JP2013101898A - エネルギー線照射装置及びワーク搬送機構 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異なる寸法のワークW1、W2がそれぞれ搭載される第1、第2ワークホルダ31a、32aと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域AR1との間で進退移動させる進退機構33と、互いに異なる位置に設けられた第1及び第2ワーク収容部21a、22aと、第1のワーク授受領域にある第1ワークホルダ31aと第1ワーク収容部21aとの間でワークW1を搬送する第1搬送アームと、第2のワーク授受領域にある第2ワークホルダ32aと第2ワーク収容部22aとの間でワークを搬送する第2搬送アームとを設けた。
【選択図】図1
Description
ところで、これら搬送アームで取り扱うウェハの寸法は1種類のみである。
そして、このような問題点は、イオン注入装置のみならず、ワークにエネルギー線を照射するエネルギー線照射システム全般に共通することである。
本発明の効果が顕著となる態様としては、前記エネルギー線がイオンビームであり、ワークにイオンを注入するものを挙げることができる。
このように構成した本実施形態における動作を、図3を参照して以下に説明する。
次に、真空予備室11、12が真空にされた後、ウェハ載置台21a、22aが降下してイオン注入室10内に移動する。
昇降ピンに支持された第1ウェハW1は、前記昇降ピンが下降することによって第1プラテン31a上に載置され、静電チャックによって吸着支持される。
この間に第1プラテン31aは、直線進退機構33によってx方向におおよそ第1ウェハW1の保持列間距離分だけ移動し、待機する。
このようにして、第1プラテン31a上に2列に第1ウェハW1が搭載される。
その後、第1プラテン31aは起立して、図3(d)に示すように、イオンビームIBが第1ウェハW1に垂直にあたる前記ビーム照射姿勢となる。
次に、以上と同様の手順を経て、第2プラテン32a上に第2ウェハ載置台22aから第2搬送アーム42aによって搬送された第2ウェハW2が搭載される。
このイオン未注入の第1ウェハW1は、第1ウェハ載置台21aに載ってイオン注入室10に運ばれた後、上側の第1搬送アーム41aによって把持される。
このようにして、第1プラテン31aで保持されていたイオン注入済みの2列の第1ウェハW1が、イオン未注入の第1ウェハW1と交換される。
その後は、この動作が繰り返されて次々異なるサイズの第1ウェハW1及び第2ウェハW2にイオンが注入される。
搬送アームの本数は左右1本ずつでもよい。ただし、前記実施形態のように左右2本ずつにするとスループット(装置の処理能力)が向上する。
ウェハの搬送シーケンスも前記実施形態に限られず、種々考えられる。
また、プラテン上に配置されるウェハは2列に限られず、1列でも3列以上でもよい。ただし、複数列配置して一挙にイオン注入処理を実施した方がスループットは向上する。
プラテンの数は2枚以上あれば良く、同じ寸法のウェハを搬送するプラテンを複数設けておいても良い。例えば、4インチウェハ搬送用のプラテンを1つ、6インチウェハ搬送用のプラテンを2つといった構成である。
ウェハの形状も円形状のみならず矩形状でもよい。
プラテンの搬送方向はビーム照射方向と直交している必要はない。
プラテンの起立角度(寝かし)を調整することでウェハのチルト角の調整してもよい。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
W1、W2・・・ワーク(ウェハ)
31a・・・第1プラテン(第1ワークホルダ)
32a・・・第2プラテン(第2ワークホルダ)
S1・・・第1ワーク授受領域
S2・・・第2ワーク授受領域
AR1・・・照射領域
33・・・進退機構
21a・・・第1ウェハ載置台(第1ワーク収容部)
22a・・・第2ウェハ載置台(第2ワーク収容部)
41a・・・第1搬送アーム
42a・・・第2搬送アーム
Claims (5)
- エネルギー線を所定の照射領域に向かって射出するエネルギー線射出機構と、
前記エネルギー線が照射される対象物であるワークが搭載される第1及び第2ワークホルダと、
前記各ワークホルダを、ワークを授受するためのワーク授受領域と前記照射領域との間で少なくとも進退移動させる進退機構と、
互いに異なる位置に設けられ、かつ互いに異なる寸法のワークが収容される第1及び第2ワーク収容部と、
前記ワーク授受領域と前記第1ワーク収容部との間で往復移動可能に設けられて、前記ワーク授受領域にある前記第1ワークホルダと前記第1ワーク収容部との間でワークを搬送する第1搬送アームと、
前記ワーク授受領域と前記第2ワーク収容部との間で往復移動可能に設けられて、前記ワーク授受領域にある前記第2ワークホルダと前記第2ワーク収容部との間でワークを搬送する第2搬送アームとを具備していることを特徴とするエネルギー線照射システム。 - 前記第1ワーク収容部及び第2ワーク収容部が、前記ワーク授受領域を中心として互いに反対側に設けられている請求項1記載のエネルギー線照射システム。
- 前記ワークホルダが、前記ワーク授受領域において前記搬送アームからワークを受け取った後、前記進退移動方向に所定距離移動して、当該搬送アームから別のワークを受け取ることで、前記進退移動方向に複数のワークが搭載されるように構成してある請求項1又は2記載のエネルギー線照射システム。
- 前記エネルギー線がイオンビームであり、ワークにイオンを注入するものである請求項1乃至3いずれか記載のエネルギー線照射システム。
- エネルギー線が照射される対象物であるワークが載置される第1及び第2ワークホルダと、
前記各ワークホルダを、エネルギー線が照射される所定の照射領域とワークを授受するためのワーク授受領域との間で少なくとも進退移動させる進退機構と、
互いに異なる位置に設けられ、かつ互いに異なる寸法のワークが収容される第1及び第2ワーク収容部と、
前記ワーク授受領域と前記第1ワーク収容部との間で往復移動可能に設けられて、前記ワーク授受領域にある前記第1ワークホルダと前記第1ワーク収容部との間でワークを搬送する第1搬送アームと、
前記ワーク授受領域と前記第2ワーク収容部との間で往復移動可能に設けられて、前記ワーク授受領域にある前記第2ワークホルダと前記第2ワーク収容部との間でワークを搬送する第2搬送アームとを具備していることを特徴とするワーク搬送機構。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014203713A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 日新イオン機器株式会社 | エネルギー線照射システム及びワーク搬送機構 |
JP2015057789A (ja) * | 2014-11-18 | 2015-03-26 | 日新イオン機器株式会社 | エネルギー線照射システム |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61263038A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPS62107447U (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-09 | ||
JPH01173558A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-10 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
JPH11254378A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Ebara Corp | 基板ハンドリングロボット |
JP2010505223A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板保持装置 |
JP2010287416A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61263038A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPS62107447U (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-09 | ||
JPH01173558A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-10 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
JPH11254378A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Ebara Corp | 基板ハンドリングロボット |
JP2010505223A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板保持装置 |
JP2010287416A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014203713A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 日新イオン機器株式会社 | エネルギー線照射システム及びワーク搬送機構 |
JP2015057789A (ja) * | 2014-11-18 | 2015-03-26 | 日新イオン機器株式会社 | エネルギー線照射システム |
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