JP2013115167A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の基板30の一方の面に第1の半導体素子10が接合され、他方の面に第1の絶縁材50を介して第1の放熱板70が接合され、種類の異なる複数の端子90、91、92が側方に延び、モールド成形された第1のユニット170と、第2の基板40の一方の面に第2の半導体素子20が接合され、他方の面に第2の絶縁材60を介して第2の放熱板80が接合され、種類の異なる複数の端子100、101、102が側方に延び、モールド成形された第2のユニット180とを有し
、前記第1のユニットと前記第2のユニットが対向して固定され、前記種類の異なる複数の端子のうち、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子90、100は重なって配置され、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が不要な端子は重ならずに配置される。
【選択図】図1
Description
第2の基板の一方の面に第2の半導体素子が接合され、他方の面に第2の絶縁材を介して第2の放熱板が接合され、前記第2の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子が側方に延び、封止樹脂によりモールド成形された第2のユニットとを有し、
前記第1のユニットの前記第1の半導体素子側の面と前記第2のユニットの前記第2の半導体素子側の面が対向した状態で固定され、
前記第1の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子及び前記第2の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子のうち、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子は、前記封止樹脂の外部で重なるように配置され、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が不要な端子は、前記封止樹脂の外部で上面視にて重ならないように配置されたことを特徴とする。
30、40、41、150 金属板
50、60 絶縁材
70、72、80、82 放熱板
71、73、81、83 冷却フィン
90、94、100、104 信号端子
91、93、95、101、103、105 外部接続端子
92、96 正極端子
102、106 負極端子
110、111、112 ボンディングワイヤ
120 はんだ
130、131、134、137、138、140、141、144、147、148 封止樹脂
132、142 凹凸形状
133、146 位置決めピン
136、143 位置決め穴
160、161 溶接部
170〜175 上アームユニット
180〜185 下アームユニット
Claims (13)
- 第1の基板の一方の面に第1の半導体素子が接合され、他方の面に第1の絶縁材を介して第1の放熱板が接合され、前記第1の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子が側方に延び、封止樹脂によりモールド成形された第1のユニットと、
第2の基板の一方の面に第2の半導体素子が接合され、他方の面に第2の絶縁材を介して第2の放熱板が接合され、前記第2の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子が側方に延び、封止樹脂によりモールド成形された第2のユニットとを有し、
前記第1のユニットの前記第1の半導体素子側の面と前記第2のユニットの前記第2の半導体素子側の面が対向した状態で固定され、
前記第1の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子及び前記第2の半導体素子と電気的に接続された種類の異なる複数の端子のうち、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子は、前記封止樹脂の外部で重なるように配置され、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が不要な端子は、前記封止樹脂の外部で上面視にて重ならないように配置されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の放熱板及び前記第2の放熱板は、外側の表面のみが前記封止樹脂から露出したことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の放熱板及び前記第2の放熱板の外側の表面上には、冷却フィンが設けられたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1の基板及び前記第2の基板は、金属板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1のユニットと前記第2のユニットの対向面が接合されることにより、前記第1のユニットと前記第2のユニットが固定されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1のユニットと前記第2のユニットの対向面には、接合面を増加させる凹凸形状が形成されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1のユニットと前記第2のユニットの側面に、互いに係合可能なフック構造が形成され、
該フック構造により前記第1のユニットと前記第2のユニットが固定されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1のユニットと前記第2のユニットの対向面同士の間には金属板が挿入され、
該金属板の各面に前記第1のユニット及び前記第2のユニットの対向面が接合されることにより、前記第1のユニットと前記第2のユニットが固定されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1のユニットと前記第2のユニットの対向面には、互いに嵌合する位置決め用の嵌合構造が形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記位置決め用の嵌合構造は、位置決めピン及び位置決め穴を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子は、重なる部分のうち先端で接合されたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子は、重なる部分のうち前記第1及び第2の半導体素子に最も近接した位置でも更に接合されたことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子は、一体のリードフレームとして構成されたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003023280A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Daikin Ind Ltd | パワーモジュール |
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---|---|---|---|---|
JP2003023280A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Daikin Ind Ltd | パワーモジュール |
JP2004193476A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2005302951A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置パッケージ |
JP2009295794A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016197677A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置および車載用回転電機の駆動装置 |
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