CN103366675A

CN103366675A - 发光装置及其驱动方法

Info

Publication number: CN103366675A
Application number: CN2013100963565A
Authority: CN
Inventors: 池田宏治
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2012-03-28
Filing date: 2013-03-25
Publication date: 2013-10-23
Also published as: JP2013205588A; US20130257309A1

Abstract

本发明涉及发光装置及其驱动方法。一种发光装置，其中，在将发光亮度的电压设定于驱动晶体管的栅极中之后，直到将发光控制晶体管设定于导电状态，向着发光元件的对向电极的电压改变的控制信号被供给到电容器的另一端子，所述电容器被构建为使得被供给控制信号的导电层和以下的层之一被形成为夹着绝缘层而对向：形成驱动晶体管的在发光元件侧的端子的半导体层，形成与驱动晶体管不同的并且与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的晶体管的端子的半导体层，以及与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的导电层。

Description

发光装置及其驱动方法

技术领域

本发明涉及具有发光元件的发光装置和发光装置的驱动方法，更特别地，涉及用于控制作为电流控制元件的有机电致发光（EL）元件的发光的发光装置和发光装置的驱动方法。

背景技术

作为用于驱动有机EL（以下，简称为“EL”）的驱动电路，存在具有这样的构成的驱动电路，即，根据灰度数据的数据电压被供给到驱动晶体管的栅极并且根据该数据电压的电流被供给到与驱动晶体管的源极或漏极连接的EL。根据使用EL作为这种驱动电路的发光元件的发光装置，原理上可将黑色亮度设为零并且可实现无限大的对比度。但是，当驱动晶体管的源极或漏极具有寄生电容器时，如果在寄生电容器中充电的电荷流入EL中，那么与灰度数据无关的电流注入EL中并且出现发光，使得对比度劣化。例如，当晶体管与驱动晶体管的漏极连接时，由于晶体管的栅极与漏极（或源极）之间的电容或布线的相交（crossing），出现寄生电容。

作为上述的这种对比度劣化的对策，日本专利申请公开No.2010-262251公开了这样的驱动电路，即，设置用于将与驱动晶体管的漏极连接的寄生电容器中的电荷供给到基准电压的晶体管，由此防止在寄生电容器中蓄积的不必要的电荷流入EL中。

但是，根据日本专利申请公开No.2010-262251，由于为了引出不必要的电荷而需要用于连接专用基准电压线和驱动电路的晶体管以及这种晶体管的控制布线，所以，因组成部件的数量增加而导致难以实现发光装置的小型化。因此，在日本专利申请公开No.2010-262251中公开的技术不适于需要发光装置小型化的情况。

发明内容

本发明的一个方面是，提供可防止由在寄生电容器中蓄积的不必要的电荷导致的EL的发光的小型化发光装置和发光装置的驱动方法。

根据本发明的一个方面，一种发光装置包括：具有第一电极和第二电极并且通过允许电流在第一电极与第二电极之间流动而发光的发光元件；用于向第一电极供给电流的驱动晶体管；布置于驱动晶体管与第一电极之间的发光控制晶体管，用于控制驱动晶体管与第一电极之间的电气导通；和一个端子与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的电容器，其中，在根据发光元件的发光亮度设定要被施加到驱动晶体管的栅极的电压之后直到将发光控制晶体管设定于导电状态的时段期间，电容器的另一端子被供给其电压向着第二电极的电压改变的控制信号，并且，电容器以这样的方式被构建使得被供给控制信号的导电层以及以下中的一个被形成为夹着绝缘层而对向：形成驱动晶体管的在发光元件侧的端子的半导体层，形成与驱动晶体管不同并且与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的晶体管的端子的半导体层，以及与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的导电层。

根据本发明的另一方面，提供一种发光装置的驱动方法，该发光装置包括：具有第一电极和第二电极并且通过允许电流在第一电极与第二电极之间流动而发光的发光元件；用于向第一电极供给电流的驱动晶体管；布置于驱动晶体管与第一电极之间的发光控制晶体管，用于控制驱动晶体管与第一电极之间的电气导通；和一个端子与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的电容器，其中，该方法包括：根据发光元件的发光亮度设定要被施加到驱动晶体管的栅极的电压的第一步骤；将发光控制晶体管设定于导电状态的第二步骤；以及，在第一步骤之后直到第二步骤的开始，向电容器的另一端子供给其电压向着第二电极的电压变化的控制信号。

根据本发明，通过借助驱动晶体管与控制信号线之间的电容器改变控制信号，在驱动晶体管的在发光元件侧的节点（端子）处的寄生电容器中充电的电荷可移动到驱动晶体管与控制信号线之间的电容器。因此，该节点的电压比用于启动发光元件的发光的电压低，并且，可以防止寄生电容器中的电荷流入发光元件中的这种情形。由此，用于黑色电平的亮度可减小到零，并且，可以实现高的对比度。如果使用这样的电容器，那么控制布线的数量可减少到比通过使用晶体管来防止寄生电容器中的电荷的流入的构成的情况下的数量小的值。因此，可以实现发光装置的小型化。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的驱动电路的示图。

图2是表示图1中的驱动电路的操作的时序图。

图3A、图3B、图3C和图3D是示出形成电容器的例子的示意图。

图4是示出实施例1中的驱动电路的示图。

图5是表示实施例1中的驱动电路的操作的时序图。

图6A、图6B和图6C是示出实施例1中的形成电容器的例子的示意图。

图7是示出沿图6C中的电容器的线A-B切取的断面的示意图。

图8是示出实施例2中的驱动电路的示图。

图9是表示实施例2中的驱动电路的操作的时序图。

图10A、图10B和图10C是示出实施例2中的形成电容器的例子的示意图。

图11是示出根据本发明的发光装置的示例性实施例的数字静止照相机***的总体构成的框图。

具体实施方式

以下将参照附图具体描述用于实施本发明的发光装置的示例性实施例。虽然希望在用于控制EL的点亮的发光装置中使用本发明，但是，除了EL以外，它也可被应用于用于控制诸如无机EL或LED等的其它发光元件的点亮的发光装置。

图1是示出在本发明中使用的驱动电路的例子的示图。

驱动晶体管（以下，也称为“驱动Tr”）M1向具有第一电极（未示出）和第二电极（未示出）的发光元件的第一电极供给电流，由此允许发光元件以根据在第一电极和第二电极之间流动的电流的大小的亮度发光。发光控制晶体管M6被布置于驱动Tr与第一电极之间，并且控制驱动Tr与第一电极之间的电气导通。设置开关晶体管M2～M5。在图1中，驱动晶体管M1和M6为P型，驱动晶体管M2～M5为N型。但是，M1和M6可以为N型，M2～M5可以为P型。

电容器C1被设置为保持驱动晶体管的栅极电压。电容器C2被设置为降低驱动Tr的在发光元件侧的节点（端子）所具有的寄生电容器Cp的电压。电容器C2的一个端子与驱动Tr的在发光元件侧的节点连接，并且，另一端子与控制信号线Vc连接。

图2是表示图1中的驱动电路的操作的时序图。

对于时间t1与时间t2之间的时间段，分别地，扫描信号PRE处于高电平（PRE＝H），扫描信号RES处于低电平（RES＝L），扫描信号ILM处于高电平（ILM＝H），M4和M5被接通，并且，M2、M3和M6被关断。对于该时间段，驱动Tr的栅极，即电容器C1的一个端子处的电压（v1）和电容器C1的另一端子处的电压（v2）被设为基准电压Vref。驱动Tr的在发光元件侧的节点电压（v3）被设为电压Voled。第一电极的电压（Va）几乎等于第二电极的电压，使得没有电流流入发光元件中。

在时间t2，分别地，扫描信号PRE＝L，扫描信号RES＝H，M2和M3被接通，并且，M4和M5被关断。由于ILM＝H，因此，M6保持于关断状态。

对于该时间段，由于电容器C1的另一端子和数据线连接，因此，根据发光元件的发光亮度的电压被设定于驱动Tr的栅极中，并且，v2电压等于数据线电压Vdata。v1电压在时间t2以与基准电压Vref和数据线电压Vdata之间的差值对应的量改变。

由于驱动Tr的栅极和漏极被连接，因此，对于时间t2与时间t3之间的时间段，电容器C1通过根据驱动Tr的栅极与源极之间的电压（Vgs）的驱动Tr的漏极电流（驱动电流）被充电，使得v1电压上升。与v1电压的上升相关联地，驱动Tr的漏极电流也减小。当驱动Tr的漏极电流等于零时，即，当v1等于驱动Tr的阈值电压（Vth）（v1＝Vth）时，电压上升停止。此时，电容器C1两端的电压差ΔVc等于[ΔVc=(Voled–Vth)–Vdata]。

在时间t3，分别地，扫描信号PRE＝L，RES＝L，M4被接通，并且，M2、M3和M5被关断。由于ILM＝H，因此，M6保持于关断状态。此时，v1电压为：

v1=Vref+△Vc。

驱动Tr的Vgs为：

Vgs=Vdata–Vref+Vth。

因此，适于决定发光亮度的电压被设定于驱动Tr的栅极中。

由于驱动Tr的漏极电流Id为：

Id=β(Vgs–Vth)²，

因此，

Id=β(Vdata–Vref)²。

从上式的右侧，驱动Tr的阈值电压的项被消除。因此，可向EL供给不受Vth变化影响的驱动电流。

从时间t1起，控制信号Vc的电压保持为H。对于时间t3和时间t4之间的时间段，控制信号Vc以它从H变为L（即，沿向着第二电极的电压的方向改变）的方式被供给到电容器C2的另一端子。

在时间t4，分别地，扫描信号PRE＝L，RES＝L，ILM＝L，M4和M6被接通，并且，M2、M3和M5被关断。

当M6在时间t4被接通时，从驱动Tr供给漏极电流Id。

当形成晶体管或布线时，必然形成寄生电容器Cp。例如，它是与驱动Tr的漏极连接的寄生电容器。寄生电容器Cp的电容等于驱动Tr M2和M6中的每一个的栅极和源极（或漏极）之间的电容与如果有与它们的连接布线相交的布线时它们的布线层之间的电容Cw之和。可通过在所用的晶体管工艺中用半导体参数分析仪等测量栅极与源极（或漏极）之间的C-V特性，获得栅极与源极（或漏极）之间的电容。当分别假定布线断面面积被设为S、布线之间的距离被设为d并且布线之间的绝缘层的介电常数被设为ε时，获得布线之间的电容Cw如下。

Cw=ε^.(S/d)

当灰度数据＝0时，即，在黑色显示时，驱动Tr的漏极电压在时间t3被设为Voled-Vth，并且，随后的电荷被蓄积于寄生电容器Cp和电容器C2中。

Q(Cp+C2)=(Cp+C2)×(Voled–Vth)

在这种状态下，那些电荷在时间t4流入EL中，并且，原本应执行黑色显示的EL瞬时发光。

但是，如果上述的从H变为L的控制信号Vc被供给到电容器C2的另一端子直到时间t4的发光开始前的定时，那么v3电压降低。可以防止当M6被设定于电导通状态时电荷Q（Cp+C2）流入EL中的情形。

为了确保防止电荷Q（Cp+C2）流入EL中，需要将v3电压设为等于或低于用于启动EL的发光的阈值电压的值。为了实现这种状态，需要将在电容器C2中减少的电荷Q（C2）设为预定量或更大。这种量可被算出。在它们之间存在以下关系。

Q(C2)=C2×ΔVc≥(Cp+C2)×(Voled–Vth)这里，ΔVc表示控制信号Vc的幅度。因此，如果要设定的电容器C2的电容值满足以下的关系式：

C2/(Cp+C2)≥(Voled–Vth)/ΔVc，和

C2≥Cp/[{ΔVc/(Voled–Vth)}–1]，

那么，可以确保防止在写入操作期间被充电的寄生电容器Cp和电容器C2中的电荷流入EL中的情形。

当用于启动EL的发光的阈值电压（ELVth）不等于零时，满足以下的关系式就足够了：

C2≥Cp/[{ΔVc/(Voled–Vth-ELVth)}–1]这里，用于启动EL的发光的阈值电压是施加在提供黑色亮度的发光元件的第一电极与第二电极之间的电压，该黑色亮度由显示装置的对比度规格（specification）确定。例如，当假定在所有白色显示时以500cd/m²发光的显示装置的对比度规格等于50000:1时，黑色亮度在100%的发光负荷(duty)等于0.01cd/m²。

电容器C2可按这样的方式被构建以使得形成控制信号线Vc的导电层和形成驱动Tr的漏极或与其连接的另一晶体管的端子的半导体层被形成为夹着绝缘层而对向。可通过这样的构成来形成它：在该构成中，夹着绝缘层地形成用于形成控制信号线Vc的导电层和与驱动Tr的漏极连接的导电层。

图3A是示出由半导体层形成的电容器C2和控制信号线Vc的形状的示图。半导体层4通过接触焊盘1和2借助于在绝缘层中形成的接触孔11和12与另一导电层连接。在接触焊盘1和2之间，半导体层4与栅极布线13和14重叠，并且分别形成晶体管M1和M6。

在晶体管M1和M6之间，半导体层4与控制信号线3重叠，并且，形成电容器C2。在它与半导体层4重叠的部分中，控制信号线3的宽度宽，使得电容器C2具有设计电容值。

如图3B所示，在相交部分中，可在不改变控制信号线3的宽度的情况下加宽半导体层4的宽度。

在形成电容器C2的半导体层中，可通过将离子掺杂量增大到比形成沟道的部分中的离子掺杂量大的值，增加导电率。

在图3C和图3D中，在控制信号线3与在另一层中形成的导电层10的重叠部分中形成电容器C2。导电层10是连接晶体管M1的一个接触焊盘15和晶体管M6的一个接触焊盘16的布线。以与图3A类似的方式，图3C示出在相交部分中加宽控制信号线3的宽度由此使得能够获得具有预定的电容值的电容器C2的构成。以与图3B类似的方式，图3D示出在相交部分中加宽导电层10的宽度由此使得能够获得具有预定的电容值的电容器C2的构成。

关于电容器C2，为了满足上述的关系式，如图3A和图3B所示，相交部分中的导电层的宽度可被设为比不与半导体层相交的扫描线的导电层的宽度宽的值，或者，与导电层相交的半导体层的宽度可被设为比不与导电层相交的半导体层的布线部分的宽度宽的值。如图3C和图3D所示，形成电容器C2的半导体层可以是第二导电层。

（实施例1）

在本实施例中，根据图5的时序图，通过使用图4中的驱动电路来驱动装置。

图4中的驱动电路与图1中的驱动电路的不同点在于，供给扫描信号ILM，来代替供给控制信号Vc。由于不需要设置用于供给控制信号Vc的控制信号线的布线，因此，可望能够实现发光元件的小型化。

在时间t4，扫描信号ILM从H变为L。为了将驱动晶体管的漏极电压（v3）设为等于或低于用于启动EL的发光的阈值电压的值，当假定扫描信号ILM的幅度等于ΔVilm时，电容器C2的电容值被设为满足以下条件的值。

C2≥Cp/[{ΔVilm/(Voled–Vth-ELVth)}–1]

在图6A～6C中示出本实施例中的电容器C2的形成方法。

图6A示出通常的晶体管M1或M6的构成。设置用作漏极端子的接触焊盘1、用作源极端子的接触焊盘2、形成栅极的导电层3和半导体层4。

图6B示出这样的使得晶体管的源极侧的栅极宽度和晶体管的漏极侧的栅极宽度不同由此形成电容器C2的构成。如果晶体管的漏极侧的沟道宽度被设为比通常情况下的宽并且栅极与漏极之间的电容值增大，那么相对于图6A的增加量导致电容器C2。

在图6C中，晶体管M1的漏极端子的接触焊盘15和晶体管M6的源极端子的接触焊盘16是共用的，并且，使得从其延伸的半导体层9与ILM信号线8（形成栅极的导电层）相交，由此形成电容器C2。

图7是示出沿图6C中的线A-B切取的断面的示图。从共用的接触焊盘15延伸的半导体层9与ILM信号线8重叠，由此形成电容器C2。半导体层9隔着在半导体层9上形成的栅极绝缘层17与ILM信号线8对向。共用的接触焊盘15通过在栅极绝缘层17和在栅极绝缘层17上形成的层间绝缘层18中形成的接触孔与导电层10连接。

如上所述，可通过M6的栅极与漏极之间的电容器，构成电容器C2。在图6A所示的构成中，不仅M6的栅极与漏极之间的电容增大，而且M6的栅极与源极之间的电容增大。在EL从发光模式切换到不发光模式时的定时，扫描信号ILM从L变为H。此时，EL电压（va）上升并且EL发光。因此，在通过M6的栅极与漏极之间的电容器形成电容器C2的情况下，需要将栅极与源极之间的电容设为小于栅极与漏极之间的电容的值。

当扫描信号ILM从L变为H时，驱动Tr的漏极电压（v3）通过电容C2和栅极与漏极之间的电容而上升。但是，由于ILM开关在从L到H的转变期间被关断，因此，即使驱动Tr的漏极电压（v3）上升，也可防止EL的发光。

根据上述的实施例，由于设置了电容C2，因此可以防止在驱动Tr的漏极具有的寄生电容器Cp和电容器C2中蓄积的电荷Q（Cp+C2）流入EL中的情形。

虽然在本实施例中，作为例子示出了用于补偿驱动Tr的阈值电压的驱动电路，但是，即使通过本实施例的构成以外的驱动电路的构成，也获得本发明的效果，只要它具有这样的构成：即，串联连接驱动Tr和M6，通过M6关断电流，并且，驱动Tr的漏极电压上升。

（实施例2）

在本实施例中，根据图9的时序图，通过使用图8中的驱动电路来驱动装置。

图8中的驱动电路与图1中的驱动电路的不同点在于，供给扫描信号RES，来代替供给控制信号Vc。由于不需要设置用于供给控制信号Vc的控制信号线的布线，因此，可望能够实现发光元件的小型化。

在时间t3，扫描信号RES从H变为L。为了将驱动晶体管的漏极电压（v3）设为等于或低于用于启动EL的发光的阈值电压的值，当假定扫描信号RES的幅度等于ΔVres时，电容器C2的电容值被设为满足以下条件的值。

C2≥Cp/[{ΔVres/(Voled–Vth-ELVth)}–1]

作为本实施例中的电容器C2的形成方法，可通过在与驱动Tr的漏极连接的布线与用于供给扫描信号RES的扫描线的布线的相交部分中形成电容器，形成电容器C2。

对于时间t3与时间t4之间的时间段，驱动Tr的漏极电压（v3）进入浮置状态。在黑色显示中，电压Vgs在不供给电流的状态中被写入到驱动Tr中。因此，时间t3处的电压被保持。

关于与电容器C2连接的扫描线，以下是足够的：在完成写入后到开始发光，使在驱动Tr的漏极的寄生电容器Cp中充电的电荷放电，并且，驱动Tr的漏极电压（v3）被设为等于或低于用于启动EL的发光的阈值电压的值。因此，同样，在图8以外的电路构成中，以下是足够的：与电容器C2连接的扫描线的后沿（trailing）定时处于图9所示的用作用于完成写入的定时的时间t3与用作用于启动发光的定时的时间t4之间的时间段内。

根据以上的实施例，由于设置了电容器C2，因此，以与实施例1类似的方式，可以防止在驱动Tr的漏极具有的寄生电容器Cp和电容器C2中蓄积的电荷Q（Cp+C2）流入EL中的情形。

在图10A～10C中示出电容器C2的形成方法。

由于晶体管M1和M2的极性在此不同，因此在不同的半导体层的区域中形成这两个晶体管。这两个半导体层通过第二导电层10借助于接触孔被电连接，以具有相同的电压。如图10A所示，通过扩大晶体管M1的半导体层9并使电容器形成于与其中形成栅极的导电层8的相交部分（图10A中的阴影部分）中，可形成电容器C2。类似地，如图10C所示，通过扩大晶体管M2的半导体层9′并使电容器形成于与其中形成栅极的导电层8的相交部分（图10C中的阴影部分）中，可形成电容器C2。此外，如图10B所示，通过扩大第二导电层10并使电容器形成于与其中形成栅极的导电层8的相交部分（图10B中的阴影部分）中，可形成电容器C2。在第二导电层10与其中形成栅极的导电层8之间形成绝缘层。

可通过使用具有具备以上构成的驱动电路的发光元件，构成信息处理装置。该信息处理装置具有蜂窝电话、便携式计算机、数字静止照相机和摄像机中的一种的形式，或者是用于实现它们的功能之中的多种功能的装置。

图11是数字静止照相机的例子的框图。数字静止照相机70具有成像单元71、视频信号处理单元72、显示面板73、存储器74、CPU75和操作单元76。通过成像单元71拍摄的视频图像或者记录于存储器74中的视频图像通过视频信号处理单元72被信号处理，并且可通过显示面板73被看到。CPU75基于来自操作单元76的输入而控制成像单元71、存储器74和视频信号处理单元72等，并且执行适于情形的拍摄、记录、再现或显示。显示面板73也可被用作各种类型的电子装置的显示单元。

虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变更方式以及等同的结构和功能。

Claims

1.一种发光装置，包括：

发光元件，具有第一电极和第二电极，并且通过允许电流在第一电极与第二电极之间流动而发光；

驱动晶体管，用于向第一电极供给电流；

发光控制晶体管，布置于驱动晶体管与第一电极之间，用于控制驱动晶体管与第一电极之间的电气导通；和

电容器，所述电容器的一个端子与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接，其中，

在根据发光元件的发光亮度设定要被施加到驱动晶体管的栅极的电压之后直到将发光控制晶体管设定于导电状态的时段期间，所述电容器的另一端子被供给这样的控制信号：该控制信号的电压向着第二电极的电压改变，以及

所述电容器以这样的方式被构建，使得被供给该控制信号的导电层和以下中的一个被形成为夹着绝缘层而对向：形成驱动晶体管的在发光元件侧的端子的半导体层，形成与驱动晶体管不同的并且与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的晶体管的端子的半导体层，以及与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的导电层。

2.根据权利要求1的发光装置，其中，

所述控制信号被供给到所述与驱动晶体管不同的并且与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的晶体管的栅极。

3.根据权利要求2的发光装置，其中，

驱动晶体管的极性与所述与驱动晶体管不同的并且与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的晶体管的极性不同。

4.根据权利要求1的发光装置，其中，

所述控制信号与所述发光控制晶体管的栅极连接。

5.根据权利要求4的发光装置，其中，

所述发光控制晶体管的极性与驱动晶体管的极性相同。

6.根据权利要求2的发光装置，其中，

与驱动晶体管不同的该晶体管的源极侧的栅极的宽度和漏极侧的栅极的宽度不同。

7.根据权利要求1～6中的任一项的发光装置，其中，

被供给所述控制信号的导电层的宽度在该导电层的形成所述电容器的部分处比在该导电层的其它部分处大。

8.根据权利要求1～6中的任一项的发光装置，其中，

形成驱动晶体管的在发光元件侧的端子的半导体层或形成所述与驱动晶体管不同的并且与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的晶体管的端子的半导体层的宽度在该半导体层的形成所述电容器的部分处比在该半导体层的其它部分处大。

9.根据权利要求1～6中的任一项的发光装置，其中，

与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的导电层的宽度在该导电层的形成所述电容器的部分处比在该导电层的其它部分处大。

10.根据权利要求1～6中的任一项的发光装置，其中，

当所述电容器的电容为C2，并且，所述电容器以外的与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接的驱动晶体管的寄生电容是Cp时，满足以下关系：

C2×（所述控制信号的幅度）≥（Cp+C2）×（（驱动晶体管的在发光元件侧的端子的电压）-（发光元件开始发光的阈值电压））。

11.一种发光装置的驱动方法，该发光装置包括：

发光元件，具有第一电极和第二电极，并且通过允许电流在第一电极与第二电极之间流动而发光，

驱动晶体管，用于向第一电极供给电流；

电容器，所述电容器的一个端子与驱动晶体管的在发光元件侧的端子连接，

其中，该方法包括：

第一步骤，根据发光元件的发光亮度设定要被施加到驱动晶体管的栅极的电压；

第二步骤，将发光控制晶体管设定于导电状态；和

在第一步骤之后直到第二步骤的开始，向所述电容器的另一端子供给这样的控制信号：该控制信号的电压向着第二电极的电压变化。