JP2013140881A - 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 - Google Patents
基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013140881A JP2013140881A JP2012000562A JP2012000562A JP2013140881A JP 2013140881 A JP2013140881 A JP 2013140881A JP 2012000562 A JP2012000562 A JP 2012000562A JP 2012000562 A JP2012000562 A JP 2012000562A JP 2013140881 A JP2013140881 A JP 2013140881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- wafer
- nozzle
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 367
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 273
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 368
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 132
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 76
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 242
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 204
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1509—Horizontally held PCB
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】回路パターンPが形成された半導体ウエハWの中心部からウエハの周縁に洗浄液Lを供給してウエハの表面全体に液膜を形成し、ウエハを回転させながら、洗浄液の供給に追従してウエハの表面中心部からウエハの周縁に向かってガスGを吐出してウエハの表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する。次いで、ウエハを回転させながら、ウエハの径方向に移動してガスGを吐出して乾燥領域の回路パターン間に残存する液を除去する。
【選択図】 図6
Description
この発明の基板洗浄装置を現像処理装置に組み合わせた実施の形態について図3及び図4を参照して説明する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第2実施形態について、図11ないし図14を参照して説明する。第2実施形態は、第1実施形態で用いられる基板洗浄装置における第1ガスノズル70と第2ガスノズル80を兼用する兼用ガスノズル70Aを形成し、第2乾燥工程では兼用ガスノズル70AをウエハWの周縁からウエハWの中心部に向かって移動させて、回路パターン間に残存する洗浄液Lを除去(排出)するようにした場合である。第2実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。以下、第2実施形態の洗浄工程について説明する。なお、第2実施形態においてステップ1とステップ2は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第3実施形態について、図15及び図16を参照して説明する。図16に示すように、第3実施形態では残存液除去機構は、ウエハWの回転により生じる気流Aを乾燥領域Dに誘導拡散気する気流制御部であるディフューザ80Bにて形成されている。第3実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第4実施形態について、図17及び図18を参照して説明する。図18に示すように、第4実施形態では残存液除去機構80Cは、ウエハWの表面にガスを吐出するガスノズル80aと、上記ガスノズル80aから吐出されたガスを乾燥領域Dに誘導拡散する気流制御部である整流板80bとを具備している。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第5実施形態について、図19及び図20を参照して説明する。図20に示すように、第5実施形態では残存液除去機構は、乾燥領域Dにおける回路パターン間に残存する洗浄液Lを吸引する吸引ノズル80Dにて形成されている。この場合、吸引ノズル80Dは吸引管80cを介して吸引ポンプ等の吸引装置80d及び流量調整器80eに接続されている。第5実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第6実施形態について、図21を参照して説明する。図21に示すように、第6実施形態では残存液除去機構80Eは、ウエハWの表面にガスを吐出するガスノズル80fと、ガスノズル80fのガス供給管80gに介設されてガスノズル80fに供給されるガス例えばN2ガスGを例えば40℃に加熱する加熱体である加熱器80hと、を具備している。第6実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第7実施形態について、図22及び図23を参照して説明する。図23に示すように、第7実施形態では残存液除去機構は、ウエハWの表面に輻射熱を照射して、回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体、例えば輻射光照射体80Fにて形成されている。この場合、輻射光照射体80Fは、複数の発光ダイオード80i(以下にLED80iという)を具備している。なお、第7実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第8実施形態について、図24及び図25を参照して説明する。図25に示すように、第8実施形態では残存液除去機構は、ウエハWの表面に高揮発性の有機溶剤例えばイソプロピルアルコール(IPA)を吐出する有機溶剤吐出ノズル80G(以下に、IPA吐出ノズル80Gという)にて形成されている。この場合、IPA吐出ノズル80Gは、流量調整器80jを介設したIPA供給管80kを介してIPA供給源80lに接続されている。なお、第8実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第9実施形態について、図26及び図27を参照して説明する。図26に示すように、第9実施形態では残存液除去機構は、X軸方向に配設されるガイド部材57に沿って横方向(X方向)に移動可能な移動基台67に固定されるY方向に伸縮自在なノズルアーム66Aの先端部に連結されたノズル保持部65Aに洗浄液ノズル60及び第1ガスノズル70と共に設けられる第2ガスノズル80にて形成されている。この場合、ノズル保持部65Aの伸縮方向(Y方向)の先端側に洗浄液ノズル60と第1ガスノズル70が配設され、基端側に第2ガスノズル80が配設されている。また、ノズルアーム66Aは移動基台67に固定されるシリンダ部66aとシリンダ部66aに対して伸縮自在なロッド部66bとで構成されている。なお、第9実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
以上、いくつかの実施形態を参照しながらこの発明を説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。
60 洗浄液ノズル
63 洗浄液供給源
65 ノズル保持部
66 ノズルアーム
70 第1ガスノズル
70A 兼用ガスノズル
73 N2ガス供給源
80 第2ガスノズル(残存液除去機構)
80B ディフューザ(気流制御部、残存液除去機構)
80C 残存液除去機構
80a ガスノズル
80b 整流板
80D 吸引ノズル(残存液除去機構)
80E 残存液除去機構
80f ガスノズル
80h 加熱器
80F 輻射式加熱体(残存液除去機構)
80i LED
80GIPA吐出ノズル
90 制御コンピュータ(制御手段)
100 基板洗浄装置
200 現像液ノズル移動機構
300 洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構
Claims (33)
- 回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法であって、
上記基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら基板表面の中心部から基板の周縁に洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、上記洗浄液の供給に追従して上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かってガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する第1乾燥工程と、
上記基板を回転させながら、上記基板の径方向に移動して上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去する第2乾燥工程と、を具備することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1に記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記第1乾燥工程のガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1又は2に記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程は、上記回路パターンを形成する一回の露光領域における上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべくガス吐出位置の移動速度を一定以上にする、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置における線速度が一定値以下となるように、上記洗浄液の供給位置が上記基板の周縁に近づくにつれて、上記基板の回転数が低くなる、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程の終了後から上記第2乾燥工程の開始までの間における上記基板の地点では、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力と回転時間の積が制御される、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力が制御される、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程が終了する前に上記第2乾燥工程を開始する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程が終了した後に上記第2乾燥工程を開始する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし6又は8のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし10のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置と、上記第1乾燥工程におけるガスの吐出位置とを所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置と上記ガスの吐出位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置、上記第1乾燥工程におけるガスの吐出位置及び上記第2乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とをそれぞれ所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置、上記ガスの吐出位置及び上記第2乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、気流制御部により上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、気流制御部により上記ガスを上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を吸引して除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、加熱により上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、加熱により上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面に有機溶剤を吐出して、上記回路パターン間に残存する液を有機溶剤に置換して除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、
上記基板の中心部とその回転中心軸とが一致するように上記基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
上記基板保持部に保持された基板表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
上記基板保持部に保持された基板表面にガスを吐出する第1乾燥用のガスノズルと、
上記基板保持部に保持された基板の表面に形成された上記回路パターン間に残存する液を除去する第2乾燥用の残存液除去機構と、
上記洗浄液ノズル、上記ガスノズル及び残存液除去機構をそれぞれ移動させるための移動機構と、
上記回転機構、上記洗浄液ノズルの供給部、上記ガスノズルの供給部、上記残存液除去機構の駆動部及び上記移動機構を制御する制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板を回転させながら、基板の表面の中心部から基板の周縁に向かって上記洗浄液ノズルから洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成し、その後、上記洗浄液ノズルに追従して上記ガスノズルを上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かってガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成し、更にその後、上記残存液除去機構を基板の径方向に移動して、上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去させるように制御する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20に記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記ガスノズルのガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20又は21に記載の基板洗浄装置において、
上記ガスノズルによる第1乾燥工程が終了する前に上記残存液除去機構による第2乾燥工程を開始するように制御する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20又は21に記載の基板洗浄装置において、
上記ガスノズルによる第1乾燥工程が終了した後に上記残存液除去機構による第2乾燥工程を開始するように制御する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし23のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし23のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部にて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記ガスノズルから吐出されたガスを上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部とを具備する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記回路パターン間に残存する液を吸引する吸引ノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面に輻射熱を照射して、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体にて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体と、を具備することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし25のいずれかに記載洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面に有機溶剤を吐出する有機溶剤吐出ノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 回路パターンが形成された基板表面を洗浄する基板洗浄装置に用いられ、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
上記制御プログラムは、請求項1ないし19のいずれか一つの基板洗浄方法を実行するように工程が組まれていることを特徴とする基板洗浄用記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012000562A JP5632860B2 (ja) | 2012-01-05 | 2012-01-05 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
TW101146615A TWI567815B (zh) | 2012-01-05 | 2012-12-11 | 基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用記憶媒體 |
US13/733,370 US9307653B2 (en) | 2012-01-05 | 2013-01-03 | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and storage medium for cleaning substrate |
KR1020130001076A KR101671298B1 (ko) | 2012-01-05 | 2013-01-04 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 기판 세정용 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012000562A JP5632860B2 (ja) | 2012-01-05 | 2012-01-05 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013140881A true JP2013140881A (ja) | 2013-07-18 |
JP5632860B2 JP5632860B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=48743061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012000562A Active JP5632860B2 (ja) | 2012-01-05 | 2012-01-05 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9307653B2 (ja) |
JP (1) | JP5632860B2 (ja) |
KR (1) | KR101671298B1 (ja) |
TW (1) | TWI567815B (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041672A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN104517871A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
WO2015167012A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR20160039547A (ko) | 2014-10-01 | 2016-04-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 기억 매체 및 액 처리 장치 |
KR20170076594A (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2017143291A (ja) * | 2017-03-27 | 2017-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
WO2017154599A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2017161781A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP2017224807A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-21 | ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag | ウエハ形状の物品を処理するための方法および装置 |
WO2019060182A1 (en) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | Honeywell International Inc. | HEAT-REMOVABLE FILLING MATERIALS FOR STATIC ANTI-FRICTION APPLICATIONS |
JP2019062018A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
JPWO2018020863A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2019-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR102059724B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2019-12-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 |
JP2020017633A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
CN110783228A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
US10727044B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-07-28 | Honeywell International Inc. | Fill material to mitigate pattern collapse |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9704730B2 (en) | 2013-05-28 | 2017-07-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium |
TWI667686B (zh) * | 2015-01-23 | 2019-08-01 | 日本思可林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置暨流體噴嘴 |
KR102549285B1 (ko) | 2015-11-14 | 2023-06-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 묽은 tmah을 사용하여 마이크로전자 기판을 처리하는 방법 |
CN106040668B (zh) * | 2016-05-27 | 2019-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于显示屏的除尘装置、除尘方法及相应的显示装置 |
KR101965349B1 (ko) * | 2016-10-07 | 2019-08-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6749225B2 (ja) * | 2016-12-06 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
US10395930B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-08-27 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
CN106842646B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-11-29 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板清洗机 |
US11747742B2 (en) * | 2017-04-11 | 2023-09-05 | Visera Technologies Company Limited | Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark |
JP6938248B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2021-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6979826B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
EP3701561A4 (en) * | 2017-10-23 | 2021-07-21 | Lam Research AG | SYSTEMS AND METHODS TO PREVENT THE ADHESION OF STRUCTURES WITH A HIGH ASPECT RATIO AND / OR FOR THE REPAIR OF STRUCTURES WITH A HIGH ASPECT RATIO |
JP7067950B2 (ja) * | 2018-02-16 | 2022-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
CN110491770B (zh) * | 2018-05-15 | 2024-04-09 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法、存储介质以及基板处理装置 |
JP7142494B2 (ja) * | 2018-06-25 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7232737B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR20220103330A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 클리닝 장치 및 방법 |
KR20220130663A (ko) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치 및 도금 장치의 콘택트 부재 세정 방법 |
JP2022146507A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20220145984A (ko) * | 2021-04-22 | 2022-11-01 | 삼성전자주식회사 | 베이크 장치 |
CN113555274B (zh) * | 2021-07-21 | 2023-06-02 | 江西圆融光电科技有限公司 | 芯片清洗方法 |
US20230215721A1 (en) * | 2022-01-05 | 2023-07-06 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor Manufacturing Equipment and Method of Expelling Residue Through Suction Hood |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186123A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Samsung Electron Co Ltd | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 |
JP2002110517A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 液体除去方法 |
JP2003178946A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2004111857A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004335542A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法及び基板乾燥方法 |
JP2005347326A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2008034872A (ja) * | 2000-07-24 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 |
JP2009071028A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009252855A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 |
JP2011082200A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW402737B (en) * | 1997-05-27 | 2000-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning/drying device and method |
US6334902B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-01-01 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
US7527698B2 (en) * | 1998-09-23 | 2009-05-05 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a substrate |
US20090081810A1 (en) * | 2004-10-06 | 2009-03-26 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP5154008B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8177993B2 (en) * | 2006-11-05 | 2012-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers |
JP5136103B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
JP5712101B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
2012
- 2012-01-05 JP JP2012000562A patent/JP5632860B2/ja active Active
- 2012-12-11 TW TW101146615A patent/TWI567815B/zh active
-
2013
- 2013-01-03 US US13/733,370 patent/US9307653B2/en active Active
- 2013-01-04 KR KR1020130001076A patent/KR101671298B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186123A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Samsung Electron Co Ltd | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 |
JP2008034872A (ja) * | 2000-07-24 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 |
JP2002110517A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 液体除去方法 |
JP2003178946A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2004111857A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004335542A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法及び基板乾燥方法 |
JP2005347326A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2009071028A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009252855A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 |
JP2011082200A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法 |
Cited By (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041672A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US11710629B2 (en) | 2013-09-27 | 2023-07-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11094529B2 (en) | 2013-09-27 | 2021-08-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10058900B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-08-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN104517871A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
CN106463377A (zh) * | 2014-05-01 | 2017-02-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法以及记录有基板处理程序的计算机可读取的记录介质 |
KR20160143705A (ko) * | 2014-05-01 | 2016-12-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
WO2015167012A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN106463377B (zh) * | 2014-05-01 | 2019-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
KR102349845B1 (ko) * | 2014-05-01 | 2022-01-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
US10475638B2 (en) | 2014-05-01 | 2019-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium having stored thereon substrate processing program |
JP2015213105A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2016072557A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置 |
KR102358941B1 (ko) * | 2014-10-01 | 2022-02-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 기억 매체 및 액 처리 장치 |
KR20160039547A (ko) | 2014-10-01 | 2016-04-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 방법, 기억 매체 및 액 처리 장치 |
US9786488B2 (en) | 2014-10-01 | 2017-10-10 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, memory medium and liquid processing apparatus |
US9972512B2 (en) | 2014-10-01 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, memory medium and liquid processing apparatus |
US10651029B2 (en) | 2015-12-24 | 2020-05-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20170076594A (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20190058416A (ko) * | 2015-12-24 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102015694B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2019-10-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102067932B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2020-01-17 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN108604546B (zh) * | 2016-03-08 | 2022-12-02 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法和基板处理装置 |
CN108604546A (zh) * | 2016-03-08 | 2018-09-28 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法和基板处理装置 |
US11501985B2 (en) | 2016-03-08 | 2022-11-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing device |
WO2017154599A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2017162916A (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10964558B2 (en) | 2016-03-08 | 2021-03-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing device |
JP2017161781A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP2017224807A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-21 | ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag | ウエハ形状の物品を処理するための方法および装置 |
JPWO2018020863A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2019-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10593569B2 (en) | 2016-08-30 | 2020-03-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method |
KR102059724B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2019-12-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 |
JP2017143291A (ja) * | 2017-03-27 | 2017-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10727044B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-07-28 | Honeywell International Inc. | Fill material to mitigate pattern collapse |
US10748757B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-08-18 | Honeywell International, Inc. | Thermally removable fill materials for anti-stiction applications |
WO2019060182A1 (en) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | Honeywell International Inc. | HEAT-REMOVABLE FILLING MATERIALS FOR STATIC ANTI-FRICTION APPLICATIONS |
JP2019062018A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
JP7073658B2 (ja) | 2017-09-25 | 2022-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
CN110783228A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP7175119B2 (ja) | 2018-07-25 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP2020017633A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
TWI829725B (zh) * | 2018-07-25 | 2024-01-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9307653B2 (en) | 2016-04-05 |
US20130174873A1 (en) | 2013-07-11 |
KR101671298B1 (ko) | 2016-11-01 |
JP5632860B2 (ja) | 2014-11-26 |
TWI567815B (zh) | 2017-01-21 |
TW201342458A (zh) | 2013-10-16 |
KR20130080818A (ko) | 2013-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5632860B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 | |
JP4324527B2 (ja) | 基板洗浄方法及び現像装置 | |
JP5136103B2 (ja) | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 | |
JP5988438B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP5681560B2 (ja) | 基板乾燥方法及び基板処理装置 | |
JP2012114409A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 | |
JP6439766B2 (ja) | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置 | |
KR101152035B1 (ko) | 도포, 현상 방법, 도포, 현상 장치 및 기록 매체 | |
JP2009252855A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 | |
JP4343050B2 (ja) | 現像処理装置及びその方法 | |
JP6356207B2 (ja) | 基板乾燥方法及び基板処理装置 | |
JP2017050576A (ja) | 基板乾燥方法及び基板処理装置 | |
JP2010219168A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
TW201919776A (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
JP2015092619A (ja) | 基板乾燥方法及び基板処理装置 | |
JP5683539B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体 | |
TW201934211A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2018139331A (ja) | 基板乾燥方法及び基板処理装置 | |
JP5994804B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP5541311B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体 | |
TWI756451B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TWI635554B (zh) | 基板處理方法 | |
JP2003178942A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
KR20220031499A (ko) | 액 처리 방법 및 액 처리 장치 | |
JP2012142617A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5632860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |