JP2013093485A - 配線基板の製造方法およびそれを用いた実装構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法およびそれを用いた実装構造体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板4の製造方法は、第1樹脂10と該第1樹脂10に被覆されたガラス繊維12とを含む繊維層14を有する基体7を準備する工程と、サンドブラスト法を用いて、微粒子を基体7に向かって噴射することによって、基体7にスルーホールTを形成する工程と、スルーホールT内にスルーホール導体8を形成する工程とを備える。
【選択図】図2
Description
(1)図2(a)に示すように、基体7と該基体7の上下に配された銅箔17xとからなる銅張積層板5xを準備する。具体的には、例えば以下のように行う。
(2)図2(b)に示すように、サンドブラスト法を用いて銅張積層板5xにスルーホールTを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
(3)図2(c)に示すように、基体7にスルーホール導体8、絶縁体9および導電層17を形成し、コア基板5を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
(4)図2(d)に示すように、コア基板5の両側に一対の配線層6を形成することにより、配線基板4を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
(5)最上層の導電層17上面にバンプ3を形成するとともにバンプ3を介して配線基板4に電子部品2をフリップチップ実装する。
(評価方法)
基体の上下に銅箔を積層してなる銅張積層板を作製し、サンドブラスト法、ドリル加工またはレーザー加工(355nmUV)でスルーホールを形成した。次に、無電解めっき法および電気めっき法を用いて、スルーホールの内壁にスルーホール導体を形成した。その後、スルーホール導体形成前後の銅張積層板を厚み方向に切断し、電界放出型電子顕微鏡または金属顕微鏡を用いて、切断面を観察した。
まず、未硬化のエポキシ樹脂(樹脂)、シリカフィラー(無機絶縁粒子)およびガラスクロス(基材)を含む樹脂シートを準備した。なお、樹脂シートは、シリカフィラーを60体積%を含んでいる。
サンドブラスト法は、微粒子の噴射量:50g/min、微粒子を噴射する圧力:0.15MPa、微粒子の形状:破砕粒子、微粒子の粒径:26μm、微粒子の材料:アルミナの条件下で行った。
図3(a)、(b)および図4(a)に示すように、ドリル加工およびレーザー加工ではガラスクロスと樹脂の間にスルーホール導体が染み込んでいたが、サンドブラスト法では、ガラスクロスと樹脂が密着しており、スルーホール導体の染み込みは見られなかった。
(評価方法)
基体の上下に銅箔を積層してなる銅張積層板を作製し、サンドブラスト法において破砕粒子または球状粒子を噴射して、スルーホールを形成した後、銅張積層板を厚み方向に切断し、電界放出型電子顕微鏡を用いて切断面を観察した。
上述したスルーホール加工の比較と同様に、銅張板積層板を作製した。
球状粒子は、材料:磁性材料粉末Fe−Si−B−Cr、粒径:11μmである。他の条件は、上述したスルーホール加工の比較と同様である。
図5に示すように、球状粒子を用いた場合と比較して、破砕粒子を用いると、スルーホールの加工性が良好であり、また、ガラス繊維のスルーホールに露出した側面および端面に、凹部が形成されていた。
2 電子部品
3 バンプ
4 配線基板
5 コア基板
6 配線層
7 基体
8 スルーホール導体
9 絶縁体
10 樹脂
11 無機絶縁粒子
12 ガラス繊維
13 基材
14 繊維層
15 樹脂層
16 絶縁層
17 導電層
18 ビア導体
T スルーホール
V ビア孔
C 凹部
Claims (10)
- 第1樹脂と該第1樹脂に被覆されたガラス繊維とを含む繊維層を有する基体を準備する工程と、
サンドブラスト法を用いて、微粒子を前記基体に向かって噴射することによって、前記基体にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホール内にスルーホール導体を形成する工程と
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の配線基板において、
前記基体にスルーホールを形成する工程は、
破砕粒子である前記微粒子を前記基体に向かって噴射することによって、前記基体にスルーホールを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項2に記載の配線基板において、
前記基体にスルーホールを形成する工程は、
ガラスよりも硬度の高い前記微粒子を前記基体に向かって噴射することによって、前記基体にスルーホールを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項3に記載の配線基板において、
前記基体にスルーホールを形成する工程は、
アルミナ、炭化ケイ素またはジルコニアからなる前記微粒子を前記基体に向かって噴射することによって、前記基体にスルーホールを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の配線基板の製造方法において、
前記基体を準備する工程は、
第2樹脂と該第2樹脂に被覆された無機絶縁粒子とを含み、前記繊維層上に配された樹脂層をさらに有する前記基体を準備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項5に記載の配線基板の製造方法において、
前記基体を準備する工程は、
酸化ケイ素からなる前記無機絶縁粒子を含む前記樹脂層をさらに有する前記基体を準備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項6に記載の配線基板において、
前記基体を準備する工程は、
前記無機絶縁粒子を40体積%以上75体積%以下含む前記樹脂層を有する前記基体を準備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の配線基板において、
前記スルーホール内に前記スルーホール導体を形成する工程は、
前記基体に前記スルーホールを形成する工程の後、デスミア処理をすることなく、前記スルーホール内に前記スルーホール導体を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項8に記載の配線基板において、
前記スルーホール内に前記スルーホール導体を形成する工程は、
めっき法を用いて、前記スルーホール内に前記スルーホール導体を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1に記載の製造方法で作製した配線基板に電子部品を電気的に接続する工程を備えたことを特徴とする実装構造体の製造方法。
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