実現する装置である。
図11は、デジタルスチルカメラシステムの一例のブロック図である。70はデジタルスチルカメラシステム、71は撮像部、72は映像信号処理回路、73は表示パネル、74はメモリ、75はCPU、76は操作部を示す。撮像部71で撮影した映像又はメモリ74に記録された映像を、映像信号処理回路72で信号処理し、表示パネル73で見ることができる。CPU75では、操作部76からの入力によって、撮像部71、メモリ74、映像信号処理回路72等を制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。また、表示パネル73は、この他にも各種電子機器の表示部として利用できる。
1、6:ドレイン、2、5:ソース、3、7、8:ゲート、4、9:半導体層、70:デジタルスチルカメラシステム、71:撮像部、72:映像信号処理回路、73:表示パネル、74:メモリ、75:CPU、76:操作部
Claims (11)
- 第1電極と第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第1電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第1電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有し、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定した後、前記発光制御トランジスタを導通状態にするまでの間に、前記容量の他端に、電位が前記第2電極の電位側に変化する制御信号が供給される発光装置であって、
前記容量は、前記制御信号を供給する導電層と、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される導電層とが、絶縁層を挟んで対向して形成されていることを特徴とする発光装置。 - 前記制御信号は、前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタのゲートに接続される制御信号であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの極性が前記駆動トランジスタの極性と異なることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記制御信号は、前記発光制御トランジスタのゲートに接続される制御信号であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光制御トランジスタの極性が前記駆動トランジスタの極性と同一であることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタのゲート幅が、ソース側とドレイン側とで異なることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記制御信号を供給する導電層は、前記容量を形成する部分で、他の部分より幅が広く形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子を構成する半導体層、または前記端子に接続される前記駆動トランジスタとは異なるトランジスタの端子を構成する半導体層は、前記容量を形成する部分で、他の部分より幅が広いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記端子に接続される導電層は、前記容量を形成する部分で、他の部分より幅が広いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記容量の容量値をC2、前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された前記容量を除く寄生容量をCpとしたとき、
C2×(前記制御信号の振幅)≧(Cp+C2)×((前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子の電位)−(発光素子の発光開始閾値電圧))
であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光装置。 - 第1電極と第2電極を有し、前記第1電極と前記第2電極の間に電流が流れることにより発光する発光素子と、
前記第1電極に電流を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと前記第1電極の間に配置され、前記駆動トランジスタと前記第1電極の間の導通を制御する発光制御トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタの前記発光素子側の端子に接続された容量と、を有する発光装置の駆動方法であって、
前記駆動トランジスタのゲートに前記発光素子の発光輝度に応じた電圧を設定する第1工程と、
前記発光制御トランジスタを導通状態にする第2工程と、を有し
前記第1工程の後であってかつ前記第2工程の開始の前に、前記容量の他端に、電位が前記第2電極の電位側に変化する制御信号を供給することを特徴とする発光装置の駆動方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012073919A JP2013205588A (ja) | 2012-03-28 | 2012-03-28 | 発光装置及びその駆動方法 |
US13/771,154 US20130257309A1 (en) | 2012-03-28 | 2013-02-20 | Light emitting apparatus and its driving method |
CN2013100963565A CN103366675A (zh) | 2012-03-28 | 2013-03-25 | 发光装置及其驱动方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012073919A JP2013205588A (ja) | 2012-03-28 | 2012-03-28 | 発光装置及びその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013205588A true JP2013205588A (ja) | 2013-10-07 |
Family
ID=49233995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012073919A Withdrawn JP2013205588A (ja) | 2012-03-28 | 2012-03-28 | 発光装置及びその駆動方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130257309A1 (ja) |
JP (1) | JP2013205588A (ja) |
CN (1) | CN103366675A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10490122B2 (en) * | 2016-02-29 | 2019-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR102613863B1 (ko) | 2016-09-22 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102611958B1 (ko) | 2016-09-23 | 2023-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102559096B1 (ko) | 2016-11-29 | 2023-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180096875A (ko) | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN108566185B (zh) * | 2018-06-07 | 2022-04-26 | 河北新华北集成电路有限公司 | 一种功率管驱动电路及驱动器 |
CN111179855B (zh) * | 2020-03-18 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5990629A (en) * | 1997-01-28 | 1999-11-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent display device and a driving method thereof |
JP2003167551A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 画素回路の駆動方法、画素回路及びこれを用いたel表示装置並びに駆動制御装置 |
KR100557732B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광장치 및 그 제조방법 |
JP4543315B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-09-15 | カシオ計算機株式会社 | 画素駆動回路及び画像表示装置 |
KR101324756B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2013-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
KR101166589B1 (ko) * | 2006-02-14 | 2012-07-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 구동 장치 |
CA2556961A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
JP2010262251A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-11-18 | Seiko Epson Corp | 単位回路の駆動方法、電気光学装置及び電子機器 |
KR101073353B1 (ko) * | 2009-10-19 | 2011-10-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화소 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치 |
JP2011191449A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
-
2012
- 2012-03-28 JP JP2012073919A patent/JP2013205588A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-02-20 US US13/771,154 patent/US20130257309A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-25 CN CN2013100963565A patent/CN103366675A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103366675A (zh) | 2013-10-23 |
US20130257309A1 (en) | 2013-10-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150220 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20150911 |