JP6151941B2 - ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6151941B2
JP6151941B2 JP2013060370A JP2013060370A JP6151941B2 JP 6151941 B2 JP6151941 B2 JP 6151941B2 JP 2013060370 A JP2013060370 A JP 2013060370A JP 2013060370 A JP2013060370 A JP 2013060370A JP 6151941 B2 JP6151941 B2 JP 6151941B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
control unit
parameter
periodic function
reservoir
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013060370A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014186846A (ja
Inventor
真生 中野
真生 中野
若林　理
理 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2013060370A priority Critical patent/JP6151941B2/ja
Priority to US14/215,527 priority patent/US9198272B2/en
Publication of JP2014186846A publication Critical patent/JP2014186846A/ja
Priority to US14/887,450 priority patent/US9351388B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6151941B2 publication Critical patent/JP6151941B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B05B17/0615—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced at the free surface of the liquid or other fluent material in a container and subjected to the vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/002—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour incorporating means for heating or cooling, e.g. the material to be sprayed
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本開示は、ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許第７８９７９４７号明細書 米国特許第８１５８９６０号明細書
概要
本開示の１つの観点に係るターゲット生成装置は、液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、電気信号に従って加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、を備え、制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータ及び第１の周期関数のパラメータを設定するように構成され、ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成されてもよい。
本開示の他の１つの観点に係るターゲット生成装置は、液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、電気信号に従って加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、を備え、制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータと、第１の周期関数の周波数と、前記第１の周期関数の周波数と同一値である第２の周期関数の周波数とを設定するように構成され、前記ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて前記第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成されてもよい。
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、貫通孔が設けられたチャンバと、貫通孔を通してチャンバ内の所定領域にパルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、ターゲット生成装置であって、液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、電気信号に従って加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、を備え、チャンバ内の所定領域にターゲット物質の液滴を供給するように構成されたターゲット生成装置と、を備え、制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータ及び第１の周期関数のパラメータを設定するように構成され、ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成されてもよい。
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、貫通孔が設けられたチャンバと、貫通孔を通してチャンバ内の所定領域にパルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、ターゲット生成装置であって、液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、電気信号に従って加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、を備え、チャンバ内の所定領域にターゲット物質の液滴を供給するように構成されたターゲット生成装置と、を備え、制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータと、第１の周期関数の周波数と、前記第１の周期関数の周波数と同一値である第２の周期関数の周波数とを設定するように構成され、前記ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて前記第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成されてもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、第１の実施形態に係るターゲット生成装置の構成を示す一部断面図である。 図３は、図２に示された光センサの回路図である。 図４Ａ〜図４Ｄは、ファンクションジェネレータによって生成される電気信号の波形の例と、この電気信号に従って加振素子に交流電圧が印加された場合のターゲットの様子とを概略的に示す。 図５は、図２に示されるターゲット制御部の例示的な動作を示すフローチャートである。 図６は、図５に示されたターゲットを計測する処理を示すフローチャートである。 図７は、ターゲット検出信号の例を示すタイミングチャートである。 図８は、図５に示された計測結果を評価する処理を示すフローチャートである。 図９は、図５に示されたパラメータを変更する処理を示すフローチャートである。 図１０は、第２の実施形態に係るターゲット生成装置の構成を示す一部断面図である。 図１１は、図１０に示されたターゲット制御部によるターゲットを計測する処理を示すフローチャートである。 図１２は、ターゲット間隔計測部による例示的な処理を示すフローチャートである。 図１３Ａ〜図１３Ｄは、本開示に係るターゲット生成装置において使用可能な波形の幾つかの例を示すグラフである。 図１４は、本開示に係るターゲット生成装置において使用可能な波形の他の例を示すグラフである。 図１５は、本開示に係るターゲット生成装置において使用可能な波形のさらに他の例を示すグラフである。 図１６は、コントローラの概略構成を示すブロック図である。
実施形態
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．電気信号がフィードバック制御されるターゲット生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ ターゲットセンサの詳細
４．４ ファンクションジェネレータによって生成される波形の例
４．５ ターゲットセンサによる検出結果に基づいたパラメータの設定
４．５．１ メインフロー
４．５．２ ターゲットを計測する処理（Ｓ１６００／Ｓ２２００）
４．５．３ 計測結果を評価する処理（Ｓ１７００／Ｓ２３００）
４．５．４ パラメータを変更する処理（Ｓ２０００）
５．イメージセンサを含むターゲット生成装置
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ ターゲットを計測する処理
６．波形及びパラメータの例
７．コントローラの構成
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット生成装置がターゲット物質の液滴を生成し、チャンバ内のプラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲット物質の液滴がプラズマ生成領域に到達した時点で、ターゲット物質の液滴にパルスレーザ光が照射されることで、ターゲット物質がプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
ターゲット生成装置は、液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、リザーバに振動を与えるように構成された圧電素子などの加振素子と、を備えてもよい。リザーバ内部とチャンバ内部との圧力差によって、リザーバから液体のターゲット物質の噴流が出力されてもよい。
加振素子がリザーバに振動を与えると、この振動がターゲット物質の噴流に伝達され、次のような原理によってターゲット物質の液滴が生成されてもよい。即ち、速度ｖで流れる直径ｄの噴流を、周波数ｆで振動させることによって擾乱させるときに、周波数ｆが所定の条件を満たす場合に、ほぼ均一な大きさの液滴群が周波数ｆで繰り返して形成され得る。そのときの周波数ｆは、レイリー（Rayleigh）周波数と呼ばれ得る。
ＥＵＶ光生成装置が安定したＥＵＶ光を生成するためには、ターゲット物質の液滴が安定した間隔で生成されることが望ましい。そのためには、加振素子に印加される駆動電圧が、最適なパラメータに設定されることが望ましい。しかしながら、同じ波形の駆動電圧を加振素子に印加してターゲット物質の液滴を生成していても、ターゲット物質の液滴が安定した間隔で生成されなくなることがあり得る。
本開示の１つの観点によれば、ターゲット生成装置は、リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、を備えてもよい。このパラメータに基づいた波形を有する電気信号を、ファンクションジェネレータが生成し、この電気信号に従って、電源が加振素子に駆動電圧を印加してもよい。このターゲット生成装置によれば、ターゲット物質の液滴を安定して生成することができる。
制御部は、変調パラメータ及び第１の周期関数のパラメータを設定してもよい。ファンクションジェネレータは、第１の周期関数を搬送波として、上記変調パラメータを用いて所定の第２の周期関数による角度変調を行うことにより、電気信号を生成してもよい。
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
「ターゲット」は、ターゲット物質の液滴であってよい。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット生成装置から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット生成装置の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット生成装置から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。
「ターゲット制御部５１」及び「ターゲット間隔計測部５５」は、いずれも本開示の「制御部」に相当し得る。
「加振素子電源５８」は、本開示の「電源」に相当し得る。
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット生成装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット生成装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット生成装置２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。必要な場合には、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット生成装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
４．電気信号がフィードバック制御されるターゲット生成装置
４．１ 構成
図２は、第１の実施形態に係るターゲット生成装置２６の構成を示す一部断面図である。図２に示されるように、ターゲット生成装置２６は、リザーバ６１と、ターゲット制御部５１と、温度制御部５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、ヒーター電源５６と、を含んでもよい。ターゲット生成装置２６は、さらに、ファンクションジェネレータ５７と、加振素子電源５８と、発光部７０と、ターゲットセンサ４０と、を含んでもよい。
リザーバ６１は、例えばスズを含むターゲット物質を、溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。ターゲット物質を溶融させるために、リザーバ６１にヒーター６３が取り付けられてもよい。チャンバ２の壁には、貫通孔２ａが形成されてもよい。この貫通孔２ａをリザーバ６１の一部が貫通していてもよく、リザーバ６１のノズル孔６２がチャンバ２の内部に位置してもよい。貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面と、リザーバ６１との間には、図示しないシール部材が配置されてもよい。そのようなシール部材により、貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面とリザーバ６１との間が密閉されていてもよい。
ターゲット制御部５１は、ＥＵＶ光生成制御部５からのＥＵＶ制御信号を受信可能に構成されてもよい。ターゲット制御部５１は、温度制御部５２、圧力調節器５３、ファンクションジェネレータ５７、光センサ４１、光源７１に、それぞれ信号線を介して接続されてもよい。
温度制御部５２は、ヒーター電源５６及び温度センサ６４にそれぞれ信号線を介して接続されてもよい。ヒーター電源５６は、ヒーター６３に配線を介して電気的に接続されてもよい。温度センサ６４は、リザーバ６１に取り付けられてもよい。
不活性ガスボンベ５４は、配管によって圧力調節器５３に接続されていてもよい。圧力調節器５３は、別の配管によってリザーバ６１の内部と連通してもよい。これらの配管を介して、不活性ガスボンベ５４からリザーバ６１の内部に不活性ガスが供給されてもよい。
ファンクションジェネレータ５７は、信号線を介して加振素子電源５８に接続されてもよい。加振素子６０は、リザーバ６１に取り付けられてもよい。加振素子６０のリザーバ６１への取り付け位置は、ノズル孔６２の近くでもよい。加振素子６０は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電体と、この圧電体に取り付けられた図示しない電極とを含んでもよい。加振素子電源５８は、加振素子６０の電極に配線を介して電気的に接続されてもよい。加振素子電源５８と加振素子６０とを接続する配線は、導入端子９２を介してチャンバ２の壁を貫通してもよい。加振素子電源５８が加振素子６０に駆動電圧を印加することにより、リザーバ６１に振動が付与されてもよい。
チャンバ２には、ターゲットセンサ４０と発光部７０とが取り付けられてもよい。ターゲットセンサ４０は、光センサ４１と、受光光学系４２と、プレート４３とを含んでもよい。プレート４３はチャンバ２の外部に固定され、このプレート４３に、光センサ４１及び受光光学系４２がそれぞれ固定されてもよい。発光部７０は、光源７１と、照明光学系７２と、プレート７３とを含んでもよい。プレート７３はチャンバ２の外部に固定され、このプレート７３に、光源７１及び照明光学系７２がそれぞれ固定されてもよい。
ターゲットセンサ４０と発光部７０とは、ターゲット２７の軌道を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。チャンバ２にはウインドウ２１ａ及び２１ｂがそれぞれ取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、発光部７０とターゲット２７の軌道との間に位置していてもよい。ウインドウ２１ｂは、ターゲット２７の軌道とターゲットセンサ４０との間に位置していてもよい。
４．２ 動作
温度制御部５２は、ターゲット制御部５１によって指示される目標温度を維持するように、温度センサ６４によって検出される検出値に基づいて、ヒーター電源５６がヒーター６３に流す電流の電流値を制御してもよい。ヒーター６３が電流によって加熱されることにより、リザーバ６１内に貯蔵されたターゲット物質が、その融点以上の温度まで加熱されてもよい。
圧力調節器５３は、ターゲット制御部５１から出力される制御信号に応じて、不活性ガスボンベ５４からリザーバ６１内部に供給される不活性ガスの圧力を調節してもよい。リザーバ６１内部へ導入された不活性ガスは、リザーバ６１内の溶融したターゲット物質を加圧してもよい。不活性ガスがターゲット物質を加圧することにより、リザーバ６１のノズル孔６２から、液体のターゲット物質の噴流６６（後述）が出力されてもよい。
ファンクションジェネレータ５７は、ターゲット制御部５１から出力されるパラメータ及び制御信号に応じて、このパラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成してもよい。加振素子電源５８は、ファンクションジェネレータ５７から出力される電気信号に応じて、この電気信号と相似の波形を有する駆動電圧を、加振素子６０に印加してもよい。これにより、加振素子６０は周期的に伸縮し、リザーバ６１に振動を与えてもよい。リザーバ６１に与えられた振動は、ノズル孔６２から出力されたターゲット物質の噴流６６に伝達されることにより、噴流６６を液滴状に分離させ、噴流６６を複数のターゲット２７に変化させ得る。
チャンバ２内に出力されたターゲット２７は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成装置２６から出力されたターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるように、図１に示したレーザ装置３を制御してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに合わせて、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に照射されるようにレーザ装置３を制御してもよい。
光源７１は、ターゲット制御部５１から出力される制御信号に応じて、連続発光してもよい。照明光学系７２は、光源７１から出力された光を、ターゲット２７の軌道の所定位置及びその周囲の位置を含む領域３５に集光してもよい。これにより、発光部７０は、ウインドウ２１ａを介して、領域３５を照明してもよい。受光光学系４２は、発光部７０から出力された光を光センサ４１の受光面に導いてもよい。
発光部７０によって照明された領域３５をターゲット２７が通過した場合、発光部７０から出力された光がターゲットセンサ４０に到達する前に、当該光の一部がターゲット２７によって遮られてもよい。これにより、ターゲットセンサ４０の光センサ４１への入射光の光量が低下し得る。光センサ４１は、入射光の光量の変化を検出し、ターゲット検出信号Ｖｄ（後述）を出力してもよい。
４．３ ターゲットセンサの詳細
図３は、図２に示された光センサ４１の回路図である。図３に示されるように、光センサ４１は、受光素子４１ａと、増幅器４１ｂと、コンパレータ４１ｃとを含んでもよい。受光素子４１ａ（例えば、フォトダイオード）は、外部からの光の入射光量に応じて電圧信号を出力可能であってもよい。受光素子４１ａは、増幅器４１ｂの入力端子に接続されてもよい。増幅器４１ｂは、受光素子４１ａが出力した電圧信号を増幅して、出力信号Ｖｐを出力してもよい。増幅器４１ｂの出力端子は、コンパレータ４１ｃのマイナス側の入力端子に接続されてもよい。コンパレータ４１ｃのプラス側の入力端子には、一定の基準電位Ｖｓが印加されていてもよい。
発光部７０によって照明された領域３５にターゲット２７が到達していない時に比べて、発光部７０によって照明された領域３５にターゲット２７が到達した時には、増幅器４１ｂの出力信号Ｖｐが低い電位になり得る。これは、発光部７０によって照明された領域３５にターゲット２７が到達すると、受光素子４１ａが受光する光量が減少するためであり得る。発光部７０によって照明された領域３５をターゲット２７が通り過ぎた後には、増幅器４１ｂの出力信号Ｖｐは元の電位に戻り得る。発光部７０によって照明された領域３５にターゲット２７が到達していない時における出力信号Ｖｐの電位と、発光部７０によって照明された領域３５にターゲット２７が到達した時における出力信号Ｖｐの電位との間に、基準電位Ｖｓが設定されていてもよい。
コンパレータ４１ｃから出力されるターゲット検出信号Ｖｄは、出力信号Ｖｐが基準電位Ｖｓより高い電位である状態においては第１の電位となり得る。出力信号Ｖｐが基準電位Ｖｓより低い電位になると、ターゲット検出信号Ｖｄは第２の電位となり得る。光センサ４１は、このターゲット検出信号Ｖｄを、図示しないバッファ回路を介して図２に示すターゲット制御部５１に出力してもよい。
４．４ ファンクションジェネレータによって生成される波形の例
図４Ａ及び図４Ｃは、ファンクションジェネレータ５７によって生成される電気信号の波形の例を示す。図４Ｂ及び図４Ｄは、図４Ａ及び図４Ｃに示された電気信号に従って加振素子６０に駆動電圧が印加された場合のターゲット２７の様子を概略的に示す。図４Ａ及び図４Ｂは振幅変調の例を示し、図４Ｃ及び図４Ｄは位相変調の例を示す。
本開示において、ファンクションジェネレータ５７は、ターゲット制御部５１から、変調パラメータと第１の周期関数のパラメータとを受信し、これらのパラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成してもよい。ファンクションジェネレータ５７は、第１の周期関数を搬送波として、上記変調パラメータを用いて所定の第２の周期関数によるアナログ変調を施した波形を有する電気信号を生成してもよい。
アナログ変調は、振幅変調（ＡＭ変調）又は角度変調であってよい。角度変調は、周波数変調（ＦＭ変調）又は位相変調（ＰＭ変調）であってよい。
搬送波である第１の周期関数Ｖｃ（ｔ）は、以下に示される三角関数で与えられ得る。
Ｖｃ（ｔ）＝Ｖｃｍ・ｓｉｎ（２π・ｆｃ・ｔ）
ここで、Ｖｃｍは第１の周期関数の振幅でよく、ｆｃは第１の周期関数の周波数でよい。
振幅変調によって生成される被変調波Ｖａｍ（ｔ）は、以下の式で与えられ得る。
Ｖａｍ（ｔ）＝｛Ｖｃｍ＋δＶ・Ｖｍ（ｔ）＋φ｝・ｓｉｎ（２π・ｆｃ・ｔ）
周波数変調によって生成される被変調波Ｖｆｍ（ｔ）は、以下の式で与えられ得る。
Ｖｆｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ・ｓｉｎ｛２π・ｆｃ・ｔ＋δｆ・∫Ｖｍ（ｔ）ｄｔ＋φ｝
位相変調によって生成される被変調波Ｖｐｍ（ｔ）は、以下の式で与えられ得る。
Ｖｐｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ・ｓｉｎ｛２π・ｆｃ・ｔ＋δθ・Ｖｍ（ｔ）＋φ｝
ここで、Ｖｍ（ｔ）は変調波である第２の周期関数でよく、δＶ、δｆ、δθ、φは変調パラメータでよい。δＶは振幅変調における最大振幅偏移でよく、δｆは周波数変調における最大周波数偏移（peak frequency-deviation）でよく、δθは位相変調における最大位相偏移でよく、φは第１の周期関数の第２の周期関数に対する位相差でよい。
第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）は、例えば以下に示される三角関数であってもよい。
Ｖｍ（ｔ）＝ｃｏｓ（２π・ｆｍ・ｔ）
ここで、ｆｍは第２の周期関数の周波数でよい。第２の周期関数の周波数ｆｍは、第１の周期関数の周波数ｆｃと同一か、第１の周期関数の周波数ｆｃよりも低くてもよい。
振幅変調によって生成される被変調波Ｖａｍ（ｔ）の一例が、図４Ａに示されている。振幅変調による被変調波Ｖａｍ（ｔ）は、１／ｆｃの周期を有する第１の周期関数を搬送波として、第２の周期関数によって１／ｆｍの周期で振幅を変化させることによって生成された波でよい。被変調波Ｖａｍ（ｔ）の波形を有する電気信号に従って、加振素子電源５８が加振素子６０に駆動電圧を印加したとき、ターゲット生成装置２６のノズル孔６２から出力された噴流６６は、１／ｆｃの周期で微小な液滴６７に分離され得る。これらの微小な液滴６７は、１／ｆｍの周期による被変調波Ｖａｍ（ｔ）の振幅の変化に起因して、互いに異なる速度を有し得る。この速度差により、複数の微小な液滴６７が合体して、ターゲット２７が生成され得る。複数の微小な液滴６７の平均速度をＶとすると、微小な液滴６７間の距離は約Ｖ／ｆｃであり、複数の微小な液滴６７が合体したターゲット２７間の距離はＶ／ｆｍとなり得る。
例えば、ノズル孔６２の直径が６〜１０μｍであり、ターゲット２７の平均の速度Ｖを５０ｍ／ｓとする場合に、各種パラメータは以下のように設定されてもよい。
第２の周期関数の周波数ｆｍは、１００ｋＨｚ
最大振幅偏移δＶは、０．５
第１の周期関数の周波数ｆｃは、９００ｋＨｚ〜１６００ｋＨｚ
位相差φは、０°
このような範囲で、ターゲット２７を安定して生成できるパラメータが選定されてもよい。
位相変調によって生成される被変調波Ｖｐｍ（ｔ）の一例が、図４Ｃに示されている。位相変調による被変調波Ｖｐｍ（ｔ）は、１／ｆｃの周期を有する第１の周期関数を搬送波として、第２の周期関数によって１／ｆｍの周期で位相を変化させることによって生成された波でよい。被変調波Ｖｐｍ（ｔ）の波形を有する電気信号に従って、加振素子電源５８が加振素子６０に駆動電圧を印加したとき、ターゲット生成装置２６のノズル孔６２から出力された噴流６６は、１／ｆｃの周期で微小な液滴６７に分離され得る。これらの微小な液滴６７は、１／ｆｍの周期による被変調波Ｖｐｍ（ｔ）の位相の変化に起因して、互いに異なる速度を有し得る。この速度差により、複数の微小な液滴６７が合体して、ターゲット２７が生成され得る。複数の微小な液滴６７の平均速度をＶとすると、微小な液滴６７間の距離は約Ｖ／ｆｃであり、複数の微小な液滴６７が合体したターゲット２７間の距離はＶ／ｆｍとなり得る。
例えば、ノズル孔６２の直径が６〜１０μｍであり、ターゲット２７の平均の速度Ｖを５０ｍ／ｓとする場合に、各種パラメータは以下のように設定されてもよい。
第２の周期関数の周波数ｆｍは、１００ｋＨｚ
最大位相偏移δθは、１００°〜１８０°
第１の周期関数の周波数ｆｃは、９００ｋＨｚ〜１６００ｋＨｚ
位相差φは、０°
このような範囲で、ターゲット２７を安定して生成できるパラメータが選定されてもよい。
振幅変調と位相変調とに関し、それぞれ上述の範囲でパラメータを変更しながらターゲット２７を生成した結果、ターゲット２７を安定して生成できるパラメータを、振幅変調及び位相変調のいずれにおいても選定することが可能であった。ターゲット２７の軌道に対して垂直な方向におけるターゲット２７の軌跡の安定性は同等であったが、ターゲット２７の軌道に対して平行な方向におけるターゲット２７の間隔の安定性は、振幅変調よりも位相変調の方が優れていた。なお、周波数変調は、変調波が積分されている点の他は位相変調と同等であるので、周波数変調の場合には位相変調の場合と同等にターゲット２７を安定して生成できると考えられる。
４．５ ターゲットセンサによる検出結果に基づいたパラメータの設定
４．５．１ メインフロー
図５は、図２に示されるターゲット制御部５１の例示的な動作を示すフローチャートである。ターゲット制御部５１は、光センサ４１の出力に基づいて、加振素子６０に印加される駆動電圧を生成するための電気信号の波形のパラメータを、以下のように設定してもよい。なお、ここでは、第１の周期関数を搬送波として、第２の周期関数による位相変調を行うためのパラメータを設定する場合について説明する。振幅変調又は周波数変調のパラメータを設定する場合は、設定されるパラメータが異なる他は、位相変調のパラメータを設定する処理と同様でよい。
まず、ターゲット制御部５１は、ターゲット物質の温度を調節するように、温度制御部５２に制御信号を出力してもよい（Ｓ１１００）。この制御信号に応じた温度制御部５２による制御が行われて、リザーバ６１内に貯蔵されたターゲット物質が、その融点以上の所定の温度に調節されてもよい。
次に、ターゲット制御部５１は、不活性ガスボンベ５４からリザーバ６１内部に供給される不活性ガスの圧力を調節するように、圧力調節器５３に制御信号を出力してもよい（Ｓ１２００）。不活性ガスがターゲット物質を加圧することにより、リザーバ６１のノズル孔６２から液体のターゲット物質の噴流６６（図４Ｄ参照）が出力されてもよい。
次に、ターゲット制御部５１は、レーザ照射禁止を示す信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい（Ｓ１３００）。これにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３にパルスレーザ光の出力を停止させてもよい。レーザ照射禁止を示す信号は、後述のＳ１８００においてターゲット２７の計測結果がＯＫの判定となるまでの間、有効であってよい。
次に、ターゲット制御部５１は、加振素子６０に印加される駆動電圧を生成するための電気信号の波形のパラメータを、初期値に設定してもよい（Ｓ１４００）。この初期値は、ストレージメモリ１００５（後述）に予め記憶されていてもよい。例えば、第２の周期関数の周波数ｆｍ、最大位相偏移δθ、第１の周期関数の周波数ｆｃ、及び、第１の周期関数の第２の周期関数に対する位相差φが、それぞれ以下に示される初期値に設定されてもよい。
ｆｍ＝ｆｍ０＝１００ｋＨｚ
δθ＝δθ０＝１００°
ｆｃ＝ｆｃ０＝９００ｋＨｚ
φ＝φ０＝０°
次に、ターゲット制御部５１は、ファンクションジェネレータ５７に、パラメータを送信してもよい（Ｓ１５００）。これにより、ファンクションジェネレータ５７が、これらのパラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成してもよい。そして、加振素子電源５８が、ファンクションジェネレータ５７から出力される電気信号に応じて、加振素子６０に駆動電圧を印加してもよい。そして、ノズル孔６２から出力されたターゲット物質の噴流６６が、液滴状に分離され、複数のターゲット２７に変化してもよい。
次に、ターゲット制御部５１は、ターゲットの計測を行ってもよい（Ｓ１６００）。例えば、ターゲット制御部５１はターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）を計測してもよい。この処理の詳細については図６を参照しながら後述する。
次に、ターゲット制御部５１は、計測結果を判定してもよい（Ｓ１７００）。例えば、ターゲット制御部５１はターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のばらつきが小さい場合にはＯＫと判定し、ばらつきが大きい場合にはＮＧと判定してもよい。この処理の詳細については図８を参照しながら後述する。Ｓ１７００の後、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１８００に進めてもよい。
Ｓ１８００において、ターゲット制御部５１は、Ｓ１７００における判定がＮＧであった場合には（Ｓ１８００；ＮＯ）、処理をＳ１９００に進めてもよい。
Ｓ１９００において、ターゲット制御部５１は、上述のパラメータのうち、δθ、ｆｃ及びφの値のすべてが最大値であるか否かを判定してもよい。最大値については、図９の説明において後述する。
Ｓ１９００において、δθ、ｆｃ及びφの値の少なくとも１つが最大値でない場合には（Ｓ１９００；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、Ｓ２０００において、δθ、ｆｃ及びφの値を変更してもよい。Ｓ２０００の処理の詳細については図９を参照しながら後述する。ターゲット制御部５１は、Ｓ２０００の後、処理を上述のＳ１５００に戻して、その後の処理を繰り返してもよい。すなわち、ターゲット制御部５１は、Ｓ２０００で変更されたδθ、ｆｃ及びφの値を、ファンクションジェネレータ５７に送信し（Ｓ１５００）、改めてターゲットの計測（Ｓ１６００）及び計測結果の判定（Ｓ１７００）を行ってもよい。
Ｓ１９００において、δθ、ｆｃ及びφの値のすべてが最大値である場合には（Ｓ１９００；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、変更すべきパラメータの値をすべて試みたものとして、本フローチャートの処理を終了してもよい。このとき、ターゲット制御部５１は、パラメータの設定ができなかったことを示す信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。
Ｓ１８００において、ターゲット制御部５１は、Ｓ１７００における判定がＯＫであった場合には（Ｓ１８００；ＹＥＳ）、処理をＳ２１００に進めてもよい。
Ｓ２１００において、ターゲット制御部５１は、レーザ照射許可を示す信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３にパルスレーザ光の出力を開始させてもよい。パルスレーザ光がターゲット２７に照射されて、ＥＵＶ光が出力されてもよい。レーザ照射許可を示す信号は、後述のＳ２３００においてターゲット２７の計測結果がＮＧと判定され、Ｓ２４００においてＮＯの場合に分岐するまでの間、有効であってよい。
次に、ターゲット制御部５１は、ターゲットの計測を行ってもよい（Ｓ２２００）。すなわち、Ｓ１５００においてファンクションジェネレータ５７に送信されたパラメータを用いた場合に、Ｓ１７００における判定がＯＫとなっているので、それらのパラメータを変更せずに、ターゲットの計測を行ってもよい。Ｓ２２００の処理は、上述のＳ１６００と同様でよい。この処理の詳細については図６を参照しながら後述する。
次に、ターゲット制御部５１は、計測結果の判定を行ってもよい（Ｓ２３００）。Ｓ２３００の処理は、上述のＳ１７００と同様でよい。この処理の詳細については図８を参照しながら後述する。Ｓ２３００の後、ターゲット制御部５１は、処理をＳ２４００に進めてもよい。
Ｓ２４００において、ターゲット制御部５１は、Ｓ２３００における判定がＯＫであった場合には（Ｓ２４００；ＹＥＳ）、処理をＳ２２００に戻してもよい。すなわち、ターゲット制御部５１は、パラメータを変更せずに、ターゲットの計測（Ｓ２２００）などの処理を繰り返してもよい。
Ｓ２４００において、ターゲット制御部５１は、Ｓ２３００における判定がＮＧであった場合には（Ｓ２４００；ＮＯ）、処理をＳ１３００に戻してもよい。すなわち、ターゲット制御部５１は、レーザ照射禁止を示す信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し（Ｓ１３００）、パラメータの設定を、初期値の設定（Ｓ１４００）からやり直してもよい。
４．５．２ ターゲットを計測する処理（Ｓ１６００／Ｓ２２００）
図６は、図５に示されたターゲットを計測する処理を示すフローチャートである。図６に示される処理は、図５に示されたＳ１６００及びＳ２２００のサブルーチンとして、ターゲット制御部５１によって行われてもよい。
まず、ターゲット制御部５１は、光センサ４１からターゲット検出信号Ｖｄを受信したか否かを判定してもよい（Ｓ１６０１）。ターゲット制御部５１は、ターゲット検出信号Ｖｄを受信していない場合（Ｓ１６０１；ＮＯ）、ターゲット検出信号Ｖｄを受信するまで待機してもよい。ターゲット制御部５１は、ターゲット検出信号Ｖｄを受信した場合（Ｓ１６０１；ＹＥＳ）、処理をＳ１６０２に進めてもよい。
Ｓ１６０２において、ターゲット制御部５１は、カウンタｎの値を１にセットしてもよい。このカウンタｎの値は、以下に説明されるように、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）として計測された個々のサンプルデータを特定し得る。カウンタｎの値は、１から最大値Ｎmaxまでの範囲内の整数であり得る。
次に、ターゲット制御部５１は、タイマー１００３（後述）を起動し、時間の計測を開始してもよい（Ｓ１６０４）。すなわち、ターゲット制御部５１は、時間の経過に応じて加算される変数として、タイマー１００３の値Ｔを０にリセットするとともに、一定の時間ごとに一定の数をタイマー１００３の値Ｔに加算していく処理をスタートさせてもよい。
次に、ターゲット制御部５１は、光センサ４１からターゲット検出信号Ｖｄを受信したか否かを判定してもよい（Ｓ１６０５）。この処理は、上述のＳ１６０１と同様でよい。ターゲット制御部５１は、ターゲット検出信号Ｖｄを受信した場合（Ｓ１６０５；ＹＥＳ）、処理をＳ１６０７に進めてもよい。
Ｓ１６０７において、ターゲット制御部５１は、ターゲットの間隔Ｄ（ｎ）を算出してもよい。ターゲットの間隔Ｄ（ｎ）は、以下の式により算出されてもよい。
Ｄ（ｎ）＝Ｖ・Ｔ
ここで、Ｖはターゲット２７の速度であり、ストレージメモリ１００５（後述）に予め記憶されていた値が用いられてもよいし、別途計測された値が用いられてもよい。Ｔは上述のタイマー１００３の値であり、１つ前のターゲットによるターゲット検出信号Ｖｄを受信してからＳ１６０５において今回のターゲットによるターゲット検出信号Ｖｄを受信するまでの時間を表していてもよい。
次に、ターゲット制御部５１は、現在のカウンタｎの値に１を加えて、カウンタｎの値を更新してもよい（Ｓ１６０８）。
次に、ターゲット制御部５１は、Ｓ１６０８において更新されたカウンタｎの値が、最大値Ｎmaxを超えたか否かを判定してもよい（Ｓ１６０９）。
カウンタｎの値が最大値Ｎmaxを超えていない場合には（Ｓ１６０９；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、処理を上述のＳ１６０４に戻してもよい。これにより、タイマー１００３の値Ｔを再度リセット及びスタートさせ（Ｓ１６０４）、次のターゲット検出信号Ｖｄを受信するまでの時間を計測してもよい。
カウンタｎの値が最大値Ｎmaxを超えた場合には（Ｓ１６０９；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、本フローチャートの処理を終了してもよい。
以上の処理により、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）として、Ｎmax個のサンプルデータ、すなわちＤ（１）、Ｄ（２）、…、Ｄ（Ｎmax）が計測され得る。
４．５．３ 計測結果を評価する処理（Ｓ１７００／Ｓ２３００）
図７は、ターゲット検出信号Ｖｄの例を示すタイミングチャートである。図７において、横軸は時間ｔを示し、縦軸はターゲット検出信号Ｖｄの強度を模式的に示す。ターゲットセンサ４０は、ターゲットセンサ４０により検出可能な領域を１つのターゲット２７が通過する度に、図７に示されるようなパルス状のターゲット検出信号Ｖｄを出力し得る。そして、上述のように、パルス状のターゲット検出信号Ｖｄが出力される度に、ターゲット制御部５１は、タイマー１００３の値Ｔを読み取り、ターゲットの間隔Ｄ（ｎ）を算出し得る（Ｓ１６０７）。図７においては、Ｄ（１）、Ｄ（２）、…、Ｄ（Ｎmax）を算出するために読み取ったタイマー１００３の値が、それぞれＴ（１）、Ｔ（２）、…、Ｔ（Ｎmax）のように表示されている。
ターゲット２７の生成が安定している場合、Ｔ（１）、Ｔ（２）及びＴ（３）で示されるように、読み取ったタイマー１００３の値Ｔは互いにほぼ等しくてもよい。その場合、読み取ったタイマー１００３の値Ｔの平均値は第２の周期関数の周期（１／ｆｍ）にほぼ等しくてもよい。
一方、ターゲット２７の生成が安定していない場合、Ｔ（ｋ）、Ｔ（ｋ＋１）、Ｔ（ｋ＋２）及びＴ（ｋ＋３）で示されるように、タイマー１００３の値Ｔがばらつくことがある。また、合体すべき複数の微小な液滴６７の一部が合体せず、サテライトと呼ばれる微小な液滴が残っている場合、Ｔ（ｋ）及びＴ（ｋ＋２）で示されるように、タイマー１００３の値Ｔが第２の周期関数の周期（１／ｆｍ）よりも大幅に小さい値となることがある。
そこで、ターゲット制御部５１は、以下のようにしてターゲット２７の計測結果が許容範囲内であるかどうかを判定してもよい。
図８は、図５に示された計測結果を評価する処理を示すフローチャートである。図８に示される処理は、図５に示されたＳ１７００及びＳ２３００のサブルーチンとして、ターゲット制御部５１によって行われてもよい。
まず、ターゲット制御部５１は、Ｓ１６００又はＳ２２００において計測されたターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のデータに基づいて、以下の値を算出してもよい（Ｓ１７０１）。
最小値 Ｄmin
平均値 Ｄav
標準偏差 Ｄσ
次に、ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔の目標値Ｄｔを以下の式により算出してもよい（Ｓ１７０２）。
Ｄｔ＝Ｖ／ｆｍ
ここで、Ｖはターゲット２７の速度であり、図６のＳ１６０７において用いられた値と同一でもよい。ｆｍは第２の周期関数の周波数であり、図５のＳ１４００において設定された値でもよい。
次に、ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔の最小値Ｄminが、ターゲット２７の間隔の目標値Ｄｔの半分より大きいか否かを判定してもよい（Ｓ１７０３）。
最小値Ｄminが目標値Ｄｔの半分より大きい場合には（Ｓ１７０３；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１７０４に進めてもよい。
最小値Ｄminが目標値Ｄｔの半分以下である場合には（Ｓ１７０３；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１７０７に進めてもよい。このように最小値Ｄminが目標値Ｄｔの半分以下である場合には、合体すべき複数の微小な液滴６７の一部が合体していないと考えられてよい。
Ｓ１７０４において、ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔の平均値Ｄavとターゲット２７の間隔の目標値Ｄｔとの差の絶対値が、閾値Ｄavthより小さいか否かを判定してもよい。閾値Ｄavthは、ストレージメモリ１００５（後述）に予め記憶されていた値が用いられてもよい。
平均値Ｄavと目標値Ｄｔとの差の絶対値が閾値より小さい場合には（Ｓ１７０４；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１７０５に進めてもよい。
平均値Ｄavと目標値Ｄｔとの差の絶対値が閾値以上である場合には（Ｓ１７０４；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１７０７に進めてもよい。このように平均値Ｄavと目標値Ｄｔとの差の絶対値が閾値以上である場合には、ターゲット２７の間隔が目標値Ｄｔとかけ離れていると考えられてよい。
Ｓ１７０５において、ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔の標準偏差Ｄσが、閾値Ｄσthより小さいか否かを判定してもよい。閾値Ｄσthは、ストレージメモリ１００５（後述）に予め記憶されていた値が用いられてもよい。
標準偏差Ｄσが閾値より小さい場合には（Ｓ１７０５；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１７０６に進めてもよい。
標準偏差Ｄσが閾値以上である場合には（Ｓ１７０５；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、処理をＳ１７０７に進めてもよい。このように標準偏差Ｄσが閾値以上である場合には、ターゲット２７の間隔のばらつきが大きいと考えられてよい。
Ｓ１７０６において、ターゲット制御部５１は、計測結果を示す図示しないフラグを第１の値にセットし、本フローチャートの処理を終了してもよい。第１の値は、図５において説明されたＳ１８００又はＳ２４００の分岐において、計測結果がＯＫであることを示すフラグとして利用してもよい。
Ｓ１７０７において、ターゲット制御部５１は、計測結果を示す図示しないフラグを第２の値にセットし、本フローチャートの処理を終了してもよい。第２の値は、図５において説明されたＳ１８００又はＳ２４００の分岐において、計測結果がＮＧであることを示すフラグとして利用してもよい。
４．５．４ パラメータを変更する処理（Ｓ２０００）
図９は、図５に示されたパラメータを変更する処理を示すフローチャートである。図９に示される処理は、図５に示されたＳ２０００のサブルーチンとして、ターゲット制御部５１によって行われてもよい。図９において、δθは、初期値δθ０から最大値δθmaxまでのＮθ個の値のいずれかであるのが望ましいものとする。ｆｃは、初期値ｆｃ０から最大値ｆｃmaxまでのＮfc個の値のいずれかであるのが望ましいものとする。φは、初期値φ０から最大値φmaxまでのＮφ個の値のいずれかであるのが望ましいものとする。ターゲット制御部５１は、以下の処理により、δθとｆｃとφの値の（Ｎθ×Ｎfc×Ｎφ）通りの組合せを、すべて試みてもよい。
パラメータの最大値は、それぞれ例えば以下の値でもよい。これらの値は、ストレージメモリ１００５（後述）に予め記憶されていてもよい。
δθmax＝１８０°
ｆｃmax＝１６００ｋＨｚ
φmax＝１８０°
まず、ターゲット制御部５１は、現在の最大位相偏移δθの値に所定値Δθを加えることにより、最大位相偏移δθの値を変更してもよい（Ｓ２００１）。Δθは、以下の値でもよい。
Δθ＝（δθmax−δθ０）／（Ｎθ−１）
次に、ターゲット制御部５１は、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxを超えているか否かを判定してもよい（Ｓ２００２）。
Ｓ２００２において、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxを超えていない場合には（Ｓ２００２；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、本フローチャートの処理を終了してもよい。
そして、図５に示されたように、新たな最大位相偏移δθの値がファンクションジェネレータ５７に送信され（Ｓ１５００）、ターゲットの計測（Ｓ１６００）などの処理が行われてもよい。
その後も、最大位相偏移δθの値の変更（Ｓ２００１）と、変更後におけるターゲットの計測（図５のＳ１６００）などの処理とが繰り返されてもよい。この繰り返しは、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxに達するまで行われてもよい。但し、図５に示されたＳ１７００において計測結果がＯＫと判定された場合には、その後パラメータの変更は行われなくてもよい。新たな最大位相偏移δθの値が最大値に達しても、Ｓ１７００において計測結果がＯＫと判定されなかった場合には、Ｓ２００１において最大位相偏移δθの値がさらに変更されて、Ｓ２００２の判定が行われてもよい。
Ｓ２００２において、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxを超えている場合には（Ｓ２００２；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、最大位相偏移δθの値を初期値δθ０に戻してもよい（Ｓ２００３）。
次に、ターゲット制御部５１は、現在の第１の周期関数の周波数ｆｃの値に所定値Δｆｃを加えることにより、周波数ｆｃの値を変更してもよい（Ｓ２００４）。Δｆは、以下の値でもよい。
Δｆ＝（ｆｃmax−ｆｃ０）／（Ｎfc−１）
次に、ターゲット制御部５１は、新たな周波数ｆｃの値が最大値ｆｃmaxを超えているか否かを判定してもよい（Ｓ２００５）。
Ｓ２００５において、新たな周波数ｆｃの値が最大値ｆｃmaxを超えていない場合には（Ｓ２００５；ＮＯ）、ターゲット制御部５１は、本フローチャートの処理を終了してもよい。
そして、図５に示されたように、最大位相偏移の初期値δθ０と、新たな周波数ｆｃの値とが、ファンクションジェネレータ５７に送信され（Ｓ１５００）、ターゲットの計測（Ｓ１６００）などの処理が行われてもよい。
その後、さらに、最大位相偏移δθの値の変更（Ｓ２００１）と、変更後におけるターゲットの計測（図５のＳ１６００）などの処理とが繰り返されてもよい。この繰り返しは、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxに達するまで行われてもよい。但し、図５に示されたＳ１７００において計測結果がＯＫと判定された場合には、その後パラメータの変更は行われなくてもよい。
Ｓ２００２において、再度、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxを超えた場合には（Ｓ２００２；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、再度、最大位相偏移δθの値を初期値δθ０に戻し（Ｓ２００３）、周波数ｆｃの値を変更してもよい（Ｓ２００４）。
このようにして、新たな最大位相偏移δθの値が最大値δθmaxを超える度に、ターゲット制御部５１は、Ｓ２００３及びＳ２００４の処理を繰り返してもよい。この繰り返しは、新たな周波数ｆｃ及び新たな最大位相偏移δθの値の両方が最大値に達するまで行われてもよい。新たな周波数ｆｃ及び新たな最大位相偏移δθの値の両方が最大値に達しても、Ｓ１８００において計測結果がＯＫとならなかった場合には、Ｓ２００４において周波数ｆｃの値がさらに変更されて、Ｓ２００５の判定が行われてもよい。
Ｓ２００５において、新たな周波数ｆｃの値が最大値ｆｃmaxを超えている場合には（Ｓ２００５；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、周波数ｆｃの値を初期値ｆｃ０に戻してもよい（Ｓ２００６）。
次に、ターゲット制御部５１は、現在の第１の周期関数の第２の周期関数に対する位相差φの値に所定値Δφを加えることにより、位相差φの値を変更し（Ｓ２００７）、本フローチャートの処理を終了してもよい。Δφは、以下の値でもよい。
Δφ＝（φmax−φ０）／（Ｎφ−１）
そして、図５に示されたように、最大位相偏移の初期値δθ０と、第１の周期関数の周波数の初期値ｆｃ０と、新たな位相差φの値とが、ファンクションジェネレータ５７に送信され（Ｓ１５００）、ターゲットの計測（Ｓ１６００）などの処理が行われてもよい。
その後、さらに、最大位相偏移δθの値の変更（Ｓ２００１）と、周波数ｆｃの値の変更（Ｓ２００４）と、個々の変更後におけるターゲットの計測（図５のＳ１６００）などの処理とが繰り返されてもよい。この繰り返しは、新たな周波数ｆｃ及び新たな最大位相偏移δθの値の両方が最大値に達するまで行われてもよい。但し、図５に示されたＳ１７００において計測結果がＯＫと判定された場合には、その後パラメータの変更は行われなくてもよい。
Ｓ２００５において、再度、新たな周波数ｆｃの値が最大値ｆｃmaxを超えた場合には（Ｓ２００５；ＹＥＳ）、ターゲット制御部５１は、再度、周波数ｆｃの値を初期値ｆｃ０に戻し（Ｓ２００６）、位相差φの値を変更してもよい（Ｓ２００７）。
このようにして、新たな周波数ｆｃの値が最大値ｆｃmaxを超える度に、ターゲット制御部５１は、Ｓ２００６及びＳ２００７の処理を繰り返してもよい。この繰り返しは、新たな位相差φ、新たな周波数ｆｃ及び新たな最大位相偏移δθの値のすべてが最大値に達するまで行われてもよい。δθ、ｆｃ及びφの値のすべてが最大値に達しても、Ｓ１７００において計測結果がＯＫと判定されなかった場合には、ターゲット制御部５１は、図５に示されたＳ１９００により、図５に示されたフローチャートの処理を終了してもよい。
５．イメージセンサを含むターゲット生成装置
５．１ 構成
図１０は、第２の実施形態に係るターゲット生成装置２６ａの構成を示す一部断面図である。第２の実施形態に係るターゲット生成装置２６ａは、ターゲットセンサ４０ａが、図２における光センサ４１の代わりにイメージセンサ４４を含む点で、第１の実施形態と異なってもよい。ターゲットセンサ４０ａは、図２における受光光学系４２の代わりに転写光学系４５を含んでもよい。発光部７０ａは、図２における光源７１の代わりにフラッシュランプ７４を含んでもよい。発光部７０ａは、図２における照明光学系７２の代わりにコリメータ７５を含んでもよい。第２の実施形態に係るターゲット生成装置は、さらに、ターゲット間隔計測部５５を含んでもよい。
イメージセンサ４４及びフラッシュランプ７４は、それぞれ信号線を介してターゲット間隔計測部５５に接続されてもよい。ターゲット間隔計測部５５は、信号線を介してターゲット制御部５１に接続されてもよい。イメージセンサ４４は図示しないシャッタを備えてもよく、シャッタは制御信号により開閉動作が行われるように構成してもよい。イメージセンサ４４はシャッタが開いている時間の画像を撮像してもよい。シャッタは電子的なシャッタでも、機械的なシャッタでもよい。
５．２ 動作
フラッシュランプ７４は、ターゲット間隔計測部５５が出力する制御信号に従って、パルス状に発光してもよい。このパルス状の発光は、１回の制御信号に対して１パルスのみでよい。また、パルス状の発光時間は、例えば、速度Ｖのターゲット２７が当該ターゲット２７の直径分の距離を移動するための所要時間よりも短い時間でよい。例えば、ターゲット２７の速度Ｖを５０ｍ／ｓとし、ターゲット２７の直径を６μｍとする場合、フラッシュランプ７４の１回の発光時間は、１０ｎｓ〜１００ｎｓ程度でよい。
コリメータ７５は、フラッシュランプ７４から出力された光を通過させ、且つこの光を平行光にしてもよい。これにより、発光部７０ａは、ウインドウ２１ａを介して、ターゲット２７の軌道の所定位置及びその周囲の位置にパルス状の平行光を照射してもよい。この光の照射範囲は、この照射範囲に複数のターゲット２７が同時に入る程度の大きさであることが望ましい。
転写光学系４５は、発光部７０ａによる光の光路を通過するターゲット２７の像を、イメージセンサ４４の受光部の位置に形成してもよい。転写光学系４５は、複数のターゲット２７の像がイメージセンサ４４の受光部に同時に形成されるように構成されるのが望ましい。イメージセンサ４４は、発光部７０ａによって光を照射されながら移動する複数のターゲット２７の静止画像を撮像し、画像データを生成してもよい。イメージセンサ４４は、画像データを、ターゲット検出信号としてターゲット間隔計測部５５に出力してもよい。画像データは、イメージセンサ４４の受光部の位置に形成された像の光強度分布のデータであってもよい。
ターゲット間隔計測部５５は、イメージセンサ４４が出力した画像データを取得し、この画像データから、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）を算出してもよい。ターゲット間隔計測部５５は、算出されたターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のデータを、ターゲット制御部５１に送信してもよい。
５．３ ターゲットを計測する処理
図１１は、図１０に示されたターゲット制御部５１によるターゲットを計測する処理を示すフローチャートである。ターゲット制御部５１は、ターゲットを計測する処理（Ｓ１６００又はＳ２２００）の他は、図５、図８及び図９を参照しながら説明した第１の実施形態における処理と同様の処理を行ってもよい。図１１に示される処理は、図５に示されたＳ１６００及びＳ２２００のサブルーチンとして行われてもよい。
図１１に示されるように、ターゲット制御部５１は、ターゲット間隔計測部５５に対して、ターゲットの計測命令を送信してもよい（Ｓ１６１１）。ターゲットの計測命令には、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のサンプルデータの個数を指定する情報が含まれていてもよい。サンプルデータの個数は、例えばＮmaxであってよい。
そして、ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のデータとして、Ｎmax個のサンプルデータをターゲット間隔計測部５５から受信したか否かを判定してもよい（Ｓ１６１２）。ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のデータを受信していない場合（Ｓ１６１２；ＮＯ）、そのデータを受信するまで待機してもよい。ターゲット制御部５１は、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のデータを受信した場合（Ｓ１６１２；ＹＥＳ）、本フローチャートの処理を終了してもよい。
図１２は、ターゲット間隔計測部５５による例示的な処理を示すフローチャートである。ターゲット間隔計測部５５は、以下のようにしてターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）を計測してもよい。
まず、ターゲット間隔計測部５５は、ターゲット制御部５１からターゲット２７の計測命令を受信したか否かを判定してもよい（Ｓ１６２１）。ターゲット間隔計測部５５は、ターゲット２７の計測命令を受信していない場合（Ｓ１６２１；ＮＯ）、計測命令を受信するまで待機してもよい。ターゲット間隔計測部５５は、ターゲット２７の計測命令を受信した場合（Ｓ１６２１；ＹＥＳ）、処理をＳ１６２２に進めてもよい。
Ｓ１６２２において、ターゲット間隔計測部５５は、カウンタｎの値を１にセットしてもよい。このカウンタｎの値は、以下に説明されるように、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）として計測された個々のサンプルデータを特定し得る。カウンタｎの値は、１から最大値Ｎmaxまでの範囲内の整数であり得る。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、イメージセンサ４４に対し、図示しないシャッタを開かせるための制御信号を送信してもよい（Ｓ１６２３）。これにより、イメージセンサ４４のシャッタが開かれてもよい。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、フラッシュランプ７４に対し、フラッシュランプ７４をパルス状に発光させるための制御信号を送信してもよい（Ｓ１６２４）。これにより、フラッシュランプ７４がパルス状に発光してもよい。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、イメージセンサ４４に対し、シャッタを閉めさせるための制御信号を送信してもよい（Ｓ１６２５）。これにより、イメージセンサ４４のシャッタが閉じられてもよい。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、イメージセンサ４４から画像データを取得してもよい（Ｓ１６２６）。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、画像データからターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）を算出してもよい（Ｓ１６２７）。例えば、ターゲット間隔計測部５５は、画像データから複数のターゲット２７の像を抽出し、複数のターゲット２７の像の２次元面における位置を検出し、これらの像の２次元面における間隔を算出してもよい。さらに、この２次元面における間隔に、転写光学系４５による倍率を乗算することにより、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）が算出されてもよい。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、現在のカウンタｎの値に１を加えて、カウンタｎの値を更新してもよい（Ｓ１６２８）。
次に、ターゲット間隔計測部５５は、Ｓ１６２８において更新されたカウンタｎの値が、最大値Ｎmaxを超えたか否かを判定してもよい（Ｓ１６２９）。
カウンタｎの値が最大値Ｎmaxを超えていない場合には（Ｓ１６２９；ＮＯ）、ターゲット間隔計測部５５は、処理を上述のＳ１６２３に戻してもよい。これにより、イメージセンサ４４から次の画像データを取得し、別の複数のターゲット２７の間隔を算出してもよい。
カウンタｎの値が最大値Ｎmaxを超えた場合には（Ｓ１６２９；ＹＥＳ）、ターゲット間隔計測部５５は、ターゲット制御部５１に、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のデータを送信し、本フローチャートの処理を終了してもよい（Ｓ１６３０）。以上の処理により、ターゲット２７の間隔Ｄ（ｎ）のとして、Ｎmax個のサンプルデータ、すなわちＤ（１）、Ｄ（２）、…、Ｄ（Ｎmax）が計測され得る。
その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
６．波形及びパラメータの例
図１３Ａ〜図１５は、本開示に係るターゲット生成装置２６又は２６ａにおいて使用可能な波形の幾つかの例を示すグラフである。以下に説明するように、搬送波である第１の周期関数Ｖｃ（ｔ）の周波数ｆｃと、変調波である第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）の周波数ｆｍとが等しい場合でも、ターゲット２７が安定して生成され得る。図４Ａ及び図４Ｃで説明したように、周波数ｆｍは周波数ｆｃよりも低くてもよいが同一でもよい。
図１３Ａ〜１３Ｄ、図１４および図１５のいずれの例においても、第１の周期関数Ｖｃ（ｔ）として以下の三角関数が用いられている。
Ｖｃ（ｔ）＝Ｖｃｍ・ｓｉｎ（２π・ｆｃ・ｔ）
図１３Ａ〜１３Ｄ，図１４および図１５のいずれの例においても、以下の式で与えられる位相変調によって、被変調波Ｖｐｍ（ｔ）が生成されている。
Ｖｐｍ（ｔ）＝Ｖｃｍ・ｓｉｎ｛２π・ｆｃ・ｔ＋δθ・Ｖｍ（ｔ）＋φ｝
図１３Ａ〜１３Ｄに示される例においては、第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）として以下の三角関数が用いられている。
Ｖｍ（ｔ）＝ｃｏｓ（２π・ｆｍ・ｔ）
図１３Ａ〜１３Ｄに示される例においては、ｆｍ＝ｆｃ＝１００ｋＨｚとされている。また、図１３Ａ〜１３Ｄに示される例においては、第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）が破線で示されている。
図１３Ａにおいては、最大位相偏移δθ及び位相差φが、以下の値に設定されている。
δθ＝π／２
φ＝π
パラメータをこのように設定することにより、図１３Ａに実線で示されるような波形が得られた。この波形を有する駆動電圧を加振素子６０に印加したところ、ターゲット２７が安定して生成された。
図１３Ｂにおいては、最大位相偏移δθ及び位相差φが、以下の値に設定されている。
δθ＝π／３
φ＝π／２
パラメータをこのように設定することにより、図１３Ｂに実線で示されるような波形が得られた。この波形を有する駆動電圧を加振素子６０に印加したところ、ターゲット２７が安定して生成された。
図１３Ｃにおいては、最大位相偏移δθ及び位相差φが、以下の値に設定されている。
δθ＝π
φ＝３π／２
パラメータをこのように設定することにより、図１３Ｃに実線で示されるような波形が得られた。この波形を有する駆動電圧を加振素子６０に印加したところ、ターゲット２７が安定して生成された。
図１３Ｄにおいては、最大位相偏移δθ及び位相差φが、以下の値に設定されている。
δθ＝π
φ＝π
パラメータをこのように設定することにより、図１３Ｄに実線で示されるような波形が得られた。この波形を有する駆動電圧を加振素子６０に印加したところ、ターゲット２７が安定して生成された。
図１４に示される例においては、第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）として以下の三角波の関数が用いられている。
Ｖｍ（ｔ）
＝（８／π）Σ｛１／ｎ２・ｓｉｎ（ｎπ／２）・ｓｉｎ（ｎ・２π・ｆｍ・ｔ）｝
図１４に示される例においては、ｆｍ＝ｆｃ＝１００ｋＨｚとされている。また、図１４に示される例においては、第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）が破線で示されている。
図１４においては、最大位相偏移δθ及び位相差φが、以下の値に設定されている。
δθ＝π／２
φ＝π／２
パラメータをこのように設定することにより、図１４に実線で示されるような波形が得られた。この波形を有する駆動電圧を加振素子６０に印加したところ、ターゲット２７が安定して生成された。
図１５に示される例においては、第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）として以下のノコギリ波の関数が用いられている。
Ｖｍ（ｔ）
＝（１／３）Σ｛（−１）ｎ＋１・（２／ｎ）・ｓｉｎ（ｎ・２π・ｆｍ・ｔ）｝
図１５に示される例においては、ｆｍ＝ｆｃ＝１００ｋＨｚとされている。また、図１５に示される例においては、第２の周期関数Ｖｍ（ｔ）が破線で示されている。
図１５においては、最大位相偏移δθ及び位相差φが、以下の値に設定されている。
δθ＝π／２
φ＝３π／２
パラメータをこのように設定することにより、図１５に実線で示されるような波形が得られた。この波形を有する駆動電圧を加振素子６０に印加したところ、ターゲット２７が安定して生成された。
７．コントローラの構成
図１６は、コントローラの概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるターゲット制御部５１やターゲット間隔計測部５５等のコントローラは、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。たとえば、以下のように構成されてもよい。
（構成）
コントローラは、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。
（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部１０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。
ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。
処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、ＥＵＶ光生成制御部５、温度制御部５２、他のコントローラ等であってもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、圧力調節器５３、ファンクションジェネレータ５７、光源７１、フラッシュランプ７４等であってもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、光センサ４１等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、コントローラはフローチャートに示された動作を実現可能であってよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、２ａ…貫通孔、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１、２１ａ、２１ｂ…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６、２６ａ…ターゲット生成装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、４０、４０ａ…ターゲットセンサ、４１…光センサ、４１ａ…受光素子、４１ｂ…増幅器、４１ｃ…コンパレータ、４２…受光光学系、４３…プレート、４４…イメージセンサ、４５…転写光学系、５１…ターゲット制御部、５２…温度制御部、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…ターゲット間隔計測部、５６…ヒーター電源、５７…ファンクションジェネレータ、５８…加振素子電源、６０…加振素子、６１…リザーバ、６２…ノズル孔、６３…ヒーター、６４…温度センサ、６６…噴流、６７…微小な液滴、７０…発光部、７０ａ…発光部、７１…光源、７２…照明光学系、７３…プレート、７４…フラッシュランプ、７５…コリメータ、９２…導入端子、２５１…放射光、２５２…反射光、２９１…壁、２９２…中間集光点、１０２１〜１０２ｘ、１０３１〜１０３ｘ、１０４１〜１０４ｘ…機器、１０００…処理部、１００２…メモリ、１００３…タイマー、１００５…ストレージメモリ、１０１０…ユーザインターフェイス、１０２０…パラレルＩ／Ｏコントローラ、１０３０…シリアルＩ／Ｏコントローラ、１０４０…Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ、ｔ…時間、Ｖ…速度、Ｖｄ…ターゲット検出信号、Ｖｐ…出力信号、Ｖｓ…基準電位

Claims (6)

  1. 液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、
    前記リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、
    前記リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、
    前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、
    前記パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、
    前記電気信号に従って前記加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、
    を備え、
    前記制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータ及び第１の周期関数のパラメータを設定するように構成され、
    前記ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成された、ターゲット生成装置。
  2. 液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、
    前記リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、
    前記リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、
    前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、
    前記パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、
    前記電気信号に従って前記加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、
    を備え、
    前記制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータと、第１の周期関数の周波数と、前記第１の周期関数の周波数と同一値である第２の周期関数の周波数とを設定するように構成され、
    前記ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて前記第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成された、ターゲット生成装置。
  3. 前記制御部は、前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいて、前記リザーバから出力されたターゲット物質の液滴の間隔を算出し、前記間隔に基づいて、前記パラメータを設定するように構成された、請求項１又は請求項２記載のターゲット生成装置。
  4. 貫通孔が設けられたチャンバと、
    前記貫通孔を通して前記チャンバ内の所定領域にパルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、
    ターゲット生成装置であって、
    液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、
    前記リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、
    前記リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、
    前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、
    前記パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、
    前記電気信号に従って前記加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、
    を備え、前記チャンバ内の所定領域に前記ターゲット物質の液滴を供給するように構成された前記ターゲット生成装置と、
    を備え、
    前記制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータ及び第１の周期関数のパラメータを設定するように構成され、
    前記ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成された、極端紫外光生成装置。
  5. 貫通孔が設けられたチャンバと、
    前記貫通孔を通して前記チャンバ内の所定領域にパルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、
    ターゲット生成装置であって、
    液体のターゲット物質を内部に収容するためのリザーバと、
    前記リザーバに振動を与えるように構成された加振素子と、
    前記リザーバから出力されたターゲット物質の液滴を検出するように構成されたターゲットセンサと、
    前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいてパラメータを設定するように構成された制御部と、
    前記パラメータに基づいた波形を有する電気信号を生成するように構成されたファンクションジェネレータと、
    前記電気信号に従って前記加振素子に駆動電圧を印加するように構成された電源と、
    を備え、前記チャンバ内の所定領域に前記ターゲット物質の液滴を供給するように構成された前記ターゲット生成装置と、
    を備え、
    前記制御部は、前記パラメータとして、変調パラメータと、第１の周期関数の周波数と、前記第１の周期関数の周波数と同一値である第２の周期関数の周波数とを設定するように構成され、
    前記ファンクションジェネレータは、前記第１の周期関数を搬送波として、前記変調パラメータを用いて前記第２の周期関数による角度変調を行うことにより、前記電気信号を生成するように構成された、極端紫外光生成装置。
  6. 前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置をさらに備え、
    前記制御部は、前記パラメータを設定する前に前記レーザ装置に前記パルスレーザ光の出力を禁止する信号を送信し、前記パラメータを設定した後に前記レーザ装置に前記パルスレーザ光の出力を許可する信号を送信する、
    請求項４又は請求項５記載の極端紫外光生成装置。
JP2013060370A 2013-03-22 2013-03-22 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置 Active JP6151941B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013060370A JP6151941B2 (ja) 2013-03-22 2013-03-22 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置
US14/215,527 US9198272B2 (en) 2013-03-22 2014-03-17 Target generation device and extreme ultraviolet light generation apparatus
US14/887,450 US9351388B2 (en) 2013-03-22 2015-10-20 Target generation device and extreme ultraviolet light generation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013060370A JP6151941B2 (ja) 2013-03-22 2013-03-22 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014186846A JP2014186846A (ja) 2014-10-02
JP6151941B2 true JP6151941B2 (ja) 2017-06-21

Family

ID=51568428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013060370A Active JP6151941B2 (ja) 2013-03-22 2013-03-22 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9198272B2 (ja)
JP (1) JP6151941B2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6151941B2 (ja) * 2013-03-22 2017-06-21 ギガフォトン株式会社 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置
WO2016170658A1 (ja) * 2015-04-23 2016-10-27 ギガフォトン株式会社 ドロップレット検出器及び極端紫外光生成装置
WO2016203630A1 (ja) 2015-06-19 2016-12-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9426872B1 (en) * 2015-08-12 2016-08-23 Asml Netherlands B.V. System and method for controlling source laser firing in an LPP EUV light source
WO2017103980A1 (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2017130323A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
CN105903599B (zh) * 2016-06-27 2018-05-11 西北工业大学 喷射角度可调整的高速小液滴发生装置
US10437162B2 (en) * 2017-09-21 2019-10-08 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatuses for protecting a seal in a pressure vessel of a photolithography system
US10824083B2 (en) * 2017-09-28 2020-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Light source, EUV lithography system, and method for generating EUV radiation
JP7161999B2 (ja) * 2017-10-06 2022-10-27 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及びターゲット供給装置
TWI821231B (zh) 2018-01-12 2023-11-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於控制在液滴串流中液滴聚結之裝置與方法
US20220361310A1 (en) * 2019-02-26 2022-11-10 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of controlling droplet generator performance
US11237483B2 (en) 2020-06-15 2022-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for controlling droplet in extreme ultraviolet light source
JP2023135426A (ja) * 2022-03-15 2023-09-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7897947B2 (en) 2007-07-13 2011-03-01 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
JP4564369B2 (ja) * 2005-02-04 2010-10-20 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
US8158960B2 (en) 2007-07-13 2012-04-17 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8829477B2 (en) * 2010-03-10 2014-09-09 Asml Netherlands B.V. Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
US8513629B2 (en) * 2011-05-13 2013-08-20 Cymer, Llc Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
JP5926521B2 (ja) * 2011-06-15 2016-05-25 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置
US9072152B2 (en) * 2010-03-29 2015-06-30 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation system utilizing a variation value formula for the intensity
US9072153B2 (en) * 2010-03-29 2015-06-30 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation system utilizing a pre-pulse to create a diffused dome shaped target
JP5075951B2 (ja) * 2010-07-16 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及びドライバレーザシステム
JP5846572B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置、極端紫外光生成装置および極端紫外光生成装置の制御方法
JP6151941B2 (ja) * 2013-03-22 2017-06-21 ギガフォトン株式会社 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9351388B2 (en) 2016-05-24
JP2014186846A (ja) 2014-10-02
US9198272B2 (en) 2015-11-24
US20160044773A1 (en) 2016-02-11
US20140284502A1 (en) 2014-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6151941B2 (ja) ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置
JP5881345B2 (ja) 極端紫外光生成装置
US9277635B2 (en) Method for generating extreme ultraviolet light and device for generating extreme ultraviolet light
US8705035B2 (en) Target generation device
JP6168797B2 (ja) 極端紫外光生成装置
US9661730B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus with a gas supply toward a trajectory of a target
US10271414B2 (en) Droplet detector and extreme ultraviolet light generating apparatus
JPWO2006049274A1 (ja) 露光装置および露光方法
TWI757446B (zh) 用於ｅｕｖ光源的系統及方法
WO2017077930A1 (ja) 極端紫外光生成装置
JPWO2016147910A1 (ja) ターゲット撮像装置、極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム
JP2018525666A (ja) Ｌｐｐ ｅｕｖ光源におけるソースレーザの発射を制御するためのシステム及び方法
US10420198B2 (en) Extreme ultraviolet light generating apparatus
TWI662863B (zh) 用以減少極紫外光產生之振盪的系統及方法
US10054861B2 (en) Extreme ultraviolet light generating apparatus and method for generating extreme ultraviolet light
WO2014203804A1 (ja) 極端紫外光生成システム
US9578730B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus and extreme ultraviolet light generation system
US10111312B2 (en) Extreme ultraviolet light generation device
JP2000056099A (ja) Ｘ線照射装置及びｘ線発生位置検出器
JPWO2015166524A1 (ja) 極端紫外光生成装置
TWI825198B (zh) 極紫外線（ｅｕｖ）光源及用於ｅｕｖ光源之設備、用於形成光學脈衝之設備及調整光學脈衝之性質的方法
US20180224746A1 (en) Extreme ultraviolet light generating device
JP2024020968A (ja) 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160210

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161216

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20161227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170526

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6151941

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250