CN113555274B - 芯片清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种芯片清洗方法，包括以下步骤：对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、第二混合液、二流体进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理；其中第一混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液中冷脱脂剂的体积浓度低于第一混合液中冷脱脂剂的体积浓度。本发明提供的芯片清洗方法清洗效果好，具体表现在清洗后的芯粒不容易掉落损失，芯片表面没有残留液。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种芯片清洗方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件，LED芯片是LED发光的核心部件，LED芯片的制作的后半程包括研磨减薄、划片、裂片、倒膜、扩膜、点测、分选等步骤，现阶段LED芯片朝向精细化、差异化的方向发展，如何提高LED芯片的性能指标一直是本领域技术人员不断追求的目标。
在LED芯片的制作的后半程中极易对芯片造成污染，主要的污染物来源于以下几个方面：一是在划片裂片过程中，芯片的衬底崩裂而出现的细碎颗粒污染物；二是在倒膜、扩膜过程中蓝膜芯片上的蓝膜脱落而出现的有机污染物；三是在点测过程中，用于点测的探针氧化脱落而出现的金属颗粒污染物；四是在分选过程中，用于分选的吸嘴带来的颗粒污染物和有机污染物；五是在芯片的储存、转移过程中，芯片吸附环境中悬浮的颗粒物污染物、油污污染物。由此可见，在LED芯片的制备过程中会带来污染物造成芯片污染，若污染物不及时处理，LED芯片的可靠性、耐久性都会受到重大影响，例如芯片出现漏电失效、光萃取率低等现象，特别是当芯片的负极(N)、正极(P)如果出现有机物污染或残留，在后续的LED芯片封装中会出现焊线不良等问题，从而给芯片制作厂带来极大的品质隐患和经济损失。
截至目前，业界已经逐渐意识到芯片污染所带来的危害，但随着LED芯片的尺寸越来越小、芯片分选后在承载体(例如蓝膜、UV膜)上固定，使得芯片的清洗难度增加，而传统手动的芯片清洗方法，通过二流体或者高压泵清洗机对芯片进行清洗，往往清洗不彻底，造成芯粒掉落损失。为了提高芯片清洗效率，现有技术逐渐开发出一种芯片自动清洗装置，例如专利文献CN109962028A公开了一种用于芯片的全自动清洗装置和清洗工艺，此自动清洗装置虽然提高了芯片清洗效率，但在芯片的清洗过程中往往造成芯粒的大量掉落和损失，另外，在芯片清洗过程中往往药液处理不干净，残留的药液给芯片带来了二次污染，使得芯片清洗效果差。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种芯片清洗方法，以至少解决现有技术存在的清洗后芯粒容易掉落损失、药液残留造成芯片二次污染等问题。
本发明提供一种芯片清洗方法，包括以下步骤：对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、第二混合液、二流体进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理；其中，第一混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液中冷脱脂剂的体积浓度低于第一混合液中冷脱脂剂的体积浓度。
根据本发明的一实施方式，第一烘烤处理的条件为：烘烤温度25-65℃，烘烤时间为300-1800秒；和/或，第二烘烤处理的条件为：烘烤温度25-65℃，烘烤时间为200-1800秒。
根据本发明的一实施方式，冷脱脂剂包括LF-106冷脱脂剂、HWJ-109冷脱脂剂中的至少一种。
根据本发明的一实施方式，第一混合液中，冷脱脂剂和水的体积之比为1:1-1:15；和/或，第二混合液中的冷脱脂剂和水的体积之比为1:5-1:25。
根据本发明的一实施方式，还包括：采用第一混合液进行清洗处理后，先采用二流体进行清洗处理，再采用第二混合液进行清洗处理。
根据本发明的一实施方式，采用第一混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第一混合液中浸泡5-80秒后，对芯片进行刷洗处理；和/或，采用第二混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第二混合液中浸泡5-80秒后，对芯片进行刷洗处理。
根据本发明的一实施方式，采用芯片自动清洗机进行刷洗处理，芯片自动清洗机包括清洗台、以及用于刷洗处理的毛刷，在刷洗处理过程中，芯片置于清洗台上并被毛刷刷洗，清洗台的旋转速度为0-500RPM，刷洗处理的时间为1-80秒。
根据本发明的一实施方式，二流体包括气体和液体；和/或，采用二流体进行清洗处理的时间为1-600秒。
根据本发明的一实施方式，采用芯片自动清洗机进行清洗处理，芯片自动清洗机包括清洗台和第一喷嘴，芯片置于清洗台上，喷嘴用于向清洗台上喷淋二流体，采用二流体进行清洗处理的过程中，清洗台的转速为10-1500RPM，二流体包括气体和液体，液体的压力为0.1-0.8MPa，液体的流速为0.1-0.8L/min。
根据本发明的一实施方式，采用压缩气体进行干燥，压缩气体的压力为0.08-0.9MPa，干燥时间为1-600秒，控制芯片旋转速度为100-2500RPM。
本发明的实施，至少具有以下有益效果：
本发明提供的芯片清洗方法，通过第一烘烤处理，能够增强芯片与载体的黏附强度，防止后续清洗过程中芯粒的掉落，能够保证芯片的完整性和品质，对芯片进行第一烘烤处理后，先采用高配比的清洗液对芯片进行清洗处理，能够最大限度的去除芯片表面的污染物，但采用高配比的清洗剂对芯片进行清洗处理后，芯片表面会有冷脱脂剂等残留，因此再采用低配比的清洗剂清洗芯片，能够溶解芯片表面的冷脱脂剂等残留物，然后再采用二流体对芯片进行清洗，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理，进一步地去除芯片的水汽并增强芯片与载体的黏附强度。采用上述芯片清洗方法不仅可以有效去除芯片表面的污染物，而且清洗后的芯片表面不会有残留清洗液，避免出现二次污染，清洗效果好，此外，该清洗方法还具有操作简单、方便等优点，尤其适用于LED芯片的批量清洗。
附图说明
图1为本发明一实施方式中的芯片清洗方法的流程图；
图2为本发明实施1中的清洗后的芯片的整体外观图；
图3为本发明实施2中的清洗后的芯片的能谱仪(EDS)元素分析图；
图4为本发明对比例1中清洗后的芯片的整体外观图；
图5为本发明对比例2中清洗后的芯片表面的能谱仪(EDS)元素分析图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的方案，下面对本发明作进一步地详细说明。
本发明提供的芯片清洗方法，包括以下步骤：对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、第二混合液、二流体进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理；其中，第一混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液中冷脱脂剂的体积浓度低于第一混合液中冷脱脂剂的体积浓度。
具体地，第一次烘烤处理的目的在于增强芯片与载体的黏附强度，防止清洗过程中芯粒的松动脱落，先采用高配比的冷脱脂剂和水的混合试剂对芯片进行清洗处理，是为了最大限度的去除芯片表面的污染物，例如芯片表面的金属、灰尘等颗粒污染物、油脂类污染物等，但采用高配比的混合试剂清洗后的芯片表面会有冷脱脂剂等清洗液的残留，因此采用低配比的冷脱脂剂和水的混合试剂，溶解芯片表面的冷脱脂剂等残留物，然后再采用二流体对芯片进行清洗，采用上述清洗处理不仅可以有效去除芯片表面的污染物，而且清洗后的芯片表面不残留第一混合液、第二混合液等清洗液，不会出现二次污染；将清洗处理后的芯片进行干燥后，再将芯片进行第二烘烤处理，第二次烘烤处理的目的在于烘干芯片上残留的少量水分(水汽)，并进一步增强芯片与载体的黏附强度。
具体地，本发明提供的芯片清洗方法适用于对芯片的表面清洗，尤其针对分选后的发光二极管芯片(LED芯片)的清洗，分选一般是将点测后的LED芯片按照波长、发光强度、反向漏电良率以及工作电压等参数标准进行区别分类，其结果是把LED芯片分成很多档(Bin)和类别，然后通过分选机根据设定的测试标准把LED芯片分装在不同的料盒(Bin盒)内。
芯片具有芯粒和用于固定或承载芯粒的膜，例如蓝膜、UV膜等，本发明的芯片可以是本领域常规芯片，例如载体是蓝膜或UV膜的芯片。
本发明中，可以对芯片进行批量清洗，在具体实施过程中，可以将分选后的芯片装在不同料盒内，其中每个料盒能够装载1-50张芯片，把料盒放入烘烤装置(如烘箱或烤箱等)内进行烘烤，以实现对芯片进行第一烘烤处理，然后再对烘烤处理后的芯片进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，可以把干燥后的芯片装在不同料盒内，把料盒放入烘烤装置(如烘箱或烤箱等)内进行烘烤，以实现对芯片进行第二烘烤处理。
通过第一烘烤处理，能够增强芯片强度，例如加强芯粒与用于固定或承载芯粒的膜之间的黏附力，从而利于后续清洗处理，防止清洗过程中芯粒的松动脱落，保证清洗后芯片的品质。具体地，在一些优选实施例中，第一烘烤处理的温度可以为25-65℃，例如25℃、30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃或其中的任意两者组成的范围，第一烘烤处理的时间为300-1800秒，例如300秒、400秒、800秒、1000秒、1500秒、1800秒或其中的任意两者组成的范围。
经干燥后，芯片上一般会残留少量水气，通过第二烘烤处理，可以去除芯片表面残留的水汽，并进一步保证增强芯片强度，避免芯粒的松动脱落，保证清洗后芯片的品质。经进一步研究，第二烘烤处理的温度可以为25-65℃，例如25℃、30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃或其中的任意两者组成的范围，第二烘烤处理的时间为200-1800秒，例如200秒、400秒、800秒、1000秒、1500秒、1800秒或其中的任意两者组成的范围。
一般情况下，冷脱脂剂为液体状态，包括碱性脱脂剂、乳液脱脂剂、溶剂脱脂剂中的至少一种。在一些实施例中，冷脱脂剂包括LF-106冷脱脂剂、HWJ-109冷脱脂剂中的至少一种，具体可以是选自龙飞环保科技有限公司型号为LF-106的冷脱脂剂，也可以是选自辉炜佳金属科技有限公司型号为HWJ-109的冷脱脂剂。
在一些实施例中，第一混合液中，冷脱脂剂和水的体积之比为1:1-1:15，例如1:1、1:3、1:5、1:7、1:8、1:11、1:13、1:15或其中的任意两者组成的范围，具体实施时，第一混合液可以是由冷脱脂剂和水组成。
在一些实施例中，第二混合液中的冷脱脂剂和水的体积之比为1:5-1:25，例如1:5、1:7、1:10、1:12、1:15、1:18、1:20、1:25或其中的任意两者组成的范围，具体实施时，第二混合液可以是由冷脱脂剂和水组成。
在一些实施例中，还包括：采用第一混合液进行清洗处理后，先采用二流体进行清洗处理，再采用第二混合液进行清洗处理。具体地，如图1所示，对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、二流体(记为第一二流体)、第二混合液、二流体(记为第二二流体)进行清洗处理，进一步去除芯片表面的第一混合液、第二混合液等清洗液残留物。
在一些实施例中，二流体包括气体和液体，即上述第一二流体可以包括气体和液体，第二二流体可以包括气体和液体，第一二流体、第二二流体可以相同或不同。可选地，二流体中的液体可以包括水，例如去离子水，气体可以包括高纯氮气。
在一些实施例中，采用第一混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第一混合液中浸泡5-80秒后，对芯片进行刷洗处理。
在本发明的具体实施中，采用芯片自动清洗机对芯片进行清洗处理，其中芯片自动清洗机包括清洗室、清洗台、至少一个喷头，清洗台设置在清洗室内，用于向清洗机的清洗室喷入第一混合液的第一喷头，第一喷头设置有连接第一混合液的管道。在采用芯片自动清洗机进行清洗处理时，将芯片放置在清洗台上，第一喷头朝向芯片，将第一混合液通过第一喷头喷淋在芯片上，使得第一混合液浸没芯片，浸泡后对芯片进行刷洗处理，其中喷淋时间为3-50秒，例如3秒、8秒、12秒、24秒、48秒、50秒或其中的任意两者组成的范围，浸泡时间为5-80秒，例如5秒、10秒、20秒、30秒、40秒、50秒、60秒、70秒、80秒或其中的任意两者组成的范围。
在一些实施例中，采用第二混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第二混合液中浸泡5-80秒后，对芯片进行刷洗处理。
在本发明的具体实施中，采用芯片自动清洗机对芯片进行清洗处理，其中芯片自动清洗机包括清洗室、清洗台、至少一个喷头，清洗台设置在清洗室内，用于向清洗机的清洗室喷入第二混合液的第二喷头，第二喷头设置有连接第二混合液的管道。在采用芯片自动清洗机进行清洗处理时，将待清洗的芯片放置在清洗台上，第二喷头朝向待清洗的芯片，将第二混合液通过第二喷头喷淋在待清洗的芯片上，使得第二混合液浸没芯片，浸泡后对芯片进行刷洗处理，其中喷淋时间为3-50秒，例如3秒、8秒、12秒、24秒、48秒、50秒或其中的任意两者组成的范围，浸泡时间为5-80秒，例如5秒、10秒、20秒、30秒、40秒、50秒、60秒、70秒、80秒或其中的任意两者组成的范围。
在一些实施例中，采用芯片自动清洗机进行刷洗处理，芯片自动清洗机包括清洗台、以及用于刷洗处理的毛刷，在刷洗处理过程中，芯片置于清洗台上并被毛刷刷洗，清洗台的旋转速度为0-500RPM，刷洗处理的时间为1-80秒。
具体地，芯片自动清洗机包括清洗室、清洗台(或称载台)、毛刷，其中清洗台设置在清洗室内，将芯片放置在载台上，毛刷在芯片表面进行刷洗，其中当载台的旋转速度为零时，载台以及载台上的芯片不旋转，毛刷在芯片表面以扇形摆动刷洗1-80秒，例如1秒、5秒、10秒、20秒、30秒、40秒、50秒、60秒、70秒、80秒或其中的任意两者组成份范围，当载台的旋转速度不为零时，载台带动载台上的芯片旋转，载台的旋转速度为0-500RPM，例如0、20RPM、50RPM、100RPM、150RPM、200RPM、300RPM、400RPM、500RPM或其中的任意两者组成的范围，RPM是指转每分，每分钟的旋转次数，例如150RPM是指150转每分，即载台每分钟旋转150转，载台旋转速度等于芯片旋转速度。芯片自动清洗机可以采用常规的芯片自动清洗机，例如可以是型号为C1502BS的芯片自动清洗机。
具体地，采用二流体清洗装置来进行二流体清洗处理，二流体清洗装置包括二流体喷头、进气管、进液管、连接管，进液管通过连接管与二流体喷嘴相连，进气管通过连接管与二流体喷头连接。在二流体清洗过程中，进气管中通入的是气体，进液管中通入的是液体，进气管通过连接管将气体通入二流体喷头，进液管通过连接管将液体通入二流体喷头，进气管中的气体和进液管中的液体在连接管内混合形成二流体水气混合液，二流体水气混合液通过二流体喷头产生二流体喷雾，二流体喷雾对芯片进行冲洗，二流体喷雾进入芯片表面的细孔内，利用气体的力量，吹掉芯片表面的水分，提高清洗效果，实现二流体喷雾对芯片的清洗处理，其中气体包括氮气。
在一些实施例中，采用二流体进行清洗处理的时间为1-600秒，例如1秒、15秒、25秒、35秒、45秒、60秒、100秒、200秒、300秒、400秒、500秒、600秒或其中的任意两者组成的范围。
在一些实施例中，采用芯片自动清洗机进行清洗处理，芯片自动清洗机包括清洗台和第一喷嘴，芯片置于清洗台上，喷嘴用于向清洗台上喷淋二流体，采用二流体进行清洗处理的过程中，清洗台的转速为10-1500RPM，例如10RPM、50RPM、100RPM、500RPM、1000RPM、1500RPM或其中的任意两者组成的范围，二流体包括气体和液体，液体的压力为0.1-0.8MPa，例如0.1Mpa、0.12Mpa、0.2Mpa、0.4Mpa、0.5Mpa、0.6Mpa、0.7Mpa、0.8Mpa或其中的任意两者组成的范围，液体的流速为0.1-0.8L/min，例如0.1L/min、0.12L/min、0.13L/min、0.2L/min、0.4L/min、0.6L/min、0.8L/min或其中的任意两者组成的范围。例如，在一些实施例中，二流体中的液体为水，采用二流体进行清洗处理的过程中，可以控制该水的水压为0.1-0.8MPa。
具体地，芯片自动清洗机包括清洗室、设置在清洗室内的清洗台、用于向清洗机的清洗室喷入第一混合液的第一喷嘴、用于向清洗机的清洗室喷入第二混合液的第二喷嘴、用于向清洗机的清洗室喷入二流体的二流体喷嘴。在采用上述芯片自动清洗机进行芯片的清洗处理时，将芯片放置在清洗台上，通过第一喷嘴向清洗台上的芯片喷淋第一混合液，通过第二喷嘴向清洗台上的芯片喷淋第二混合液，通过二流体喷嘴向清洗台上的芯片喷淋二流体。具体地，在采用二流体进行清洗处理的过程中，将芯片放置在清洗台上，随清洗台转动，芯片的转速基本等于清洗台的转速。
在一些实施例中，采用压缩气体进行干燥，压缩气体是被压缩的空气，例如压缩氮气，压缩气体的压力为0.08-0.9MPa，例如0.08MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.4MPa、0.6MPa、0.8MPa、0.9MPa或其中的任意两者组成的范围，干燥时间为1-600秒，例如1秒、20秒、30秒、40秒、80秒、120秒、200秒、400秒、600秒或其中的任意两者组成的范围，控制芯片旋转速度为100-2500RPM，例如100RPM、150RPM、200RPM、500RPM、1000RPM、1500RPM、1800RPM、2000RPM、2500RPM或其中的任意两者组成的范围。
具体地，采用芯片自动清洗机进行干燥处理，芯片自动清洗机包括包括清洗室、设置在清洗室内的清洗台、用于向清洗机的清洗室喷入压缩空气的第三喷嘴，具体过程包括：将芯片放置在清洗台上，随清洗台转动，芯片的转速基本等于清洗台的转速，通过第三喷嘴朝向芯片喷压缩气体进行干燥处理，利用压缩空气的力量吹掉残留在芯片上的水分，利用载台的离心力去除芯片上的水分，从而实现干燥，具体地，在采用二流体进行清洗处理的过程中，将芯片放置在清洗台上。
一般情况下，采用上述芯片清洗方法清洗芯片后，可以在清洗后的芯片表面贴上离型纸，保护清洗后的芯片不受污染，更利于对清洗后的芯片进行保存。
下面通过具体实施例和对比例对本发明作进一步的说明。
实施例1
在型号为C1502BS的芯片自动清洗机上进行芯片清洗，其中上述芯片自动清洗机包括清洗室、清洗台(或称载台)、用于向清洗机的清洗室喷入第一混合液的第一喷嘴、用于向清洗机的清洗室喷入第二混合液的第二喷嘴、用于向清洗机的清洗室喷入二流体的二流体喷嘴、用于向清洗机的清洗室喷入压缩气体的第三喷嘴，其中芯片为分选后的LED芯片，载体为蓝膜，冷脱脂剂为龙飞环保科技有限公司型号为LF-106的冷脱脂剂，采用以下步骤进行芯片的清洗：
S1、将芯片放入烘箱中进行第一烘烤处理，其中烘箱温度为35℃，烘烤时间为1200秒；
S2、将芯片放置在载台上，使第一混合液朝向芯片喷淋12秒后，浸没芯片，浸泡5秒后，使用毛刷在芯片表面以扇形摆动刷洗30秒，其中第一混合液中冷脱脂剂和去离子水的体积比为冷脱脂剂：去离子水＝1:5，载台的转动速度为150RPM；
S3、采用二流体冲洗芯片，其中载台转动速度为1000RPM，冲洗时间为35秒，二流体为氮气和水，二流体的水压为0.12Mpa，水流量为0.13L/min；
S4、将芯片放置在称载台上，使第二混合液朝向芯片喷淋15秒后，浸没芯片，浸泡8秒后，使用毛刷在芯片表面以扇形摆动刷洗30秒，其中第二混合液中冷脱脂剂和去离子水的体积比为冷脱脂剂：去离子水＝1:12，载台的转动速度为150RPM；
S5、采用二流体冲洗芯片，其中载台的转动速度为1000RPM，冲洗时间为45秒，二流体为氮气和水，二流体的水压为0.1Mpa，水流量为0.12L/Min；
S6、采用压缩气体对芯片表面进行干燥，其中压缩气体的压力为0.1Mpa，载台的转动速度为1800RPM，干燥时间为40秒；
S7、将芯片放入烘箱中进行第二烘烤处理得到清洗后的芯片，记为样品1，其中烘箱温度为45℃，烘烤时间为1500秒。
实施例2
与实施例1的区别在于，在S2步骤中，将第一混合液中冷脱脂剂和去离子水的体积比为冷脱脂剂：去离子水＝1:5替换为冷脱脂剂：去离子水＝1:7，其余条件与实施例1相同。
实施例3
与实施例1的区别在于，在S1步骤中，将烘箱温度为35℃，烘烤时间为1200秒替换为烘箱温度为40℃，烘烤时间为900秒，其余条件与实施例1相同。
对比例1
与实施例1的区别在于，取消S1步骤，其余条件与实施例1相同。
对比例2
与实施例1的区别在于，取消S4步骤和S5步骤，其余条件与实施例1相同。
图1为本发明一实施方式的芯片清洗方法的流程图。
图2为实施例1中的清洗后的芯片的整体外观图，根据图2可知，采用本发明提供的芯片清洗方法得到芯片排列整齐，芯片完整，没有脱落损失。
图3为实施例2中的清洗后的芯片的电极区域的EDS元素分析图，表1为根据图3计算得到的清洗后的芯片的电极区域的元素组成表，根据表1可知，清洗后的芯片的电极区域除了痕量碳(C)、氧(O)元素外，主要是电极表面的金(Au)元素，说明芯片表面清洗的干净，没有残留物。
图4为对比例1中的清洗后的芯片的整体外观图，根据图4可知，清洗过程中掉落了芯粒，说明芯粒与蓝膜之间的粘附力较差，在后续清洗过程造成了芯粒的脱落损失。
图5为对比例2中的清洗后的芯片的电极区域的EDS元素分析图，表2为根据图5计算得到的清洗后的芯片的电极区域的元素组成表，根据图5和表2可知，在芯片的电极区域检测出C、O等元素含量增加，说明芯片上的有机脂类污染物增多，缺少了第二混合液清洗处理，使得冷脱脂剂没有被完全溶解和去除；此外，芯片的电极区域检测出其他微量元素，例如铝(Al)、氯(Cl)、钛(Ti)、银(Ag)等微量元素，说明芯片清洗效果不好。
表1
表2
综上所述，本发明提供的芯片清洗方法，不仅能够有效去除芯片表面的金属、灰尘等颗粒污染物、油脂类污染物，保证芯片表面没有清洗剂等二次污染物，而且能够保证芯粒不掉落，确保了芯片的完整性和品质，此外该清洗方法操作简单、方便，尤其适用于LED芯片的批量清洗。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于上述实施方式。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种芯片清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：
对芯片进行第一烘烤处理后，再依次采用第一混合液、第二混合液、二流体进行清洗处理，将清洗处理后的芯片进行干燥后，再进行第二烘烤处理；其中，所述第一混合液包括冷脱脂剂和水，第二混合液包括冷脱脂剂和水，所述第二混合液中冷脱脂剂的体积浓度低于第一混合液中冷脱脂剂的体积浓度；
所述冷脱脂剂包括LF-106冷脱脂剂、HWJ-109冷脱脂剂中的至少一种；
采用第一混合液进行清洗处理后，先采用二流体进行清洗处理，再采用第二混合液进行清洗处理；
采用第一混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第一混合液中浸泡5-80秒后，对芯片进行刷洗处理；和/或，
所述采用第二混合液进行清洗处理的过程包括：将芯片在第二混合液中浸泡5-80秒后，对芯片进行刷洗处理。
2.根据权利要求1所述的一种芯片清洗方法，其特征在于：所述第一烘烤处理的条件为：烘烤温度25-65℃，烘烤时间为300-1800秒；和/或，
所述第二烘烤处理的条件为：烘烤温度25-65℃，烘烤时间为200-1800秒。
3.根据权利要求1所述的一种芯片清洗方法，其特征在于：所述第一混合液中，所述冷脱脂剂和水的体积之比为1:1-1:15；和/或，
所述第二混合液中的冷脱脂剂和水的体积之比为1:5-1:25。
4.根据权利要求1所述的一种芯片清洗方法，其特征在于：采用芯片自动清洗机进行所述刷洗处理，所述芯片自动清洗机包括清洗台、以及用于所述刷洗处理的毛刷，在所述刷洗处理过程中，所述芯片置于所述清洗台上并被所述毛刷刷洗，所述清洗台的旋转速度为0-500RPM，所述刷洗处理的时间为1-80秒。
5.根据权利要求1所述的一种芯片清洗方法，其特征在于：所述二流体包括气体和液体；和/或，采用二流体进行清洗处理的时间为1-600秒。
6.根据权利要求1所述的一种芯片清洗方法，其特征在于：采用芯片自动清洗机进行所述清洗处理，所述芯片自动清洗机包括清洗台和第一喷嘴，所述芯片置于所述清洗台上，所述喷嘴用于向所述清洗台上喷淋二流体，采用所述二流体进行清洗处理的过程中，所述清洗台的转速为10-1500RPM，所述二流体包括气体和液体，所述液体的压力为0.1-0.8MPa，液体的流速为0.1-0.8L/min。
7.根据权利要求1所述的一种芯片清洗方法，其特征在于：采用压缩气体进行所述干燥，所述压缩气体的压力为0.08-0.9MPa，干燥时间为1-600秒，控制所述芯片旋转速度为100-2500RPM。
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