JP2011082200A - 現像処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程S14〜S16と、処理液が供給された基板上から、処理液を除去する処理液除去工程S18、S19とを有する。
【選択図】図7
Description
(実施例1)
実施例1として、図7に示すステップS11からステップS20の各工程を行った。ステップS13からステップS20の各工程の条件は、表1に示す処理レシピの例に従って実施した。ただし、表1のステップS14からステップS16で供給する処理液として、TMSDMAをHFE:TMSDMA=100:1の混合比で希釈した処理液を用いた。
(比較例1)
比較例1として、処理液の種類を変更した以外は、実施例1と同様にして、図7に示すステップS11からステップS20の各工程を行った。比較例1では、ステップS14からステップS16で供給する処理液として、TMSDMAを含まないHFEよりなる処理液を用いた。
(比較例2)
比較例2として、処理液供給工程及び疎水化安定化工程を行わず、リンス液(純水)のみでリンスする現像処理方法を行った。すなわち、表1に示す処理レシピのうちステップS13からステップS17を省略し、図7に示すステップS11、ステップS12、ステップS18からステップS20の各工程を行った。
(実施例2)
実施例2として、露光時のベストフォーカス位置からフォーカス位置をずらし、かつ、露光時のドーズ量を変更したこと以外は、実施例1と同様にして、図7に示すステップS11からステップS20の各工程を行った。パターンとしては、ライン幅120nm及びスペース幅120nm(ピッチ240nm)、並びに高さ380nmを有するレジストパターンを形成した。各フォーカス位置のずれ量及び各ドーズ量の条件に対応して得られたパターンの線幅であるCD(Critical Dimension)値を、走査型電子顕微鏡SEM(Scanning Electron Microscope)を用いて測定した。これらの値を表2に示す。
(比較例3)
比較例3として、露光時のベストフォーカス位置からフォーカス位置をずらし、かつ、露光時のドーズ量を変更したこと以外は、比較例1と同様にして行った。また、パターンとしては、実施例2と同様に、ライン幅120nm及びスペース幅120nm(ピッチ240nm)、並びに高さ380nmを有するレジストパターンを形成した。比較例1と同様に、ステップS14からステップS16で供給する処理液として、TMSDMAを含まないHFEよりなる処理液を用いた。各フォーカス位置のずれ量及び各ドーズ量の条件に対応して得られたパターンのCD値を表3に示す。
(比較例4)
比較例4として、露光時のベストフォーカス位置からフォーカス位置をずらし、かつ、露光時のドーズ量を変更したこと以外は、比較例2と同様にして行った。また、パターンとしては、実施例2と同様に、ライン幅120nm及びスペース幅120nm(ピッチ240nm)、並びに高さ380nmを有するレジストパターンを形成した。比較例2と同様に、処理液供給工程及び疎水化安定化工程を行わず、リンス液(純水)のみでリンスする現像処理方法を行った。各フォーカス位置のずれ量及び各ドーズ量の条件に対応して得られたパターンのCD値を表4に示す。
15 リンスノズル
16 処理液ノズル
29 レジストパターン
31 現像液供給機構
32 リンス液供給機構
33 処理液供給機構
36 現像液ノズル
41 現像液
42 リンス液
43 処理液
52 スピンチャック
Claims (7)
- レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、前記レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程と
を有する、現像処理方法。 - 前記処理液供給工程の後、前記処理液除去工程の前に、
前記処理液の供給を停止し、前記基板の回転を略停止した状態で、前記レジストパターンの疎水化処理を安定化させる疎水化処理安定化工程を有する、請求項1に記載の現像処理方法。 - 前記疎水化剤は、トリメチルシリルジメチルアミンである、請求項1又は請求項2に記載の現像処理方法。
- 前記処理液供給工程は、
前記基板を第1の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第1の供給工程と、
前記第1の供給工程の後に、前記基板を前記第1の回転数よりも高い第2の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第2の供給工程と、
前記第2の供給工程の後に、前記基板を前記第2の回転数よりも低い第3の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第3の供給工程と
を有する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の現像処理方法。 - 前記処理液供給工程の前に、
前記基板を前記第1の回転数よりも低い第4の回転数で回転させながら、前記基板上に前記リンス液を供給するリンス液供給工程を有する、請求項4に記載の現像処理方法。 - 前記処理液除去工程は、
前記基板を第5の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第1の除去工程と、
前記第1の除去工程の後に、前記基板を前記第5の回転数よりも高い第6の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第2の除去工程と
を有する、請求項5に記載の現像処理方法。 - 前記処理液除去工程を、前記基板上にリンス液を供給しながら行う、請求項1から請求項6のいずれかに記載の現像処理方法。
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