JP6434404B2 - 極端紫外光生成システム - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成システムに関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７０６８３６７号明細書 米国特許第７５８９３３７号明細書 米国特許出願公開第２０１２／００８０５８４号明細書

概要

本開示による極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を、ＥＵＶ光が生成されるチャンバの内部に供給するレーザ装置と、パルスレーザ光の光路上に配置された光シャッタと、外部装置から供給された、ＥＵＶ光の生成を指示する生成信号に基づいて、光シャッタを開閉制御する制御部とを備えてもよい。レーザ装置は、生成信号の供給の有無に関わらず常時、パルスレーザ光を出力してもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、バースト信号によってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。 図３は、発光制御システム部の一構成例を概略的に示す。 図４は、図３に示した発光制御システム部による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 図５は、図４に示した発光制御により出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギの一例を示す。 図６は、光シャッタの制御を含む発光制御システム部の一構成例を概略的に示す。 図７は、図６に示した発光制御システム部による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 図８は、タイミング信号生成回路を含む発光制御システム部の一構成例を概略的に示す。 図９は、図８に示した発光制御システム部による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 図１０は、光アイソレータの制御を含む発光制御システム部の一構成例を概略的に示す。 図１１は、図１０に示した発光制御システム部による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 図１２は、プリパルスレーザ装置の制御を含む発光制御システム部の一構成例を概略的に示す。 図１３は、オンデマンド方式のターゲット供給部におけるターゲットの制御を含む発光制御システム部の一構成例を概略的に示す。 図１４は、光シャッタの一構成例を概略的に示す。 図１５は、光アイソレータの一構成例を概略的に示す。 図１６は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。

実施形態

＜内容＞
［１．概要］
［２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明］
２．１ 構成
２．２ 動作
［３．バースト信号によってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成システム］
３．１ 構成
３．１．１ 全体の構成
３．１．２ 発光制御システム部の構成
３．２ 動作
３．２．１ 全体の動作
３．２．２ 発光制御システム部の動作
３．３ 課題
［４．光シャッタの制御を含む発光制御システム部］（第１の実施形態）
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
４．４ 変形例
［５．タイミング信号生成回路を含む発光制御システム部］（第２の実施形態）
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
５．４ 変形例
［６．光アイソレータの制御を含む発光制御システム部］（第３の実施形態）
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
６．４ 変形例
［７．プリパルスレーザ装置の制御を含む発光制御システム部］（第４の実施形態）
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
［８．オンデマンド方式のターゲット供給部におけるターゲットの制御を含む発光制御システム部］（第５の実施形態）
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用
［９．その他］
９．１ 光シャッタの構成例
９．２ 光アイソレータの構成例
９．３ 制御部のハードウエア環境

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、ＥＵＶ光のバーストパルスを生成する制御装置に関する。

［２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよい。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置である中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５を含むことができる。またＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４等を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、及び速度の内の少なくとも１つを検出しても良い。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していても良い。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光と共にＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されると共に集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミングの制御、及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［３．バースト信号によってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成システム］
３．１ 構成
３．１．１ 全体の構成
図２は、バースト信号Ｖ１によってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成システムの一構成例を示している。このＥＵＶ光生成システムは、チャンバ２と、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御部５と、レーザ光進行方向制御部３４とを含んでいてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、発光制御システム部５０とＥＵＶ制御部５１とを含んでいてもよい。発光制御システム部５０は、ターゲット制御部７１と、発光制御回路７２とを含んでいてもよい。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１がチャンバ２に入射するようにレーザ光進行方向制御部３４を配置してもよい。レーザ装置３は、例えば繰り返し周波数５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのパルスレーザ光３１を出力するＣＯ₂レーザ装置であってもよい。

チャンバ２は、レーザ集光光学系２２ａと、プレート８２と、ＸＹＺ軸ステージ８４とを含んでもよい。さらに、チャンバ２は、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ミラーホルダ８１と、ウインドウ２１と、ターゲット回収部２８とを含んでもよい。ウインドウ２１は、チャンバ２の内壁にシールして固定されてもよい。チャンバ２には、ターゲット供給部２６と、ターゲット検出装置４０とが取り付けられてもよい。

レーザ集光光学系２２ａは、プレート８３と、ホルダ２２３と、ホルダ２２４と、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２とを含んでいてもよい。軸外放物面ミラー２２１はホルダ２２３によってプレート８３に保持されてもよい。平面ミラー２２２はホルダ２２４によってプレート８３に保持されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光するように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。

プレート８２はチャンバ２の内部で、壁に固定されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、Ｚ軸を中心とする回転楕円面のミラーであってもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、回転楕円面の第１焦点が、プラズマ生成領域２５と略一致するようにミラーホルダ８１を介して、プレート８２に固定されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部にはパルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４があってもよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、２枚の平面ミラー３４１，３４２で構成してもよい。平面ミラー３４１，３４２と、平面ミラー２２２及び軸外放物面ミラー２２１との反射表面には、パルスレーザ光３１を高反射する膜がコーティングされていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の反射表面には、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜がコーティングされていてもよい。

ターゲット供給部２６は、タンク６１と、ノズル６２と、ピエゾ素子６３と、ヒータ６４と、圧力調節器６５とを含んでいてもよい。ターゲット供給部２６は、ノズル６２から出力されるターゲット２７がドロップレット状でプラズマ生成領域２５に到達するように配置されてもよい。ターゲット回収部２８は、ドロップレット状のターゲット２７の軌道Ｙａの延長線上に設置してもよい。ヒータ６４は、タンク６１に配置されていてもよい。タンク６１は、ヒータ６４によって溶融した状態のターゲット２７を内部に貯蔵してもよい。ノズル６２は、タンク６１内のターゲット２７を出力するノズル孔６２ａを含んでいてもよい。ピエゾ素子６３は、ノズル６２に設置されていてもよい。圧力調節器６５は、タンク６１内の圧力を調節してもよい。

ターゲット検出装置４０は、ターゲットセンサ４と、光源部４５とを含んでいてもよい。光源部４５は、光源４６と、照明光学系４７とを含んでいてもよい。ターゲット供給部２６のノズル６２とプラズマ生成領域２５との間の軌道Ｙａ上の所定位置Ｐ１のターゲット２７を照明するように配置してもよい。照明光学系４７は、集光レンズとウインドウ２１ａとを含んでもよい。ターゲットセンサ４は、光センサ４１と、受光光学系４２とを含んでいてもよい。ターゲットセンサ４は、光源部４５から出力された照明光を受光するように配置してもよい。受光光学系４２は、ウインドウ２１ｂと集光レンズ４３とを含んでもよい。

ターゲットセンサ４と光源部４５とは、ターゲット２７の軌道Ｙａを挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。チャンバ２にはウインドウ２１ａ及びウインドウ２１ｂが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、光源部４５とターゲット２７の軌道Ｙａとの間に位置していてもよい。光源部４５は、ウインドウ２１ａを介してターゲット２７の軌道Ｙａの所定位置Ｐ１に光を集光してもよい。ウインドウ２１ｂは、ターゲット２７の軌道Ｙａとターゲットセンサ４との間に位置していてもよい。ターゲットセンサ４によって検出されるターゲット２７の検出位置は、光源部４５による光の集光位置とほぼ一致し得る。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の検出信号として通過タイミング信号Ｔｍ１を出力してもよい。通過タイミング信号Ｔｍ１は、ターゲット２７の供給タイミングを示すタイミング信号であってもよい。ターゲットセンサ４から出力された通過タイミング信号Ｔｍ１は、ターゲット制御部７１を介して、発光制御回路７２に入力されてもよい。

ＥＵＶ光生成システムにおいては、所定の繰り返し周波数で、所定の時間にわたってＥＵＶ光を生成することが求められ得る。所定の繰り返し周波数は、例えば、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり得る。ＥＵＶ光生成システムが所定の繰り返し周波数でＥＵＶ光を生成するために、ターゲット供給部２６が上記所定の繰り返し周波数でターゲット２７を出力してもよい。ターゲット２７の供給タイミングに応じて、レーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力してもよい。レーザ装置３が出力するパルスレーザ光３１の繰り返し周波数は、上記所定の繰り返し周波数と同等であり得る。所定の繰り返し周波数で所定の時間にわたってパルス光を出力することを、バーストと称することもある。また、バースト出力されたパルス光をバーストパルスと呼ぶ場合がある。

このようなバーストによるＥＵＶ光の生成を指示する生成信号としてバースト信号Ｖ１が、外部装置としての露光装置６から、ＥＵＶ制御部５１に供給されてもよい。露光装置６は露光装置制御部６ａを含んでいてもよい。バースト信号Ｖ１は、露光装置６の露光装置制御部６ａから供給するようにしてもよい。

露光装置制御部６ａからのバースト信号Ｖ１は、ＥＵＶ制御部５１とターゲット制御部７１とを経由して発光制御回路７２に入力されてもよい。発光制御回路７２は、出力信号として発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３に出力してもよい。

３．１．２ 発光制御システム部の構成
図３は、発光制御システム部５０の一構成例を示している。発光制御システム部５０において、発光制御回路７２は、ＡＮＤ回路５２と、遅延回路５３とを含んでいてもよい。ＡＮＤ回路５２には、露光装置６からのバースト信号Ｖ１がＥＵＶ制御部５１とターゲット制御部７１とを介して入力されてもよい。ＡＮＤ回路５２にはまた、ターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１がターゲット制御部７１を介して入力されてもよい。ＡＮＤ回路５２は、バースト信号Ｖ１と通過タイミング信号Ｔｍ１とのＡＮＤ信号を出力信号として遅延回路５３に出力してもよい。

ターゲット制御部７１は、所定の遅延時間ｔｄ１の設定情報を含む制御信号を遅延回路５３に出力してもよい。遅延回路５３は、ＡＮＤ回路５２からの出力信号を所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させて発光トリガ信号ＴＧ１を生成し、その発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３に出力してもよい。遅延時間ｔｄ１は、ターゲットセンサ４によって検出されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光３１がターゲット２７に照射されるように設定される遅延時間であり得る。

３．２ 動作
３．２．１ 全体の動作
図２において、ターゲット制御部７１は、ＥＵＶ制御部５１からドロップレット生成信号を受信すると、ヒータ６４によってタンク６１内のターゲット２７の材料を所定の温度まで加熱する温度制御をしてもよい。ターゲット制御部７１は、例えば、ターゲット２７の材料がスズ（Ｓｎ）である場合、融点である２３２℃以上の例えば２５０℃〜２９０℃の所定の温度まで加熱する温度制御をしてもよい。ターゲット制御部７１は、タンク６１内の圧力が、ノズル６２のノズル孔６２ａから所定の速度でターゲット２７となる噴流が出力される圧力となるように圧力調節器６５を制御してもよい。次にターゲット制御部７１は、ドロップレット状のターゲット２７が生成されるように、ピエゾ素子６３に所定の波形の電圧を供給してもよい。ノズル孔６２ａから出力された噴流にはピエゾ素子６３によって振動が与えられ、噴流表面に定在波が生じ得る。その結果、噴流は、ドロップレット状のターゲット２７に分断し得る。このように、コンティニュアスジェット（ＣＪ）法によるドロップレット状のターゲット２７の生成がなされてもよい。例えば、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの所定の周波数でドロップレット状のターゲット２７が生成されてもよい。

ターゲット検出装置４０において、光源部４５からの照明光によってターゲット２７が照明されてもよい。ターゲットセンサ４は、光源部４５から出力された照明光を受光し得る。チャンバ２内でターゲット２７が所定位置Ｐ１を通過する際に照明光の一部を遮蔽し、ターゲットセンサ４が受光する光強度が低下し得る。この光強度の変化をターゲットセンサ４の光センサ４１により検出してターゲット２７の検出信号としてもよい。光センサ４１は、検出信号を通過タイミング信号Ｔｍ１として出力し得る。ターゲットセンサ４は、１つのターゲット２７を検出する毎に、通過タイミング信号Ｔｍ１として１つのパルス信号を出力してもよい。通過タイミング信号Ｔｍ１は、ターゲット制御部７１を介して発光制御回路７２に入力され得る。

ここで、露光装置６からのバースト信号Ｖ１がＥＵＶ制御部５１とターゲット制御部７１とを経由して発光制御回路７２に入力されている場合は、発光制御回路７２は、通過タイミング信号Ｔｍ１に対して所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させた発光トリガ信号ＴＧ１を生成してもよい。そして、発光制御回路７２は、その発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３に出力してもよい。発光トリガ信号ＴＧ１がレーザ装置３に入力されると、レーザ装置３はパルスレーザ光３１を出力し得る。出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、ウインドウ２１に入射し得る。ウインドウ２１を透過したパルスレーザ光３１は軸外放物面ミラー２２１と平面ミラー２２２とによって、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光し得る。プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット状のターゲット２７は、パルスレーザ光３３に照射され、プラズマ化し、ＥＵＶ光２５１を生成し得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって、中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focus）２９２で集光し、露光装置６に出力されてもよい。

一方、露光装置６からのバースト信号Ｖ１がＥＵＶ制御部５１とターゲット制御部７１とを経由して発光制御回路７２に入力されていない場合は、発光制御回路７２は、通過タイミング信号Ｔｍ１が発光制御回路７２に入力されていても、発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３に出力しなくてもよい。その結果、ＥＵＶ光２５１は生成されなくてもよい。

以上のようにして、露光装置６からのバースト信号Ｖ１に応じて、ＥＵＶ光２５１のバーストパルスを生成し得る。

３．２．２ 発光制御システム部５０の動作
図４は、図３に示した発光制御システム部５０による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。なお、以下の説明におけるタイミングチャートにおいて、信号のタイミングを示すチャートの縦軸は信号レベルを模式的に表し、レーザ光のタイミングを示すチャートの縦軸はレーザ光のパルスエネルギまたは強度を模式的に表してもよい。露光装置６からのバースト信号Ｖ１は、図４に示したように、所定期間Ｔａは信号値がＨｉｇｈのＯＮ信号となり、所定期間Ｔｂは信号値がＬｏｗのＯＦＦ信号となるＯＮ−ＯＦＦ信号であってもよい。ＯＮ信号の所定期間ＴａはＥＵＶ光２５１を生成すべき期間であってもよい。ＯＦＦ信号の所定期間ＴｂはＥＵＶ光２５１を生成しなくてよい期間であってもよい。ＡＮＤ回路５２には、このような露光装置６からのバースト信号Ｖ１がＥＵＶ制御部５１とターゲット制御部７１とを介して入力されてもよい。

ＡＮＤ回路５２にはまた、図４に示したような通過タイミング信号Ｔｍ１が、ターゲット検出装置４０からターゲット制御部７１を介して入力されてもよい。ＡＮＤ回路５２は、バースト信号Ｖ１と通過タイミング信号Ｔｍ１とのＡＮＤ信号を出力信号として遅延回路５３に出力してもよい。ＡＮＤ回路５２の出力信号は、バースト信号Ｖ１と通過タイミング信号Ｔｍ１との両方がＨｉｇｈとなった時にのみＨｉｇｈとなる信号が出力され得る。ＡＮＤ回路５２の出力信号は、バースト信号Ｖ１がＨｉｇｈとなる期間に出力された通過タイミング信号Ｔｍ１と同等の信号であり得る。

遅延回路５３は、ＡＮＤ回路５２からの出力信号を、図４に示したように、ターゲット制御部７１から指示された所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させて、発光トリガ信号ＴＧ１を生成し、その発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３に出力してもよい。レーザ装置３は発光トリガ信号ＴＧ１を受信すると、図４に示したように、発光トリガ信号ＴＧ１に同期したパルスレーザ光３１を出力し得る。

ここで、遅延回路５３に設定される所定の遅延時間ｔｄ１は、以下のような時間Ｄｔ１と時間αとの差（Ｄｔ１−α）であってもよい。Ｄｔ１は、ターゲット２７がターゲット検出装置４０によって検出されてからプラズマ生成領域２５に到達するまでの時間であってもよい。αは、レーザ装置３に発光トリガ信号ＴＧ１が入力されてからパルスレーザ光３１がプラズマ生成領域２５に到達するまでの時間であってもよい。

３．３ 課題
図３及び図４に示したようなパルスレーザ光３１の発光制御を行う場合、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１は、バースト信号Ｖ１のＯＮ−ＯＦＦ状態に対応した発光制御がされ得る。すなわち、所定期間Ｔａにわたってパルスレーザ光３１を繰り返し出力するバーストの発光状態と、所定期間Ｔｂの間はパルスレーザ光３１を出力しない非発光状態とに制御され得る。

本発明者らは、上記のようなレーザ装置３の発光制御を行う場合に、以下で説明するように、パルスレーザ光３１のエネルギが、バーストの開始当初は不安定であり得ることを見い出した。

図５は、図４に示した発光制御により出力されるパルスレーザ光３１のパルスエネルギの一例を示す。図５は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の、図４に示したようなバーストの先頭付近３１ａにおけるパルス毎のパルスエネルギを示す。パルスレーザ光３１は、例えばバーストの先頭パルスから２０パルス程度までは、パルスエネルギが非常に不安定となり得る。例えば先頭から２０パルス程度以降は、パルスレーザ光３１のパルスエネルギが、所定の目標範囲Ｅａ内に安定し得る。

このようなバーストの先頭から数十パルスのパルスレーザ光３１をターゲット２７に照射すると以下のようなことが起こり得る。すなわち、バーストの先頭から数十パルスのパルスレーザ光３１は、所望のパルスエネルギでターゲット２７に照射されない。したがって、第１に、生成されるＥＵＶ光２５１のエネルギが不安定となり得る。第２に、ターゲット物質のイオン化率が減少し、イオン化しない粒子の生成量が増加し得る。イオン化率は、（イオン量／デブリ量）×１００であり得る。イオン化しない粒子は、電気的に中性のデブリであり、例えば、蒸気、クラスター、及び微小な液滴等であり得る。

さらに、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１の集光方向は、レーザ装置３の出力開始から数十パルス分安定しないことがあり得る。パルスレーザ光３１の進行方向は、パルスレーザ光３１を集光光学系によって集光した場合の集光位置の変動を示すポインティングという指標で評価されることがある。

［４．光シャッタの制御を含む発光制御システム部］（第１の実施形態）
４．１ 構成
図６は、光シャッタ３１０の制御も実行する発光制御システム部５０の一構成例を示す。図６に示したように、発光制御システム部５０は、図３における発光制御回路７２に代えて、ＡＮＤ回路５２が削除された構成の発光制御回路７２Ａを備えてもよい。発光制御回路７２Ａは、レーザ装置３に発光トリガ信号ＴＧ１を供給する発光トリガ生成部であってもよい。発光制御システム部５０は、バースト信号Ｖ１に基づいて光シャッタ３１０を開閉制御する制御部であってもよい。

レーザ装置３は、マスタオシレータ（ＭＯ）３１１と、複数の増幅器とを含んでいてもよい。複数の増幅器は、第１の増幅器ＰＡ１、第２の増幅器ＰＡ２、第ｋの増幅器ＰＡｋ、及び第ｎの増幅器ＰＡｎであってもよい。マスタオシレータ３１１はＱスイッチを含むＣＯ₂レーザ、または、ＣＯ₂レーザの増幅波長域で発振する量子カスケードレーザ（ＱＣＬ）であってもよい。複数の増幅器はそれぞれ、ＣＯ₂レーザガスをレーザ媒質とする増幅器であってもよい。複数の増幅器はそれぞれ、ＣＯ₂レーザガスと、１対の電極と、この電極間で高周波放電させる電源とを含んでもよい。複数の増幅器はそれぞれ、マスタオシレータ３１１から出力されるパルスレーザ光３１ｍの光路上に、直列に配置してもよい。マスタオシレータ３１１によって生成されたパルスレーザ光３１ｍは、第１の増幅器ＰＡ１によって増幅された後、さらに第２の増幅器ＰＡ２、第ｋの増幅器ＰＡｋ、及び第ｎの増幅器ＰＡｎによって順番に増幅されてもよい。ここで、増幅器あるいは光アイソレータの符号に用いるｎは増幅器あるいは光アイソレータの総数を表し、ｋは２からｎまでの間の何れかの序数を表すこととして、増幅器あるいは光アイソレータを識別してもよい。

マスタオシレータ３１１からプラズマ生成領域２５までの光路上には、光シャッタ３１０が配置されてもよい。光シャッタ３１０がパルスレーザ光３１ｍに対して耐性が低い場合や、透過したパルスレーザ光３１ｍの波面の歪みが大きい場合には、光シャッタ３１０をマスタオシレータ３１１に近い側の光路上に配置するのが好ましい。例えば、マスタオシレータ３１１と第１の増幅器ＰＡ１との間や、第１の増幅器ＰＡ１と第２の増幅器ＰＡ２との間等の上流側の光路上に配置するのが好ましい。

４．２ 動作
図７は、図６に示した発光制御システム部５０による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。

露光装置６からのバースト信号Ｖ１とターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１は、ターゲット制御部７１に入力され得る。発光制御回路７２Ａにはターゲット制御部７１を介して、図７に示したようなバースト信号Ｖ１が入力され得る。発光制御回路７２Ａは、バースト信号Ｖ１に基づいて、光シャッタ３１０を開閉制御する光シャッタ制御信号Ｖｓを生成し、光シャッタ３１０に出力し得る。発光制御回路７２Ａは、光シャッタ制御信号Ｖｓとして、図７に示したようにバースト信号Ｖ１そのものを出力してもよい。例えばバースト信号Ｖ１がＨｉｇｈとなる部分は光シャッタ３１０を開状態に制御する開信号とみなすことができる。また、バースト信号Ｖ１がＬｏｗとなる部分は、光シャッタ３１０を閉状態に制御する閉信号とみなすことができる。

ターゲット制御部７１は、所定の遅延時間ｔｄ１の設定情報を含む制御信号を遅延回路５３に出力してもよい。遅延回路５３には、ターゲット制御部７１を介して、図７に示したようなターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１が入力され得る。遅延回路５３は、通過タイミング信号Ｔｍ１を所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させて、図７に示したような発光トリガ信号ＴＧ１を生成し、その発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３のマスタオシレータ３１１に出力してもよい。レーザ装置３は、発光トリガ信号ＴＧ１が入力されると、図７に示したように、マスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍを出力し得る。

光シャッタ３１０は、図７に示したように、実質的にバースト信号Ｖ１に応じて動作し得る。これにより、光シャッタ３１０は、バースト信号Ｖ１がＨｉｇｈとなる所定期間Ｔａでは、開状態となり、マスタオシレータ３１１からのパルスレーザ光３１ｍを高透過し得る。一方、光シャッタ３１０は、バースト信号Ｖ１がＬｏｗとなる所定期間Ｔｂでは、閉状態となり、マスタオシレータ３１１からのパルスレーザ光３１ｍの透過を抑制し得る。その結果、レーザ装置３からは、図７に示したようにバースト状のパルスレーザ光３１が出力され得る。このパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４等を経由して、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に集光し得る。プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７は、パルスレーザ光３３に照射され、プラズマ化し、図７に示したように、バースト状のＥＵＶ光２５１を生成し得る。パルスレーザ光３１がレーザ装置３からプラズマ生成領域２５に到達するまでに時間βが掛かってもよい。

なお、この第１の実施形態におけるその他の構成及び動作は、図２に示したＥＵＶ光生成システム及び図３に示した発光制御システム部５０と略同様であってもよい。

４．３ 作用
この第１の実施形態によれば、バースト信号Ｖ１の有無とは関係なく、マスタオシレータ３１１からは、所定の繰り返し周波数で、パルスレーザ光３１ｍが出力され得る。このため、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１のパルスエネルギやポインティングは安定し得る。そして、バースト信号Ｖ１に応じて、光シャッタ３１０の開閉を制御しているので、パルスレーザ光３１における図４及び図５に示したようなバーストの先頭付近３１ａの安定性が改善し得る。これにより、ＥＵＶ光２５１のバーストの先頭付近の安定性、例えばＥＵＶ光２５１のエネルギやＥＵＶ光２５１の発光点の位置やプラズマの形状等が改善し得る。

４．４ 変形例
レーザ装置３は、複数の増幅器を含まず、１つのみでもよい。レーザ装置はＣＯ₂レーザに限らず、ＹＡＧレーザ等の固体レーザであってもよい。例えば、Ｔｉ：サファイヤレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザなどであってもよい。また、レーザ装置３の出力がマスタオシレータ３１１のみで十分な場合は、増幅器がなくてもよい。マスタオシレータ３１１がＱＣＬの場合は第１の増幅器ＰＡ１は再生増幅器であってもよい。

この実施形態では発光制御回路７２Ａを論理回路で構成しているが、この実施形態に限定されることなく、プログラムが可能なＦＰＧＡ（field-programmable gate array）で同様な機能を実現してもよい。

ターゲット２７の供給方式は、コンティニュアスジェット（ＣＪ）法によるドロップレット生成の例に限定されることなく、静電引出し方式等のオンデマンド方式であってもよい。オンデマンド方式の場合は、発光トリガ信号ＴＧ１の生成に、通過タイミング信号Ｔｍ１を用いる代わりに、ドロップレットをオンデマンドで生成する信号を使用してもよい。オンデマンド方式のターゲット２７の供給方法の具体例は、図１３を用いて後述する。

［５．タイミング信号生成回路を含む発光制御システム部］（第２の実施形態）
５．１ 構成
図８は、タイミング信号生成回路６０を含む発光制御システム部の一構成例を示す。図８に示したように、発光制御システム部は、図６における発光制御回路７２Ａに代えて、タイミング信号生成回路６０を含む構成の発光制御回路７２Ｂを備えてもよい。発光制御回路７２Ｂは、レーザ装置３に発光トリガ信号ＴＧ１を供給する発光トリガ生成部であってもよい。タイミング信号生成回路６０は、タイマ５５と、第１のＯＲ回路５６とを含んでいてもよい。発光制御回路７２Ｂはまた、遅延回路５３と、ワンショット回路５４と、第２のＯＲ回路５７と、第３のＯＲ回路５８と、インバータ５９とを含んでいてもよい。

第１のＯＲ回路５６と第２のＯＲ回路５７とには、ターゲット制御部７１を介してターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１が入力されてもよい。第１のＯＲ回路５６の出力信号は、タイマ５５に入力されてもよい。タイマ５５の出力信号はワンショット回路５４と、第１のＯＲ回路５６と、第２のＯＲ回路５７とに入力されてもよい。

ワンショット回路５４の出力信号は、インバータ５９を介して第３のＯＲ回路５８に入力されてもよい。ワンショット回路５４の出力信号のパルス幅Ｔｓｈの長さは、マスタオシレータ３１１に発光トリガ信号ＴＧ１が入力されてから、パルスレーザ光３１ｍが光シャッタ３１０を通過する時間よりも長く設定してもよい。第３のＯＲ回路５８には、ターゲット制御部７１を介してバースト信号Ｖ１が入力されてもよい。第３のＯＲ回路５８は、出力信号として光シャッタ制御信号Ｖｓを光シャッタ３１０に出力してもよい。

５．２ 動作
図９は、図８に示した発光制御システム部による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。

ターゲット制御部７１は、所定の遅延時間ｔｄ１の設定情報を含む制御信号を遅延回路５３に出力してもよい。ターゲット制御部７１はまた、最大時間Ｔｍａｘの設定情報を含む制御信号をタイマ５５に出力してもよい。ここで、Ｔｍａｘは、ドロップレット状のターゲット２７の生成間隔ｔよりもわずかに大きな、ｔに近い値であってもよい。例えば、ドロップレット状のターゲット２７の生成間隔ｔが９．９μｓ〜１０．１μｓであれば、Ｔｍａｘ＝１０．１１〜１０．１５μｓの間の固定値であってもよい。

ターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１は、ターゲット制御部７１を介して第１のＯＲ回路５６および第２のＯＲ回路５７に入力され得る。通過タイミング信号Ｔｍ１は第１のＯＲ回路５６を通過して、タイマ５５をリセットし得る。そしてタイマ５５は、時間の計測をスタートし得る。また、通過タイミング信号Ｔｍ１は第２のＯＲ回路５７を通過して、遅延回路５３に入力され得る。ここで、通過タイミング信号Ｔｍ１の間隔Ｔ＞Ｔｍａｘの場合は、タイマ５５からダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２となるパルス信号が出力され得る。ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２は、第１のＯＲ回路５６と、第２のＯＲ回路５７と、ワンショット回路５４とに入力され得る。ここで、通過タイミング信号Ｔｍ１は、ターゲット２７の供給タイミングを示す第１のタイミング信号であってもよい。ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２は第２のタイミング信号であってもよい。

タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２は、第１のＯＲ回路５６を通過してタイマ５５をリセットスタートし得る。さらに、タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２は第２のＯＲ回路５７を介して、遅延回路５３に入力され得る。遅延回路５３は、通過タイミング信号Ｔｍ１またはダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２を所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させて、図９に示したような発光トリガ信号ＴＧ１を生成し得る。遅延回路５３は、発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３のマスタオシレータ３１１に出力してもよい。レーザ装置３は、発光トリガ信号ＴＧ１が入力されると、図９に示したように、マスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍを出力し得る。このように、第１のタイミング信号である通過タイミング信号Ｔｍ１と、第２のタイミング信号であるダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２との何れによっても、発光トリガ信号ＴＧ１が生成され得る。図９に示したように、期間Ｔ２ではダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２に基づく発光トリガ信号ＴＧ１が生成され、期間Ｔ１ではターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１に基づく発光トリガ信号ＴＧ１が生成されてもよい。

レーザ装置３は、発光トリガ信号ＴＧ１が入力されると、図９に示したように、マスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍを出力し得る。一方、タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２がワンショット回路５４に入力されることによって、ワンショット回路５４から所定の長さＴｓｈのパルス信号が出力し得る。ワンショット回路５４からのパルス信号は、インバータ５９を介して光シャッタ制御信号Ｖｓとして光シャッタ３１０に入力されてもよい。その結果、タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２に基づく発光トリガ信号ＴＧ１によってマスタオシレータ３１１から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、光シャッタ３１０によって透過が抑制され得る。

光シャッタ３１０はまた、図９に示したように、実質的にバースト信号Ｖ１に応じて動作し得る。これにより、光シャッタ３１０は、バースト信号Ｖ１がＨｉｇｈとなる所定期間Ｔａでは、開状態となり、マスタオシレータ３１１からのパルスレーザ光３１ｍを高透過し得る。一方、光シャッタ３１０は、バースト信号Ｖ１がＬｏｗとなる所定期間Ｔｂでは、閉状態となり、マスタオシレータ３１１からのパルスレーザ光３１ｍを抑制し得る。その結果、レーザ装置３からは、図９に示したようにバースト状のパルスレーザ光３１が出力され得る。このパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４等を経由して、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に集光し得る。プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７は、パルスレーザ光３３に照射され、プラズマ化し、図９に示したように、バースト状のＥＵＶ光２５１を生成し得る。パルスレーザ光３１がレーザ装置３からプラズマ生成領域２５に到達するまでに時間βが掛かってもよい。

なお、この第２の実施形態におけるその他の構成及び動作は、上記第１の実施形態と略同様であってもよい。

５．３ 作用
この第２の実施形態によれば、ターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１が入力されない期間においても、タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２によって所定間隔Ｔｍａｘの発光トリガ信号ＴＧ１を生成し得る。これにより、マスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍが常に出力され得る。ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２に基づいてパルスレーザ光３１ｍが出力されている期間には、光シャッタ３１０を閉状態に制御するので、パルスレーザ光３１ｍが光シャッタ３１０を透過するのを抑制し得る。その結果、ターゲット検出装置４０からの通過タイミング信号Ｔｍ１が入力されなくても、マスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍを出力できるので、レーザ装置３のウオームアップ時間を短縮し得る。また、ドロップレット状のターゲット２７の生成が不安定な場合においても、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１の安定性を維持し得る。

５．４ 変形例
第２の実施形態では、ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２に基づく光シャッタ制御信号Ｖｓを、ワンショット回路５４と第３のＯＲ回路５８とインバータ５９とによって生成するようにしたが、これらの回路を省略するようにしてもよい。その場合、発光制御回路７２Ｂは、図６における発光制御回路７２Ａと同様に、光シャッタ制御信号Ｖｓとして、バースト信号Ｖ１そのものを出力してもよい。

［６．光アイソレータの制御を含む発光制御システム部］（第３の実施形態）
６．１ 構成
図１０は、光アイソレータの制御を含む発光制御システム部の一構成例を示す。図１０に示したように、発光制御システム部は、図８における発光制御回路７２Ｂに代えて、発光制御回路７２Ｃを備えてもよい。発光制御回路７２Ｃは、レーザ装置３に発光トリガ信号ＴＧ１を供給する発光トリガ生成部であってもよい。

発光制御回路７２Ｃは、光シャッタ３１０に代えて複数の光アイソレータを制御するものであってもよい。複数の光アイソレータは、マスタオシレータ３１１からプラズマ生成領域２５までの光路上に配置されてもよい。複数の光アイソレータは、光アイソレータ４００と、光アイソレータ４０１と、光アイソレータ４０２と、光アイソレータ４０ｋと、光アイソレータ４０ｎとであってもよい。光アイソレータ４００は、マスタオシレータ３１１と第１の増幅器ＰＡ１との間に配置されてもよい。光アイソレータ４０１は、第１の増幅器ＰＡ１と第２の増幅器ＰＡ２との間に配置されてもよい。光アイソレータ４０２は、第２の増幅器ＰＡ２と第ｋの増幅器ＰＡｋとの間に配置されてもよい。光アイソレータ４０ｋは、第ｋの増幅器ＰＡｋと第ｎの増幅器ＰＡｎとの間に配置されてもよい。

発光制御回路７２Ｃは、図８における発光制御回路７２Ｂの構成要素に加えて、さらに、ＡＮＤ回路８５と、遅延回路８６と、ワンショット回路８７と、複数のワンショット回路９０，９１，９２，９ｋ，９ｎとを備えてもよい。

遅延回路５３は、発光トリガ信号ＴＧ１をＡＮＤ回路８５とワンショット回路８７とに出力してもよい。第３のＯＲ回路５８は、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎを開閉制御する光アイソレータ制御信号Ｖｓｓを、ＡＮＤ回路８５に出力してもよい。ＡＮＤ回路８５からの出力信号は、遅延回路８６に入力されてもよい。遅延回路８６は、複数のワンショット回路９０，９１，９２，９ｋ，９ｎを介して、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎに接続されていてもよい。ここで、複数のワンショット回路９０，９１，９２，９ｋ，９ｎのそれぞれの出力信号のパルス幅は、マスタオシレータ３１１から出力されるパルスレーザ光３１ｍのパルス幅以上に設定してもよい。複数のワンショット回路９０，９１，９２，９ｋ，９ｎのそれぞれに対する遅延回路８６の各遅延時間は、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎのそれぞれをパルスレーザ光３１ｍが各々通過するタイミングと同期するように設定されてもよい。

６．２ 動作
複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡｋ，ＰＡｎは、図示しない電源を制御して、常にＣＯ₂レーザガスを励起してもよい。ワンショット回路８７は、発光トリガ信号ＴＧ１が遅延回路５３から入力されると、所定のパルス幅のパルスレーザ光３１ｍを得るように調整されたパルス幅のパルス信号を出力してもよい。パルス信号の入力によって、マスタオシレータ３１１は、Ｑスイッチを動作させてもよい。その結果、マスタオシレータ３１１から所定のパルス幅のパルスレーザ光３１ｍが出力し得る。第３のＯＲ回路５８から光アイソレータ制御信号Ｖｓｓとして、開信号がＡＮＤ回路８５に入力されると、発光トリガ信号ＴＧ１が遅延回路８６に入力され得る。複数のワンショット回路９０，９１，９２，９ｋ，９ｎは、遅延回路８６によって指定されたそれぞれ異なる遅延時間で、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎを開状態とするパルス信号を出力してもよい。その結果、パルスレーザ光３１ｍが複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎのそれぞれを高透過し、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡｋ，ＰＡｎによって、パルスレーザ光３１ｍが増幅され得る。一方、ＡＮＤ回路８５に光アイソレータ制御信号Ｖｓｓとして開信号が入力されない場合は、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎを開状態とするパルス信号は出力されなくてもよい。これにより、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎのそれぞれがパルスレーザ光３１ｍの透過を抑制し得る。

図１１は、図１０に示した発光制御システム部による発光制御のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。図１１において、縦軸はレーザ装置３のマスタオシレータ３１１から光アイソレータ４０ｎまでの光路長を概念的に示すものであってもよい。横軸は時間であってもよい。マスタオシレータ３１１から光アイソレータ４０ｎまでの光路長は、５０ｍ〜２００ｍであってもよい。

マスタオシレータ３１１に、発光トリガ信号ＴＧ１が入力されると、それに同期してＱスイッチを動作させることによって、例えば１０ｎｓ〜２０ｎｓの所定のパルス幅でパルスレーザ光３１ｍが出力され得る。マスタオシレータ３１１から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、３×１０⁸ｍ／ｓの光速で、光路上を進行し得る。複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎはそれぞれ、それぞれの配置位置において、パルスレーザ光３１ｍが通過する直前に開状態となるように制御されてもよい。例えばＥＯ（電気光学）結晶ポッケルスセルを含む光アイソレータである場合、ポッケルスセルに所定の電圧を印加することで開状態に制御され得る。そして、パルスレーザ光３１ｍが通過した直後に、ポッケルスセルへの印加電圧を０Ｖにして閉状態に制御してもよい。複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎのそれぞれを開状態とする信号のパルス幅は、例えば３０ｎｓ〜１００ｎｓであってもよい。

なお、この第３の実施形態におけるその他の構成及び動作は、上記第１または第２の実施形態と略同様であってもよい。

６．３ 作用
この第３の実施形態によれば、上記第２の実施形態による作用に加えて、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎを機能させ得るので、レーザ装置３における自励発振を抑制し得る。このため、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡｋ，ＰＡｎが常に励起された状態に維持することができてよい。このため、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１のパルスエネルギやポインティングは、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡｋ，ＰＡｎを励起状態に維持しない場合に比べて安定し得る。

６．４ 変形例
上記実施形態では、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡｋ，ＰＡｎのそれぞれの上流側と下流側とのすべての光路上に光アイソレータを配置するようにしたが、一部の光路上にのみ光アイソレータを配置するようにしてもよい。例えば、光アイソレータがパルスレーザ光３１ｍに対して耐性が低い場合や、透過したパルスレーザ光３１ｍの波面の歪みが大きい場合には、光アイソレータを上流側の光路上に配置するのが好ましい。例えば、マスタオシレータ３１１と第１の増幅器ＰＡ１との間や、第１の増幅器ＰＡ１と第２の増幅器ＰＡ２との間等の上流側の光路上に配置するのが好ましい。

［７．プリパルスレーザ装置の制御を含む発光制御システム部］（第４の実施形態）
７．１ 構成
図１２は、プリパルスレーザ装置の制御を含む発光制御システム部の一構成例を示す。図１２に示したように、発光制御システム部は、図１０における発光制御回路７２Ｃに代えて、発光制御回路７２Ｄを備えてもよい。発光制御回路７２Ｄは、レーザ装置３に発光トリガ信号を供給する発光トリガ生成部であってもよい。

レーザ装置３は、メインパルスレーザ装置３Ｍと、プリパルスレーザ装置３Ｐと、ダイクロイックミラー１２２と、高反射ミラー１２３とを含んでいてもよい。メインパルスレーザ装置３Ｍは、図１０におけるレーザ装置３の構成と略同様であってよい。ダイクロイックミラー１２２は、メインパルスレーザ装置３Ｍからのパルスレーザ光３１の光路上に配置されてもよい。高反射ミラー１２３は、プリパルスレーザ装置３Ｐからのプリパルスレーザ光の光路上に配置されてもよい。ダイクロイックミラー１２２は、メインパルスレーザ装置３Ｍからのパルスレーザ光３１を高透過し、プリパルスレーザ装置３Ｐからのプリパルスレーザ光を高反射する膜がコートされたダイヤモンド基板であってもよい。ダイクロイックミラー１２２は、高反射ミラー１２３で反射したプリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ装置３Ｍからのパルスレーザ光３１の光路とが略一致するように配置されてもよい。

プリパルスレーザ装置３Ｐは、ＹＡＧレーザ等の固体レーザであってもよい。プリパルスレーザ装置３Ｐと高反射ミラー１２３との間のプリパルスレーザ光の光路上には、光シャッタ３１０が設置されてもよい。メインパルスレーザ装置３Ｍによるパルスレーザ光３１によってチャンバ２内のターゲット２７を照射する前に、プリパルスレーザ装置３Ｐによるプリパルスレーザ光を、ターゲット２７に照射するようにしてもよい。プリパルスレーザ光によって照射された後のターゲット２７に、メインパルスレーザ装置３Ｍによるパルスレーザ光３１が照射されることとなるよう、プリパルスレーザ光の光路とパルスレーザ光３１の光路とが調整されていてもよい。

発光制御回路７２Ｄは、図１０における発光制御回路７２Ｃの構成要素に加えて、さらに、遅延回路１２１を備えてもよい。遅延回路５３は、発光トリガ信号ＴＧ１を遅延回路１２１とプリパルスレーザ装置３Ｐとに出力してもよい。ターゲット制御部７１は、所定の遅延時間ｔｄ２の設定情報を含む制御信号を遅延回路１２１に出力してもよい。遅延回路１２１は、発光トリガ信号ＴＧ２をＡＮＤ回路８５とワンショット回路８７とに出力してもよい。第３のＯＲ回路５８は、出力信号として制御信号ＶｓａをＡＮＤ回路８５と光シャッタ３１０とに出力してもよい。制御信号Ｖｓａは、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎの開閉制御と、光シャッタ３１０の開閉制御とを行うための信号であってもよい。

ワンショット回路５４は、パルス幅Ｔｓｈ２のパルス信号を出力してもよい。ワンショット回路５４からのパルス信号は、インバータ５９を介して制御信号Ｖｓａとして光シャッタ３１０に入力されてもよい。パルス幅Ｔｓｈ２は、タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２が入力された時から、メインパルスレーザ装置３Ｍのマスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍが出力されるまでの時間以上の長さであってもよい。

７．２ 動作
ターゲット制御部７１は、所定の遅延時間ｔｄ１の設定情報を含む制御信号を遅延回路５３に出力してもよい。ターゲット制御部７１はまた、最大時間Ｔｍａｘの設定情報を含む制御信号をタイマ５５に出力してもよい。ここで、Ｔｍａｘは、ドロップレット状のターゲット２７の生成間隔ｔよりもわずかに大きな、ｔに近い値であってもよい。

通過タイミング信号Ｔｍ１は第２のＯＲ回路５７を通過して、遅延回路５３に入力され得る。ここで、通過タイミング信号Ｔｍ１の間隔Ｔ＞Ｔｍａｘの場合は、タイマ５５からダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２となるパルス信号が出力され得る。遅延回路５３は、ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２を所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させて、発光トリガ信号ＴＧ１を生成し得る。遅延回路５３は、その発光トリガ信号ＴＧ１を遅延回路１２１とプリパルスレーザ装置３Ｐとに出力してもよい。プリパルスレーザ装置３Ｐは、発光トリガ信号ＴＧ１が入力されるとプリパルスレーザ光を出力し得る。遅延回路１２１は、発光トリガ信号ＴＧ１を所定の遅延時間ｔｄ２だけ遅延させて、発光トリガ信号ＴＧ２を生成し得る。発光トリガ信号ＴＧ２は、ＡＮＤ回路８５とワンショット回路８７とに入力されてもよい。これにより、発光トリガ信号ＴＧ２に基づいて、メインパルスレーザ装置３Ｍのマスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍが出力し得る。

一方、タイマ５５からのダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２がワンショット回路５４に入力されることによって、ワンショット回路５４から所定のパルス幅Ｔｓｈ２のパルス信号が出力し得る。ワンショット回路５４からのパルス信号は、インバータ５９を介して制御信号ＶｓａとしてＡＮＤ回路８５と光シャッタ３１０とに入力されてもよい。その結果、ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２が出力された期間では、複数の光アイソレータと光シャッタ３１０とが、閉状態に制御され得る。これにより、メインパルスレーザ装置３Ｍのマスタオシレータ３１１から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、複数の光アイソレータによって透過が抑制され得る。また、プリパルスレーザ装置３Ｐから出力されたプリパルスレーザ光は光シャッタ３１０によって透過が抑制され得る。これにより、ＥＵＶ光２５１の生成が抑制され得る。

他方、Ｔ≦Ｔｍａｘの場合において、第３のＯＲ回路５８から制御信号Ｖｓａとして、開信号がＡＮＤ回路８５と光シャッタ３１０とに入力されると、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎと光シャッタ３１０とが、適切なタイミングで開状態に制御され得る。これにより、メインパルスレーザ装置３Ｍのマスタオシレータ３１１から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、複数の光アイソレータ４００，４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎを高透過し得る。また、プリパルスレーザ装置３Ｐから出力されたプリパルスレーザ光は光シャッタ３１０を高透過し得る。これにより、メインパルスレーザ装置３Ｍによるパルスレーザ光３１によってチャンバ２内のターゲット２７を照射する前に、プリパルスレーザ装置３Ｐによるプリパルスレーザ光が、ターゲット２７に照射され得る。プリパルスレーザ光がターゲット２７に照射されることによってターゲット２７が拡散し得る。この拡散したターゲット２７に、メインパルスレーザ装置３Ｍによるパルスレーザ光３１が照射されることによって、ＥＵＶ光２５１が生成し得る。

なお、この第４の実施形態におけるその他の構成及び動作は、上記第１ないし第３の実施形態と略同様であってもよい。

７．３ 作用
この第４の実施形態によれば、ダミーの通過タイミング信号Ｔｍ２が出力されている期間は、メインパルスレーザ装置３Ｍのマスタオシレータ３１１からパルスレーザ光３１ｍが出力され得るが、その期間では複数の光アイソレータによってパルスレーザ光３１ｍの透過が抑制され得る。また、その期間ではプリパルスレーザ装置３Ｐからのプリパルスレーザ光が出力され得るが、光シャッタ３１０によってプリパルスレーザ光の透過が抑制され得る。その結果、その期間ではプラズマ生成領域２５に、メインパルスレーザ装置３Ｍとプリパルスレーザ装置３Ｐとからのパルスレーザ光が照射されるのを抑制し得る。

［８．オンデマンド方式のターゲット供給部におけるターゲットの制御を含む発光制御システム部］（第５の実施形態）
８．１ 構成
図１３は、オンデマンド方式のターゲット供給部におけるターゲットの制御を含む発光制御システム部の一構成例を示す。図１３に示したように、発光制御システム部５０は、図６における発光制御回路７２Ａに代えて、トリガ生成器７０を含む構成の発光制御回路７２Ｅを備えてもよい。発光制御回路７２Ｅは、レーザ装置３に発光トリガ信号ＴＧ１，ＴＧ２を供給する発光トリガ生成部であってもよい。遅延回路５３には、通過タイミング信号Ｔｍ１に代えてトリガ生成器７０からのトリガ信号Ｔｍ３が入力されてもよい。

ターゲット供給部２６は、オンデマンド方式によってターゲット２７を出力する構成であってもよい。ターゲット供給部２６は、タンク６１と、ノズル６２と、電極６６と、高電圧電源６７と、引き出し電極６８と、高電圧パルス生成電源６９とを含んでいてもよい。

電極６６は、タンク６１内に貯蔵されたターゲット物質に接触することにより、タンク６１内のターゲット物質に電気的に接続されていてもよい。電極６６は、さらに、高電圧電源６７の出力端子に電気的に接続されていてもよい。電極６６に印加される電位は１０ｋＶ〜２０ｋＶであってもよい。

引き出し電極６８は、ターゲット２７が通過するために貫通孔６８ａを有するリング状の電極であってもよい。引き出し電極６８は、高電圧パルス生成電源６９の出力端子に電気的に接続されていてもよい。

トリガ生成器７０からのトリガ信号Ｔｍ３は、高電圧パルス生成電源６９と、遅延回路５３とに入力されてもよい。トリガ信号Ｔｍ３は、ターゲット２７の供給を指示する供給トリガ信号であってもよい。トリガ生成器７０は、供給トリガ信号を生成し、ターゲット供給部２６に出力する供給トリガ生成部であってもよい。

８．２ 動作
ターゲット制御部７１は、トリガ生成器７０に対して所定の周波数のパルス信号を生成するように制御信号を出力してもよい。トリガ生成器７０は、生成したパルス信号をトリガ信号Ｔｍ３として、高電圧パルス生成電源６９と、遅延回路５３とに出力してもよい。遅延回路５３は、トリガ信号Ｔｍ３を所定の遅延時間ｔｄ１だけ遅延させて、発光トリガ信号ＴＧ１を生成し、その発光トリガ信号ＴＧ１をレーザ装置３のマスタオシレータ３１１に出力してもよい。その結果、マスタオシレータ３１１はトリガ生成器７０で生成した所定の繰り返し周波数でパルスレーザ光３１ｍを出力し得る。

トリガ生成器７０からのトリガ信号Ｔｍ３が高電圧パルス生成電源６９に入力されると、高電圧パルス生成電源６９は、トリガ信号Ｔｍ３と同期して、引き出し電極６８の電位を、例えば−５ｋＶだけ降下させてもよい。この時、クーロン力によってターゲット物質がノズル６２のノズル孔から引き出され、クーロン力が表面張力より大きくなると、ドロップレット状のターゲット２７が形成し得る。以上のようにして、トリガ生成器７０からのトリガ信号Ｔｍ３に同期して、ドロップレット状のターゲット２７が生成し得る。

なお、この第５の実施形態におけるその他の構成及び動作は、上記第１ないし第４の実施形態と略同様であってもよい。

８．３ 作用
この第５の実施形態によれば、ターゲット検出装置４０を設置しなくても、マスタオシレータ３１１から所定の繰り返し周波数で常にパルスレーザ光３１ｍが出力された状態で、バースト状のＥＵＶ光２５１を生成し得る。

［９．その他］
９．１ 光シャッタ３１０の構成例
図１４は、光シャッタ３１０の一構成例を示している。光シャッタ３１０は、ポッケルスセル３９４と、偏光子３９６とを含んでいてもよい。ポッケルスセル３９４は、高電圧電源３９３と、第１の電極３９５ａと、第２の電極３９５ｂと、電気光学結晶３９５ｃとを含んでいてもよい。第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとは対向配置され、それらの間に電気光学結晶３９５ｃが配置されていてもよい。

高電圧電源３９３は、上記の発光制御回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｄ，または７２Ｅから、光シャッタ３１０の制御信号を受信してもよい。高電圧電源３９３は、光シャッタ３１０の制御信号として光シャッタ３１０を開状態にする開信号を受信した場合に、０Ｖではない所定の高電圧を生成し、その電圧を第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に印加してもよい。高電圧電源３９３は、光シャッタ３１０の制御信号として光シャッタ３１０を閉状態にする閉信号を受信した場合に、第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に印加する電圧を０Ｖにしてもよい。

ポッケルスセル３９４は、第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に所定の高電圧を印加したときに、λ／２板と等価な機能となってもよい。第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に所定の高電圧が印加されていないときは、紙面に対して、垂直な直線偏光方向の光は、そのままの偏光状態で、電気光学結晶３９５ｃを透過し、偏光子３９６によって反射され得る。図１４においては、紙面に対して垂直な方向に直線偏光した光はレーザ光路上に描画された黒丸で示し得る。ここで、所定の高電圧を印加すると、位相がλ／２ずれて、紙面に対して垂直な方向の直線偏光が、紙面を含む方向の直線偏光に変換され得る。図１４においては、紙面を含む方向に直線偏光した光はレーザ光路上に描画された光路に垂直な矢印で示し得る。この光は、偏光子３９６を透過し得る。以上のように、光シャッタ３１０は、電気光学結晶３９５ｃに高電圧を印加している期間、光が透過し得る。

ポッケルスセル３９４は、１ｎｓ程度の応答性を有するので、高速の光シャッタとして使用可能である。また、光シャッタ３１０として、例えばＡＯ（音響光学）素子を使用してもよい。この場合は、数１００ｎｓ程度の応答性を有するので使用可能である。

９．２ 光アイソレータの構成例
図１５は、光アイソレータ４００の一構成例を概略的に示す。他の光アイソレータ４０１，４０２，４０ｋ，４０ｎも同様の構成であってもよい。光アイソレータ４００は、図１４の光シャッタ３１０の構成に対して、上流側の光路に、偏光子３９７とλ／２板３９８とをさらに追加した構成であってもよい。なお、図１５において左側が上流側、右側が下流側であってもよい。高電圧電源３９３は、上記の発光制御回路７２Ｃまたは７２Ｄから、光アイソレータ４００の制御信号を受信してもよい。偏光子３９６と偏光子３９７は、紙面を含む方向の直線偏光を透過するものであってもよい。λ／２板３９８は、偏光子３９７に対して下流側に配置されていてもよい。λ／２板３９８は、紙面を含む方向の直線偏光を、紙面に対して垂直な方向の直線偏光に変換するものであってもよい。

この光アイソレータ４００は、第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に所定の高電圧を印加したときには、上流側と下流側の双方からの光を高透過し得る。すなわち、光アイソレータ４００は開状態になり得る。第１の電極３９５ａと第２の電極３９５ｂとの間に所定の高電圧を印加しないときには、上流側と下流側の双方からの光の透過を抑制し得る。すなわち、光アイソレータ４００は閉状態になり得る。

９．３ 制御部のハードウエア環境
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図１６は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図１６の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図１６におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、レーザ装置３、遅延回路５３、遅延回路８６、及び遅延回路１２１等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ワンショット回路５４、ワンショット回路８７、ワンショット回路９０，９１，…９ｎ、及び圧力調節器６５等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、及びターゲットセンサ４等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウエア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、発光制御システム部５０、ＥＵＶ制御部５１、ターゲット制御部７１、及び発光制御回路７２Ａ〜７２Ｅの構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、発光制御システム部５０、ＥＵＶ制御部５１、ターゲット制御部７１、及び発光制御回路７２Ａ〜７２Ｅは、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (17)

1. パルスレーザ光を、ＥＵＶ光が生成されるチャンバの内部に供給するレーザ装置と、
   前記パルスレーザ光の光路上に配置された光シャッタと、
   外部装置から供給された、前記ＥＵＶ光の生成を指示する生成信号に基づいて、前記光シャッタを開閉制御する制御部と
   を備え、
   前記レーザ装置が、前記生成信号の供給の有無に関わらず常時、前記パルスレーザ光を出力する
   極端紫外光生成システム。
2. 前記パルスレーザ光の出力を指示する発光トリガ信号を生成し、前記レーザ装置に供給する発光トリガ生成部をさらに備えた
   請求項１に記載の極端紫外光生成システム。
3. 前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光が照射されるターゲットを、前記チャンバの内部に供給するターゲット供給部と、
   前記ターゲット供給部から供給される前記ターゲットの供給タイミングを検出し、前記供給タイミングを示す第１のタイミング信号を前記発光トリガ生成部に出力する検出部とをさらに備え、
   前記発光トリガ生成部は、
   前記第１のタイミング信号に基づいて、前記発光トリガ信号を生成する
   請求項２に記載の極端紫外光生成システム。
4. 前記検出部から前記第１のタイミング信号が出力されていない期間に、第２のタイミング信号を生成し、前記第２のタイミング信号を前記発光トリガ生成部に出力するタイマ回路をさらに備え、
   前記発光トリガ生成部は、
   前記第１のタイミング信号と前記第２のタイミング信号とに基づいて、前記発光トリガ信号を生成する
   請求項３に記載の極端紫外光生成システム。
5. 前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光が照射されるターゲットを、前記チャンバの内部に供給するターゲット供給部と、
   前記ターゲットの供給を指示する供給トリガ信号を生成し、前記ターゲット供給部に出力する供給トリガ生成部とをさらに備え、
   前記発光トリガ生成部は、
   前記供給トリガ信号に基づいて、前記発光トリガ信号を生成する
   請求項２に記載の極端紫外光生成システム。
6. 前記光シャッタを複数含み、
   前記制御部は、
   複数の前記光シャッタを、前記パルスレーザ光の光路上のそれぞれの配置位置に応じて、開閉タイミングを異ならせるように制御する
   請求項１に記載の極端紫外光生成システム。
7. 複数の前記レーザ装置から出力された、それぞれのパルスレーザ光の光路上に、それぞれ別々に前記光シャッタが配置されている
   請求項１に記載の極端紫外光生成システム。
8. 前記光シャッタは、光アイソレータである
   請求項１に記載の極端紫外光生成システム。
9. それぞれがパルスレーザ光を、ＥＵＶ光が生成されるチャンバの内部に供給する複数のレーザ装置と、
   前記複数のレーザ装置から出力された、それぞれのパルスレーザ光の光路上に別々に配置された複数の光シャッタと、
   外部装置から供給された、前記ＥＵＶ光の生成を指示する生成信号に基づいて、前記複数の光シャッタを開閉制御する制御部と
   を備えた
   極端紫外光生成システム。
10. 前記複数のレーザ装置は、
    プリパルスレーザ装置と、
    メインパルスレーザ装置と
    を含む
    請求項９に記載の極端紫外光生成システム。
11. 前記プリパルスレーザ装置は、固体レーザを含む
    請求項１０に記載の極端紫外光生成システム。
12. 前記プリパルスレーザ装置は、
    マスタオシレータと、
    複数の増幅器と
    を含む
    請求項１０に記載の極端紫外光生成システム。
13. 前記複数の増幅器は、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路上に直列に配置されている
    請求項１２に記載の極端紫外光生成システム。
14. 前記マスタオシレータと前記複数の増幅器のうち少なくとも１つとの間に、前記光シャッタが少なくとも１つ配置されている
    請求項１３に記載の極端紫外光生成システム。
15. 前記光シャッタは、光アイソレータである
    請求項１４に記載の極端紫外光生成システム。
16. 前記それぞれのパルスレーザ光の出力を指示する発光トリガ信号を生成し、前記複数のレーザ装置のそれぞれに供給する発光トリガ生成部と、
    前記複数のレーザ装置から出力された前記それぞれのパルスレーザ光が照射されるターゲットを、前記チャンバの内部に供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット供給部から供給される前記ターゲットの供給タイミングを検出し、前記供給タイミングを示すタイミング信号を前記発光トリガ生成部に出力する検出部と
    をさらに備え、
    前記発光トリガ生成部は、
    前記タイミング信号に基づいて、前記それぞれのパルスレーザ光の出力を指示する発光トリガ信号を生成する
    請求項９に記載の極端紫外光生成システム。
17. パルスレーザ光を、ＥＵＶ光が生成されるチャンバの内部に供給するレーザ装置と、
    前記パルスレーザ光の光路上に配置された光シャッタと、
    外部装置から供給された、前記ＥＵＶ光の生成を指示する生成信号に基づいて、前記光シャッタを開閉制御する制御部と、
    前記パルスレーザ光の出力を指示する発光トリガ信号を生成し、前記レーザ装置に供給する発光トリガ生成部と、
    前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光が照射されるターゲットを、前記チャンバの内部に供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの供給を指示する供給トリガ信号を生成し、前記ターゲット供給部に出力する供給トリガ生成部と、
    を備え、
    前記発光トリガ生成部は、
    前記供給トリガ信号に基づいて、前記発光トリガ信号を生成する
    極端紫外光生成システム。

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