JP2013175434A - ターゲット生成条件判定装置及びターゲット生成システム - Google Patents

Abstract

【課題】サテライトの生成を抑制し、チャンバ内の部品の汚染を抑制する。
【解決手段】このターゲット生成条件判定装置は、ターゲット生成装置から生成されるターゲットを検出し、その検出信号を出力するように構成された検出部と、制御部であって、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス電圧のパルス幅を制御するように構成され、検出信号を入力し、１つのパルスによってターゲット生成装置からターゲットが生成されたか否かを、検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成され、検出信号を入力し、１つのパルスによってターゲット生成装置から生成されたターゲットが複数のドロップレットを含むか否かを、検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成された制御部を含んでもよい。
【選択図】図２Ａ

Description

本開示は、ターゲット生成条件判定装置及びターゲット生成システムに関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７８３８８５４号明細書

概要

本開示の１つの観点に係るターゲット生成条件判定装置は、パルス電圧によって駆動されてターゲット物質のドロップレットを生成するターゲット生成装置と共に用いられるターゲット生成条件判定装置であって、ターゲット生成装置から生成されるターゲットを検出し、その検出信号を出力するように構成された検出部と、制御部であって、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス電圧のパルス幅を制御するように構成され、検出信号を入力し、１つのパルスによってターゲット生成装置からターゲットが生成されたか否かを、検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成され、検出信号を入力し、１つのパルスによってターゲット生成装置から生成されたターゲットが複数のドロップレットを含むか否かを、検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成された制御部を含んでもよい。

本開示の他の１つの観点に係るターゲット生成システムは、パルス電圧によって駆動されてターゲット物質のドロップレットを生成するターゲット生成装置と、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス電圧のパルス幅を制御する制御部と、を備えるターゲット生成システムであって、制御部は、ターゲット生成装置を識別するためのＩＤ情報の入力を受け付け、受け付けたＩＤ情報に基づいて、ＩＤ情報とターゲット生成装置を駆動するためのパルス幅の情報とを対応付けて記憶する記憶部を検索することにより、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス幅の情報を取得し、取得したパルス幅の情報に基づいて、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス幅を制御してもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２Ａは、第１の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。 図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置の一部を示す拡大断面図である。 図３Ａは、ターゲット物質及び引出電極に印加される電位の例を示すグラフである。 図３Ｂは、ターゲット物質及び引出電極に印加される電位の他の例を示すグラフである。 図４Ａは、ターゲット生成装置を駆動するパルス電圧のパルス幅と、ターゲットの生成結果との関係を示す図である。 図４Ｂは、ターゲット生成装置を駆動するパルス電圧のパルス幅と、ターゲットの生成結果との関係を示す図である。 図４Ｃは、ターゲット生成装置を駆動するパルス電圧のパルス幅と、ターゲットの生成結果との関係を示す図である。 図４Ｄは、図４Ａ〜図４Ｃにおけるターゲット生成装置の駆動条件を示す表である。 図４Ｅは、図４Ａ〜図４Ｃの結果をまとめたグラフである。 図５は、第１の実施形態におけるターゲット制御部の動作を示すフローチャートである。 図６Ａは、図５に示すサテライトの計測処理を示すフローチャートである。 図６Ｂは、図６Ａに示すΔＴ１の決定処理を示すフローチャートである。 図６Ｃは、図６Ａに示すΔＴ２の決定処理を示すフローチャートである。 図７は、図５に示すサテライトを再度計測するか否かの判定処理を示すフローチャートである。 図８は、第２の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置の構成を示す一部断面図である。 図９は、第２の実施形態における動作を示すフローチャートである。 図１０は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。 図１１は、第３の実施形態におけるターゲット制御部の動作を示すフローチャートである。 図１２Ａは、図１１に示すパルス幅の導出処理の例を示すフローチャートである。 図１２Ｂは、図１１に示すパルス幅の導出処理の他の例を示すフローチャートである。 図１３は、ＥＵＶ光生成制御部、ターゲット制御部等の各制御部の概略構成を示すブロック図である。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ターゲット生成条件判定装置を含むＥＵＶ光生成装置（第１の実施形態）
３．１ 構成
３．２ 動作
３．２．１ ターゲット及びパルスレーザ光の出力
３．２．２ サテライトの検出及び抑制
３．２．３ メインフロー
３．２．４ サテライトの計測（Ｓ３００の詳細）
３．２．５ サテライトを再度計測するか否かの判定（Ｓ８００の詳細）
４．ターゲット生成条件判定装置（第２の実施形態）
４．１ 構成
４．２ 動作
５．ＥＵＶ光生成装置（第３の実施形態）
５．１ 構成
５．２ 動作
５．２．１ メインフロー
５．２．２ パルス幅の導出（Ｓ３０の詳細）
６．制御部の構成

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット生成装置によってターゲット物質のドロップレットを生成してチャンバ内に供給してもよい。このターゲット物質のドロップレットに、レーザ装置から出力されるパルスレーザ光を照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化してもよい。プラズマからは、ＥＵＶ光を含む光が放射されてもよい。放射されたＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等の外部装置に出力されてもよい。

ターゲット生成装置によってターゲット物質のドロップレットを生成した際に、パルスレーザ光が照射されるドロップレットの他に、サテライトと呼ばれる微小なドロップレットが生成されることがあり得る。このサテライトは、ＥＵＶ光の生成に寄与しないことがあり、チャンバ内の部品を汚染する原因物質になり得る。本開示の１つの観点によれば、ターゲット生成装置を駆動するためのパルス電圧のパルス幅を制御することにより、サテライトの生成を抑制してもよい。

２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット生成装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット生成装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット生成装置２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７（ターゲット物質のドロップレット）の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置（ビームステアリング装置）３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、パルスレーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット生成装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．ターゲット生成条件判定装置を含むＥＵＶ光生成装置（第１の実施形態）
３．１ 構成
図２Ａは、第１の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置の一部を示す拡大断面図である。図２Ａに示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、ビームダンプ４４と、ビームダンプ支持部材４５とが設けられてもよい。

チャンバ２は、導電性を有する材料（例えば、金属材料）からなる部材（導電性部材）を含んでもよい。

チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、それらのミラーをそれぞれ保持するためのホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのミラーで反射されたパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光するような位置及び姿勢となるように、それぞれのホルダを介してプレート４３に保持されてもよい。

ビームダンプ４４は、平面ミラー２２２で反射されたパルスレーザ光の光路の延長線上に位置するように、ビームダンプ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。

チャンバ２には、ターゲット生成装置２６が取り付けられてもよい。ターゲット生成装置２６は、リザーバ６１と、ノズル板６２と、電気絶縁部材６５と、引出電極６６と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、ＤＣ高圧電源５７と、パルス電圧電源５８とを含んでもよい。

リザーバ６１は、ターゲット物質を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。リザーバ６１は、ターゲット物質と反応しにくい材料で構成されてもよい。例えば、ターゲット物質としてスズを用いる場合に、リザーバ６１は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、石英（ＳｉＯ_２）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の少なくともいずれかひとつで構成されてもよい。ターゲット物質を溶融させるために、ヒーター６７ｂ及びヒーター電源６７ａが用いられてもよい。ヒーター電源６７ａがヒーター６７ｂに電力を供給することにより、ヒーター６７ｂが加熱されてもよい。ヒーター６７ｂはターゲット物質に熱が伝わる箇所、例えばリザーバ６１の外周に装着されていてもよく、リザーバ６１の内部に設置されていてもよい。リザーバ６１には温度センサ６８が取り付けられてもよい。リザーバ６１は、チャンバ２の壁と電気的に絶縁されていてもよい。

ノズル板６２には、液体のターゲット物質が通過するための貫通孔が形成されていてもよい。また、ノズル板６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、出力側に突き出た先端部６２ｂ（図２Ｂ参照）を有してもよい。上記貫通孔はこの先端部６２ｂに開口していてもよい。

電気絶縁部材６５は、円筒形状を有してもよい。電気絶縁部材６５は、その内側にノズル板６２を収容するようにして、リザーバ６１に固定されてもよい。電気絶縁部材６５の内側には、引出電極６６が保持されていてもよい。電気絶縁部材６５によって、ノズル板６２と引出電極６６との間が電気的に絶縁されてもよい。引出電極６６は、ノズル板６２に形成された貫通孔からターゲット物質を引き出すために、ノズル板６２の出力側の面に対向して配置されてもよい。引出電極６６には、ターゲット２７を通過させるための貫通孔６６ａ（図２Ｂ参照）が形成されていてもよい。

不活性ガスボンベ５４は、不活性ガスを供給するための配管によって圧力調節器５３に接続されていてもよい。圧力調節器５３は、さらに、不活性ガスを供給するための配管によってリザーバ６１の内部と連通してもよい。この配管に圧力センサ６９が接続されてもよい。圧力センサ６９は、圧力調節器５３に内蔵されていてもよい。

ＤＣ高圧電源５７の出力端子は、リザーバ６１に設けられたフィードスルー５７ａを介してリザーバ６１内の電極６３に電気的に接続されていてもよい。電極６３は、リザーバ６１に貯蔵されたターゲット物質に接触していてもよい。リザーバ６１が導電性の部材によって構成されている場合には、ＤＣ高圧電源５７の出力端子は、リザーバ６１に電気的に接続されていてもよく、フィードスルー５７ａが設けられていなくてもよい。

パルス電圧電源５８の出力端子は、チャンバ２に設けられたフィードスルー５８ａと電気絶縁部材６５の側面に設けられた貫通孔６５ａ（図２Ｂ参照）とを介して、引出電極６６に電気的に接続されていてもよい。

第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置は、ターゲット生成条件判定装置を含んでもよく、ターゲット生成条件判定装置は、ターゲット検出部７０を含んでもよい。ターゲット検出部７０は、光源部７１と、撮像部７２と、ビームスプリッタ７３と、転写光学系７４と、高反射ミラー７５とを含んでもよい。

光源部７１は、ビームスプリッタ７３に向けて照明光を出力してもよい。ビームスプリッタ７３は、光源部７１から出力された照明光の一部を転写光学系７４に向けて反射してもよい。転写光学系７４は、ビームスプリッタ７３によって反射された照明光を、チャンバ２のウインドウ２１ａ、チャンバ２の内部に配置された高反射ミラー７５及び電気絶縁部材６５に形成された貫通孔６５ｂ（図２Ｂ参照）を介してターゲット２７の軌道付近に集光してもよい。

照明光がターゲット２７に照射されると、ターゲット２７において反射した反射光が、貫通孔６５ｂ、高反射ミラー７５及びウインドウ２１ａを介して転写光学系７４に到達し得る。転写光学系７４は、ターゲット２７の像を撮像部７２の受光面に結像させてもよい。転写光学系７４と撮像部７２との間に配置された上述のビームスプリッタ７３は、転写光学系７４から撮像部７２に向けて出力された光の一部を透過させてもよい。撮像部７２は、パルス電圧電源５８によるパルス電圧（後述）の出力タイミングに合わせてターゲット２７の軌道を含む空間を撮像してもよい。

チャンバ２の外部には、ビームステアリングユニット３４ａと、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット制御部５２とが設けられてもよい。ビームステアリングユニット３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーをそれぞれ保持するためのホルダ３４３及び３４４とを含んでもよい。ターゲット制御部５２は、温度センサ６８、圧力センサ６９及び撮像部７２からそれぞれ出力されるデータを受信するよう構成されてもよい。ターゲット制御部５２は、圧力調節器５３、ＤＣ高圧電源５７、パルス電圧電源５８及びヒーター電源６７ａに制御信号を出力するよう構成されてもよい。

３．２ 動作
３．２．１ ターゲット及びパルスレーザ光の出力
圧力調節器５３は、ターゲット制御部５２から出力される制御信号に応じて、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整して、リザーバ６１内の溶融したターゲット物質を加圧するよう構成されてもよい。圧力調節器５３がターゲット物質を加圧することにより、ノズル板６２の貫通孔が開口する先端部６２ｂからターゲット物質を僅かに突出させてもよい。

ＤＣ高圧電源５７は、ターゲット制御部５２から出力される制御信号に応じて、リザーバ６１内の電極６３を介してターゲット物質に一定電位を印加してもよい。パルス電圧電源５８は、ターゲット制御部５２から出力される制御信号に従って、パルス状の電圧信号（パルス電圧）を引出電極６６に印加してもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間に電界が発生し、ターゲット物質と引出電極６６との間にクーロン力が発生し得る。

特に、圧力調節器５３によって加圧されて先端部６２ｂから突出したターゲット物質の周囲には電界が集中するので、先端部６２ｂから突出したターゲット物質と引出電極６６との間には、より強力なクーロン力が発生し得る。このクーロン力により、ターゲット２７が、帯電したドロップレットの状態で先端部６２ｂから出力され得る。

図３Ａは、ターゲット物質及び引出電極に印加される電位の例を示すグラフである。ＤＣ高圧電源５７は、リザーバ６１内のターゲット物質の電位Ｐ１を、一定電位Ｐｈｖ（例えば２０ｋＶ）に維持してもよい。パルス電圧電源５８は、引出電極６６の電位Ｐ２を、最初は一定電位Ｐｈｖに維持し、ターゲットを出力するときにはチャンバ２の電位と同等の電位（例えば０Ｖ）に変化させ、所定の時間（パルス幅）ΔＴが経過した後に一定電位Ｐｈｖに戻してもよい。

図３Ｂは、ターゲット物質及び引出電極に印加される電位の他の例を示すグラフである。ＤＣ高圧電源５７は、リザーバ６１内のターゲット物質の電位Ｐ１を、一定電位Ｐｈｖ（例えば２０ｋＶ）に維持してもよい。パルス電圧電源５８は、引出電極６６の電位Ｐ２を、最初は電位Ｐ_Ｈ（例えば１５ｋＶ）に維持し、ターゲットを出力するときには電位Ｐ_Ｌ（例えば５ｋＶ）に変化させ、所定の時間（パルス幅）ΔＴが経過した後に電位Ｐ_Ｈに戻してもよい。ここで、電位Ｐ_Ｈ及び電位Ｐ_Ｌは、Ｐｈｖ≧Ｐ_Ｈ＞Ｐ_Ｌ≧Ｐ_Ｃの範囲であってもよい。電位Ｐ_Ｃは、チャンバ２の電位であってもよく、チャンバ２の電位は接地電位（０Ｖ）であってもよい。

ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５から与えられるタイミングでターゲット２７が出力されるように、圧力調節器５３及びパルス電圧電源５８を制御してもよい。チャンバ２内に出力されたターゲット２７は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給されてもよい。

レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したパルスレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置２６から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに合わせて、ターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるように制御を行ってもよい。

３．２．２ サテライトの検出及び抑制
図４Ａ〜図４Ｃは、ターゲット生成装置を駆動するパルス電圧のパルス幅ΔＴ（以下、パルス幅ΔＴと記載する）と、ターゲットの生成結果との関係を示す図である。図４Ａ〜図４Ｃにおいては、同一のターゲット生成装置２６を使用した結果が示されている。図４Ｄは、図４Ａ〜図４Ｃにおけるターゲット生成装置の駆動条件を示す表である。図４Ｄに示される「条件Ａ」は、ターゲット２７の径Ｄが３６μｍとなるような条件であり、その条件下でのパルス幅ΔＴとターゲットの生成結果との関係が図４Ａに示される。図４Ｄに示される「条件Ｂ」は、ターゲット２７の径Ｄが２９μｍとなるような条件であり、その条件下でのパルス幅ΔＴとターゲットの生成結果との関係が図４Ｂに示される。図４Ｄに示される「条件Ｃ」は、ターゲット２７の径Ｄが１９μｍとなるような条件であり、その条件下でのパルス幅ΔＴとターゲットの生成結果との関係が図４Ｃに示される。

ターゲット生成装置２６を駆動するためのパルス電圧に含まれる１つのパルスによってターゲット２７を生成した際に、微小なドロップレットであるサテライト２７ａ（図２Ｂ参照）が併せて生成されることがあり得る。サテライト生成の有無、若しくは生成されるサテライトの分量は、ターゲット生成装置２６を駆動する種々の条件によって異なり得る。

図４Ａに示すように、ターゲット２７の径Ｄが３６μｍとなるような条件でターゲット生成装置２６を駆動した場合、パルス幅ΔＴが１５μｓ未満である場合はターゲット２７を生成できなかった。一方、パルス幅ΔＴが３２μｓ以上である場合はターゲット２７だけでなくサテライト２７ａも生成された。パルス幅ΔＴが１５μｓ≦ΔＴ＜３２μｓである場合には、ターゲット２７が生成されたがサテライト２７ａは観測されなかった。

図４Ｂに示すように、ターゲット２７の径Ｄが２９μｍとなるような条件でターゲット生成装置２６を駆動した場合、パルス幅ΔＴが１６μｓ≦ΔＴ＜２３μｓである場合に、ターゲット２７が生成されたがサテライト２７ａは観測されなかった。

図４Ｃに示すように、ターゲット２７の径Ｄが１９μｍとなるような条件でターゲット生成装置２６を駆動した場合、パルス幅ΔＴが１３μｓ≦ΔＴ＜１５μｓである場合に、ターゲット２７が生成されたがサテライト２７ａは観測されなかった。

図４Ｅは、図４Ａ〜図４Ｃの結果をまとめたグラフである。図４Ｅにおいて、ΔＴ１は、ターゲット２７が生成されたときのパルス幅ΔＴの最小値であり、ΔＴ２は、サテライト２７ａが観測されたときのパルス幅ΔＴの最小値であってもよい。

ターゲット生成時のサテライト生成を抑制するために、パルス幅ΔＴが、ΔＴ１≦ΔＴ＜ΔＴ２の範囲に調整されてもよい。例えば、パルス幅ΔＴが、次式に示す値に調整されてもよい。
ΔＴ＝ΔＴａｖ＝（ΔＴ１＋ΔＴ２）／２
すなわち、パルス幅ΔＴは、ターゲット２７が生成されるがサテライト２７ａが観測されないパルス幅ΔＴの範囲の上限及び下限の平均値ΔＴａｖに調整されてもよい。平均値ΔＴａｖの値は、同一のターゲット生成装置２６を使用する限りにおいて、生成しようとするターゲット２７の径Ｄに依存し得る（ΔＴａｖ＝ｆ（Ｄ））。

あるいは、実験結果によっては、ΔＴ１は、ターゲット２７が生成されないときのパルス幅ΔＴの最大値とし、ΔＴ２は、サテライト２７ａが観測されないときのパルス幅ΔＴの最大値とするよう定義してもよい。この場合、ターゲット生成時のサテライト生成を抑制するために、パルス幅ΔＴが、ΔＴ１＜ΔＴ≦ΔＴ２の範囲に調整されてもよい。

撮像部７２は、ターゲット２７の軌道を含む空間を撮像して得られた画像データをターゲット制御部５２に出力してもよい。ターゲット制御部５２は、撮像部７２から得られた画像データに基づいて、ターゲット２７が生成されたか否かを判定してもよい。また、ターゲット制御部５２は、撮像部７２から得られた画像データに基づいて、ターゲット２７の他にサテライト２７ａが生成されたか否かを判定してもよい。サテライト２７ａが観測された場合はサテライト２７ａが生成されたと判定し、サテライト２７ａが観測されない場合はサテライト２７ａが生成されていないと判定してもよい。

さらに、ターゲット制御部５２は、ターゲット２７が生成されたときのパルス幅ΔＴの最小値ΔＴ１を判定してもよい。また、ターゲット制御部５２は、サテライト２７ａが観測されたときのパルス幅ΔＴの最小値ΔＴ２を判定してもよい。さらに、ターゲット制御部５２は、ΔＴ１とΔＴ２との間の値（例えば平均値ΔＴａｖ）をパルス幅ΔＴとして設定し、パルス電圧電源５８を制御してもよい。

３．２．３ メインフロー
図５は、第１の実施形態におけるターゲット制御部の動作を示すフローチャートである。ターゲット制御部５２は、以下の処理により、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅を算出し、その算出結果に基づいてパルス電圧電源５８を制御してもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５に準備開始信号を送信してもよい（Ｓ１００）。準備開始信号を送信することにより、サテライトの計測作業中であることをＥＵＶ光生成制御部５に認識させ得る。次に、ターゲット制御部５２は、サテライトの計測周期を判定するためのタイマーＴｉをセットし、タイマーＴｉのカウントを０から開始してもよい（Ｓ２００）。

次に、ターゲット制御部５２は、サテライトを計測し、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴとしてΔＴａｖを算出してもよい（Ｓ３００）。この処理の詳細については後述する。次に、ターゲット制御部５２は、パルス電圧電源５８に、パルス幅ΔＴとしてΔＴａｖのデータを送信してもよい（Ｓ４００）。

次に、ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５に準備完了信号を送信してもよい（Ｓ５００）。準備完了信号を送信することにより、サテライトの計測作業が終了したことをＥＵＶ光生成制御部５に認識させ得る。

次に、ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット生成信号を受信したか否かを判定してもよい（Ｓ６００）。ターゲット生成信号を受信しない場合は、ターゲット生成信号を受信するまで待機してもよい。ターゲット生成信号を受信した場合は、処理をＳ７００に進めてもよい。

Ｓ７００において、ターゲット制御部５２は、パルス電圧電源５８に、パルス生成トリガ信号を送信してもよい。これにより、パルス電圧電源５８は、Ｓ４００において送信されたパルス幅ΔＴのデータに従ってパルス電圧を発生して、ノズル板６２の貫通孔からターゲット２７を出力させ得る。

次に、ターゲット制御部５２は、サテライトを再度計測するか否かを判定してもよい（Ｓ８００）。この処理の詳細は後述する。サテライトを再度計測する場合（Ｓ８００：ＹＥＳ）、上述のＳ１００に戻ってＥＵＶ光生成制御部５に準備開始信号を送信してもよい。サテライトを再度計測しない場合（Ｓ８００：ＮＯ）、処理をＳ９００に進めてもよい。

Ｓ９００において、ターゲット制御部５２は、ターゲットの生成を中止するか否かを判定してもよい。この判定は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて行われてもよい。ターゲットの生成を中止しない場合（Ｓ９００：ＮＯ）、上述のＳ６００に戻ってＥＵＶ光生成制御部５からのターゲット生成信号を待ってもよい。ターゲットの生成を中止する場合（Ｓ９００：ＹＥＳ）、本フローチャートの処理を終了してもよい。

３．２．４ サテライトの計測（Ｓ３００の詳細）
図６Ａは、図５に示すサテライトの計測処理を示すフローチャートである。図６Ａに示される処理は、図５に示すＳ３００のサブルーチンとして、ターゲット制御部５２によって行われてもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、ターゲットの径をＤとする場合のターゲットの生成条件を設定してもよい（Ｓ３２０）。ターゲットの生成条件として、例えば、リザーバ６１内のターゲット物質の圧力及び温度が設定され、圧力調節器５３及びヒーター電源６７ａが制御されてもよい。

次に、ターゲット制御部５２は、ターゲット生成装置２６が、設定されたターゲットの生成条件で安定したか否かを判定してもよい（Ｓ３３０）。例えば、リザーバ６１内の圧力センサ６９及び温度センサ６８の出力に基づいて、一定時間内の圧力センサ６９と温度センサ６８の出力変動幅が所定の範囲内であるか否かを判定してもよい。当該範囲内である場合を安定したと判定し、当該範囲外である場合を安定していないと判定してもよい。ターゲット生成装置２６が安定していない場合、安定するまで待機してもよい。ターゲット生成装置２６が安定した場合、処理をＳ３４０に進めてもよい。

Ｓ３４０において、ターゲット制御部５２は、サテライト計測用のパルス幅ΔＴｘを初期値ΔＴ０に設定してもよい（ΔＴｘ＝ΔＴ０）。
初期値ΔＴ０は、例えばターゲットが生成されないパルス幅であってもよい。初期値ΔＴ０は、予め実験によって決定しておいてもよい。
次に、ターゲット制御部５２は、ターゲットが生成されるパルス幅ΔＴの最小値ΔＴ１を決定してもよい（Ｓ３５０）。この処理の詳細は後述する。次に、ターゲット制御部５２は、サテライトが観測されるパルス幅ΔＴの最小値ΔＴ２を決定してもよい（Ｓ３６０）。この処理の詳細は後述する。

次に、Ｓ３７０において、ターゲット制御部５２は、ΔＴ１とΔＴ２の平均値ΔＴａｖを算出し（ΔＴａｖ＝（ΔＴ１＋ΔＴ２）／２）、本フローチャートによる処理を終了して、処理を上述のＳ４００に進めてもよい。

図６Ｂは、図６Ａに示すΔＴ１の決定処理を示すフローチャートである。図６Ｂに示される処理は、図６Ａに示すＳ３５０のサブルーチンとして、ターゲット制御部５２によって行われてもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、パルス電圧電源５８に、パルス生成信号を送信してもよい（Ｓ３５１）。このパルス生成信号は、上述のＳ３４０によって設定されたパルス幅ΔＴｘのデータと、パルス生成トリガ信号とを含んでもよい。

次に、ターゲット制御部５２は、撮像部７２から出力された画像データを取得してもよい（Ｓ３５２）。次に、ターゲット制御部５２は、撮像部７２から取得した画像データを解析してもよい（Ｓ３５３）。

次に、ターゲット制御部５２は、画像データの解析結果に基づいて、ターゲット２７が生成されたか否かを判定してもよい（Ｓ３５４）。また、ターゲット２７の径Ｄを算出してもよい。さらに、このときのパルス幅ΔＴｘを、ΔＴ１の暫定値として記憶してもよい。

ターゲット２７が生成されていない場合は（Ｓ３５４：ＮＯ）、現在のパルス幅ΔＴｘに一定値δＴｘを加えた値（ΔＴｘ＋δＴｘ）を、新たなパルス幅ΔＴｘとして設定し（Ｓ３５５）、上述のＳ３５１に戻って新たなパルス幅ΔＴｘのデータを含むパルス生成信号を送信してもよい。

ターゲット２７が生成された場合は（Ｓ３５４：ＹＥＳ）、このときのパルス幅ΔＴｘをΔＴ１として記憶し、本フローチャートによる処理を終了して、処理を上述のＳ３６０に進めてもよい。

図６Ｃは、図６Ａに示すΔＴ２の決定処理を示すフローチャートである。図６Ｃに示される処理は、図６Ａに示すＳ３６０のサブルーチンとして、ターゲット制御部５２によって行われてもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、パルス電圧電源５８に、パルス生成信号を送信してもよい（Ｓ３６１）。このパルス生成信号は、上述のＳ３５５によって設定されたパルス幅ΔＴｘのデータと、パルス生成トリガ信号とを含んでもよい。

次に、ターゲット制御部５２は、撮像部７２から出力された画像データを取得してもよい（Ｓ３６２）。次に、ターゲット制御部５２は、撮像部７２から取得した画像データを解析してもよい（Ｓ３６３）。

次に、ターゲット制御部５２は、画像データの解析結果に基づいて、サテライト２７ａが観測されたか否かを判定してもよい（Ｓ３６４）。また、ターゲット２７の径Ｄを算出してもよい。さらに、このときのパルス幅ΔＴｘを、ΔＴ２の暫定値として記憶してもよい。

サテライト２７ａが観測されていない場合は（Ｓ３６４：ＮＯ）、現在のパルス幅ΔＴｘに一定値δＴｘを加えた値（ΔＴｘ＋δＴｘ）を、新たなパルス幅ΔＴｘとして設定し（Ｓ３６５）、上述のＳ３６１に戻って新たなパルス幅ΔＴｘのデータを含むパルス生成信号を送信してもよい。なお、δＴｘを図６Ｂにおいて説明したδＴｘと同じ値としてもよいし、異なる値δＴｙとしてもよい。

サテライト２７ａが観測された場合は（Ｓ３６４：ＹＥＳ）、このときのパルス幅ΔＴｘをΔＴ２として記憶し、本フローチャートによる処理を終了して、処理を上述のＳ３７０に進めてもよい。

３．２．５ サテライトを再度計測するか否かの判定（Ｓ８００の詳細）
図７は、図５に示すサテライトを再度計測するか否かの判定処理を示すフローチャートである。図７に示される処理は、図５に示すＳ８００のサブルーチンとして、ターゲット制御部５２によって行われてもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、ターゲットの径Ｄを変更するか否か、及び、タイマーＴｉがサテライトの計測周期Ｋを超過したか否かを判定してもよい（Ｓ８１０）。ターゲットの径Ｄを変更するか否かの判定は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて行われてもよい。タイマーＴｉは、上述のＳ２００でセットしたタイマーでもよい。

ターゲットの径Ｄを変更する場合、又は、タイマーＴｉがサテライトの計測周期Ｋを超過した場合（Ｓ８１０：ＹＥＳ）、Ｓ８００の判定結果を「ＹＥＳ」とし（Ｓ８２０）、上述のＳ１００に戻ってＥＵＶ光生成制御部５に準備開始信号を送信してもよい。

ターゲットの径Ｄを変更せず、且つ、タイマーＴｉがサテライトの計測周期Ｋを超過していない場合（Ｓ８１０：ＮＯ）、Ｓ８００の判定結果を「ＮＯ」とし（Ｓ８３０）、処理を上述のＳ９００に進めてもよい。

第１の実施形態においては、ＥＵＶ光生成装置１に含まれるターゲット検出部７０によってターゲット２７の軌道を含む空間を撮像し、ターゲット制御部５２がターゲット生成の有無及びサテライト観測の有無、若しくは観測されるサテライトの分量を判定してもよい。この判定結果に基づいて、ターゲット制御部５２がサテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴを設定し、パルス電圧電源５８を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１の使用中にターゲット生成装置２６の特性が変化した場合に、サテライトを再度計測してパルス幅ΔＴを設定し直してもよい。これにより、サテライトの生成を抑制し、チャンバ２内の部品の汚染を抑制し得る。

４．ターゲット生成条件判定装置（第２の実施形態）
４．１ 構成
図８は、第２の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置の構成を示す一部断面図である。第２の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置は、サテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴを算出可能とする装置であってよく、ＥＵＶ光を生成するための構成部材（レーザ光集光ミラー、ＥＵＶ集光ミラー等）を含まなくてもよい。なお、図２Ａのターゲット検出部７０と図８のターゲット検出部７０はいずれの実施形態においても使用することができる。

サテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴは、ターゲット生成装置２６を駆動する条件（ターゲットの径Ｄなど）のみならず、ターゲット生成装置２６の個体差にも依存し得る。そこで、ターゲット生成装置２６を識別する装置番号ごとに、サテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴを計測してもよい。例えば、ターゲット生成装置２６をＥＵＶ光生成装置に設置する前に、予めサテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴの計測をしても良い。あるいは、ターゲット生成装置２６をメンテナンスのためＥＵＶ光生成装置から取り出した際に、サテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴの計測をしてもよい。この計測を行うことにより、ターゲット生成装置２６の特性が経時変化していたことが判明した場合に、パルス幅ΔＴを設定し直してもよい。

ターゲット生成条件判定装置は、チャンバ２と、ターゲット制御部５２と、ターゲット検出部７０とを含んでもよい。チャンバ２には、ターゲット生成装置２６を取り付け可能であってもよい。

ターゲット検出部７０は、光源部７１と、撮像部７２と、転写光学系７４と、集光光学系７６とを含んでもよい。集光光学系７６は、光源部７１から出力された照明光を、チャンバ２のウインドウ２１ｂ及び電気絶縁部材６５に形成された貫通孔６５ｃを介してターゲット２７の軌道付近に集光してもよい。

ターゲット２７が照明光の光路上にある場合、照明光がターゲット２７に照射され、照明光はターゲット２７において吸収され又は散乱し、照明光の一部が、電気絶縁部材６５に形成された貫通孔６５ｄ及びウインドウ２１ｃを介して転写光学系７４に到達し得る。転写光学系７４は、ターゲット２７の像を撮像部７２の受光面に結像させてもよい。ターゲット２７が照明光の光路上に無い場合、撮像部７２は、ターゲット２７の軌道を含む空間を透過する照明光の像を撮像してもよい。

４．２ 動作
図９は、第２の実施形態における動作を示すフローチャートである。ターゲット生成条件判定装置は、以下の処理により、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴを算出してもよい。

まず、ターゲット生成条件判定装置に、ターゲット生成装置２６を設置してもよい（Ｓ３１０）。ターゲット生成装置２６は、ターゲット生成装置２６のＩＤ情報としての装置番号（例えば、Ｄ＃ｘｘｘｘ）に対応付けられていてもよい。

次に、ターゲット制御部５２は、ターゲットの径をＤとする場合のターゲットの生成条件を設定してもよい（Ｓ３２０）。ターゲットの生成条件として、例えば、リザーバ６１内のターゲット物質の圧力及び温度が設定されてもよい。ターゲット物質の圧力及び温度が設定されると、ターゲット制御部５２は圧力調節器５３及びヒーター電源６７ａを設定に基づいて制御してもよい。

次に、ターゲット制御部５２は、ターゲット生成装置２６が、設定されたターゲットの生成条件で安定したか否かを判定してもよい（Ｓ３３０）。例えば、リザーバ６１内の圧力センサ６９及び温度センサ６８の出力に基づいて、一定時間内の圧力センサ６９と温度センサ６８の出力変動幅が所定の範囲内であるか否かを判定してもよい。当該範囲内である場合を安定したと判定し、当該範囲外である場合を安定していないと判定してもよい。ターゲット生成装置２６が安定していない場合、安定するまで待機してもよい。ターゲット生成装置２６が安定した場合、処理をＳ３４０に進めてもよい。

Ｓ３４０において、ターゲット制御部５２は、サテライト計測用のパルス幅ΔＴｘを初期値ΔＴ０に設定してもよい（ΔＴｘ＝ΔＴ０）。
次に、ターゲット制御部５２は、ターゲットが生成されるパルス幅ΔＴの最小値ΔＴ１を決定してもよい（Ｓ３５０）。この処理の詳細は、図６Ｂを参照しながら説明したものと同様でよい。次に、ターゲット制御部５２は、サテライトが観測されるパルス幅ΔＴの最小値ΔＴ２を決定してもよい（Ｓ３６０）。この処理の詳細は、図６Ｃを参照しながら説明したものと同様でよい。

次に、Ｓ３７０において、ターゲット制御部５２は、ΔＴ１とΔＴ２の平均値ΔＴａｖを算出してもよい（ΔＴａｖ＝（ΔＴ１＋ΔＴ２）／２）。次に、ターゲット制御部５２は、ターゲット生成装置２６の装置番号（例えば、Ｄ＃ｘｘｘｘ）と、ターゲットの径Ｄと、平均値ΔＴａｖとを対応付けて記憶してもよい（Ｓ３８０）。

次に、ターゲット生成装置２６は、ターゲットの径Ｄを変更するか否かを判定してもよい（Ｓ３９０）。例えば、ターゲットの第１の径Ｄ１及び第２の径Ｄ２に関してサテライトを計測しようとする場合に、第１の径Ｄ１に関してサテライトの計測が終わった後に、ターゲットの径Ｄを第２の径Ｄ２に変更してもよい（Ｓ３９０：ＹＥＳ）。この場合には、上述のＳ３２０に戻って新たにターゲットの生成条件を設定してもよい。一方、必要な複数の径に関してサテライトの計測が終わった場合、もしくはその必要が無い場合、ターゲットの径Ｄを変更せずに（Ｓ３９０：ＮＯ）、本フローチャートによる処理を終了してもよい。このとき、３種類以上の径Ｄ１、Ｄ２及びＤ３に関してサテライトの計測をした場合には、それぞれに関して平均値ΔＴａｖのデータが得られるので、ターゲットの径Ｄを用いて平均値ΔＴａｖを算出するための近似関数（ΔＴａｖ＝ｆ（Ｄ））を導出してもよい。以上の処理を経て図４Ｅに示したグラフを得てもよい。

他の点は、第１の実施形態と同様でよい。第２の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置を用いれば、ＥＵＶ光生成装置にターゲット検出部７０を設けなくても、サテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴとして例えば平均値ΔＴａｖを近似関数（ΔＴａｖ＝ｆ（Ｄ））、あるいは図４Ｅのグラフより算出し得る。ＥＵＶ光生成装置に、平均値ΔＴａｖを算出済みのターゲット生成装置を設置し、平均値ΔＴａｖのデータを入力すれば、ＥＵＶ光の生成時にサテライトの生成を抑制し、チャンバ２内の部品の汚染を抑制し得る。

５．ＥＵＶ光生成装置（第３の実施形態）
５．１ 構成
図１０は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置は、ターゲット検出部７０を含まなくてもよい。

第２の実施形態に係るターゲット生成条件判定装置を用いれば、ターゲット生成装置２６の装置番号ごとにサテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴを判定し得る。そこで、第３の実施形態においては、ターゲット生成装置２６の装置番号ごとにサテライトの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴとして予め設定されたデータを用いて、パルス電圧電源５８を制御してもよい。

５．２ 動作
５．２．１ メインフロー
図１１は、第３の実施形態におけるターゲット制御部の動作を示すフローチャートである。ターゲット制御部５２は、以下の処理により、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴのデータに基づいて、パルス電圧電源５８を制御してもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、ターゲット生成装置２６の装置番号（例えば、Ｄ＃ｘｘｘｘ）を読み込んでもよい（Ｓ１０）。この装置番号は、ユーザインターフェイス１０１０（後述）等に含まれる入力装置を介してオペレータが入力したものであってもよいし、ストレージメモリ１００５（後述）等の記憶部に記憶されたものであってもよい。
次に、ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５から、ターゲットの径Ｄを指定する信号を受信してもよい（Ｓ２０）。

次に、ターゲット制御部５２は、指定されたターゲットの径Ｄに基づいて、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴを導出してもよい（Ｓ３０）。この処理の詳細については後述する。次に、ターゲット制御部５２は、パルス電圧電源５８に、パルス幅ΔＴとしてΔＴａｖのデータを送信してもよい（Ｓ４０）。

次に、ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット生成信号を受信したか否かを判定してもよい（Ｓ６０）。ターゲット生成信号を受信しない場合は、ターゲット生成信号を受信するまで待機してもよい。ターゲット生成信号を受信した場合は、処理をＳ７０に進めてもよい。

Ｓ７０において、ターゲット制御部５２は、パルス電圧電源５８に、パルス生成トリガ信号を送信してもよい。これにより、パルス電圧電源５８は、Ｓ４０において送信されたパルス幅ΔＴのデータに従ってパルス電圧を発生してターゲット生成装置２６を駆動し得る。

次に、ターゲット制御部５２は、ターゲットの径Ｄを変更するか否かを判定してもよい（Ｓ８０）。この判定は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて行われてもよい。ターゲットの径Ｄを変更する場合（Ｓ８０：ＹＥＳ）、上述のＳ２０に戻ってＥＵＶ光生成制御部５からターゲットの径Ｄを指定する信号を受信してもよい。ターゲットの径Ｄを変更しない場合（Ｓ８０：ＮＯ）、処理をＳ９０に進めてもよい。

Ｓ９０において、ターゲット制御部５２は、ターゲットの生成を中止するか否かを判定してもよい。この判定は、ＥＵＶ光生成制御部５からの制御信号に基づいて行われてもよい。ターゲットの生成を中止しない場合（Ｓ９０：ＮＯ）、上述のＳ６０に戻ってＥＵＶ光生成制御部５からのターゲット生成信号を待ってもよい。ターゲットの生成を中止する場合（Ｓ９０：ＹＥＳ）、本フローチャートの処理を終了してもよい。

５．２．２ パルス幅ΔＴの導出（Ｓ３０の詳細）
図１２Ａは、図１１に示すパルス幅ΔＴの導出処理の例を示すフローチャートである。図１２Ａに示される処理は、図１１に示すＳ３０のサブルーチンとして、ターゲット制御部５２によって行われてもよい。ここで、ストレージメモリ１００５（後述）等の記憶部には、ターゲット生成装置の装置番号ごとに、ターゲットの径Ｄと、ターゲットが生成されるがサテライトが観測されないパルス幅ΔＴの範囲の上限及び下限の平均値ΔＴａｖのデータとが、対応付けられて記憶されていてもよい。ストレージメモリ１００５等の記憶部へのこれらデータの入力は、オンラインまたは適当な記憶メディアを介して行われてもよい。あるいは、オペレータによる手動入力であってもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、ターゲット生成装置２６の装置番号がＤ＃ｘｘｘｘであり、ターゲットの径をＤとする場合の平均値ΔＴａｖのデータを、ストレージメモリ１００５（後述）等の記憶部から読み込んでもよい（Ｓ３１）。
次に、ターゲット制御部５２は、読み込んだ平均値ΔＴａｖを、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴとして設定し（Ｓ３２）、本フローチャートによる処理を終了して、処理を上述のＳ４０に進めてもよい。

図１２Ｂは、図１１に示すパルス幅ΔＴの導出処理の他の例を示すフローチャートである。図１２Ｂに示される処理は、図１１に示すＳ３０のサブルーチンとして、ターゲット制御部５２によって行われてもよい。ここで、ストレージメモリ１００５（後述）等の記憶部には、ターゲット生成装置の装置番号ごとに、ターゲットの径Ｄを用いて平均値ΔＴａｖを算出するための近似関数（ΔＴａｖ＝ｆ（Ｄ））のデータが対応付けられて記憶されていてもよい。

まず、ターゲット制御部５２は、ターゲット生成装置２６の装置番号がＤ＃ｘｘｘｘである場合の近似関数（ΔＴａｖ＝ｆ（Ｄ））のデータを、ストレージメモリ１００５（後述）等の記憶部から読み込んでもよい（Ｓ３３）。

次に、ターゲット制御部５２は、読み込んだ近似関数に基づいて、ターゲットの径をＤとする場合の平均値ΔＴａｖを算出してもよい（Ｓ３４）。そして、算出された平均値ΔＴａｖを、サテライト２７ａの生成を抑制し得るパルス幅ΔＴとして設定し、本フローチャートによる処理を終了して、処理を上述のＳ４０に進めてもよい。

他の点は、第１の実施形態と同様でよい。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を用いれば、サテライトの生成を抑制し、チャンバ２内の部品の汚染を抑制し得る。

６．制御部の構成
図１３は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲット制御部５２等の各制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態における各制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。たとえば、以下のように構成されてもよい。

（構成）
制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。

（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部１０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。

処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、画像処理部、他の制御部等であってもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、ＤＣ高圧電源５７、圧力調節器５３、パルス電圧電源５８、ヒーター電源６７ａ、撮像部７２等であってもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、温度センサ６８、圧力センサ６９、真空計等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部はフローチャートに示された動作を実現可能であってよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット生成装置、２７…ターゲット、２７ａ…サテライト、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３４ａ…ビームステアリングユニット、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…ビームダンプ、４５…ビームダンプ支持部材、５２…ターゲット制御部、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５７…ＤＣ高圧電源、５７ａ…フィードスルー、５８…パルス電圧電源、５８ａ…フィードスルー、６１…リザーバ、６２…ノズル板、６２ｂ…先端部、６３…電極、６５…電気絶縁部材、６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ…貫通孔、６６…引出電極、６６ａ…貫通孔、６７ａ…ヒーター電源、６７ｂ…ヒーター、６８…温度センサ、６９…圧力センサ、７０…ターゲット検出部、７１…光源部、７２…撮像部、７３…ビームスプリッタ、７４…転写光学系、７５…高反射ミラー、７６…集光光学系、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２３、２２４…ホルダ、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、３４１、３４２…高反射ミラー、３４３、３４４…ホルダ、１０００…処理部、１００１…ＣＰＵ、１００２…メモリ、１００３…タイマー、１００４…ＧＰＵ、１００５…ストレージメモリ、１０１０…ユーザインターフェイス、１０２０…パラレルＩ／Ｏコントローラ、１０３０…シリアルＩ／Ｏコントローラ、１０４０…Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ

Claims (4)

1. パルス電圧によって駆動されてターゲット物質のドロップレットを生成するターゲット生成装置と共に用いられるターゲット生成条件判定装置であって、
   前記ターゲット生成装置から生成されるターゲットを検出し、その検出信号を出力するように構成された検出部と、
   制御部であって、
   前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス電圧のパルス幅を制御するように構成され、前記検出信号を入力し、１つのパルスによって前記ターゲット生成装置からターゲットが生成されたか否かを、前記検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成され、前記検出信号を入力し、１つのパルスによって前記ターゲット生成装置から生成されたターゲットが複数のドロップレットを含むか否かを、前記検出信号に基づいて判定する処理を行うように構成された制御部を含む
   ターゲット生成条件判定装置。
2. 前記検出部は、前記ターゲット生成装置から生成されたターゲットに光を照射する光源部と、前記ターゲット生成装置から生成され前記光源部によって光を照射されたターゲットを撮像する撮像部と、を含む、請求項１記載のターゲット生成条件判定装置。
3. パルス電圧によって駆動されてターゲット物質のドロップレットを生成するターゲット生成装置と、
   前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス電圧のパルス幅を制御する制御部と、
   を備えるターゲット生成システムであって、
   前記制御部は、
   前記ターゲット生成装置を識別するためのＩＤ情報の入力を受け付け、
   受け付けた前記ＩＤ情報に基づいて、前記ＩＤ情報と前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス幅の情報とを対応付けて記憶する記憶部を検索することにより、前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス幅の情報を取得し、
   取得した前記パルス幅の情報に基づいて、前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス幅を制御する、
   ターゲット生成システム。
4. 前記記憶部は、前記ターゲット生成装置を駆動するための前記パルス電圧のパルス幅の情報を、ターゲットの径に関する情報の関数として記憶しており、
   前記制御部は、ターゲットの径に関する情報をさらに受け付け、前記関数と前記ターゲットの径に関する情報とに基づいて前記パルス幅を算出する、
   請求項３記載のターゲット生成システム。

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