JP2013110190A - 半導体ユニット、及び、半導体ユニットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ユニット10は、第1、第2金属プレートと、第1中間金属プレートと、第1、第2半導体装置と、第1、第2セラミック体を有する。第1半導体装置は、第1金属プレートと第1中間金属プレートの間に配置されている。第2半導体装置は、第1中間金属プレートと第2金属プレートの間であって、積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重ならない位置に配置されている。第1セラミック体は、第1金属プレートと第1中間金属プレートの間であって、前記積層方向に沿って見たときに第2半導体装置と重なる位置に配置されている。第2セラミック体は、第1中間金属プレートと第2金属プレートの間であって、前記積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重なる位置に配置されている。
【選択図】図3
Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:上部金属プレート
14:下部金属プレート
16〜20:中間金属プレート
30a〜30f:セラミックブロック
40:貫通孔
50a〜50f:半導体装置
54:金属ブロック
58:樹脂層
60:樹脂層
70:冷却器
74:冷却器
Claims (8)
- 半導体ユニットであって、
第1金属プレートと、
第2金属プレートと、
第1金属プレートと第2金属プレートの間に配置されている第1中間金属プレートと、
第1金属プレートと第1中間金属プレートの間に配置されており、第1金属プレート及び第1中間金属プレートに接続されている第1半導体装置と、
第1中間金属プレートと第2金属プレートの間に配置されており、第1金属プレートと第1中間金属プレートと第2金属プレートの積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重ならない位置に配置されており、第1中間金属プレート及び第2金属プレートに接続されている第2半導体装置と、
第1金属プレートと第1中間金属プレートの間に配置されており、前記積層方向に沿って見たときに第2半導体装置と重なる位置に配置されており、第1金属プレート及び第1中間金属プレートに接触しており、絶縁体である第1セラミック体と、
第1中間金属プレートと第2金属プレートの間に配置されており、前記積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重なる位置に配置されており、第1中間金属プレート及び第2金属プレートに接触しており、絶縁体である第2セラミック体、
を有する半導体ユニット。 - 第1セラミック体が、前記積層方向に沿って伸びる貫通孔を有しており、
第1半導体装置が、第1セラミック体の貫通孔内に配置されており、
第2セラミック体が、前記積層方向に沿って伸びる貫通孔を有しており、
第2半導体装置が、第2セラミック体の貫通孔内に配置されている、
請求項1に記載の半導体ユニット。 - 第1金属プレートと第2金属プレートの間に配置されている第2中間金属プレートと、
第1金属プレートと第2中間金属プレートの間に配置されており、第1金属プレート及び第2中間金属プレートに接続されている第3半導体装置と、
第2中間金属プレートと第2金属プレートの間に配置されており、前記積層方向に沿って見たときに第3半導体装置と重ならない位置に配置されており、第2中間金属プレート及び第2金属プレートに接続されている第4半導体装置と、
第1金属プレートと第2中間金属プレートの間に配置されており、前記積層方向に沿って見たときに第4半導体装置と重なる位置に配置されており、第1金属プレート及び第2中間金属プレートに接触しており、絶縁体である第3セラミック体と、
第2中間金属プレートと第2金属プレートの間に配置されており、前記積層方向に沿って見たときに第3半導体装置と重なる位置に配置されており、第2中間金属プレート及び第2金属プレートに接触しており、絶縁体である第4セラミック体、
をさらに有しており、
第3セラミック体が、前記積層方向に沿って伸びる貫通孔を有しており、
第3半導体装置が、第3セラミック体の貫通孔内に配置されており、
第4セラミック体が、前記積層方向に沿って伸びる貫通孔を有しており、
第4半導体装置が、第4セラミック体の貫通孔内に配置されており、
第1セラミック体が第3セラミック体と接触しており、
第2セラミック体が第4セラミック体と接触している、
請求項2に記載の半導体ユニット。 - 第1半導体装置と第1セラミック体との間に樹脂層が形成されており、
第2半導体装置と第2セラミック体との間に樹脂層が形成されている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体ユニット。 - 半導体ユニットを製造する方法であって、
第1金属プレートと第1中間金属プレートの間に第1半導体装置を接続する第1接続工程と、
第1中間金属プレートと第2金属プレートの間に第2半導体装置を接続する第2接続工程と、
第1金属プレートと第1中間金属プレートの間に第1絶縁ブロックを固定する第1絶縁ブロック固定工程と、
第1中間金属プレートと第2金属プレートの間に第2絶縁ブロックを固定する第2絶縁ブロック固定工程、
を有しており、
前記各工程の実施後に、以下の状態、すなわち、
第1中間金属プレートが、第1金属プレートと第2金属プレートの間に配置され、
第2半導体装置が、第1金属プレートと第1中間金属プレートと第2金属プレートの積層方向に沿って見たときに、第1半導体装置と重ならない位置に配置され、
第1絶縁ブロックが、前記積層方向に沿って見たときに第2半導体装置と重なる位置に配置され、第1金属プレート及び第1中間金属プレートに接触し、
第2絶縁ブロックが、前記積層方向に沿って見たときに第1半導体装置と重なる位置に配置され、第1中間金属プレート及び第2金属プレートに接触する、
という状態が得られる製造方法。 - 第1絶縁ブロックに、貫通孔が形成されており、
第2絶縁ブロックに、貫通孔が形成されており、
前記各工程の実施後に、以下の状態、すなわち、
第1絶縁ブロックの貫通孔が、前記積層方向に沿って伸び、
第1半導体装置が、第1絶縁ブロックの貫通孔内に配置され、
第2絶縁ブロックの貫通孔が、前記積層方向に沿って伸び、
第2半導体装置が、第2絶縁ブロックの貫通孔内に配置される、
という状態が得られる請求項5に記載の製造方法。 - 第1金属プレートと第2中間金属プレートの間に第3半導体装置を接続する第3接続工程と、
第2中間金属プレートと第2金属プレートの間に第4半導体装置を接続する第4接続工程と、
第1金属プレートと第2中間金属プレートの間に、貫通孔が形成されている第3絶縁ブロックを固定する第3絶縁ブロック固定工程と、
第2中間金属プレートと第2金属プレートの間に、貫通孔が形成されている第4絶縁ブロックを固定する第4絶縁ブロック固定工程、
をさらに有しており、
前記各工程の実施後に、以下の状態、すなわち、
第2中間金属プレートが、第1金属プレートと第2金属プレートの間に配置され、
第4半導体装置が、前記積層方向に沿って見たときに、第3半導体装置と重ならない位置に配置され、
第3絶縁ブロックが、前記積層方向に沿って見たときに第4半導体装置と重なる位置に配置され、第1金属プレート及び第2中間金属プレートに接触し、
第4絶縁ブロックが、前記積層方向に沿って見たときに第3半導体装置と重なる位置に配置され、第2中間金属プレート及び第2金属プレートに接触し、
第3絶縁ブロックの貫通孔が、前記積層方向に沿って伸び、
第3半導体装置が、第3絶縁ブロックの貫通孔内に配置され、
第4絶縁ブロックの貫通孔が、前記積層方向に沿って伸び、
第4半導体装置が、第4絶縁ブロックの貫通孔内に配置され、
第1絶縁ブロックが第3絶縁ブロックと接触し、
第2絶縁ブロックが第4絶縁ブロックと接触する、
という状態が得られる請求項6に記載の製造方法。 - 第1半導体装置と第1絶縁ブロックとの間に樹脂を充填する工程と、
第2半導体装置と第2絶縁ブロックとの間に樹脂を充填する工程、
をさらに有する請求項5〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2019004049A (ja) * | 2017-06-15 | 2019-01-10 | 株式会社ジェイテクト | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031377A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006066895A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Yamaha Motor Co Ltd | パワーモジュールおよびこれを用いた電動輸送機器 |
JP2011181648A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 放熱基板とその製造方法 |
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2011
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