JP6381520B2 - 極端紫外光生成装置及びパルスレーザ光の集光ビーム計測装置 - Google Patents
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Description
[1.概要]
[2.EUV光生成装置の全体説明]
2.1 構成
2.2 動作
[3.パルスレーザ光の集光ビーム計測装置](第1の実施形態)
3.1 構成
3.2 動作
3.2.1 全体の動作
3.2.2 計測制御部のメインフロー
3.2.3 画像データの取り込み処理
3.2.4 ビームウエスト位置Pwとビームウエスト全幅Dwの計算
3.3 作用
3.4 第1の実施形態の第1の変形例(シャッタトリガ生成の変形例)
3.4.1 構成
3.4.2 動作
3.4.3 作用
3.5 第1の実施形態の第2の変形例(2つのカメラを含む実施形態)
3.5.1 構成
3.5.2 動作
3.5.3 作用
3.6 その他の変形例
[4.パルスレーザ光の集光ビーム計測装置を含むEUV光生成装置](第2の実施形態)
4.1 構成
4.2 動作
4.2.1 EUV光生成時の動作
4.2.2 集光ビーム計測時の動作
4.3 作用
[5.その他]
5.1 不活性ガスの圧力とプラズマ生成との関係
5.2 制御部のハードウエア環境
本開示は、不活性ガス中にパルスレーザ光を集光したときに生成されたプラズマ発光の像を計測する装置に関する。
2.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
3.1 構成
図2は、第1の実施形態に係るパルスレーザ光の集光ビーム計測装置の一構成例を示している。図3は、集光ビームを計測する場合に得られる画像データとしてプラズマ発光像データの一例を模式的に示している。
3.2.1 全体の動作
図4は、集光ビームを計測する場合の発振トリガTG1、パルスレーザ光31、プラズマ発光光35、及びシャッタトリガTG2の一例を示している。図4のタイミングチャートを適宜参照して、パルスレーザ光31の集光ビームを計測する際の全体の動作を説明する。
発振トリガTG1とシャッタトリガTG2とのタイミングの遅延時間をtdとすると、
td=ta+tbとなる。
図5は、計測制御部53によるメインの処理動作の一例を示している。計測制御部53は、レーザ装置3と遅延回路71とに発振トリガTG1の信号を出力してもよい(ステップS101)。次に、計測制御部53はカメラ40による画像データD1を取り込む処理を行ってもよい(ステップS102)。次に、計測制御部53は画像データD1に基づいてビームウエスト位置Pwとビームウエストの全幅Dwとを計算してもよい(ステップS103)。
図7は、図5に示される画像データD1の取り込み処理の一例を示している。図7に示される取り込み処理は、図5に示されるステップS102のサブルーチンとして、計測制御部53によって行われてもよい。図6は、画像データD1の取り込み範囲の一例を示す。
図8は、図5に示されるビームウエスト位置Pwとビームウエスト全幅Dwとを計算する処理の一例を示している。図8に示される計算処理は、図5に示されるステップS103のサブルーチンとして、計測制御部53によって行われてもよい。図9は、ビームウエスト位置Pwとビームウエスト全幅Dwとの計算過程の一例を示している。図9では、画像データD1におけるZ軸に垂直な方向(J列)の光強度分布の一例を示している。
Zw=J・pz・α
Ith=Imax/e2
X1=K・px・α
X2=K・px・α
D=X2−X1
X=(X2+X1)/2
第1の実施形態に係る集光ビーム計測装置によれば、不活性ガス37中でパルスレーザ光31を集光することによってプラズマを生成し、そのプラズマ発光の像を高速シャッタを含むカメラ40で撮像し得る。これにより、図3のように、パルスレーザ光31の集光ビームの伝播状態を画像として計測し得る。
3.4.1 構成
図2の構成では、計測制御部53から出力された発振トリガTG1をレーザ装置3及び遅延回路71に分岐して入力するようにしたが、図11に示したようにレーザ装置3から遅延回路71に信号を入力することで、シャッタトリガTG2の信号を生成してもよい。
td=(Llaser+L)/c
例えば、Llaser=200m、L=30mとすると、td=76.7nsとなる。
計測制御部53から発振トリガTG1がマスタオシレータ311に入力されると、パルスレーザ光31がマスタオシレータ311から出力され得る。このパルスレーザ光31はビームスプリッタ312に入射し、一部の光は反射して、光センサ313に入射し得る。一方、ビームスプリッタ312を透過したパルスレーザ光31は、第1の増幅器PA1乃至第4の増幅器PA4を通過して増幅され得る。
第1の実施形態の第1の変形例によれば、マスタオシレータ311から出力されたパルスレーザ光31が実際に光センサ313に入射したタイミングに基づいて、シャッタトリガTG2の信号が生成され得る。その結果、パルスレーザ光31のビームウエストで生成されるプラズマ発光のタイミングに対するイメージセンサ41のシャッタの開閉タイミングを高精度に制御し得る。特に、発振トリガTG1に対して、マスタオシレータ311から出力されるパルスレーザ光31の出力タイミングに無視できないジッタがある場合に有効であり得る。
3.5.1 構成
図12及び図13は、第1の実施形態の第2の変形例に係る集光ビーム計測装置の一構成例を示している。図2では、集光ビームを計測するための撮像部として1つのカメラ40を備えた例を示したが、図12及び図13のように、2つの撮像部を備えた構成であってもよい。2つの撮像部はそれぞれ、第1のカメラ40A及び第2のカメラ40Bを含んでよい。なお、図12はYZ断面内の構成、図13は図12のY1−Y1’線を含むYX断面内の構成を示している。
レーザ装置3に発振トリガTG1が入力されると、レーザ装置3からパルスレーザ光31が出力し得る。パルスレーザ光31は、ウインドウ21を透過して、チャンバ2内に入射し得る。パルスレーザ光31は、レーザ集光光学系22aによって、この光学系によって形成されるビームウエストに集光し得る。所定のガスとして、不活性ガス37中で、パルスレーザ光31が集光されて、所定の光強度を超えるとプラズマが生成し、プラズマ発光光が発生し得る。不活性ガス37は、例えばArガスであってよい。第1のカメラ40Aは、第1の方向から観測される第1のプラズマ発光光35Aによる像を撮像し得る。第1のカメラ40Aによる第1の画像データD11は、計測制御部53に送られてもよい。計測制御部53は、第1の画像データD11から、第1のビームウエスト位置Pxwと第1のビームウエスト全幅Dxwとを計算してもよい。一方、第2のカメラ40Bは、第2の方向から観測される第2のプラズマ発光光35Bによる像を撮像し得る。第2のカメラ40Bによる第2の画像データD12は、計測制御部53に送られてもよい。計測制御部53は、第2の画像データD12から、第2のビームウエスト位置Pywと第2のビームウエスト全幅Dywとを計算してもよい。
第1の実施形態の第2の変形例によれば、X方向とY方向とのそれぞれについて、ビームウエスト全幅と、ビームウエスト位置とを計測し得る。その結果、X方向とY方向とのビームウエスト位置が一致する場合は、ビームウエスト位置の3次元座標位置(x,y,z)が計測し得る。一方、X方向とY方向とのビームウエスト全幅及びビームウエスト位置が異なって計測された場合は、X方向とY方向とでレーザ光の波面の曲率が異なっていることを意味しうる。この場合、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31やレーザ集光光学系22aに非点収差が発生していると判定し得る。この計測結果を用いて、集光ビームの非点収差を評価してもよい。
以上の第1の実施形態及びその変形例で例示した構成に限らず、以下のような構成を採用してもよい。
4.1 構成
図15及び図16は、第2の実施形態に係るEUV光生成装置の一構成例を示している。図15及び図16には、図12及び図13に示した集光ビーム計測装置と同様の計測装置をEUV光生成装置に搭載した場合の実施形態を示す。なお、図15はZ軸を含む断面内の構成を示し、図16は図15のY2−Y2’線断面内の構成を示している。
4.2.1 EUV光生成時の動作
EUV制御部51は、ターゲット生成制御部52を介して、ターゲット供給部26にドロップレット生成信号を送信してもよい。そして、ターゲット供給部26のノズル62からドロップレット状のターゲット27が生成し得る。EUV制御部51は、生成したドロップレット状のターゲット27が、プラズマ生成領域25に到達したときにパルスレーザ光31がドロップレット状のターゲット27に照射されるタイミングとなるように、レーザ装置3に発振トリガTG1を出力してもよい。
図17は、パルスレーザ光31の集光ビームを計測する際のEUV制御部51の処理動作の一例を示している。EUV制御部51は、集光ビームを計測する必要があるときに以下の動作を行ってもよい。
ΔP(Δx,Δy,Δz)=Pw(x,y,z)−Pt(xt,yt,zt)
第2の実施形態によれば、EUV光生成装置に集光ビーム計測装置を搭載することによって、実際にドロップレット状のターゲット27に集光されるパルスレーザ光31のビームウエストの全幅Dwと、ビームウエストの位置Pwとを高精度に計測し得る。また、所望のプラズマ生成領域25の位置に対して、パルスレーザ光31のビームウエスト位置が適正な位置となるようにレーザ集光光学系22aによる集光位置を高精度に制御し得る。この結果、パルスレーザ光の集光状態が安定し、安定したEUV光の生成が可能となってよい。
5.1 不活性ガスの圧力とプラズマ生成との関係
図18は、不活性ガスの圧力とプラズマ生成との関係の一例を示している。図18において、横軸は圧力(kpa)、縦軸は電界(V/cm)となっている。図18には、不活性ガスの例として、アルゴン(Ar)ガス、ヘリウム(He)ガス、及び窒素(N2)ガスの例を示している。図18の縦軸左側には、Arガスについて、CO2レーザ光を用いた場合の、プラズマを生成し得る単位面積当たりのパルスレーザ光の光強度In(W/cm2)の値の一例を示している。光強度Inは、以下の式で表される。Dwはパルスレーザ光のビームウエスト全幅、τはパルス幅、Eはパルスエネルギーである。Dwは例えば300μm、τは例えば20ns、Eは例えば、50mJ、100mJ、200mJ、300mJ、または400mJであってもよい。
In=E/(τ・π(Dw/2)2)
これにより、例えば上述のCO2レーザ光のパルスエネルギーが200mJである場合は、チャンバ2内に供給するArガスの圧力は21(kpa)であればプラズマが生成すると判定し得る。このように、不活性ガスの圧力は、例えば図18の様な関係から決定してもよい。
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
Claims (6)
- 内部に所定のガスを含むチャンバと、
レーザ装置から出力されるパルスレーザ光の光路上に配置され、前記パルスレーザ光を集光する集光光学系と、
前記パルスレーザ光の光路の軸外に設けられ、前記集光光学系により集光された前記パルスレーザ光が前記所定のガスに照射されることによって前記チャンバの内部で生成されたプラズマ発光の像を撮像する撮像部と、
前記撮像部から得られたプラズマ発光像に基づいて、前記パルスレーザ光の集光位置及び集光幅を計測する計測部と
を備え、
前記撮像部は、
第1の方向に向けられた第1の撮像部と、
前記第1の方向とは異なる第2の方向に向けられた第2の撮像部と
を含む
極端紫外光生成装置。 - 前記撮像部による撮像タイミングを、前記レーザ装置による前記パルスレーザ光の出力タイミングから遅延したタイミングに同期させる制御部をさらに備えた
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記撮像部は、前記パルスレーザ光の光路軸に対して直交する方向を向くように配置されている
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記計測部は、
前記第1の撮像部から得られた第1のプラズマ発光像に基づいて、前記パルスレーザ光の第1の集光位置及び第1の集光幅を計測すると共に、前記第2の撮像部から得られた第2のプラズマ発光像に基づいて、前記パルスレーザ光の第2の集光位置及び第2の集光幅を計測する
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第1の撮像部と前記第2の撮像部はそれぞれ、互いに直交する方向を向くように配置され、かつ、それぞれが前記パルスレーザ光の光路軸に対して直交する方向を向くように配置されている
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 極端紫外光の生成に用いられるパルスレーザ光の集光ビームを計測する装置であって、
パルスレーザ光の光路の軸外に設けられ、所定のガスに前記パルスレーザ光が照射されることによって生成されたプラズマ発光の像を撮像する撮像部と、
前記撮像部から得られたプラズマ発光像に基づいて、前記パルスレーザ光の集光位置及び集光幅を計測する計測部と
を備えたパルスレーザ光の集光ビーム計測装置。
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