JP2013175434A - ターゲット生成条件判定装置及びターゲット生成システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このターゲット生成条件判定装置は、ターゲット生成装置から生成されるターゲットを検出し、その検出信号を出力するように構成された検出部と、制御部であって、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス電圧のパルス幅を制御するように構成され、検出信号を入力し、1つのパルスによってターゲット生成装置からターゲットが生成されたか否かを、検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成され、検出信号を入力し、1つのパルスによってターゲット生成装置から生成されたターゲットが複数のドロップレットを含むか否かを、検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成された制御部を含んでもよい。
【選択図】図2A
Description
1.概要
2.極端紫外光生成システムの全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.ターゲット生成条件判定装置を含むEUV光生成装置(第1の実施形態)
3.1 構成
3.2 動作
3.2.1 ターゲット及びパルスレーザ光の出力
3.2.2 サテライトの検出及び抑制
3.2.3 メインフロー
3.2.4 サテライトの計測(S300の詳細)
3.2.5 サテライトを再度計測するか否かの判定(S800の詳細)
4.ターゲット生成条件判定装置(第2の実施形態)
4.1 構成
4.2 動作
5.EUV光生成装置(第3の実施形態)
5.1 構成
5.2 動作
5.2.1 メインフロー
5.2.2 パルス幅の導出(S30の詳細)
6.制御部の構成
LPP式のEUV光生成装置においては、ターゲット生成装置によってターゲット物質のドロップレットを生成してチャンバ内に供給してもよい。このターゲット物質のドロップレットに、レーザ装置から出力されるパルスレーザ光を照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化してもよい。プラズマからは、EUV光を含む光が放射されてもよい。放射されたEUV光は、チャンバ内に配置されたEUV集光ミラーによって集光され、露光装置等の外部装置に出力されてもよい。
2.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット生成装置26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット生成装置26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット生成装置26から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御装置34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
3.1 構成
図2Aは、第1の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置を含むEUV光生成装置の構成を示す一部断面図である。図2Bは、図2Aに示すEUV光生成装置の一部を示す拡大断面図である。図2Aに示すように、チャンバ2の内部には、レーザ光集光光学系22aと、EUV集光ミラー23と、ターゲット回収部28と、EUV集光ミラーホルダ41と、プレート42及び43と、ビームダンプ44と、ビームダンプ支持部材45とが設けられてもよい。
3.2.1 ターゲット及びパルスレーザ光の出力
圧力調節器53は、ターゲット制御部52から出力される制御信号に応じて、不活性ガスボンベ54から供給される不活性ガスの圧力を調整して、リザーバ61内の溶融したターゲット物質を加圧するよう構成されてもよい。圧力調節器53がターゲット物質を加圧することにより、ノズル板62の貫通孔が開口する先端部62bからターゲット物質を僅かに突出させてもよい。
図4A〜図4Cは、ターゲット生成装置を駆動するパルス電圧のパルス幅ΔT(以下、パルス幅ΔTと記載する)と、ターゲットの生成結果との関係を示す図である。図4A〜図4Cにおいては、同一のターゲット生成装置26を使用した結果が示されている。図4Dは、図4A〜図4Cにおけるターゲット生成装置の駆動条件を示す表である。図4Dに示される「条件A」は、ターゲット27の径Dが36μmとなるような条件であり、その条件下でのパルス幅ΔTとターゲットの生成結果との関係が図4Aに示される。図4Dに示される「条件B」は、ターゲット27の径Dが29μmとなるような条件であり、その条件下でのパルス幅ΔTとターゲットの生成結果との関係が図4Bに示される。図4Dに示される「条件C」は、ターゲット27の径Dが19μmとなるような条件であり、その条件下でのパルス幅ΔTとターゲットの生成結果との関係が図4Cに示される。
ΔT=ΔTav=(ΔT1+ΔT2)/2
すなわち、パルス幅ΔTは、ターゲット27が生成されるがサテライト27aが観測されないパルス幅ΔTの範囲の上限及び下限の平均値ΔTavに調整されてもよい。平均値ΔTavの値は、同一のターゲット生成装置26を使用する限りにおいて、生成しようとするターゲット27の径Dに依存し得る(ΔTav=f(D))。
図5は、第1の実施形態におけるターゲット制御部の動作を示すフローチャートである。ターゲット制御部52は、以下の処理により、サテライト27aの生成を抑制し得るパルス幅を算出し、その算出結果に基づいてパルス電圧電源58を制御してもよい。
図6Aは、図5に示すサテライトの計測処理を示すフローチャートである。図6Aに示される処理は、図5に示すS300のサブルーチンとして、ターゲット制御部52によって行われてもよい。
初期値ΔT0は、例えばターゲットが生成されないパルス幅であってもよい。初期値ΔT0は、予め実験によって決定しておいてもよい。
次に、ターゲット制御部52は、ターゲットが生成されるパルス幅ΔTの最小値ΔT1を決定してもよい(S350)。この処理の詳細は後述する。次に、ターゲット制御部52は、サテライトが観測されるパルス幅ΔTの最小値ΔT2を決定してもよい(S360)。この処理の詳細は後述する。
図7は、図5に示すサテライトを再度計測するか否かの判定処理を示すフローチャートである。図7に示される処理は、図5に示すS800のサブルーチンとして、ターゲット制御部52によって行われてもよい。
4.1 構成
図8は、第2の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置の構成を示す一部断面図である。第2の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置は、サテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔTを算出可能とする装置であってよく、EUV光を生成するための構成部材(レーザ光集光ミラー、EUV集光ミラー等)を含まなくてもよい。なお、図2Aのターゲット検出部70と図8のターゲット検出部70はいずれの実施形態においても使用することができる。
図9は、第2の実施形態における動作を示すフローチャートである。ターゲット生成条件判定装置は、以下の処理により、サテライト27aの生成を抑制し得るパルス幅ΔTを算出してもよい。
次に、ターゲット制御部52は、ターゲットが生成されるパルス幅ΔTの最小値ΔT1を決定してもよい(S350)。この処理の詳細は、図6Bを参照しながら説明したものと同様でよい。次に、ターゲット制御部52は、サテライトが観測されるパルス幅ΔTの最小値ΔT2を決定してもよい(S360)。この処理の詳細は、図6Cを参照しながら説明したものと同様でよい。
5.1 構成
図10は、第3の実施形態に係るEUV光生成装置の構成を示す一部断面図である。第3の実施形態に係るEUV光生成装置は、ターゲット検出部70を含まなくてもよい。
5.2.1 メインフロー
図11は、第3の実施形態におけるターゲット制御部の動作を示すフローチャートである。ターゲット制御部52は、以下の処理により、サテライト27aの生成を抑制し得るパルス幅ΔTのデータに基づいて、パルス電圧電源58を制御してもよい。
次に、ターゲット制御部52は、EUV光生成制御部5から、ターゲットの径Dを指定する信号を受信してもよい(S20)。
図12Aは、図11に示すパルス幅ΔTの導出処理の例を示すフローチャートである。図12Aに示される処理は、図11に示すS30のサブルーチンとして、ターゲット制御部52によって行われてもよい。ここで、ストレージメモリ1005(後述)等の記憶部には、ターゲット生成装置の装置番号ごとに、ターゲットの径Dと、ターゲットが生成されるがサテライトが観測されないパルス幅ΔTの範囲の上限及び下限の平均値ΔTavのデータとが、対応付けられて記憶されていてもよい。ストレージメモリ1005等の記憶部へのこれらデータの入力は、オンラインまたは適当な記憶メディアを介して行われてもよい。あるいは、オペレータによる手動入力であってもよい。
次に、ターゲット制御部52は、読み込んだ平均値ΔTavを、サテライト27aの生成を抑制し得るパルス幅ΔTとして設定し(S32)、本フローチャートによる処理を終了して、処理を上述のS40に進めてもよい。
図13は、EUV光生成制御部5、ターゲット制御部52等の各制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態における各制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。たとえば、以下のように構成されてもよい。
制御部は、処理部1000と、処理部1000に接続される、ストレージメモリ1005と、ユーザインターフェイス1010と、パラレルI/Oコントローラ1020と、シリアルI/Oコントローラ1030と、A/D、D/Aコンバータ1040とによって構成されてもよい。また、処理部1000は、CPU1001と、CPU1001に接続された、メモリ1002と、タイマー1003と、GPU1004とから構成されてもよい。
処理部1000は、ストレージメモリ1005に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部1000は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ1005からデータを読み出したり、ストレージメモリ1005にデータを記憶させたりしてもよい。
シリアルI/Oコントローラ1030に接続される、シリアルI/Oポートを介して通信可能な機器1031〜103xは、DC高圧電源57、圧力調節器53、パルス電圧電源58、ヒーター電源67a、撮像部72等であってもよい。
A/D、D/Aコンバータ1040に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器1041〜104xは、温度センサ68、圧力センサ69、真空計等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部はフローチャートに示された動作を実現可能であってよい。
Claims (4)
- パルス電圧によって駆動されてターゲット物質のドロップレットを生成するターゲット生成装置と共に用いられるターゲット生成条件判定装置であって、
前記ターゲット生成装置から生成されるターゲットを検出し、その検出信号を出力するように構成された検出部と、
制御部であって、
前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス電圧のパルス幅を制御するように構成され、前記検出信号を入力し、1つのパルスによって前記ターゲット生成装置からターゲットが生成されたか否かを、前記検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成され、前記検出信号を入力し、1つのパルスによって前記ターゲット生成装置から生成されたターゲットが複数のドロップレットを含むか否かを、前記検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成された制御部を含む
ターゲット生成条件判定装置。 - 前記検出部は、前記ターゲット生成装置から生成されたターゲットに光を照射する光源部と、前記ターゲット生成装置から生成され前記光源部によって光を照射されたターゲットを撮像する撮像部と、を含む、請求項1記載のターゲット生成条件判定装置。
- パルス電圧によって駆動されてターゲット物質のドロップレットを生成するターゲット生成装置と、
前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス電圧のパルス幅を制御する制御部と、
を備えるターゲット生成システムであって、
前記制御部は、
前記ターゲット生成装置を識別するためのID情報の入力を受け付け、
受け付けた前記ID情報に基づいて、前記ID情報と前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス幅の情報とを対応付けて記憶する記憶部を検索することにより、前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス幅の情報を取得し、
取得した前記パルス幅の情報に基づいて、前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス幅を制御する、
ターゲット生成システム。 - 前記記憶部は、前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス電圧のパルス幅の情報を、ターゲットの径に関する情報の関数として記憶しており、
前記制御部は、ターゲットの径に関する情報をさらに受け付け、前記関数と前記ターゲットの径に関する情報とに基づいて前記パルス幅を算出する、
請求項3記載のターゲット生成システム。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015166526A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置およびeuv光生成装置 |
WO2016013550A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
KR20160058511A (ko) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광원 장치 및 극자외선 광 발생 방법 |
WO2018203370A1 (ja) * | 2017-05-01 | 2018-11-08 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及びターゲット供給方法 |
US10126657B2 (en) | 2015-12-14 | 2018-11-13 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
JPWO2017130443A1 (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
WO2019163029A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5726587B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2015-06-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置 |
JP5921876B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US9841680B2 (en) | 2013-04-05 | 2017-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Source collector apparatus, lithographic apparatus and method |
JP6275731B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2018-02-07 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置およびeuv光生成装置 |
WO2015087454A1 (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
CN105224731B (zh) * | 2015-09-17 | 2018-04-27 | 南京大学 | 地球静止卫星紫外成像敏感器的辐射模拟仿真方法 |
US10128017B1 (en) | 2017-05-12 | 2018-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of controlling debris in an EUV light source |
US10859918B2 (en) * | 2018-10-30 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and method of operating the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003086027A1 (fr) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Appareil, systeme et procede d'ajustement de tube a rayons x |
JP2008220724A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | X線画像撮影システム |
WO2010137625A1 (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
JP2011014913A (ja) * | 2010-07-16 | 2011-01-20 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
JP5881345B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2016-03-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
-
2012
- 2012-11-26 JP JP2012257635A patent/JP6134130B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-17 US US13/744,334 patent/US8705035B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003086027A1 (fr) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Appareil, systeme et procede d'ajustement de tube a rayons x |
JP2008220724A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | X線画像撮影システム |
WO2010137625A1 (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
JP2011014913A (ja) * | 2010-07-16 | 2011-01-20 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015166868A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置およびeuv光生成装置 |
JPWO2015166868A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2017-04-20 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置およびeuv光生成装置 |
US10073353B2 (en) | 2014-04-28 | 2018-09-11 | Gigaphoton Inc. | Target supply device and EUV light generation apparatus |
WO2015166526A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置およびeuv光生成装置 |
US10172224B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-01-01 | Gigaphoton Inc. | Extreme UV light generator |
WO2016013550A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2016013114A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JPWO2016013550A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2017-04-27 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
KR20160058511A (ko) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광원 장치 및 극자외선 광 발생 방법 |
US9867267B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light source device |
KR102336300B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2021-12-07 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광원 장치 및 극자외선 광 발생 방법 |
US10126657B2 (en) | 2015-12-14 | 2018-11-13 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
JPWO2017130443A1 (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
JPWO2018203370A1 (ja) * | 2017-05-01 | 2020-03-12 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及びターゲット供給方法 |
US10667376B2 (en) | 2017-05-01 | 2020-05-26 | Gigaphoton Inc. | Target supply device, extreme ultraviolet light generation device, and target supply method |
WO2018203370A1 (ja) * | 2017-05-01 | 2018-11-08 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及びターゲット供給方法 |
WO2019163029A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
JPWO2019163029A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2021-03-11 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
US11350515B2 (en) | 2018-02-21 | 2022-05-31 | Gigaphoton Inc. | Laser system |
JP7123323B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-08-23 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8705035B2 (en) | 2014-04-22 |
US20130186976A1 (en) | 2013-07-25 |
JP6134130B2 (ja) | 2017-05-24 |
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