JP2013163642A - シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
シリコン単結晶の引上げ速度をCOP欠陥の発生領域を含む引上げ速度として、石英るつぼから、シリコン単結晶内の格子間酸素濃度が6.0×1017atoms/cm3以下であり、シリコン単結晶の径方向の面内抵抗率のバラツキΔρが5%以下であるn型ドーパントを含有するシリコン単結晶を引上げた後、石英るつぼ内にシリコン原料を供給して溶融させ、石英るつぼから新たにシリコン単結晶を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶を育成することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
上記式(A)において、格子間酸素濃度[Oi]は、FT−IR法で測定した値(ASTM F−121,1979年)であり、kはボルツマン定数8.617×10-5eV/Kである。また、シリコン単結晶として、中性子照射によりリンがドープされた単結晶が用いれる。このように製造されたシリコンウェーハでは、シリコンウェーハを酸化性雰囲気で熱処理するとき、熱処理温度Tと格子間酸素濃度[Oi]とが上記関係を満たすように熱処理温度Tを設定すると、酸化熱処理によりシリコンウェーハの表面に生じた格子間シリコン原子がシリコンウェーハの内部に拡散し、これらが空洞であるCOPを埋めるため、シリコンウェーハ内の浅い位置から深い位置まで全域にわたってCOPを消滅させることができる。またCZ法によりシリコン単結晶を育成する際、リンなどのドーパントをドープせずにシリコン単結晶を育成し、育成後のシリコン単結晶に中性子を照射することにより、シリコン単結晶にリンをドープするので、シリコン単結晶の引上げ軸方向の比抵抗を均一にすることができるようになっている。
Δρ=(面内抵抗率の最大値−面内抵抗率の最小値)/面内抵抗率の最小値×100 (1)
但し、式(1)中、面内抵抗率の最大値及び面内抵抗率の最小値とは、ウェーハ中心を通る径方向の直線上にあるウェーハ中心1カ所、ウェーハ中心と外周の中間2カ所、ウェーハ外周2カ所の計5カ所で測定した面内抵抗率のうちの最大値、最小値をいう。
図1に示す育成装置を用いて、CZ法によりシリコン単結晶11を育成した。具体的には、先ず、引上げるシリコン単結晶11の直径を210mm、目標とする抵抗率を70Ωcmとし、シリコン融液15に添加するn型ドーパントであるリンの偏析係数から、引上げ軸方向の抵抗率のバラツキが5%以下となるように、引上げる単結晶11の直胴部トップからボトムまでの長さを700mmに予め設定した。
参考例1により育成した計3本のシリコン単結晶について、COP欠陥の有無、クラスタ転位の有無、シリコン単結晶内の格子間酸素濃度(Oi)、径方向の面内抵抗率、面内抵抗率のバラツキ(Δρ)を評価した。具体的には、育成したそれぞれのシリコン単結晶について、直胴部トップから100mm、300mm、500mm、700mmの位置で切り出したそれぞれのウェーハについて上記評価項目を評価した。その結果を、次の表1及び図3〜図5に示す。図4については、3本目に引上げたシリコン単結晶についての評価したものである。なお、COPの発生状況は赤外散乱トモグラフ(三井金属社製:MO441)を用いて確認した。格子間酸素濃度(Oi)は、ASTM F−121(1979)に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法に準じて測定した値である。また、面内抵抗率のバラツキ(Δρ)は、上記測定した径方向のウェーハ面内抵抗率から次の式(1)により算出した値Δρを示す。
図4に示すように、径方向の面内抵抗率は、上記切り出したシリコンウェーハ中心を通る径方向の直線上にあるウェーハ中心1カ所、ウェーハ中心と外周の中間2カ所、ウェーハ外周2カ所の計5カ所で測定し、式(1)中、面内抵抗率の最大値及び面内抵抗率の最小値とは、これらの面内抵抗率のうちの最大値、最小値をいう。
図1に示す育成装置を用いて、CZ法によりシリコン単結晶11を育成した。具体的には、先ず、引上げるシリコン単結晶11の直径を210mm、目標とする抵抗率を70Ωcmとし、シリコン融液15に添加するn型ドーパントであるリンの偏析係数から、引上げ軸方向の抵抗率のバラツキが5%以下となるように、引上げる単結晶11の直胴部トップからボトムまでの長さを700mmに予め設定した。
実施例1により育成した計3本のシリコン単結晶について、COP欠陥のサイズ及び密度、クラスタ転位の有無、シリコン単結晶内の格子間酸素濃度(Oi)、径方向の面内抵抗率、面内抵抗率のバラツキ(Δρ)を評価した。具体的には、育成したそれぞれのシリコン単結晶について、直胴部トップから100mm、300mm、500mm、700mmの位置で切り出したそれぞれのウェーハについて上記評価項目を評価した。その結果を、次の表1に示す。なお、COP欠陥のサイズ及び密度は赤外散乱トモグラフ(三井金属社製:MO441)を用いて測定した。格子間酸素濃度(Oi)は、ASTM F−121(1979)に規格されたフーリエ変換赤外分光光度法に準じて測定した値である。また、面内抵抗率のバラツキ(Δρ)については、上記評価1と同様に算出した値Δρを示す。
実施例1で育成したシリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハ(3本目シリコン単結晶から切り出したウェーハのうち、直胴部トップから300mmのウェーハ)に、酸化熱処理を施したウェーハを実施例2とした。具体的には、酸素ガス100%の雰囲気中で、1180℃まで加熱し、この温度に3時間保持する熱処理を施した。
実施例1で育成したシリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハ(3本目シリコン単結晶から切り出したウェーハのうち、直胴部トップから300mmのウェーハ)に、酸化熱処理を施さないウェーハを比較例1とした。
実施例2のシリコンウェーハについて、COP欠陥の有無、GOIの歩留まりを評価した。なお、COPの発生状況は赤外散乱トモグラフ(MO601)を用いて確認した。また、GOIの歩留まりは、具体的には、TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown:瞬時絶縁破壊)法により求めた。GOIの歩留まりは、シリコンウエーハ上にゲート酸化膜(酸化膜)と電極を形成してMOS(Metal Oxide Semiconductor)構造を作製した後、電極に電圧を印加しゲート酸化膜を破壊させて、ブレイクダウン電圧を測定することにより求めた。ここで、ゲート酸化膜の絶縁破壊はウェーハの欠陥部分で生じた。なお、TZDB法による具体的なゲート酸化膜の耐圧の測定は次のようにして行った。先ずウェーハ表面上に厚さ25nmのゲート酸化膜(SiO2)を形成した。次にこのゲート酸化膜上にゲート電極面積10mm2のポリシリコン電極を形成した。更にウェーハとポリシリコン電極との間にステップ電圧印加法により電圧を印加し、最終的に判定電界強度11MV/cmの電圧を印加した。測定温度は室温(25℃)とした。これらの結果を、図6及び図7に示す。
12 メインチャンバ(チャンバ)
13 石英るつぼ
15 シリコン融液
Claims (3)
- チャンバに収容された石英るつぼにシリコン融液を貯留し、このシリコン融液に種結晶を浸漬して回転させながら引上げることにより、前記種結晶からシリコン単結晶を引上げて育成するシリコン単結晶の育成方法において、
シリコン単結晶の引上げ速度をCOP欠陥の発生領域を含む引上げ速度として、
前記石英るつぼから、シリコン単結晶内の格子間酸素濃度が6.0×1017atoms/cm3以下であり、下記式(1)から算出されるシリコン単結晶の径方向の面内抵抗率のバラツキΔρが5%以下であるn型ドーパントを含有するシリコン単結晶を引上げた後、
前記シリコン単結晶を引上げた同一の石英るつぼ内にシリコン原料を供給して溶融させ、前記石英るつぼから新たに別のシリコン単結晶を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶を育成する
ことを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。
Δρ=(面内抵抗率の最大値−面内抵抗率の最小値)/面内抵抗率の最小値×100 (1)
但し、式(1)中、面内抵抗率の最大値及び面内抵抗率の最小値とは、ウェーハ中心を通る径方向の直線上にあるウェーハ中心1カ所、ウェーハ中心と外周の中間2カ所、ウェーハ外周2カ所の計5カ所で測定した面内抵抗率のうちの最大値、最小値をいう。 - 石英るつぼ内のシリコン融液に0.2T以上の水平磁場を印加するとともに、前記石英るつぼの回転速度が1.5rpm以下であり、育成中のシリコン単結晶の回転速度が7rpm以下である請求項1記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 請求項1又は2に記載の方法で育成されたシリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに、酸素ガス雰囲気中で1100〜1300℃の範囲内の所定の温度まで加熱し、この所定の温度に2〜5時間保持する熱処理を施すことにより、前記シリコンウェーハ全域にわたってCOP欠陥を消滅させることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
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